热辐射探测器件

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? 5.1 热辐射的一般规律
热电传感器件是将入射到器件上的辐射能转换成热能,然后 再把热能转换成电能的器件。显然,输出信号的形成过程包括两 个阶段;第一阶段为将辐射能转换成热能的阶段(入射辐射引起 温升的阶段),是共性的,具有普遍的意义。第二阶段是将热能 转换成各种形式的电能(各种电信号的输出)阶段。
由于热敏电阻的晶格吸收,对任何能量的辐射都可以使晶格振 动加剧,只是吸收不同波长的辐射,晶格振动加剧的程度不同而已, 因此,热敏电阻无选择性地吸收各种波长的辐射,可以说它是一种 无选择性的光敏电阻。
? 1. 温度变化方程
热电器件在没有受到辐射作用的情况下,器件与环境温度处于
平衡状态,其温度为T0。当辐射功率为的热辐射入射到器件表面时, 令表面的吸收系数为α,则器件吸收的热辐射功率为αφe ;其中一部
分使器件的温度升高,另一部分补偿器件与环境的热交换所损失的
能量。设单位时间器件的内能增量为Δ φe ,则有
功率或称温度等效功率PNE为
1
1
PNE
?
????
4kT2 ?
G?
2
f
????2
?
????
16
A? kT ?
5
?
f
????2
(5-14)
例如,在常温环境下( T=300K),对于黑体( =1),热敏器件的 面积为100mm2,频带宽度为,斯特潘 -玻尔兹曼系数 J/cm2K4, 玻尔兹 曼常数 k=1.38×10-23J/K。则由式( 5-14)可以得到常温下热敏器件 的最小可探测功率为5×10-11W左右。
? Φi
?
C?
Fra Baidu bibliotek
d?? T ?
dt
(5-1)
式中称为热容,表明内能的增量为温度变化的函数。
热交换能量的方式有三种;传导、辐射和对流。设单位时间通过传
导损失的能量
? Φ? ? G? T
(5-2)
式中G为器件与环境的热传导系数。根据能量守恒原理,器件吸收
的辐射功率应等于器件内能的增量与热交换能量之和。即
第5章 热辐射探测器件
本章主要介绍热辐射探测器件的工作原理、基本特性、热辐 射探测器件的工作电路和典型应用。它为基于光辐射与物质相互 作用的热效应而制成的器件。由于它具有工作时不需要制冷,光 谱响应无波长选择性等突出特点,使它的应用已进入某些被光子 探测器独占的应用领域和光子探测器无法实现的应用领域。
大部分半导体热敏电阻由各种氧化物按一定比例混合,经高温烧结 而成。多数热敏电阻具有负的温度系数,即当温度升高时,其电阻 值下降,同时灵敏度也下降。由于这个原因,限制了它在高温情况 下的使用。
2. 热敏电阻的原理、结构及材料
半导体材料对光的吸收除了直接产生光生载流子的本征吸收和杂 质吸收外,还有不直接产生载流子的晶格吸收和自由电子吸收等, 并且不同程度地转变为热能,引起晶格振动的加剧,器件温度的上 升,即器件的电阻值发生变化。
当ω= 0时,由(5-5)式得
? T?t ??
? Φ0
(1?
?t
e ?T
)
G
(5-10)
由初始零值开始随时间t增加,当t∝∞时, ΔT达到稳定值。等于τT
时,上升到稳定值的63%。故τT被称为器件的热时间常数。
? 2. 热电器件的最小可探测功率
根据斯忒番-玻耳兹曼定律,若器件的温度为T,接收面积为A, 并可以将探测器近似为黑体(吸收系数与发射系数相等),当它 与环境处于热平衡时,单位时间所辐射的能量为
?? ? G t
? T t ? ? ? Φ0e C?
?
? Φ0e j? t
G ? j? C? G ? j? C?
(5-5)
设 ?T
?
C? G
? R? C?
称为热敏器件的热时间常数,
R?
?
1 G
称为热阻。
热敏器件的热时间常数一般为毫秒至秒的数量级,它与器件的
大小、形状和颜色等参数有关。
当时间t >>τT时,式(5-3)中的第一项衰减到可以忽略的程度,
温度的变化
? T?t ??
? Φ0?T e j? t
C? ?1 ? j?? T
?
(5-6)
为正弦变化的函数。其幅值为
? ? ? T ?
? Φ0?T
1
C?
1??
?2 2 T
2
(5-7)
可见,热敏器件吸收交变辐射能所引起的温升与吸收系数成正比。
因此,几乎所有的热敏器件都被涂黑。另外,它又与工作频率ω有
关,ω增高,其温升下降,在低频时( ωτT <<1),它与热导G
Φe ? A?? T 4
(5-11)
由热导的定义
G ? dΦe ? 4A?? T3
dT
(5-12)
经证明,当热敏器件与环境温度处于平衡时,在频带宽度内,热
敏器件的温度起伏均方根值为
1
? ? ? T
?
? 4kT2G? f
??G 2
C? ?
?2 2 T
?2 ? ?
(5-13)
考虑式(5-7),可以求出热敏器件仅仅受温度影响的最小可探测
成反比,式(5-6)可写为
? T ? ? Φ0
G
(5-8)
可见,减小热导是增高温升、提高灵敏度的好方法,但是热导与
热时间常数成反比,提高温升将使器件的惯性增大,时间响应变
坏。 式(5-6)中,当很高(或器件的惯性很大)时, ωτT >>1,式
(5-7)可近似为
?T
?
?? 0 ? C?
(5-9)
结果,温升与热导无关,而与热容成反比,且随频率的增高而衰减。
? Φe
?
C?
d ?? T??
dt
G? T
(5-3)
设入射辐射为正弦辐射通量 Φe ? Φ0e j? t ,则式(5-3)变为
C?
d ?? T??
dt
G? T
? ? Φ0e j? t
(5-4)
若选取刚开始辐射器件的时间为初始时间,则,此时器件与环境处
于热平衡状态,即t = 0,ΔT = 0。将初始条件代入微分方程(5-4), 解此方程,得到热传导的方程为
由式(5-14)很容易得到热敏器件的比探测率为
D?
?
?A?
f
?1 2
PNE
?
1
???16??kT 5
??2 ?
只与探测器的温度有关。
(5-15)
5.2 热敏电阻与热电堆探测器
? 5.2.1 热敏电阻
1. 热敏电阻及其特点
凡吸收入射辐射后引起温升而使电阻改变,导致负载电阻两端电压 的变化,并给出电信号的器件叫做热敏电阻。 相对于一般的金属电阻,热敏电阻具备如下特点: ①热敏电阻的温度系数大,灵敏度高,热敏电阻的温度系数常比一 般金属电阻大10~100倍。 ②结构简单,体积小,可以测量近似几何点的温度。 ③电阻率高,热惯性小,适宜做动态测量。 ④阻值与温度的变化关系呈非线性。 ⑤不足之处是稳定性和互换性较差。
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