第二章 晶格振动和晶格缺陷

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晶格的缺陷

晶格的缺陷

晶格的缺陷晶格的缺陷是指晶体结构中存在的各种不完美或异常的位置或排列。

这些缺陷对晶体的物理、化学性质以及材料的性能都会产生重要影响。

本文将从点缺陷、线缺陷和面缺陷三个方面,介绍晶格缺陷的种类、产生原因以及对材料性能的影响。

一、点缺陷1. 点缺陷是指晶体中原子或离子的位置发生变化或缺失。

常见的点缺陷有原子间隙、空位、间隙原子、杂质原子等。

2. 原子间隙是指晶体中存在的原子无法占据的空间,通常是由于晶格结构的不完美而形成。

原子间隙的存在会导致晶体的密度降低,同时对电子和热的传导产生影响。

3. 空位是指晶体中原子位置上缺失了一个原子。

空位会导致晶格的局部变形,降低晶体的机械强度和热稳定性。

4. 间隙原子是指晶体中存在的非晶体或空气中的原子进入了晶体中的间隙位置。

间隙原子的存在会改变晶体的电子结构和热导率。

5. 杂质原子是指晶体中存在的与晶格原子不同种类的原子。

杂质原子的加入会改变晶体的导电性、磁性以及光学性质。

二、线缺陷1. 线缺陷是指晶体结构中存在的一维缺陷,通常是晶体中原子排列发生错位或缺失。

2. 赝位错是指晶体中两个晶格面之间的原子排列发生错位,即晶体中的原子位置发生了偏移。

赝位错会导致晶体的机械强度下降,同时也会引起晶体的局部形变。

3. 堆垛错是指晶体中两个晶格面之间的原子排列发生缺失或添加。

堆垛错会导致晶体局部的结构畸变,进而影响晶体的热稳定性和电子传导性能。

4. 螺错是指晶体中原子排列沿晶体的某一方向发生了扭曲,形成了一种螺旋形的缺陷。

螺错会导致晶体的机械强度下降,同时也会引起晶体的局部形变。

三、面缺陷1. 面缺陷是指晶体结构中存在的二维缺陷,通常是晶格面的错位、缺失或添加。

2. 晶界是指晶体中两个晶粒之间的界面。

晶界是晶体中最常见的面缺陷,其形成原因包括晶体生长过程中的结晶不完全以及晶体在变形过程中的再结晶。

晶界会对晶体的力学性能、电学性能以及化学反应产生显著影响。

3. 双晶是指晶体中存在两个晶界的结构。

半导体物理习题

半导体物理习题

半导体物理习题 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN附: 半导体物理习题第一章 晶体结构1. 指出下述各种结构是不是布拉伐格子。

如果是,请给出三个原基矢量;如果不是,请找出相应的布拉伐格子和尽可能小的基元。

(1) 底心立方(在立方单胞水平表面的中心有附加点的简立方); (2) 侧面心立方(在立方单胞垂直表面的中心有附加点的简立方); (3) 边心立方(在最近邻连线的中点有附加点的简立方)。

2. 证明体心立方格子和面心立方格子互为正、倒格子。

3. 在如图1所示的二维布拉伐格子中,以格点O 为原点,任意选取两组原基矢量,写出格点A 和B 的晶格矢量A R 和B R 。

4. 以基矢量为坐标轴(以晶格常数a 为度量单位,如图2),在闪锌矿结构的一个立方单胞中,写出各原子的坐标。

5.石墨有许多原子层,每层是由类似于蜂巢的六角形原子环组成,使每个原子有距离为a的三个近邻原子。

试证明在最小的晶胞中有两个原子,并画出正格子和倒格子。

第二章晶格振动和晶格缺陷1.质量为m和M的两种原子组成如图3所示的一维复式格子。

假设相邻原子间的弹性力常数都是β,试求出振动频谱。

2.设有一个一维原子链,原子质量均为m,其平衡位置如图4所示。

如果只考虑相邻原子间的相互作用,试在简谐近似下,求出振动频率ω与波矢q之间的函数关系。

3.若把聚乙烯链—CH=CH—CH=CH—看作是具有全同质量m、但力常数是以1β,2β交替变换的一维链,链的重复距离为a,试证明该一维链振动的特征频率为}])(2sin41[1{2/1221221212ββββββω+-±+=qam并画出色散曲线。

第三章 半导体中的电子状态1. 设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近的能量)(k E c 为mk k m k k E c 21222)(3)(-+=(3.1)价带极大值附近的能量)(k E v 为mk m k k E v 2221236)( -=(3.2)式中m 为电子质量,14.3,/1==a a k πÅ。

材料科学基础 第2章 晶体缺陷PPT课件

材料科学基础 第2章 晶体缺陷PPT课件

2.2.1.点缺陷的种类及形成
当温度高于绝对零度时,晶体中原子或离 子围绕其平衡位置作热振动;并且晶体中原子 的能量非平均分配,存在热起伏。由于热运动, 晶体中的一些能量足够高的质点离开它的平衡 位置而形成的缺陷称为热缺陷,它是一种本征 缺陷。热缺陷包括肖特基缺陷、弗伦克尔缺陷 和间隙原子。
(1)肖脱基缺陷
kT
[ln(N n) lnn]
平衡时,自由能达到最 小 ,即:
F 0 n T
lnn ln(N n) EV TSf kT
ln n EV Sf N n kT k
当N> > n时:
ln n ln n Nn N
C Aesp EV kT
将上式指数分子分母 同乘以阿伏加德罗常数 6.02×1023,则上式变为:
(3)间隙原子
晶体表面上的原子由于热涨落跳跃进入晶体内部的间隙位 置。这时晶体内部只有间隙原子。
(4)热缺陷形成时的晶格畸变及畸变能
形成缺陷后,不仅使得晶体内部局部位置原有的 规则排列遭到破坏,原子位置发生了变化,而且原有 的作用力也将失去平衡,将引起晶格畸变,产生畸变 能。与空位形成相比,间隙原子引起的畸变能更大, 因此晶体中间隙原子浓度比空位浓度低得多。
2.2.1位错的基本类型和特征
位错是晶体中原子排列的一种特殊组态, 从位错的几何结构看,可分为刃型位错和螺 型位错两种基本类型。另外,混合位错是刃 型位错和螺型位错的混合体。
1.刃型位错
滑移区
半原子面
位错线
滑移面 未滑移区
τ
τ
刃型位错的特征
①刃型位错有一个多余半原子面,根据 额外半原子面在滑移面的上方或下方, 可②④分刃晶为性体正位中刃错产性线生位可韧错理性和解位负为错刃晶之性体后位中,错已位滑错移线周 区围和的未点滑阵移发区生的弹边性界畸线变,,滑既移有线切或应为变, 直又线有,正也应可变能。为在曲畸线变,区但,必原定子垂具直有于较大 ③滑的刃移平型方均位向能错(量滑不。移只就矢是正量一刃)列;型原位子错,,而上是部以为位压 错应线力为,中而心下轴部的为一张个应圆力筒。状负区刃域型,位其错半则 径相一反般。为2~3个原子间距。在此范围内 原子发生严重错排。

材料科学基础--第2章晶体缺陷PPT课件

材料科学基础--第2章晶体缺陷PPT课件
辐照:在高能粒子的辐射下,金属晶体点阵上的原子 可能被击出,发生原子离位。由于离位原子的能量高, 在进入稳定间隙之前还会击出其他原子,从而形成大量 的间隙原子和空位(即弗兰克尔缺陷)。在高能粒子辐 照的情况下,由于形成大量的点缺陷,而会引起金属显 著硬化和脆化,该现象称为辐照硬化。
12
2.1.5点缺陷与材料行为
Or, there should be 2.00 – 1.9971 = 0.0029 vacancies per unit cell. The number of vacancies per cm3 is:
17
Other Point Defects
Interstitialcy - A point defect caused when a ‘‘normal’’ atom occupies an interstitial site in the crystal.
11
2.1.4 过饱和点缺陷
晶体中的点缺陷浓度可能高于平衡浓度,称为过饱和点 缺陷,或非平衡点缺陷。获得的方法:
高温淬火:将晶体加热到高温,然后迅速冷却(淬火 ),则高温时形成的空位来不及扩散消失,使晶体在低 温状态仍然保留高温状态的空位浓度,即过饱和空位。
冷加工:金属在室温下进行冷加工塑性变形也会产生 大量的过饱和空位,其原因是由于位错交割所形成的割 阶发生攀移。
6
2.1.1 分类
3.置换原子(Substitutional atom) 异类原子代换了原有晶体中的原子,而处于晶体点阵的结 点位置,称为置换原子,亦称代位原子。 各种点缺陷,都破坏了原有晶体的完整性。它们从电学
和力学这两个方面,使近邻原子失去了平衡。空位和直 径较小的置换原子,使周围原子向点缺陷的方向松弛, 间隙原子及直径较大的置换原子,把周围原子挤开一定 位置。因而在点缺陷的周围,就出现了一定范围的点阵 畸变区,或称弹性应变区。距点缺陷越远,其影响越小 。因而在每个点缺陷的周围,都会产生一个弹性应力场 。

新大纲材料科学基础第2章 晶体结构缺陷

新大纲材料科学基础第2章  晶体结构缺陷

VV V+
(a)离子晶体中的弗仑克尔缺陷的形 成(空位与间隙质点成对出现) (b)离子晶体中的肖特基缺陷 的形成(正负离子空位对成对出现)
离子晶体中的点缺陷
二、点缺陷的浓度
1、平衡点缺陷(equilibrium point defect)及其浓度
ne c Ae n

Ev kT
ne — 平衡空位数


图2-7
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
点缺陷运动示意图
五、点缺陷对晶体材料性能的影响
一般情形下,点缺陷主要影响晶体的物理性质,如比 容(specific volume)、比热容(specific heat volume)、 电阻率(resistivity)、扩散系数、介电常数等。

1.比容 形成肖特基空位时,原子迁移到晶体表面上的新位 置,导致晶体体积增加。
(b)单质中肖特基缺陷的 形成
V
(c)空位的运动
点缺陷的类型 1-大的置换原子 4-复合空位 2-肖特基空位 5-弗兰克尔空位 3-异类间隙原子 6-小的置换原子
点缺陷类型1
点缺陷类型2

• •
b、间隙原子
定义:处于晶格间隙中的原子即为间隙原子。 在形成弗仑克尔空位的同时,也形成一个间隙原子; 溶质原子挤入溶剂的晶格间隙中后,也称为间隙原子。
surface+OO surfaceMgMg new surface+OO new surface
以零O(naught)代表无缺陷状态,则:
0V
'' Mg
V
.. O
化学平衡方法计算热缺陷浓度
(1)MX2型晶体肖特基缺陷浓度的计算
CaF2晶体形成肖特基缺陷反应方程式为:

晶格振动知识点总结

晶格振动知识点总结

晶格振动知识点总结一、晶格振动的基本概念晶体是由离子、原子或分子按一定的周期性排列而成的,因此在晶体中存在着晶格振动。

晶格振动是晶体结构中原子或离子在平衡位置附近作微小振动的一种运动形式。

晶格振动可以分为纵波和横波,纵波是振动方向与传播方向相同的波,而横波是振动方向与传播方向垂直的波。

晶格振动的频率与波数有关,它的频率与相邻的格点的质量和弹性常数有关。

二、晶格振动的特性1. 波数和频率关系对于有限晶格系统,其振动频率与波数之间存在一定的关系。

波数是振幅不同节点之间的间距,而频率是振动的快慢。

在晶体中,振动频率与波数之间存在的关系叫做色散关系。

晶格振动的色散关系可以通过简正坐标的福利叶动力学理论来描述。

2. 声子声子是描述晶体中原子或分子的振动状态的一种粒子状态,它是晶格振动的量子,可以理解为晶格振动的激发态。

声子的能量和动量取决于晶体的结构和材料的属性。

声子的性质对于理解固体材料的热力学性质和电子输运等具有重要意义。

3. 热容晶体的热容是指在单位温度变化下单位质量的物质所吸收或释放的热量。

热容受到晶格振动的影响,由于晶格振动的激发使得晶体中的振动能量增加,从而导致热容的增加。

晶格振动的频率和振幅都会影响晶体的热容。

三、晶格振动的热力学性质1. 声子态密度声子态密度是描述声子激发的集中程度的参数,它是声子频率与波数的函数。

声子态密度与物质的热容、传热系数、热导率等热力学性质有密切关系。

2. 热导率热导率是描述物质传热能力的物理量,它受到晶格振动的影响。

晶体中的声子态密度和振动频率都会影响热导率,声子散射和声子声波会对热导率产生影响。

3. 热膨胀系数热膨胀系数描述了物质在温度变化下的线膨胀率。

晶格振动会对物质的热膨胀系数产生一定的影响,特别在低温下,晶格振动会对热膨胀系数的温度依赖性产生较大的影响。

四、晶体中的声子散射声子与声子之间的相互作用会导致声子的散射,导致声子输运的阻尼。

声子之间的散射包括晶格常数的不均匀性引起的声子散射、声子与晶格缺陷相互作用引起的声子散射以及声子与声子之间的散射等。

晶格畸变程度与缺陷-概述说明以及解释

晶格畸变程度与缺陷-概述说明以及解释

晶格畸变程度与缺陷-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述晶格畸变程度与缺陷是材料科学领域中非常重要的研究内容。

晶格畸变程度描述了晶体中原子或离子位置的偏离理想晶格点的程度,而缺陷则是指晶体中存在的不完整或不正常的位置、原子、离子或结构单元。

在材料科学中,晶格畸变程度和缺陷的相互关系对于了解材料性能的起源和调控具有重要意义。

晶格畸变程度可以作为评估材料质量和稳定性的重要参数。

它反映了材料的结构完整性、晶体缺陷的数量和分布、材料中存在的变形应力等。

而缺陷则是导致材料性能变化的主要原因之一。

晶格畸变程度和缺陷之间存在着紧密的相互关系。

缺陷引起的晶格畸变可以导致材料的物理和化学性质发生变化,例如晶格常数的改变、晶体结构的变化等。

而晶格畸变程度也会对缺陷的形成和行为产生影响,例如影响点缺陷的生成和扩散、晶体缺陷的稳定性等。

本文将重点讨论晶格畸变程度与缺陷之间的关系及其影响机制。

首先,将详细介绍晶格畸变程度的定义和原理,包括晶体中原子、离子位置的偏离程度和晶胞参数的改变。

其次,将探讨影响晶格畸变程度的因素,如温度、应力、杂质等。

然后,将进一步研究缺陷引起的晶格畸变和晶格畸变对缺陷的影响,包括点缺陷、线缺陷和面缺陷等。

最后,将总结晶格畸变程度与缺陷的关系,并探讨这一研究的意义和未来的展望。

通过本文的研究,将有助于更深入地理解晶格畸变程度与缺陷之间的相互作用,为材料设计和制备提供理论指导,进一步优化材料性能和开发新型功能材料。

1.2文章结构1.2 文章结构本文将按照以下结构进行展开讨论晶格畸变程度与缺陷之间的关系。

2. 正文:2.1 晶格畸变程度2.1.1 定义和原理在这一部分,我们将介绍晶格畸变程度的定义和基本原理。

晶格畸变程度是指晶体中晶格点与理想晶格点之间的差异程度。

我们将解释晶格畸变程度的计算方法,并探讨不同种类晶体的晶格畸变程度的特点。

2.1.2 影响因素这一小节将探讨影响晶格畸变程度的因素。

我们将讨论温度、应力、化学成分和外界条件等因素对晶格畸变程度的影响,并详细分析它们与晶格畸变程度之间的关系。

晶格振动

晶格振动
aq
m
Y
a
m a
随着 q的增长,ω数值逐渐偏离线性关系,变得平缓, 在布里渊区边界,格波频率达到极大值。
q
a
max
4
m
相速和群速:
相速度 v p是单色波单位时间内一定的振动位相所传播的
距离。群速度 vq是平均频率为ω,平均波矢为q 的波包的
传播速度,它是合成波能量和动量的传播速度。
原子间有一个相差,相邻原子间的相差是 qa 。
该结果还表示:只要ω和q 满足上述关系,试解就是联立方程 的解。通常把ω和 q 的关系称作色散关系。
解的物理意义: 格波 nq Aeitnaq
原子振动以波的方式在晶体中传播。当两原子相距 2 的
整数倍时,两原子具有相同的振幅和位相。
q
如: ma na 2 l,(m, n,l 都是整数)。
a 结果反射达到最大值,并与入射波相结合,形成驻波,群速
度为零。这和X射线衍射的Bragg 条件是一致的,也同样显
示了布里渊区边界的特征。它们都是由于入射波的波动性和
晶格的周期性所产生的结果。
入射波
2a
反射波
所以一维单原子就像一个低通滤波器,它只能传播
0 max 的弹性波,高于 max 频率的弹性波被强烈衰减。
代入方程得: ③
M2 2 A 2 cosaq B 0 2 cosaq A m2 2 B 0
有解条件是久期方程为零:
M2 2
2 cosaq
2 cosaq
m2 2 0
解得:
2
Mm
(M
m)
(M m)2 4Mmsin2 aq

M Mm
m
1
1
4Mm

第二章 材料的电导

第二章 材料的电导

在材料的许多应用中,电导性是非常重要的。

由于电导性能的差异,材料被应用在不同的领域。

半导体材料已作为电子元件广泛应用于电子领域,成为现代电子学的一个重要部分。

如电阻发热元件,在高温(>1500℃)下能维持其力学性能不变;各种半导体敏感材料,如压敏材料、热敏材料、光敏材料、快离子导电材料、气敏材料等是制作各类传感器的重要材料之一,由于它们与信息和微机等高新技术的发展密切相关,因而获得了迅猛发展和广泛的应用,成为功能材料的一个重要分支。

利用具有零阻电导现象的超导材料制作的新型电子器件也已获得应用。

此外还有性能几乎不受温度和电压影响的欧姆电阻。

这些材料的应用都是利用了材料的电导特性。

无机材料是良好的绝缘材料,是输配电及无线电工业中主要的材料之一,常用于低压和高压绝缘。

因此材料绝缘性能的好坏是非常重要的。

5.1电导的物理现象5.1.1 电导的宏观参量(1)电导率和电阻率电流密度J J=E/ρ=E σ (2.1)式中ρ=R(S/L),为材料的电阻率。

电阻率的倒数定义为电导率σ,即σ=1/ρ。

也可写为J=σE (2.2)这就是欧姆定律的微分形式,它适用于非均匀导体。

微分式说明导体中电流密度正比于该点的电场,比例系数为电导率σ。

(3)迁移率和电导率材料的导电现象,其微观本质是载流子在电场作用下的定向迁移。

电流密度定义为单位时间内通过单位面积迁移的电荷量,即J=nqv 。

根据欧姆定律的最一般表达式J=E σ,得到电导率为σ=J/E =nqv/E (2.3)令μ=v/E ,并定义为载流子的迁移率。

其物理意义是载流子在单位电场中的迁移速度。

因此电导率是载流子浓度和迁移率的乘积σ=(nq )μ (2.4)如果载流子为离子,则需要考虑原子价态z ,则上式可以写成σ=(nzq )μ在一种材料中对电导率有贡献的载流子常常不只一种。

在这种情况下,第i 种粒子的电导率为 σi =n i z i q i μi于是总的电导率可由下式给出 (2.5)(2.5)式反映电导率的微观本质,即宏观电导率σ与微观载流子的浓度n ,每一种载流子的电荷量q 以及每种载流子的迁移率的关系。

材料科学基础第二章晶体缺陷

材料科学基础第二章晶体缺陷

金属 Al Ag Cu
α-Fe
Mg
理论切应力
3830 3980 6480 11000 2630
实验值
0.786 0.372 0.490 2.75 0.393
切变模量 24400 25000 40700 68950 16400
21
dislocation
一 般 金 属 的 G=104~105MPa, 理论剪切强 度应为103~104MPa,实际只有1~10MPa 理论强度比实测值大1000倍以上!! 1934年Taylor, Polanyi和Orowan几乎同 时提出晶体中存在易动的缺陷-位错, 借助于位错运动实现塑性变形。
12
设在温度T时,含有N个结点的晶体中形成n个空位, 与无空位晶体相比:
ΔF=n·ΔEV-T·ΔS
ΔS=ΔSC+n·ΔSV
n个空位引入,可能的原子排列方式:Wc

(N
N! n)!n!
利用玻尔兹曼关系SC=k·lnWC,并利用Stiring公式
令: (F ) 0
n T
13.00
12.75
12.50
12.25
Fe的 电 阻 率 随 淬 火 温 度 的 变 化
12.00
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600
Tem perature / oC
17
2.2位错的基本概念 (1)位错理论产生强化材料的重要手段,但是对于变形的微观过 程、加工硬化等尚不能解释。 滑移带现象。当时,普遍认为金属塑性变形是 晶体刚性滑移的结果,滑移面两侧的晶体借助 于刚性滑动实现变形。 1926年弗兰克尔从刚性模型出发,估计了晶 体的理论强度。

晶格振动对晶体的热导率的晶格缺陷效应

晶格振动对晶体的热导率的晶格缺陷效应

晶格振动对晶体的热导率的晶格缺陷效应晶体的热导率是指物质在温度梯度下传导热量的能力。

晶格振动是晶体热传导的主要机制之一,而晶格缺陷则会对晶体的热导率产生影响。

本文将探讨晶格振动对晶体热导率的晶格缺陷效应。

1. 晶格振动与热导率晶体的热导率主要受到晶格振动的影响。

晶格振动是指晶体中原子或离子在其平衡位置附近发生的振动运动,其振动形式可以是平动、转动或者伸缩振动。

晶格振动的频率和振幅决定了晶体的热导率大小。

2. 晶格缺陷的种类与效应晶格缺陷是指晶体中存在的原子、离子或分子位置的非理想性。

晶格缺陷可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷。

点缺陷包括空位、间隙原子和杂质原子,线缺陷包括晶体中的位错,面缺陷包括晶界和孪晶。

晶格缺陷对晶体热导率的影响主要有两个方面。

一方面,晶格缺陷能够散射晶格振动的能量,增加热阻。

另一方面,晶格缺陷会改变晶格振动的传播方式,从而影响能量的传递效率。

3. 点缺陷对热导率的影响点缺陷是晶体中最简单的缺陷形式,对热导率的影响较为复杂。

在点缺陷中,空位和间隙原子可以降低热导率,因为它们能够散射晶格振动。

而杂质原子的影响则取决于杂质的种类和浓度。

有些杂质原子能够散射晶格振动,因此降低热导率;而有些杂质原子可能增加了晶格的复杂度,从而增加了热导率。

4. 线缺陷对热导率的影响线缺陷包括晶体中的位错,其对热导率的影响也比较复杂。

位错可以作为散射中心,降低热导率。

另一方面,位错也会影响晶格振动的传播路径,从而影响能量的传递效率。

5. 面缺陷对热导率的影响面缺陷包括晶界和孪晶。

晶界是晶体中两个不同晶格的交界处,而孪晶则是晶体中两个具有不同取向但具有相同晶格结构的区域。

晶界和孪晶都会影响晶格振动的传播方式,从而对热导率产生影响。

6. 控制晶格缺陷的方法控制晶格缺陷是提高晶体热导率的重要途径之一。

通过控制晶体生长条件,可以减小晶格缺陷的生成。

此外,通过控制杂质原子的浓度和分布,也可以改变晶体中的晶格缺陷情况。

晶格振动对晶体的导热性能的影响

晶格振动对晶体的导热性能的影响

晶格振动对晶体的导热性能的影响晶体是由周期性排列的原子或分子组成的固体物质。

正是晶体内部原子的有序排列,导致晶格振动(晶格热振动)的存在。

晶格振动是晶体中原子或分子围绕其平衡位置做微小振动的行为,是晶体中热量传递的重要载体。

本文将探讨晶格振动对晶体的导热性能的影响。

一、晶格振动与热传导晶体导热是通过晶格振动的方式进行的。

晶体中的原子或分子通过与周围原子或分子发生碰撞,传递热量,使温度在晶体内传播。

晶体中的原子或分子的振动包括平动和转动两种类型,其中平动振动对热传导贡献较大。

晶体中晶格振动的频率与振幅取决于晶体的结构、能量状态和温度。

晶格振动通过声子(phonon)的形式存在,即晶体中的宏观振动模式。

声子的存在使得晶体中能量可以传递。

二、晶格振动对导热性能的影响晶格振动对晶体的导热性能有着重要的影响。

它不仅影响了晶体的热传导速率,还决定了晶体的热稳定性和热导率。

1. 晶格结构的影响晶格结构是晶体导热性能的重要因素。

不同的晶体结构对应着不同的原子排列和振动模式,从而导致晶体的热传导特性不同。

例如,金刚石晶体具有密堆结构,原子通过共价键连接,其热导率很高。

而钻石的晶格结构比较松散,热导率较低。

2. 晶格缺陷的影响晶格缺陷对晶体的导热性能也有着显著影响。

晶体中的缺陷,如点缺陷(空位、杂质)和面缺陷(晶界、堆垛层错等),可以散射声子,降低晶体的热导率。

缺陷的存在会导致晶体中的声子传播受到阻碍,减少了热量的传递效率。

3. 温度的影响温度是晶格振动对导热性能影响的重要因素。

随着温度的升高,晶体中的声子振动会更激烈,频率增大,导致热导率增加。

但是在温度较低时,声子的振动受限制,随着温度的降低,声子的散射减少,晶体的热导率随之增加。

三、应用与展望晶格振动对于理解晶体的导热性能具有重要意义。

通过研究晶格振动与导热性能的关系,可以为材料热导率的调控提供理论指导。

基于晶格振动的理论,也可以针对不同的应用需求,设计、合成具有优异热导性能的材料。

固体电子学 第二章 晶格振动和晶体的缺陷

固体电子学 第二章 晶格振动和晶体的缺陷

力学量连续取值
(n=0,1,2…..)
即能量只能取一些分立值。
对于一维简单格子的情况,只考虑最近邻粒子间的相互作用, 则晶体的势能为:
动能为:
U
2
(n 1 -n)2
n
T 1
2
n
mn2
势能函数包含有依赖于两原子坐标的交叉项,在处理多自由度的 振动问题时,往往引入新的坐标---正则坐标:
它与原坐标的关系:
A
1
2
m
2 A
相邻两种不同原子的振幅都有相同的正号或负 号,即对于声学波,相邻原子都是沿着一个方向振 动的。
当 q 0时 , A 0, 则 ( B / A ) 1。 于是原子的位移变成
x2n x2n1
对长声学波,原胞内不同原子以相同的振幅和位 相作整体运动,其振动概况如图所示。
的一维复式格子,如图所示。
设相邻两个不 同原子构成一个 分子,分子内两
AB
b
a
原子平衡位置的间距为b,恢复力常数为β1 ;两分 子间两原子对应的恢复力常数为β2 。质量为 m 的 原子位于...2n-1,2n+1,2n+3...各点,质量为 M 的原子位于...2n-2,2n,2n+1...各点。
若只考虑相邻原子的相互作用,则第 2n+1 个原
* 相隔一个晶格常数a 的同种原子,位相差为qn。
把上式代入动力学方程,整理后得
1 2 M 2
A
1
e iqa
2
B0
1 2e iqa A 1 2 m 2 0
若A、B 有非零解,则其系数行列式必零,即
1 2 M 2 1 2eiqa
由此可以解得
a
1

《半导体物理》胡礼中第二章 晶格振动和晶格缺陷

《半导体物理》胡礼中第二章 晶格振动和晶格缺陷

第二章 晶格振动和晶格缺陷在上一章中,我们把组成晶体的原子或离子看成是固定不动的,都处在其平衡位置上。

实际晶体中的原子却是不停地在其平衡位置附近做热振动的,并且随着温度的升高,振动会不断加剧。

这种热振动也称晶格振动,它会破坏晶格的周期性,在晶格中造成缺陷,从而对半导体的性质产生重要影响。

实际三维晶体中原子的振动现象很复杂,在这里我们只分析一维晶体(单原子和双原子链)的振动,然后将所得到的规律和结论推广到三维晶体中。

§2-1 一维均匀线的振动为研究一维原子链的振动,首先复习一下一维均匀线中弹性波(纵波)的传播现象。

设均匀线的质量密度为ρ,弹性模量为K ,又设线上每一点只能沿线本身的方向(纵向)运动,如图2-1所示。

若在线元x ∆上施加一作用力,它将引起x 点的纵向位移u (x )。

此时在x 处的相对伸长(即形变)为xu x e ∂∂=)(,在x x ∆+处的形变则为x xu x e x x e ∆∂∂+=∆+22)()(。

根据胡克定律(Hooke's law ),此时在线元x ∆上的作用力为[]x xu K x e x x e K F x ∆∂∂=-∆+=∆22)()( (2-1) 此作用力还可表示为线元质量x ∆ρ乘上加速度22tu ∂∂,即 22tu x F x ∂∂∆=∆ρ (2-2) 从而有 22tu ∂∂=22222x u x u K ∂∂=∂∂υρ (2-3)式中,ρυK= 是弹性波的传播速度(声波速度),与振动频率无关。

(2-3)式称线性振动方程,其解为具有如下形式的简谐波[])(ex p ),(t qx i A t x u ω-= (2-4)式中,A 为振幅,πνω2=为角频率,ν为振动频率,λπ2=q 为波矢(波数λ1π2⨯)。

由于波速λνυ=,从而有 q υλπυπνω===/22 (2-5) 即ω与波矢q 成正比。

q 的绝对值可取∞→0,因而振动频率也可取∞→0,且与q 是一一对应的。

晶格振动对晶体的热导率的离子缺陷效应

晶格振动对晶体的热导率的离子缺陷效应

晶格振动对晶体的热导率的离子缺陷效应晶体是由大量原子或离子有序排列而成的固体,其在导热方面具有重要的应用价值。

晶格振动是晶体中的一种基本运动形式,其对晶体的热导率有着重要影响。

本文将探讨晶格振动对晶体热导率的离子缺陷效应。

离子缺陷是晶体中的一种常见现象。

在晶格振动中,离子缺陷对晶体的热导率具有显著的影响。

首先,离子缺陷使得晶格振动的波长发生改变。

从而,改变了晶格振动的频谱分布,进而影响了晶格振动的能量传递。

其次,离子缺陷也会改变晶格振动的弛豫时间,使得热能的传递速率发生变化。

在热导率方面,离子缺陷的效应可以分为两种情况:正效应和负效应。

首先,我们来讨论离子缺陷的正效应。

缺陷离子的质量、尺寸和振动模式与晶体中原子或离子不同,导致晶格振动频率和振动强度的变化。

这种变化会增加晶格振动的散射和散射角度,使得热流在晶体中的路径变得更加复杂。

因此,离子缺陷的引入会增加晶格振动的平均自由程,从而提高晶体的热导率。

接下来,我们来讨论离子缺陷的负效应。

缺陷离子的引入会导致晶格振动的频率和弛豫时间的变化,进而影响了晶体中的能量传递。

一方面,离子缺陷会增加晶格振动的自由程,导致能量在晶体中传递的速率加快。

另一方面,离子缺陷会增加晶格振动的散射,限制热流的传导。

因此,在某些情况下,离子缺陷的引入会降低晶体的热导率。

除了上述正效应和负效应之外,离子缺陷还可能引起晶体的热膨胀和压电效应。

离子缺陷导致了晶格结构的畸变,使晶体在温度变化时发生形变。

这种形变会影响晶体的热导率。

同时,离子缺陷还会引起压电效应,即在外加电场作用下晶格振动的变化。

压电效应也会对晶体的热导率产生影响。

总的来说,晶格振动对晶体的热导率有着重要的影响,离子缺陷是影响晶体热导率的重要因素之一。

离子缺陷引入晶体中会改变晶格振动的频率、弛豫时间和振动模式,从而影响了热传导的过程。

离子缺陷的效应可以是正效应和负效应,取决于离子缺陷的具体性质以及晶体的结构。

因此,深入研究晶格振动对晶体热导率的离子缺陷效应,对于理解晶体导热性质具有重要意义。

《晶格振动》课件

《晶格振动》课件
共同决定。
晶格振动频率与能量
振动频率
晶格振动的固有频率,与 晶体的弹性常数、原子质 量等参数有关。
能量
晶格振动的能量与振幅的 平方成正比,振幅越大, 能量越高。
热振动
在一定的温度下,晶格振 动呈现热振动状态,其平 均能量与温度有关。
晶格振动的量子力学描述
01
量子力学基本原理
量子力学是描述微观粒子运动和相互作用的理论,其基本原理包括波粒
将实验结果与理论预测进行比较,验证理 论模型的准确性和适用范围。
实验结论与展望
总结实验成果
未来研究方向
总结实验研究的主要成果,包括对晶 格振动的认识、对物质性质的影响等 方面的发现。
提出未来研究的方向和重点,包括改 进实验方法、深入研究晶格振动与其 他物理现象的相互作用等。
实际应用价值
探讨实验研究成果在实际应用中的价 值,如材料科学、能源、环境等领域 的应用前景。
量子力学中的晶格振动
在量子力学中,晶格振动被视为一种量子力学振子,其能 级和波函数可以用量子力学公式描述。这种描述方法可以 用于计算晶体的热容、弹性常数等物理量。
量子力学中的晶格振动理论还可以用于研究高温超导、量 子相变等现象。通过将晶格振动与电子行为相结合,可以 深入理解这些复杂现象的微观机制。
《晶格振动》ppt课件
目录 Contents
• 晶格振动概述 • 晶格振动的基本理论 • 晶格振动的实验研究 • 晶格振动在材料科学中的应用 • 晶格振动在物理领域的应用 • 总结与展望
01
晶格振动概述
定义与特性
定义
晶格振动是指固体晶格结构中的 原子或分子的振动,这种振动模 式对物质的物理性质和化学性质 有重要影响。
晶格振动与材料光学性质光源自收01晶格振动模式和频率影响材料对光的吸收,通过调控晶格振动
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第二章 晶格振动和晶格缺陷上一章里,把组成晶体的原子或离子看成是固定不动的,都处在其平衡位置上。

实际晶体中的原子却是不停地在其平衡位置附近做热振动的,并且随着温度的升高,振动会不断加剧。

这种热振动也称晶格振动,它会破坏晶格的周期性,在晶格中造成缺陷,从而对半导体的性质产生重要影响。

实际三维晶体中原子的振动现象很复杂,我们只分析一维晶体(单原子和双原子链)的振动,然后将所得到的规律和结论推广到三维晶体中。

§2-1 一维均匀线的振动为研究一维原子链的振动,首先复习一下一维均匀线中弹性波(纵波)的传播现象。

设均匀线的质量密度为ρ,弹性模量为K ,又设线上每一点只能沿线本身的方向运动,如图2-1所示。

若在线段x ∆上施加一作用力,它将引起x 点的纵向位移u (x )。

此时在x 处的相对伸长,即形变为x u x e ∂∂=)(,在x x ∆+处的形变则为x xu x e x x e ∆∂∂+=∆+22)()(。

因此在线元x ∆上的作用力[]x xuK x e x x e K F x ∆∂∂=-∆+=∆22)()( (2-1)此作用力还可表示为线元质量x ∆ρ乘上加速度22tu∂∂,即22tux F x ∂∂∆=∆ρ (2-2)从而有 22t u ∂∂=22222xu x u K ∂∂=∂∂υρ (2-3) 式中,ρυK=是弹性波的传播速度(声波速度),与振动频率无关。

(2-3)式称线性振动方程,其解为具有如下形式的简谐波[])(e x p ),(t qx i A t x u ω-= (2-4) 式中,A 为振幅,πνω2=为角频率,ν为振动频率,λπ2=q 为波矢(波数λ1π2⨯),λνυ=为波速,从而有q υλπυπνω===/22 (2-5)即ω与波矢q 成正比。

q 的绝对值可取∞→0,因而振动频率也可取∞→0,且与q 是一一对应的。

(2-5)式也称波的色散关系。

§2-2 一维单原子链的振动晶体由周期性排列的原子构成。

由于晶体微观结构的这种不连续性,使得晶体中原子的振动具有与连续媒质弹性振动不同的特点。

由于原子之间的相互作用,每个原子的振动并不是彼此孤立的,而是一个原子的振动要依次传递给其他原子。

晶体中的原子振动,总体而言,也是以波的形式在晶体中传播的。

这种晶体中原子振动波称格波。

下面分析质量为m 、间距为a (晶格常数)的一维单原子链的晶格振动。

如图2-2所示,假设第n 个原子的位移为u n 。

若这个原子从平衡位置偏离不大,则其受到的相互作用力可认为是准弹性的,并与原子间距的变化成比例。

因此,在忽略包括次近邻以外原子的作用后,n 原子所受到的作用力F n 为n-1和n+1两个最近邻原子的作用力之和,即)2()()(1111n n n n n n n n u u u u u u u F -+=---=-+-+βββ (2-6)式中,β称准弹性力常数且a K /=β,即a K β=,K 为弹性模量。

于是,第n 个原子的运动方程可写为=22dtu d m n)2(11n n n u u u -+-+β (2-7)该方程的解为简谐波[])(e x p t q n a i A u n ω-= (2-8) 将(2-8)代入(2-7)得)2(2-+=--i q a i q a e e m βω=[]2sin 4)cos 1(22qa qa ββ-=-- 从而有 2s i n422qam βω= (2-9) 于是得 2s i n 2s i n )(22/1qaqa m m ωβω== (2-10)式中,2/1)/(2m m βω=为最大振动角频率。

(2-10)式即为一维单原子链的色散关系或频谱分布。

从而一维单原子链中准弹性波的传播速度为λπβπλπωλνλυam sin)/(22/1=== (2-11) 与波长有关。

一维单原子链的格波(简谐波)具有以下性质:1.所有原子都以相同的角频率ω和振幅A 作简谐振动;2.各原子之间有一均匀变化的位相差。

位相差的大小由原子之间的距离a 和波长qπλ2=决定。

近邻原子间的位相差为a a q λπ2=; 3.如果两个波矢'q q 和之间存在以下关系l aq q π2'+= (l 为任意整数) (2-12) 则相应于这两个波矢的格波所引起的原子振动是相同的。

**因为,对于'q 格波,原子振动为[][]t)-exp )2exp()(exp 2(exp 'ωπωωπqna A nl i t qna i A t na l a q i A u n ()=-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-+= =u n (2-13)与波矢为q 的格波所引起的原子的振动相同。

因此,当q 在2π/a 的范围内变化时,能够给出所有的独立格波。

为了明确起见,通常限制aq a ππ<≤- (2-14)波矢q 的这一变化范围,称为第一布里渊区。

格波之所以具有上述性质,是因为晶体中的原子不是连续分布,而是周期排列的。

由于q 在a a ππ和-之间取值,故当aq π=max 时,相应的格波波长最小,为a q 22maxmin ==πλ。

这个结果的物理意义是很清楚的。

小的格波。

图2-3中,图2-3 一维单原子链中不同波长的格波画出了)6(62a a q ==λπ和)2(a a q ==λπ的两个格波。

而)7/6(62*7a a q ==λπ的简谐波与a q 62π=相差aπ2,半波长小于a ,故不属于格波。

§2-3 一维双原子链的振动如图2-4所示,假设在质量为m 1和m 2的两种原子组成的晶格常数为a 的一维晶体中,分别用序列号'n 和"n 标志第n 个原胞中的m 1和m 2原子,用'n u 和"n u 表示'n 和"n 位置原子的位移,并认为相邻原子之间的弹性力常数β相等,则可写出以下两种原子的运动方程'"1"2'212(n n n n u u u dtu d m -+=-β))2("''12"22n n n n u u u dtu d m -+=+β (2-15) 上述方程的解为[])(e x p 1't qna i A u n ω-=[])(e x p 2"t q n a i A u n ω-= 3,2,1,0±±±=n (2-16)将(2-16)代入(2-15)得0)1()2(2121=+---A e A m i q a βωβ0)2()1(2221=--+A m A e i q a ωββ (2-17)这是一个二元线性齐次联立方程组。

若要A 1和A 2不同时为零,则其系数行列式必须等于零。

即)2()1()1()2(2221ωβββωβm e e m i q a i q a-++--=0 (2-18) 利用qa e e iqa iqa cos 2=+-和2sin 2cos 12qaqa =-,可得 02s i n 422212221214=++-qa m m m m m m βωβω (2-19)从而有⎥⎦⎤⎢⎣⎡-+=2s i n 112222021qa r ωω ⎥⎦⎤⎢⎣⎡--=2s i n 112222022qa r ωω (2-20)式中,2121202m m m m +=βω,221212)(4m m m m r +=。

由(2-20)可知,每个q 对应两个ω(负ω无意义)。

因此,在原胞中有两个原子的一维晶体中有两支振动波(格波),其中频率较高者与晶体的光学性质有关,通常称光学波。

而频率较低者则与宏观弹性波(声波)有密切关系,通常称声学波。

图2-5给出了一维双原子链振动频率与波矢之间的关系。

下面讨论两种极端情况,即对波长最长和最短的格波进行讨论。

1)对q=0和q=π/a 有 01)0(ωω= , 201112)(r a -+=ωπω0)0(2=ω , 202112)(r a--=ωπω (2-21)从而有 )0()()()0(22101ωπωπωωω〉〉〉=aa =0 (2-22)2)对无限长波长声学波,0)0(2=ω,从而由(2-16)和(2-17)式有1)(21"'==A Au u nn (2-23)即此时两个原子的位移相同。

这意味着无限长声学波中,两个原子的振动是同步的,并在任何时刻它们偏离平衡位置的方向相同,与弹性波类似,故称其为声学波。

3)对无限长波长光学波,最大频率01)0(ωω=。

根据(2-16)和(2-17)式有: 1221"'m mA A u u n n -== (2-24)因此,在无限长光学波中,同一原胞中的两个原子反向位移,位相相反,质量中心不动,即0"2'1=+n n u m u m 。

如果原胞由两个符号不同的离子组成,它们的反位相振动将导致原胞电偶极矩的变化,从而引起红外光的吸收和发射,故称其为光学波。

4)对较长波长格波,即q 较小时,有22sin qa qa ≈,从而(2-20)式中的根号项可展成级数,结果对光学波有:)321(22201q a r -≈ωω (2-25) 当0→q 时,光学波的相速度∞→=qf 1ωυ,而群速度0162201→-==q a r dq d g ωωυ. 而对声学波则有:q q m m a raq υβωω=+=≈)(2412102 (2-26)式中,a K /2=β。

上式表明,对于长声学波,振动频率正比于声速ρβυKm m a=+=)(221且相速度与群速度均等于声速,即:υυυ==g f 。

这意味着当q 较小时,晶格原子的声学波对应于通常的声波,其传播速度等于晶体中的声速。

5)对最短波长aq a πλ==,2min ,此时光学波的振动频率最小,而声学波的频率最高,分别为:m i n 12/111)/2()(ωβπω==m a 和max 22/122)/2()(ωβπω==m a§2-4 玻恩---卡门边界条件(周期性边界条件)前两节讨论了分布在无限长直线上的原子振动问题,得到的格波频谱分布是连续的。

然而,实际晶体大小总是有限的。

对有限晶体,边界附近的原子与内部原子所处的环境有所不同,晶体结构的周期性被破坏,这给分析问题带来不便。

为克服这一困难,玻恩、卡门提出了一种理想化的边界条件-----周期性边界条件:要求原子的运动具有以实际的有限晶体为周期的周期性。

该条件虽然有一定的人为性,但对所讨论的问题一般影响不大(为什么?),可得到一些重要结论。

下面用周期性边界条件讨论一维单原子链和双原子链问题。

1)对于一维单原子链,设想其由N 个相同的原子组成,这些原子以等间距a 排列在一条长为L=Na 的直线上。

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