第3章存储器原理和接口

电 源
V CC
A n -1
.
.
地
.
.
址
线
V pp
.
.
A0
线
GND
控
OE
D0
.
.
数
制
.
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据
线
.
.
CS
D7
线
第3章存储器原理和接口
3.2 存储器与CPU的连接
这是本章的重点内容 SRAM、EPROM与CPU的连接 译码方法同样适合I/O端口
第3章存储器原理和接口
存储器的分类 按用途和特点分类 按存储器存取方式分类 按构成存储器的器件和存储介质分类
第3章存储器原理和接口
按用途和特点分类
外部存储器（辅助存储器，外存， External Memory）
用来存放不经常使用的程序和数据， CPU不 能直接访问它。属计算机的外部设备,是为弥补内 存容量的不足而配置的，容量大，成本低，所存 储信息既可以修改也可以长期保存，但存取速度 慢。需要配置专门的驱动设备才能完成对它的访 问，如硬盘、软盘驱第动3章器存储等器原。理和接口
内存在计算机系统中的地位 计算机通过执行程序控制其运行 程序存储在内存中
第3章存储器原理和接口
第3章 存储器原理与接口
存储器基础知识 存储器接口技术 微型机系统中存储器的体系结构
第3章存储器原理和接口
一、存 储 器 基 础 知 识
存储器的分类 选择存储器件的考虑因素（性能指标） 随机存取存储器RAM 只读存储器ROM.
第3章存储器原理和接口
选择存储器件的考虑因素（性能指标）
存储容量 存取速度 功耗 可靠性 价格
第3章存储器原理和接口
随机存取存储器RAM
SRAM（Static RAM，静态随机存储器） 速度快、容量低、功耗大、价格高
DRAM（Dynamic RAM，动态RAM） 容量高、功耗小、价格低
第3章存储器原理和接口
户多次擦除和编程; EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦
除和编程，也可多次擦写; Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，
但只能按块（Block）擦除。
第3章存储器原理和接口
读写存储器RAM
组成单元 速度 集成度
应用
SRAM 触发器 快 低 小容量系统
DRAM 极间电容 慢 高 大容量系统
常见的典型SRAM芯片有Intel的“61”系列和 “62”系列：例如常用的有6116、6216、6164、6264、 62256等。
该系列芯片的容量为XK×8位，例如6116的容
量为2K×8位，它的地址线有11根，数据线有8根，
控制线有3条，片选信号CS、输出允许信号OE和读
写控制信号WE。
第3章存储器原理和接口
SRAM芯片6264 NC 1
存储容量为8K×8 28个引脚：
13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CS1*、CS2 读写WE*、OE*
功能
A12 2 A7 3 A6 4 A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9 A0 10 D0 11 D1 12 D2 13 GND 14
第3章存储器原理和接口
28 +5V 27 WE* 26 CS2 25 A8 24 A9 23 A11 22 OE* 21 A10 20 CS1* 19 D7 18 D6 17 D5 16 D4 15 D3
电 源
V CC
A n -1
.
地
.
.
.
址
线
GND
.
.
A0
线
控
OE
D0
.
.
数
.
.
据
制
WR
.
.
D7
线
NVRAM 带微型电池 慢 低 小容量非易失
第3章存储器原理和接口
RAM的分类
SRAM（Static RAM，静态随机存储器） 速度快、容量低、功耗大、价格高
DRAM（Dynamic RAM，动态RAM） 容量高、功耗小、价格低
第3章存储器原理和接口
按构成存储器的器件和存储介质分类
半导体存储器 磁表面存储器 光电存储器
按用途和特点分类
缓冲存储器（缓存，Cache Memory） 位于主存与CPU之间，其存取速度非常快，
但存储容量更小，可用来解决存取速度与存储容 量之间的矛盾，提高整个系统的运行速度。 内部存储器（主存储器，内存，Main Memory）
用来存放计算机正在执行的或经常使用的程序 和数据。CPU可以直接对它进行访问。一般是由半 导体存储器构成，通常装在主板上。存取速度快， 但容量有限，其大小受地址总线位数的限制。
可编程ROM（PROM） 可擦除编程ROM（EPROM） 可电擦除可编程ROM（ E2PROM）
闪烁存储器Flash
在微机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写
操作的一类存储器。
第3章存储器原理和接口
只读存储器ROM
掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改; PROM：允许一次编程，此后不可更改; EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用
该系列芯片的容量为XK×8位，例如2732的容 量为4K×8位，它的地址线有12根，数据线有8根， 控制线有3条，片选信号CS、输出允许信号OE。
第3章存储器原理和接口
EPROM芯片2764 Vpp 1
A12 2
存储容量为8K×8
A7 3
28个引脚：
13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CE*
线
Biblioteka Baidu
CS
第3章存储器原理和接口
只读存储器ROM
掩膜ROM（MROM） 可编程ROM（PROM） 可擦除编程ROM（EPROM） 可电擦除可编程ROM（ E2PROM） 闪烁存储器Flash
第3章存储器原理和接口
常见的典型EPROM芯片有Intel的“27”系列： 例如常用的有2716、2732、2764、27256等。
编程PGM*
A6 4 A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9
读写OE*
A0 10
编程电压VPP
D0 11
D1 12
D2 13
功能
GND 14
第3章存储器原理和接口
28 Vcc 27 PGM* 26 NC 25 A8 24 A9 23 A11 22 OE* 21 A10 20 CE* 19 D7 18 D6 17 D5 16 D4 15 D3
第3章存储器原理和接口
按存储器存取方式分类
按存放信息
随机存取存储器RAM
原理不同
(Random Access Memory)
静态 RAM
动态 RAM
又称读写存储器，指能够通过指令随机地、个别地对其中各个单元进行
读/写操作的一类存储器。
掩膜ROM（MROM）
只读存储器ROM
按工艺不同
(Read-Only Memory)