晶体生长科学与技术1(1-2)

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几种典型的晶体生长方法

几种典型的晶体生长方法
包括有提拉法、坩埚下降法、区熔法、基座 法、冷坩埚法与焰熔法等。
⑴ 提拉法生长技术及改进
由 J.Czochralski 于1917 年首先提出,
亦称恰克拉斯基法。是从熔体中生长晶体应 用最广的方法,许多重要的实用晶体都是用 此方法生长的。该技术控制晶体品质的主要 因素是固液界面的温度梯度、生长速率、晶 转速率以及熔体的流体效应等。
第二章 几种典型的晶体生长方法
主要知识点:
• 晶体生长的技术要求 • 几种典型晶体生长方法简介 • 提拉法生长技术特点及新进展 • 选择生长方法的基本原则 • 人工晶体发展之趋势
问题提出:
随着科技进步和社会发展,人们对于功能晶体 需求的数量越来越大,对性能要求也越来越高, 自然界中出产的各种天然晶体已远远不能满足人 们的要求: • 天然晶体作为地球亿万年来逐渐积累的自然资 源,其储量是有限的。 • 由于自然条件的自发性,天然晶体不可避免有 较多的各种缺陷,其纯净度和单晶性也远不能和 人工晶体相比。 • 由于地球在演化过程中条件属于自然条件,不 可能生长出那些只有极端条件下才能生长的晶体。
蒸发法育晶装置示意图
⑸ 高温溶液法
将晶体的原成分在常压高温下溶解于低熔点 助熔剂溶液内,形成均匀的饱和溶液;然后通 过缓慢降温或其他方法,形成过饱和溶液而使 晶体析出。
良好的助熔剂需要具备下述物理化学性质: • 应具有足够强的溶解能力,在生长温度范围内, 溶解度要有足够大的变化; • 在尽可能宽的范围内,所要的晶体是唯一的稳 定相。最好选取与晶体具有相同离子的助熔剂, 而避免选取性质与晶体成分相近的其他化合物;
缺点:
设备比较复杂,调节各槽之间适当的温度梯度 和溶液流速之间的关系需要有一定的经验。
溶液法的特点:

晶体生长课ppt

晶体生长课ppt

(2)冷坩埚法生产装置
1 熔壳盖; 2 石英管; 3 通冷却水的铜管; 4 高频线(RF); 5 熔体; 6 晶体; 7 未熔料; 8 通冷却水底座
冷坩埚法是生产合成立方氧化锆晶体的方法。该方法是俄罗斯科 学院列别捷夫固体物理研究所的科学家们研制出来的。
冷坩埚法的冷却管和加热装置
冷却水铜管及底座构成“杯”
1.1、坩埚下降法
一、坩埚下降法生长原理
坩埚下降法(简称BS法)是将盛有熔体的坩埚在具有一定温度梯度的生长 炉内缓慢下降,使熔体转化为晶体。坩埚下降法可以采用坩埚下降或结晶炉沿 坩埚上升两种方式
温 区
生长装置 坩埚下降法的装置主要由下列几部分组成:
1. 一个能产生合适温度梯度的炉子; 2. 满足生长需要的一定几何形状的坩埚; 3. 测温、控温装置、坩埚下降装置。
工艺流程
特种规格坩埚
氮化硼坩埚
氧化铝坩埚
晶体生长工艺流程
原料制备
配制原料
籽晶加工
坩埚制作
安装籽晶、填装原料
( 原料再处理)
焊封坩埚 (抽真空)
上炉、升温、接种

晶体生长
降温
出炉
晶体定向
晶体切割 晶体研磨 晶体抛光
晶体元件
课题奇曼法--冷坩埚法
二、助熔剂法
助熔剂法
高温溶液法,又称为助熔剂法,它是将原成分在高温下熔解于 低熔点助熔剂液内,形成均匀的饱和溶液然后通过缓慢降温, 形成过饱和溶液,使晶体析出。
助熔剂法根据晶体成核及生长的方式不同分为两大类:自发成 核法和籽晶生长法。
晶体成核 ①自发成核法
在晶体材料全部熔融于助熔剂中之后,缓慢地降温冷却,使 晶体从饱和熔体中自发成核并逐渐成长的方法。

晶体生长技术

晶体生长技术
对于具有负温度系数或其溶解度温度系数较小的材料,可以使溶液保持恒温,并且不断地从育晶器中移去溶 剂而使晶体生长,采用这种办法结晶的叫蒸发法。很多功能晶体如磷酸二氢钾、β碘酸锂等均由水溶液法生长而 得。
在高温高压下,通过各种碱性或酸性的水溶液使材料溶解而达到过饱和进而析晶的生长晶体方法叫水热生长 法。这个方法主要用来合成水晶,其他晶体如刚玉、方解石、蓝石棉以及很多氧化物单晶都可以用这个方法生成。 水热法生长的关键设备是高压釜,它是由耐高温、高压的钢材制成。它通过自紧式或非自紧式的密封结构使水热 生长保持在200~1000°C的高温及1000~10000大气压的高压下进行。培养晶体所需的原材料放在高压釜内温度 稍高的底部,而籽晶则悬挂在温度稍低的上部。由于高压釜内盛装一定充满度的溶液,更由于溶液上下部分的温 差,下部的饱和溶液通过对流而被带到上部,进而由于温度低而形成过饱和析晶于籽晶上。被析出溶质的溶液又 流向下部高温区而溶解培养料。水热合成就是通过这样的循环往复而生长晶体。
气相外延 材料在气相状况下沉积在单晶基片上,这种生长单晶薄膜的方法叫气相外延法,气相外延有开管 和闭管两种方式,半导体制备中的硅外延和砷化镓外延,多半采用开管外延方式。
液相外延 将用于外延的材料溶解在溶液中,使达到饱和,然后将单晶基片浸泡在这溶液中,再使溶液达到 过饱和,这就导致材料不断地在基片上析出结晶。控制结晶层的厚度得到新的单晶薄膜。这样的工艺过程称为液 相外延。这方法的优点是操作简单,生长温度较低,速率也较快,但在生长过程中很难控制杂质浓度的梯度等。 半导体材料砷化镓的外延层,磁泡材料石榴石薄膜生长,多半用这种方法。
这个方法是指在高温下把晶体原材料溶解于能在较低温熔融的盐溶剂中,形成均匀的饱和溶液,故又称熔盐 法。通过缓慢降温或其他办法,形成过饱和溶液而析出晶体。它类似于一般的溶液生长晶体。对很多高熔点的氧 化物或具有高蒸发气压的材料,都可以用此方法来生长晶体。这方法的优点是生长时所需的温度较低。此外对一 些具有非同成分熔化(包晶反应)或由高温冷却时出现相变的材料,都可以用这方法长好晶体。BaTiO3晶体及 Y3Fe5O12晶体的生长成功,都是此方法的代表性实例,使用此法要注意溶质与助熔剂之间的相平衡问题。

晶体生长科学与技术1(1-2)

晶体生长科学与技术1(1-2)

功能晶体
功能晶体 在传感器、换能器、闪烁计数器等领域有广泛应用。
除了具有光学和半导体性质外,还具有其他特殊功能, 如压电、热释电、铁电、闪烁等。
应用特点:功能多样,可满足不同领域的需求。
04
CATALOGUE
晶体生长的挑战与前景
晶体生长的挑战
晶体生长过程的控制
晶体生长过程中,需要精确控制温度、压力、浓度等参数,以确 保晶体质量、形态和尺寸的稳定性。
晶体性质
晶体具有各项异性、对称性、光 学特性、电学特性等,这些性质 决定了晶体在不同领域的应用价 值。
晶体生长的热力学与动力学
热力学条件
晶体生长的热力学条件包括温度、压 力、组分等,这些因素决定了晶体能 否自发形成以及形成的相态和稳定性 。
动力学过程
晶体生长的动力学过程涉及原子或分 子的迁移、扩散、碰撞和结晶等,这 些过程决定了晶体生长的速率和形态 。
晶体生长技术
气相法
物理气相沉积法
利用物理方法,如真空蒸发、溅射等,使原 料气体在冷却过程中凝结成晶体。
气相法生长晶体的优点
可生长大尺寸、高质量的单晶,且生长速率 较快。
化学气相沉积法
通过化学反应使原料气体在加热或光照条件 下转化为晶体。
气相法生长晶体的缺点
设备成本高,操作复杂,对原料气体的纯度 要求高。
晶体生长的基本过程
成核
形态控制Βιβλιοθήκη 在一定的条件下,原子或分子通过扩 散和聚集形成微小的晶核。
通过控制晶体生长的条件,可以调控 晶体的形态,从而获得具有特定结构 和性质的晶体。
生长
晶核在一定的热力学和动力学条件下 不断吸收周围的原子或分子,逐渐长 大成为具有一定形态和大小的晶体。

南京大学-晶体生长课件-Chapter 2-晶体生长方法简介

南京大学-晶体生长课件-Chapter 2-晶体生长方法简介

思考:为什么在杂质、容器壁上容易成核?
为什么人工合成晶体要放籽晶?
§2.2.3.
晶体生长过程简介
所谓生长,对于生物体而言,就是一个从小到大,从幼稚到成熟的过 程。生物体生长需要养料,需要空气、阳光等环境。同样,对于“晶体 的生长”,也是一个晶体从小到大的不断变化的过程,也需要养料(原 料)和合适的环境,如生长炉、合适的温度等。 不同的生物体的生存环境、生长发育各不相同,同样,对于晶体而 言,不同的晶体有不同的生长过程,需要不同的生长条件,有相应的不 同的晶体生长技术和方法,其晶体生长的过程和要求也有所不同。 下面,我们以提拉法晶体生长为例,介绍晶体生长的过程。
§2.2.2. 晶核的形成
晶体生长的三个阶段:首先是介质达到过饱和、过冷却 阶段;其次是成核阶段,即晶核形成阶段;最后是晶体的生 长阶段。 成核是一个相变过程,即在母液相中形成固相小晶芽, 这一相变过程中体系自由能的变化为:
ΔG=ΔGv+ΔGs 式中△Gv为新相形成时体系自由能的变化,且△Gv<0, △GS为新相形成时新相与旧相界面的表面能,且△GS>0。 也就是说,晶核的形成,一方面由于体系从液相转变为 内能更小的晶体相而使体系自由能下降,另一方面又由于增 加了液-固界面而使体系自由能升高。
均匀成核是指在一个体系内,各处的成 核概率相等,这要克服相当大的表面能 势垒,即需要相当大的过冷度才能成核。
G
I G
* G N r* G N r
GI = + 4r2
where = interfacial free energy per unit surface area, and
G B
GB = - 4r3 Gv 3 Vm
第二章 晶体生长方法简介

晶体生长ppt

晶体生长ppt
性能关系
晶体缺陷与晶体的物理性质之间存在密切关系。例如,位错 密度越高,材料的强度和韧性越差;空位浓度越高,材料的 导电性越差等。通过对晶体缺陷的控制和优化,可以改善材 料的性能。
03
晶体生长的化学基础
化学键与晶体结构
共价键
01
共价键是原子间通过共享电子对而形成的强相互作用力,它决
定了晶体的结构和化学性质。
固相生长是指通过固态物质之间的反应或扩散过 程,形成新的固态晶体的过程,包括机械研磨法 、热压烧结法等。
晶体生长的应用
1
晶体生长在材料科学和物理学领域具有广泛的 应用价值,如制备高性能材料、制造光学器件 、制备半导体材料等。
2
在能源领域,晶体生长技术也被广泛应用于太 阳能电池、燃料电池等新能源器件的制造过程 中。
04
晶体生长方法
气相生长法
物理气相沉积法
包括真空蒸发、激光烧蚀等,通过 在真空中蒸发原料,使原料原子或 分子沉积在基底表面形成晶体。
化学气相沉积法
通过化学反应的方式,使用气体原 料在基底表面形成晶体。
气相生长法的优点
可以生长出高质量、大尺寸的单晶 ,同时具有高沉积速率。
气相生长法的缺点
需要高真空设备,生产成本较高, 且生长速度较慢。
3
同时,晶体生长技术还可以应用于生物医学领 域,如制备生物材料、药物传递等。
02
晶体生长的物理基础
晶体的结构与性质
晶体结构
晶体具有格子构造,原子或分子在空间中按照一定的规律重复排列。不同的 晶体结构具有不同的物理性质,如硬度、导电性、光学特性等。
晶体对称性
晶体具有对称性,即晶体的形状和内部结构可以在空间中重复出现。这种对 称性也影响了晶体的物理性质。

晶体生长方法简介

晶体生长方法简介

05
晶体生长的前沿和挑战
Chapter
晶体生长的前沿和挑战
• 晶体生长是一个复杂的过程,涉及到多个因 素和步骤。为了更好地理解和控制晶体生长 ,需要对其研究前沿和挑战有深入的认识。
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光学晶体:通过固相法可以 制备高质量的光学晶体,如 蓝宝石、石英等,用于光学 器件和激光器等领域。
功能陶瓷:利用固相法晶体 生长技术,可以制备具有特 殊功能(如压电、铁电、热 电等)的陶瓷材料。
这些应用实例体现了固相法 晶体生长在材料科学和工程 技术领域的重要性。通过不 断优化生长条件和技术手段 ,可以进一步拓展固相法晶 体生长的应用范围和提高晶 体质量。
籽晶法
通过提供一个籽晶作为生 长核,在适宜的条件下, 使晶体从籽晶开始逐渐生 长。
熔融法
将原料加热至熔融状态, 然后在控制条件下慢慢冷 却,从而在熔融固体中形 成晶体。
气相沉积法
通过气相反应在固相基底 上沉积晶体材料,进而实 现晶体的生长。
固相法晶体生长应用与实例
半导体材料:固相法晶体生 长在半导体材料制备中具有 广泛应用,如硅、锗等半导 体的单晶生长。
气相法晶体生长应用与实例
1 2
半导体工业
化学气相沉积用于生产大面积、高质量的硅、锗 等半导体材料晶体,满足电子器件的需求。
光学涂层
物理气相沉积用于制备光学薄膜和涂层,如增透 膜、高反膜等,提高光学元件的性能。
3
纳米材料合成
通过控制气相法中的生长条件,可以合成具有特 定形貌和尺寸的纳米晶体,应用于催化、生物医 学等领域。
以上这些方法各有特点,适用于不同类型的晶体 和生长条件。在实际应用中,需要根据具体需求 和条件选择合适的方法来进行晶体生长研究。

晶体生长技术

晶体生长技术

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15
其它体块晶体的生长方法及实例: 水热法(Hydrothermal method)
➢ 高 质 量 低 位 错 密 度 的 石 英 晶 体 ( Vniisims/Russia and Sawyer/USA);ZnO
高温溶液法(High-temperature solution growth)
成核控制 生长速率 直径控制
不仅可以用无坩埚过程培养出籽晶, 而且可生长出质量较好的单晶。
1902年,开始工业晶体生产—红宝石和蓝宝石。
多年以来,这种生长方法不断改进,原理没有改变。
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6
Stages of flame-fusion (Verneuil) growth of ruby
熔体中提拉出低熔点的金属纤维。但他从来没想到进行从熔 体中提拉出晶体的研究。
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12
1949 年 , 在 International Crystal Growth Meeting in Bristol UK,没有提到 Czochralski 法。
随着晶体管的发现,对半导体单晶(锗)的需求增大。
5
§3.1 晶体生长方法的发展
❖ 1890年,法国科学家Verneuil(维尔纳叶)发明了焰熔法。 (flame-fusion growth method, Verneuil method) ——用于生长红宝石和蓝宝石晶体(熔点2000oC)。 Verneuil——founder of crystal growth technology. 无坩埚生长过程,设备简单。
主要用于在手表工业和仪器仪表工业中 作轴承用。
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9
合成星光红宝石
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晶体生长动力学

晶体生长动力学

晶体生长界面动力学关于晶体生长速率和生长机制的研究06年3月3日各种形态的晶体图片晶体生长动力学概念:指晶体在不同生长条件下的生长机制,研究生长速率与生长驱动力之间的关系。

☐晶体生长速率是指单位时间内晶面沿其法线方向向外平行推移的距离,称为线性生长速率☐生长驱动力:来源于生长环境相过饱和度或过冷度011101222l l R =+11110122l R R =-1101222R R <<晶体生长动力学☐由于晶体的各个晶面间的相对生长速率决定了它的生长形态,因此可以通过求出晶体生长速率的动态方程来研究晶体的生长机制.☐晶体生长包括:如晶体生长基元形成过程,晶体生长的输运过程,晶体生长界面动力学过程等,结晶作用仅在生长界面上发生。

根据不同界面结构理论模型建立了相应的动力学方程式.晶体生长界面动力学根据微观原子级尺度划分:一.完整光滑面的模型(层状生长,层层之间生长不连续)-1927年Kossel二.非完整光滑面的模型(有位错露头点,层状生长, 连续生长)-1949年英国Frank三.粗糙界面的模型(层次凹凸不平,固流相间仍突变)-1958年Jackson四.扩散界面模型(固相间过渡区,渐变,界面参差不齐)-1966年Temkin1949年,英国Frank提出螺旋错位生长机制-BCF体扩散理论。

1971年,Gilmer,Ghez,Cabrera(GGC) 忽略了溶质的棱扩散途径,处理了体-表面扩散的耦合方程,提出了GGC体-表面联合扩散理论。

(一)完整突变光滑界面模型1927年Kossel 提出了以光滑界面为前提的层状生长机制, ,找出生长基元进入晶格座位的最佳位置,即成键数目最多和所释放能最大的位置112233n n n φφφφ=++1236128/2φφφφ=++单键能()(一)完整突变光滑界面模型晶体在气相或溶液中生长可视为完整光滑面的生长。

首先需要在生长界面上形成二维临界晶核,使其出现生长的台阶,如图2.24,假定在流体亚稳相中新生成的二维晶核是半径为r 的圆形核,这时晶流体两相体系所引起的Gibbs 自由能的变化为2exp(()/)csR aZ G r kTa(二)非完整光滑面理论模型☐晶体在远低于形成二维晶核所需要的过饱和度情况下就可以生长,为了解释动力学实验中的新现象,Bristol, Cabrera,和Frank-著名的BCF螺旋位错生长理论☐由于晶体中存在着位错缺陷,螺旋位错在界面上的露头点所形成的台阶可作为生长源,成螺旋式的生长(二)非完整光滑面理论模型☐已知稳定形态的台阶形状就可求得晶体的法向的生长速率R ,设t 为台阶前进间距所需要的时间,每隔时间t ,整个晶面就增长一个分子厚度a, 所以☐R= a / t (1)☐(2)☐(3)λ100exp(/)2/tanh /2s sR ar w kT x x σλλ=-00()tanh(/2)s v v x λλ∞=0/()t v λλ=(三)粗糙界面模型☐此模型,任何位置所具有的位能都相等,所有的位置都是生长位置,而且生长概率也都相同,即不需要二维成核,也不需要位错露头点,仅取决于热量和质量运输过程和原子进入晶格座位的驰豫时间.大多数熔体生长可认为是粗糙界面的生长,这种生长不是依赖于台阶的横向生长,而是随机的直接向晶格座位堆砌,法向生长机制。

5.4-晶体生长技术

5.4-晶体生长技术
一、 提拉法简介 提拉法是一种利用
提拉法
籽晶从熔体中提拉出晶
体的生长方法,亦称恰
克拉斯法或提拉法。
提拉法晶体生长设备
提拉法的主要优点是:
(1)直观:利于及时掌握生长情况,控制生长条件。 (2)晶体不与坩埚接触,没有壁寄生成核和胁迫应力。 (3)使用优质定向籽晶和缩颈技术,减少晶体缺陷。 (4)能以较快速度获得高质量优质单晶。
晶体生长设备
坩埚下降法的优点:
1. 晶体密封生长,熔体挥发少,成分容易控制;
2. 适宜生长大直径单晶,可以一次生长多根晶体;
3. 工艺条件容易掌握,易于实现自动化。
坩埚下降法的缺点:
1.不宜生长结晶时体积增大的晶体;
2.生长过程难以确定,所长晶体内应力较大。
坩埚下降法中成核问题直接关系到晶体质量和单晶化 程度。 坩埚下部温度逐渐降低后,坩埚壁局部过冷区域形成 晶核并释放结晶潜热,须将结晶潜热迅速移去晶核才能继
熔体法晶体生长的局限性:
若存在以下情形,则难以采用熔体法进行晶体生长。
(1) 材料在熔化前就分解;
(2) 非同成分熔化的材料;
(3) 材料在熔化前升华或在熔点处蒸气压太高;
(4) 存在故态相变(脱溶沉淀和共析反应),破坏性相变;
(5) 熔点太高;
(6) 生长条件和必须进入晶体的某种掺杂不相容。
5.4.1.1
空间材料科学与制备技术提供有价值的实验数据。
原料制备
配制原料 籽晶加工 坩埚制作
晶体生长
降温

安装籽晶、填装原料

出炉
( 原料再处理)
焊封坩埚 晶体切割
晶体定向
晶体研磨 晶体抛光

上炉、升温、接种

《晶体的生长》课件

《晶体的生长》课件
《晶体的生长》ppt课件
目录
• 晶体简介 • 晶体生长的原理 • 晶体生长的方法 • 晶体生长的实验技术 • 晶体生长的应用实例 • 未来展望与挑战
01 晶体简介
晶体的定义
晶体是由原子、分子 或离子按照一定的规 律排列而成的固体物 质。
晶体的内部原子或分 子的排列方式决定了 晶体的物理和化学性 质。
界面反应与扩散
界面过程涉及界面反应和 扩散过程,研究晶体生长 过程中界面物质交换和化 学反应的规律。
界面动力学与控制
界面过程还探讨界面动力 学与控制因素,分析不同 条件下界面形态变化的动 力学过程和机制。
03 晶体生长的方法
熔体生长法
总结词
通过将原料加热至熔化后进行冷却结晶的方法。
详细描述
熔体生长法是一种常见的晶体生长方法,通过将原料加热至熔化,然后控制冷却 速度和温度梯度,使熔体中的原子或分子重新排列成晶体结构。这种方法适用于 制备大尺寸、高质量的单晶材料,如硅单晶和锗单晶等。
LED晶体材料的生长与应用
总结词
LED晶体材料是制造LED灯的关键材料,具有高效、节能、环保等特点,广泛应用能够将电能转化为光能的半导体材料。通过控制LED晶体材料的生 长和掺杂过程,可以获得具有特定能带结构和光学性质的LED晶体。LED晶体在照明、
技术创新
通过技术创新,改进晶体生长设备、 工艺和流程,提高晶体生长效率和产 量。
自动化与智能化
引入自动化和智能化技术,实现晶体 生长过程的远程监控、自动调节和控 制,提高生产效率和产品质量。
环境友好型的晶体生长方法
环保意识
随着环保意识的提高,环境友好型的 晶体生长方法成为研究重点,以减少 对环境的负面影响。
晶体具有规则的几何 外形和内部结构,其 原子排列具有周期性 。

晶体学:第五章 晶体生长方法与技术

晶体学:第五章 晶体生长方法与技术
介质的运动对晶体生长速度和完整性都有显著的 作用,这种作用往往又和过饱和度紧密联系在一起。 质量传输和热量传输的主要形式。它影响晶体生长 动力学、杂质俘获、组分均匀性、形态稳定性和成 核作用.
40
5.3 熔体中生长晶体
41
1. 原理
5.3.1 提拉法
在一定温度场、提拉速度和旋
转速度下,熔体通过籽晶生 长,形成一定尺寸的单晶。
第五章 晶体生长方法与技术
晶 体:
单晶: 结晶体内部的微粒在三 维空间呈有规律地、周期性地 排列,或者说晶体的整体在三 维方向上由同一空间格子构成, 整个晶体中质点在空间的排列 为长程有序。
多晶: 众多取向晶粒的单晶的集 合。多晶与单晶内部均以点阵 式的周期性结构为其基础,对 同一品种晶体来说,两者本质 相同
谈过饱和度,必须标明温度
过饱和度:浓度驱动力Δc,Δc=c-c*,其中,c溶液的实际 浓度,c*同一温度下的平衡饱和浓度;
过饱和比:s=c/c* 过冷度: ΔT=T*-T; 温度为T*的过饱和溶液冷却到温度T 时
溶液发生过饱和。
23
6 溶剂的选择和水溶液的结构
溶剂:水,重水,乙醇,苯,四氯化碳….甚至还有复合溶剂。 选择溶剂时应该考虑的问题: (1)对溶质要有足够大的溶解度(一般10%~60%范围); (2)合适的溶剂温度系数,最好有正的溶剂温度系数; (3)有利于晶体生长; (4)纯度和稳定性要高; (5)挥发性小,粘度和毒性小,价格便宜。
•金属晶体 (金属键: 铜) ➢由自由电子及排列成晶格 状的金属离子之间的静电吸 引力组合而成.
3
单晶硅锭
单晶硅片
单晶硅片太阳能电池
4
粉体(固体)
熔体
溶体
气体

晶体生长技术

晶体生长技术

2mm颗粒Gd2O3
球状Gd2O3
球状Gd2O3
负载石墨棒
填料
球状Gd2O3
晶体光纤的生长方法
特点: 不需要坩埚,可以生长高熔点材料
晶体。(例如,W单晶,熔点3400℃)
熔区的稳定靠表面张力与重力 的平衡来保持
浮区法晶体生长装置示意图
聚焦球体
浮区法
反射镜面
聚焦球体
灯-狭缝
狭缝
特点: ·可融化高熔点(3000°C)材料
灯-狭缝
·光源:xe灯,单只灯,水冷。
·不调节灯泡功率,通过狭缝大小控制温度。
·升温、降温迅速。室温-2000℃约2min
对接
缩颈-放颈
等颈
收尾
Lu2O3
自上而下: Pr:Lu2O3 Tm:Lu2O3 Lu2O3 Sm:Lu2O3
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冷坩埚
氧化锆坩埚 氧化铝坩埚
·功率上限:100 kw ·固定频率:1MHz
Step 1:Starting
冷坩埚·金属加热
空气气氛
坩埚 原料(Y2O3) 引信材料 (Y metal) 感应线圈
提拉法技术的重大改进
1.直径自动控制技术——ADC技术 调整加热功率与改变转速是晶体生长过程中经常使 用的控制晶体直径的主要方法。
提拉法技术的重大改进
2.液相封盖技术 生长具有较高蒸气压和高离解压的材料
提拉法技术的重大改进
3.导模法(EFG)
边缘限定薄膜供料提拉生长 技 术 (edge-defined filmfedcrystal growth)
特点:
减小了坩埚对熔体的污染(减小了接触 面积) ,降低了加热功率;区熔过程 可反复进行,从而提高晶体的物理提纯,但也

晶体生长技术

晶体生长技术

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7
• 祖母绿 是矿物绿柱石中的一种, 为一种铍铝硅酸盐 铍铝硅酸盐矿物,因含 铍铝硅酸盐 有微量铬离子 铬离子而呈绿色,自然 铬离子 界中常呈六方柱状晶体产出, 表面有纵纹。硬度为7.5-8,密 度 为 2.71g/cm3 左 右 , 内 部 常 含有多种矿物包体、气液包体 等等。 • 世界上最主要的祖母绿产地有 哥伦比亚、巴西、俄罗斯、津 巴布韦、印度、澳大利亚等地, 另外在中国的云南也产祖母绿。
• 非晶态物质在地球上含量很少,由于晶体能量小而最 稳定,这些非晶态物质基本上都已经自发转化为晶体 了。地球上的物质经过漫长的地质年代演化,基本上 都演化成这种最稳定的形式-----晶体了,所以非晶态物 质非常少。
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钟乳石横截面
13
宝石与玉石
• 天然晶体中,还有一些十分珍贵和稀少的晶体,被人们称 为“宝石” 和“玉石”。 那么,什么样的天然晶体才能 称之为宝石和玉石呢? • 能够称得上是宝石或玉石的必须具备以下三个条件: • 1、 瑰丽:晶莹艳丽、光彩夺目,这是作为宝石和玉石的 首要条件; • 2、 稀少:物以稀为贵,稀少决定着宝石和玉石的价值; • 3、 耐久:质地坚硬、经久耐用,这是宝石和玉石的价值 能得以保存的重要特征。
矿石
22:45 11
非晶态准矿石
• 地球上是有一些非晶态物质的,例如:玛瑙、蛋白石、 钟乳石、火山玻璃等,但这些非晶态物质在地球上含 量很少,而且基本上都已经自发转化为晶体了。在地 球上的非晶态的物质我们称之为“准矿物”。“准矿 物”都有自发晶化形成“矿物”的趋势。
玛瑙
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钟乳石
蛋白石
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准矿石的晶化
22:45
8
碧玺
石榴石

第十二节晶体生长方式

第十二节晶体生长方式

能量起伏
首先在界面上形成单原子厚度的二维晶核
然后利用其周围台阶沿着界面横向扩展,直到长满 一层后,界面就向液相前进了一个晶面间距。 这时,又必须利用二维形核产生新台阶,才能开始新一层的生长, 周而复始地进行。 界面的推移具有不连续性,并且有横向生长的特点。
侧向生长、沿面生长或层状生长。
粗糙界面的连续长大速度为(Turnbull)
当ΔTK低于某临界值时,R几乎为零; 一旦超过该值,R急剧地大。
此临界值约为1~2 K,比连续生长所需的过冷度约大两个数量级。
由于二维晶核各生长表面在长大过程中始终保持 平整,最后形成的晶体是以许多小平面为生长表 面的多面体。
粗糙的外表面
这种晶体棱角分明,称为多面体晶体,其生长方式 称为小平面生长。 以粗糙界面长大形成表面光滑的晶体则称为非多 面体晶体。
对于依赖缺陷生长,请给出形象的比喻
生长过程:绕树三匝,鹊鸟可依
曹操<<短歌行>>诗句:"绕树三匝,何枝可依.”
生长方式: 生长形态:
?? ??
4-3-4 生长动力学与晶体形态
1、垂直生长
R1 DH m Tk R Tm
2
2、二维形核生长
b R 2 2 exp T k
1垂直生长2二维形核生长21mkmtrthdr???????434生长动力学与晶体形态3螺旋位错生长???????????ktbrexp22?233ktr????小平面晶体生长形态的演变过程立方晶体开始时以100晶面左侧图为外表面生长由于100面比111面生长得更快它将会变成以面生长得更快它将会变成以111面为外表面生长a
面常常又在微观尺度上是粗糙的?
动力学过冷度是晶体生长的必要条件
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三斜:简单三斜 a b c,
a 90o
单斜:简单单斜 a b c, 底心单斜
a 90o
正交:简单正交 底心正交 体心正交 面心正交
a b c,
a 90o
六方:简单六方
a1 a2 a3 c,
a 90o , 120o

结构
玻璃、大多数有机材 料…… 原子在空间成准周期性规律排 列。长程准周期序结构 特定成分和冷却速率下的合金
晶体科学发展概况
公元前,古希腊地理学家斯特拉玻(Strabo)观察 到水晶和冰有相似外形,把水晶叫做 “Krnstallos” → “洁净的冰” Crystal:晶体、水晶 Crystallography: 晶体学
钠沸石的x衍射图
微氮硅-高密度小尺寸原生氧沉淀
微氮硅-原生氧沉淀高分辨像
消光规律
简单立方:无消光现象; 面心立方:h,k,l有奇有偶; 体心立方:h+k+l=奇数; 体心四方:h+k+l=奇数; 金刚石立方: h,k,l全偶且h+k+l ≠4n或 者h,k,l有奇有偶; 6. 密排六方:h+2k=3n及l=奇数; 1. 2. 3. 4. 5.
稳定性 晶体由于有最小内能,因而结晶状态 是一个相对稳定的状态。这就是晶体的稳 定性。
各向异性 不同方向上,原子的排列情况不同,从而导致了
各向异性。 如在晶体不同方向上的解理、弹性膜量、硬度、 热膨胀系数、导热性、电阻率、电位移矢量、电极化强度、 磁化率和折射率等都是不同的。
O B
A
C
云母
解理
晶面指数的例子
?
• 正交点阵中一些晶面的面指数
晶面指数的意义
晶面指数所代表的不仅是某一晶面,而是代 表着 一组相互平行的晶面。 在晶体内凡晶面间距和晶面上原子的分布完 全相同,只是空间位向不同的晶面可以归并 为同一晶面族,以{h k l}表示,它代表由对称 性相联系的若干组等效晶面的总和。 • 立方晶系中,相同指数的晶向和晶面垂直; • 立方晶系中,晶面族{111}表示正八面体的面; • 立方晶系中,晶面族{110}表示正十二面体的面;
Fe a=0.2886 nm
Cu a=0.3615 nm
※ 不同的晶体也可具有相同的对称性
Cu a=0.3615 nm
Ag a=0.4086 nm
※ 同质异构体 化学组成相同,结构不同的材料
原子排列方式上的差异,不仅使两种晶体具 有不同的对称性,也具有不同的物理、化学性 能。
同质异构体:例如碳
金刚石、石墨、C60固体、非晶碳
晶体材料的研究方向
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 晶体材料—准晶、非晶态、多晶; 体单晶—薄膜晶体材料; 完整晶体—研究晶体缺陷; 通常的晶格—半导体和金属的超晶格; 单一功能晶体—多功能晶体; 晶体的体内性质—表面性质; 无机晶体—有机高分子晶体;
晶体生长技术的发展方向
1. 2. 3. 4. 完整性:杂质、缺陷的控制,特殊环境下生长; 利用性:大尺寸晶体生长,异形、薄膜晶体生长; 功能性:极端条件下生长,结构、组织的控制生长; 重复性:自动化、程序化生长,原材料的规范化;
菱方:简单菱方 a b c, a 90o
四方:简单四方 a b c, 体心四方
a 90o
立方:简单立方 体心立方 面心立方
a b c,
a 90o
晶向指数和晶面指数
• 晶向:晶体中原子的位置、原子列 的方向 • 晶面:原子构成的平面 • Miller(密勒)指数统一标定晶向指数和晶面指数
晶向指数
任意阵点P的位 置可以用矢量或 者坐标来表示。
OP = u a + v b + w c
晶向指数:[ u v w]
晶向指数的确定步骤
• 1)以晶胞的某一阵点O为原点,过原点O的晶 轴为坐标轴x,y, z, 以晶胞点阵矢量的长度作为 坐标轴的长度单位。
• 2)过原点O作一直线OP,使其平行于待定晶 向。
晶体生长科学与技术
徐进 材料科学与工程系
参考书目
《人工晶体——生长技术、性能与应用》,张玉龙唐磊主
编,化学工业出版社(2005) 《晶体生长基础》,姚连增著, 中国科学技术大学出版社 (1995) 《晶体生长的物理基础》,闵乃本著, 科学技术出版社 (1982) 《Crystal Growth Technology》,John Wiley,Hans J.Scheel and Tsuguo Fukuda, 2003. 《Crystal Growth for Bginners: fundamentals of nucleation, crystal growth and epitaxy》,World Scientific, I.V.Markov, 1998
举例:
1. 硅单晶是由共价键组成的金刚石结构,晶格常 数为5.43埃; 2. 右图是点阵的投影值。硅单晶的结构:两个面 心立方晶体沿着对角线移动1/4距离而形成;
典型的硅晶体电子衍射图
典型的硅晶体电子衍射图
典型的硅晶体电子衍射图
※ 不同的晶体由不同的原子组成,具有不同的 原子排列方式,具有不同的对称性
矿物
晶体学
化学成分
为二氧化硅, 分子式为 SiO2; 同种矿物 晶体常因成 分上微小差 异而呈现不 同的颜色; 紫水晶含 微量的铁离 子;
方解石(CaCO3)
萤石 (CaF2)
方解石化学成分为CaCO3,无色或白色,
有时被铁、铜等元素染成浅黄、褐黑色等各 种颜色; 萤石又称氟石,用于制备氟化氢;
晶胞、晶轴和点阵矢量
c a, , b
点阵常数:a, b, c
点阵矢量:a b c
棱边夹角a, ,
14种布拉菲点阵
根据6个点阵参数间的相互关系,可将全部空间点阵归 属于7种类型,即7个晶系。按照“每个阵点的周围环 境 相同“的要求,布拉菲(Bravais A.)用数学方法推 导 出能够反映空间点阵全部特征的单位平面六面体只有 14种,这14种空间点阵也称布拉菲点阵。
方解石具有三组解理面
石英的贝壳状断口
空间点阵和晶胞
阵点
为了便于分析研究晶体中质点的排列规律性, 可先将实际晶体结构看成完整无缺的理想晶 体并简化,将其中每个质点抽象为规则排列 于空间的几何点,称之为阵点。 这些阵点在空间呈周期性规则排列并具有完全 相同的周围环境,这种由它们在三维空间规则 排列的阵列称为空间点阵,简称点阵。
金刚石
石墨:六方晶系
晶体的物理特性 六大特性
对称性
最小内能
晶态与其他物态(气态、液态、非晶态、准晶态)相 比,晶态内能最小、最为稳定。非晶、准晶处在亚稳 态。 非晶、准晶具有自发转变成晶态的趋势;而晶 态则不具有自发转变成非晶、准晶的趋势。
自范性
晶体生长中具有自发形成封闭的几何多面体 的现象 晶体的自范性是晶体内部原子规则性排列的 反映。
硬度
按摩氏硬度分类,硬度是指矿物抵抗磨损的能力;
硅:人工晶体
硅主要以化合物的形式,作为仅次于氧的最丰富的元素存在于
地壳中,约占地表岩石的四分之一,广泛存在于硅酸盐和硅石 中; 工业上,通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得,经过不 断提纯,满足冶金、太阳能以及微电子产业的应用; 1822年,瑞典化学家白则里用金属钾还原四氟化硅(或氟硅酸 钾K2SiF6),得到了单质硅; 主要生长方法:直拉(Czochralski)法,区熔(Floating Zone)法;
空间点阵
晶胞
具有代表性的基本单元(最小平行六面体)作 为点阵的组成单元,称为晶胞。将晶胞作三维 的重复堆砌就构成了空间点阵。
晶胞选取的原则
同一空间点阵可因选取方式不同而得到不相同的晶胞
晶胞选取的原则
• 选取的平行六面体应反映出点阵的最高对称 性; • 平行六面体内的棱和角相等的数目应最多; • 当平行六面体的棱边夹角存在直角时,直角 数目应最多; • 当满足上述条件的情况下,晶胞应具有最小 的体积。
云母
NaCl 单晶
解理
当晶体受外力作用时,往往沿着特定的晶面破裂,出现许多平行而光滑的破裂面,称
为解理面; 解理面一般平行于晶体格架中质点最紧密,联结力最强的面。因为垂直这种面的联结 力较弱,晶体易于平行此面破裂; 不同矿物的解理,可能有一个方向,也可能有多个方向。常见的有一向(石墨、云母 等)、二向(角闪石等)、三向(方解石等),此外还有四向(如萤石)、六向(如闪 锌矿)解理 如果晶体个方向原子结合力都很强时,就不容易出现解理面,代之产生不规则也不平 整的破裂面,称为断口(贝壳状、纤维状、锯齿状以及不规则状);
方解石(CaCO3)
黄铁矿,主要成分是硫化铁
FeS2,是提取硫、制造硫酸的主 要矿物原料; 黄铁矿因其浅黄铜的颜色和明 亮的金属光泽,常被误认为是黄 金,故又称为“愚人金”;
黄铁矿(FeS2)
重晶石
重晶石,主要成分是硫酸钡(BaSO4);纯重晶石显白色、有光泽,由于杂质及混入
物的影响也常呈灰色、浅红色、浅黄色等。结晶情况好的重晶石可呈透明; 重晶石化学性质稳定,不溶于水和盐酸,无磁性和毒性;
意义
1. 材料的发展是新技术发展的基石; 2. 晶体材料具有的特殊性能,如实现电、磁、力、光 和热的交互使用以及互相转化,使其在光学、磁学、 半导体和激光等诸多领域中得到应用; 3. 是微电子、光电子、通讯、航天、宇航等高科技和 现代军事领域中的关键材料; 4. 作为装饰用的水晶,各种宝石,金刚石等都是晶体 物质;
※晶体微观结构的实验研究
1912年,德国劳厄(M.V. Laue), X射线 衍射可用来研究晶体结构 1912年,德国弗里德里奇(W. Friedrich)和 克尼平(P. Knipping), 第一次得到了闪锌矿 规律性排列的斑点衍射图 ※电子显微 镜、场离子显微 镜、
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