《模拟电子技术基础》题库
模拟电子技术(西安交大2版)试题及答案
《模拟电子技术基础》试题(A 卷)一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。
(10分) (1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
( ) (2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。
( ) (3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。
( ) (4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
( ) (5)利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。
( ) (6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
( ) (7)未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。
( ) (8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
( ) (9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。
( ) (10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
( ) 二、选择填空 (10分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。
(A )电流负反馈 (B )电压负反馈 (C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2)RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。
(A )感性 (B )阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D )差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
(A )β (B )β2 (C )2β (D )1+β(5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 。
(A )共基放大电路 (B )共集放大电路 (C )共射放大电路 (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E 。
(A ) > (B ) < (C ) = (D )≤ (7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。
6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。
9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V,14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。
A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。
C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。
D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A )A. -2.5VB. -5VC. -6.5VD. -7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流,小 的电路是②,输出电阻最小 的电路是③② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③;只能放大电压,不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系BEQ数为β,B- E 间动态电阻为 r 。
填空:beV CC U BEQ( 1)静态时, I 的表达式为BQ, I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ;,U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L (2)电压放大倍数 的表达式为A u,输入电阻 的表达式为r be,输出电阻 的表达式为R R // r be R R ;0 Ci B(3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将iC ,A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻A u为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i(2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
《模拟电子技术基础》习题册
第一章:基本放大电路习题1-1 填空:1.本征半导体是,其载流子是和。
载流子的浓度。
2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3.漂移电流是在作用下形成的。
4.二极管的最主要特征是,它的两个主要参数是和。
5.稳压管是利用了二极管的特征,而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是、、、和。
6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。
7.双极型晶体管可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参与导电。
8.场效应管从结构上分成和两种类型,它的导电过程仅仅取决于载流子的流动;因而它又称做器件。
9.场效应管属于控制型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10.当温度升高时,双极性三极管的β将,反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11.用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时,测出最为方便。
12.三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为和;饱和区,偏置为和;截止区,偏置为和。
13.温度升高时,晶体管的共设输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V,求图1-2中各电路的输出电压U0,已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示,试选择以下三种情形之一填空。
a :增大、b :减小、c :不变(包括基本不变) 1.要使静态工作电流I c 减小,则R b2应 。
2.R b2在适当范围内增大,则电压放大倍数 ,输入电阻 ,输出电阻 。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
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《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性;其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时,半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体,称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了,则多数载流了应是一电子,掺杂越多,则其数量一定越一多,而少数载流子应是—空穴,掺杂越多,则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子:带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子,少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型(电子)和P型(空穴)两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了,少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴,少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中,多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度,而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区(势垒区)或耗尽区(阻挡层)。
15.PN结加正向电压时,空间电荷区变窄;PN结加反向电压时,空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋,结电流为零°17.PN结两端电压变化时,会引起PN结内电荷的变化,这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成,因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述,其数学式是上去屋佟LL,其曲线又口J分三部分:1I-:向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小,稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止,击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的[3二200, /CEO=200M A; B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同,相比之下旦管的性能较好。
《模拟电子技术基础》复习资料
成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是:Vb=-12.3V,Ve=-12V,Vc=-18V。
则三极管的工作状态为()。
A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路,要求R i大,输出电流稳定,应选()。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式(或变压器耦合式)多级放大电路相比,低频响应()。
A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=()Uz。
A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示,该管为()。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中,电阻RE的主要作用是()。
A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的()组成整流电路。
A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中()发生振荡。
A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路,在Re上并联交流旁路电容Ce后,其电压放大倍数将()。
A. 减小;B. 增大;C. 不变;D. 变为零。
二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
3. ()负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
4. ()任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV,共模输入信号uic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。
A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加,uBE减小C.β和uBE 减小,ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术基础试题及答案
一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。
(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )(6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( )(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
( )【解答】(1)×。
放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。
(2) √。
放大的特征就是功率的放大。
(3)×。
应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。
(4)×。
.(5) √。
设置合适的静态工作点。
(6)×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7)×。
二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电对交流信号均可视为短路。
,【解答1 (a)不能。
因为输人信号被VBB所影响。
(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道,P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能用测晶体管的办法来检测。
对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。
模拟电子技术试题(含答案)
模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空(20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。
A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。
A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。
A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。
A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a .不用输出变压器b .不用输出端大电容c .效率高d .无交越失真 8.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。
a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点:( B )。
A. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0,差模输入电阻R id =∞,输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下,若引入反馈后( D ) ,则说明引入的是负反馈。
模拟电子技术基础试题库(附参考答案)
模拟电子技术基础试题库(附参考答案)一、选择题1. 下列关于二极管的描述,错误的是()A. 二极管具有单向导电性B. 二极管具有稳压作用C. 二极管正向导通时,电流与电压成线性关系D. 二极管反向截止时,电流为零答案:C2. 下列关于三极管的描述,正确的是()A. 三极管具有单向导电性B. 三极管具有放大作用C. 三极管具有稳压作用D. 三极管具有整流作用答案:B3. 下列关于放大电路的描述,错误的是()A. 放大电路可以提高信号的幅度B. 放大电路可以改变信号的频率C. 放大电路可以改变信号的相位D. 放大电路可以提高信号的功率答案:B4. 下列关于运算放大器的描述,正确的是()A. 运算放大器是一种非线性元件B. 运算放大器具有很高的开环增益C. 运算放大器可以用于放大信号D. 运算放大器可以用于整流答案:B5. 下列关于反馈放大电路的描述,错误的是()A. 反馈放大电路可以提高放大倍数B. 反馈放大电路可以提高输入阻抗C. 反馈放大电路可以提高输出阻抗D. 反馈放大电路可以改善放大电路的线性度答案:A二、填空题1. 二极管正向导通时,电流与电压成 _______ 关系。
答案:非线性2. 三极管具有 _______ 作用。
答案:放大3. 放大电路可以提高信号的 _______。
答案:幅度4. 运算放大器具有 _______ 开环增益。
答案:很高5. 反馈放大电路可以提高放大电路的 _______。
答案:线性度三、判断题1. 二极管具有稳压作用。
()答案:×(二极管具有稳压二极管,但不是所有二极管都具有稳压作用)2. 三极管具有整流作用。
()答案:×(三极管具有放大作用,但不具有整流作用)3. 放大电路可以提高信号的功率。
()答案:×(放大电路可以提高信号的幅度,但不一定提高功率)4. 运算放大器是一种非线性元件。
()答案:×(运算放大器是一种线性元件)5. 反馈放大电路可以提高放大倍数。
《模拟电子技术基础》复习题
模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是,输入电阻最小的电路是,输出电阻最小的电路是,频带最宽的电路是;既能放大电流,又能放大电压的电路是;只能放大电流,不能放大电压的电路是;只能放大电压,不能放大电流的电路是。
2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。
填空:(1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为,U CEQ的表达式为(2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为(3)若减小R B,则I CQ将,r bc将,A 将,R i将,R o将。
uA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数A =;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则u放大电路的输入电阻R i=。
(2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 。
(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将增大或将减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路,其中振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振蒎电路。
7、稳压电源一般由、和三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用滤波电路,而负载电流较大时应采用滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围,应采用稳压电路。
二、判断题(下列各题是否正确,对者打“√”错者打“×”)1、半导体中的空穴带正电。
电子技术基础模拟练习题及参考答案
电子技术基础模拟练习题及参考答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1.一只四输入端或非门,使其输出为1的输入变量取值组合有()种A、8B、15C、1正确答案:C2.组合逻辑电路有若干个输入端,只有一个输出端。
A、×B、✔正确答案:A3.用三极管构成的门电路称为()门电路。
A、MOC型B、TTL型C、CMOS型正确答案:B4.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时,应该()偏置电阻。
A、减小。
B、增大C、保持。
正确答案:A5.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()A、相位差90°。
B、同相位。
C、相位差180°。
正确答案:C6.设计一个同步十进制加法计数器需要三个触发器就可以。
A、✔B、×正确答案:B7.理想运算放大器的输出电阻为()A、无穷B、不定正确答案:B8.下列逻辑代数运算法则中,错误的是()A、A(B+C)=AB+ACB、A+(B+C)=(A+B)+CC、A+BC=(A+B)C正确答案:C9.半导体导电能力()导体。
A、等于B、小于C、大于正确答案:B10.与非门的逻辑功能是。
A、全高为高。
B、全低为高。
C、部分高为高。
正确答案:B11.逻辑代数运算中1+1=()A、3B、2C、1正确答案:C12.从射极输出器的交流通路看他是一个共()电路。
A、集电极。
B、基极C、发射极。
正确答案:A13.RS出发去具有()种逻辑功能。
A、3B、1C、2正确答案:A14.逻辑代数运算于普通代数运算结果()A、不想同B、有的相同,有的不相同。
C、相同正确答案:B15.测得在放大状态的三极管的三个关脚电压分别是,-0.7,-1,-6责-0.7对应的是()A、基极B、发射极。
C、集电极。
正确答案:B16.一个平衡PN结用导线将p区和n区连起来而导线中()A、有瞬间微弱电流。
B、有微弱电流。
C、无电流。
正确答案:C17.半导体材料有()种A、2B、1C、3正确答案:A18.三端集成稳压器w7805的输出电压是()A、5VB、9VC、12V正确答案:A19.在截止区三极管()电流放大作用。
模拟电子技术基础自测题及答案
自测题一一、判断题 1.因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电;2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体;1.半导体中的少数载流子产生的原因是 ;A .外电场B .内电场C .掺杂D .热激发3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将 ;A .右移B .左移C .上移D .下移4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将 ;A .增大B .减小C .不变D .不确定5.三极管β值是反映 能力的参数;A .电压控制电压B .电流控制电流C .电压控制电流D .电流控制电压8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是 ;A .e, b, cB .b, e, cC .b, c, eD .c, b, e11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 ;A .非饱和区B .饱和区C .截止区D .击穿区1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ;3.PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 性能;6.三极管最重要的特性是 ;8.场效应晶体管属于 控制器件;自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS管沟道增强型沟道增强型自测题二一、判断题1.晶体管的输入电阻r是一个动态电阻,故它与静态工作点无关;be2.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;5.直接耦合放大电路只能放大直流信号,不能放大交流信号;二、单选题1.在基本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将 ;A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定2.在基本共射放大电路中,信号源内阻减小时,输入电阻将 ;A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定6.晶体管能够放大的外部条件是 ;A.发射结正偏,集电结正偏 B.发射结正偏,集电结反偏C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏7.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A.电压放大倍数高 B.输出电流小C.输出电阻增大 D.带负载能力强三、填空题1.要使三极管放大电路不失真,必须设置合理的 ;2.在三极管放大电路中,静态工作点过高会产生失真;3.若放大电路静态工作点选的过低,信号容易产生 失真;4.基本共射放大电路,当温度升高时,Q 点将向 移;5.若三极管发射结正偏,集电结也正偏则三极管处于 状态;L 则其电压放大倍数 ;自测题二一、判断题1.错2.对3.错4.错5.错二、单选题三、填空题1.静态工作点2.饱和3.截止4.上5.饱和6.相同7.强8.越大 10.2H L ωωπ- 自测题三一、判断题1.测得两共射放大电路空载电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000;3.阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号;二、单选题1.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ;A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .受输入信号变化的影响2.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A .电压放大倍数高B .输出电流小C .输出电阻增大D .带负载能力强3.多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益和通频带 ;A .电压增益减小,通频带变宽B .电压增益减小,通频带变窄C .电压增益提高,通频带变宽D .电压增益提高,通频带变窄4.有两个放大器,空载时的输出电压均为3V,当它们接入相同的负载时,甲放大器的输出电压为2V,乙放大器的输出电压为1V,则说明甲比乙的 ;A .输入电阻大B .输入电阻小C .输出电阻大D .输出电阻小三、填空题1.在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 ;2.在多级放大电路中,前级的输出电阻可视为后级的 ;3.为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用 耦合方式;5.多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要 ;6.放大器级间耦合方式有三种: 耦合; 耦合;耦合;在集成电路中通常采用 耦合;自测题三一、判断题1.错2.错3.对4.错二、单选题三、填空题1.负载2.信号源内阻3.直接4.好5.窄6.直接,阻容,变压器,直接自测题四一、判断题1.运放的共模抑制比c d CMR A A K 3.互补输出级应采用共集或共漏接法;4.对于长尾式差动放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模交流通路中,射极电阻E R 一概可视为短路;二、单选题1.放大电路产生零点漂移的主要原因是 ;A .放大倍数太大B .采用了直接耦合方式C .晶体管的噪声太大D .环境温度变化引起参数变化2.为更好的抑制零漂,集成运放的输入级大多采用 ;A .直接耦合电路B .阻容耦合电路C .差动放大电路D .反馈放大电路3.差动放大电路的主要特点是 ;A .有效放大差模信号,有力抑制共模信号B .既放大差模信号,又放大共模信号C .有效放大共模信号,有力抑制差模信号D .既抑制差模信号,又抑制共模信号4.差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 ,而提高共模抑制比;A .抑制共模信号B .抑制差模信号C .放大共模信号D .既抑制共模信号又抑制差模信号5.差动放大电路用恒流源代替E R 是为了 ;A .提高差模电压放大倍数B .提高共模电压放大倍数C .提高共模抑制比D .提高差模输出电阻6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ;A .可获得较高增益B .可使温漂变小C .在集成工艺中难于制造大电容D .可以增大输入电阻三、填空题1.选用差分放大电路的原因是 ;2.差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ;3.共模信号是两个输入端信号的 ;4.互补输出级采用共集形式是为了使 ;8.差动放大电路两个输入端的信号mV u i 801=,mV u i 602=,则一对差模输入信号=-=21i i u u mV ;9.集成运放的输入级采用差动放大电路的主要作用是 ;10.集成运放的输出级多采用 电路;13.差分放大器的基本特点是放大 、抑制 ;自测题四一、判断题1.对2.对3.对4.对二、单选题三、填空题1.克服温漂2.差3.平均值4.带负载能力强5.好6.零点漂移7.无穷大 9.克服零漂 10.射极跟随器11.共模 11.输入级中间级输出级偏置电路 13.差模信号共模信号自测题五三、填空题1.理想运算放大器同相输入端接地时,则称反相输入端为端;2.理想运放工作在线性区,流进集成运放的信号电流为零,称此为 ;3.理想运算放大器的两条重要法则是 ;自测题五三、填空题1.虚地2.虚断3.净输入电压等于零和净输入电流等于零自测题六一、判断题2.既然电流负反馈稳定输出电流,那么必然稳定输出电压;二、单选题2.要得到一个由电压控制的电流源应选用 ;A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈3.放大电路引入交流负反馈后将 ;A.提高输入电阻 B.减小输出电阻C.提高放大倍数 D.提高放大倍数的稳定性4.放大电路引入直流负反馈后将 ;A.改变输入、输出电阻 B.展宽频带C.减小放大倍数 D.稳定静态工作点5.引入电压并联负反馈后,基本放大器的输入、输出电阻的变化是 ;A.输入电阻增大,输出电阻增大 B.输出电阻增大,输入电阻减小C.输入电阻减小,输出电阻减小 D.输入电阻减小,输出电阻增大7.为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大,需引入的交流负反馈是 ;A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联三、填空题1.在放大电路中,若要稳定放大倍数,应引入 ;2.在放大电路中,希望展宽频带,应引入 ;3.在放大电路中,如要减少输入电阻,应引入 ;6.引入电压负反馈可以稳定放大电路的 ;自测题六一、判断题1.对2.错3.错4.错5.错6.错二、单选题三、填空题1.交流负反馈2.交流负反馈3.并联负反馈4.电流负反馈5.增大6.输出电压自测题八一、判断题2.功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号;3.由于功率放大管处于大信号工作状态,所以微变等效电路方法已不再适用;4.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功率损耗也最大;二、单选题1.与甲类功率放大方式比较,乙类推挽方式的主要优点是 ;A.不用输出变压器 B.不用输出端大电容 C.无交越失真 D.效率高2.乙类放大电路是指放大管的导通角等于 ;A.360度 B.180度 C.90度 D.小于90度4.功率放大三极管工作在A.高电压、小电流状态 B.低电压、小电流状态C.低电压、大电流状态 D.高电压、大电流状态三、填空题1.输出功率为20W的乙类推挽功率放大器,则应选至少为瓦的功率管两个;,类推挽放大器;一、判断题2.对3.对4.错二、单选题三、填空题2.互补对称3.交越失真甲乙。
模拟电子技术基础试题及答案
1、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。
【】A. 83B. 91C.1002、已知图所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
(1)该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈;【】A.2VB.3VC.6V(2)当U =1mV时,若在不失真的条件下,减小RW,则输出电压i的幅值将;【】A.减小B.不变C.增大(3)在U =1mV时,将Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此i时增大输入电压,则输出电压波形将;【】A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波(4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将。
【】A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小3、互补输出级采用共集形式是为了使。
【】A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强4、选用差分放大电路的原因是。
【】A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时,放大倍数的值约下降到中频【】A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。
【】A.3dBB.4dBC.5dB6、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。
【】A.输入电阻增大B.输出量增大C.净输入量增大D.净输入量减小7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
【】A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
【】A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差9、为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。
【】A.共射放大电路 B. 共集放大电路C.共基放大电路10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的【】A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大11、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题:1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流,它由少数载流子形成,其大小决定于温度,而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为正向偏置(正偏),反之称为反向偏置(反偏)。
4.PN结最重要的特性是单向导电性,它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中,掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同,有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管,当IB 从10μA增大到20μA,IC从1mA增大到2mA,它的β为100,α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时,就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区,而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出x、y、z分别为三极管的集电(C)极、基(B)极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为发射(E)极,B为基(B)极,C为集电(C)极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区,主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区:分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级放大电路称为输出级,它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V,接入3KΩ负载后,输出电压变为3V,该放大电路的输出电阻为1KΩ。
《模拟电子技术基础》题库
《模拟电子技术基础》题库一、填空题1-12(第一章)1、杂质半导体有型和型之分。
2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。
3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了__________电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN结加的是__________电压。
4、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是,PN结具有特性。
5、发射结偏置,集电结偏置,则三极管处于饱和状态。
6、P型半导体中空穴为载流子,自由电子为载流子。
7、PN结正偏时,反偏时,所以PN结具有导电性。
8、反向电流是由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。
9、三极管是控制元件,场效应管是控制元件。
10当温度升高时,三极管的等电极电流I ,发射结压降UBE 。
11、晶体三极管具有放大作用时,发射结,集电结。
12、漂移电流是电流,它由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。
13-19(第二章)13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。
14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。
15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。
16、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量_______,使输出电阻__________。
17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。
18、晶闸管阳极和阴极间加__________,控制极加适当的__________,晶闸管才能导通。
19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为V RM,负载电压为V O。
20-26(第三章)20、甲类功放的最大缺点是_______;21、双极型三极管是控制器件,场效应管是控制器件;结型场效应管的栅源极之间必须加偏置电压,才能正常放大工作。
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《模拟电子技术基础》题库一、填空题1-12(第一章)1、杂质半导体有型和型之分。
2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。
3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了__________电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN结加的是__________电压。
4、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是,PN结具有特性。
5、发射结偏置,集电结偏置,则三极管处于饱和状态。
6、P型半导体中空穴为载流子,自由电子为载流子。
7、PN结正偏时,反偏时,所以PN结具有导电性。
8、反向电流是由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。
9、三极管是控制元件,场效应管是控制元件。
10当温度升高时,三极管的等电极电流I,发射结压降UBE。
11、晶体三极管具有放大作用时,发射结,集电结。
12、漂移电流是电流,它由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。
13-19(第二章)13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。
14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。
15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。
16、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量_______,使输出电阻__________。
17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。
18、晶闸管阳极和阴极间加__________,控制极加适当的__________,晶闸管才能导通。
19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为V RM,负载电压为V O。
20-26(第三章)20、甲类功放的最大缺点是_______;21、双极型三极管是控制器件,场效应管是控制器件;结型场效应管的栅源极之间必须加偏置电压,才能正常放大工作。
22、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V,Ui2=1.98V,则该电路的差模输入电压Uid为V,共模输入电压Uic为V。
23、集成运算放大器在比例运算电路中工作在区,在比较器中工作在区。
24、在放大电路中为了提高输入电阻应引入负反馈,为了降低输出电阻应引入负反馈。
24、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用负反馈,为了稳定交流输出电流采用负反馈。
25、负反馈放大电路和放大倍数AF=,对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=。
26、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=BW,其中BW=,称为反馈深度。
27-36(第四章)27、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为信号。
28、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的失真,而采用类互补功率放大器。
29、OCL电路是电源互补功率放大电路;OTL电路是电源互补功率放大电路。
30、共集电极放大电路具有电压放大倍数,输入电阻,输出电阻等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
31、差分放大电路能够抑制漂移,也称漂移,所以它广泛应用于电路中。
32、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为。
33、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用负反馈,为了减小输出电阻采用负反馈。
34、负反馈放大电路和放大倍数Af=,对于深度负反馈Af=。
35、共模信号是大小,极性的两个信号。
36、乙类互补功放存在失真,可以利用类互补功放来克服。
36-12(第五章)37、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=,电路符号是。
38、用低频信号去改变高频信号的频率称为,低频信号称为信号,高频信号称高频。
39、共基极放大电路的高频特性比共射极电路,fa=fβ。
40、要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有网络。
36-46(第六章)36、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是()。
37、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成断开;38、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
39、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是,输入电阻最小的电路是,输出电阻最小的电路是,频带最宽的电路是;既能放大电流,又能放大电压的电路是;只能放大电流,不能放大电压的电路是;只能放大电压,不能放大电流的电路是。
40、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。
填空:图1 图2(1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为,U CEQ的表达式为(2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为A 将,R i将,R o将。
当输入电压不(3)若减小R B,则I CQ将,r bc将,u变时,R B减小到一定程度,输出将产生失真。
41、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。
42、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路,其中振荡电路的振荡频率最为稳定。
43、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振蒎电路。
44、稳压电源一般由、和三部分电路组成。
45、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用滤波电路,而负载电流较大时应采用滤波电路。
46、为了使输出电压有比较大的调节范围,应采用稳压电路。
47-52(第七章)47、用低频信号改变高频信号的相位称为。
低频信号称为、高频信号称为。
48、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而。
共基极电路比共射极电路高频特性。
49、振荡电路的平衡条件是,反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
50、在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是。
51、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为。
52、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=,电路符号是。
二、判断题1-8(第一章)1、半导体中的空穴带正电。
()2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
()3、P型半导体带正电,N型半导体带负电。
()4、未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。
()5、稳压管工作在反向击穿状态时,其两端电压恒为U z。
()6、若晶体管将集电极和发射极互换,则仍有较大的电流放大作用。
()7、增强型场效应管当其栅-源电压为0时不存在导电沟道。
()8、MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大。
()9-13(第二章)9、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。
()10、对于长尾式差分放大电路,在差模交流通路中,射极电阻R E均可视为短路。
()11、只要将两个晶体管组成复合管就一定能提高管子的输入电阻。
()12、作为输出级的互补电路常采用共射接法。
())13、功率放大电路中,输出功率最大时功放管的管耗也最大。
()14-19(第三章)14、零点漂移就是静态工作点的漂移。
()15、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
()16、只有直接耦合放大电路才有温漂。
()17、差模信号是差分放大电路两个输入端电位之差;()共模信号是差分放大电路两个输入端电位之和。
()18、不管差分放大电路的参数是否理想对称,R E均有共模负反馈作用;(√)R E越大,抑制温漂能力越强;()因此,R E可想取多大就取多大。
()19、差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。
()20-24(第四章)20、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
()21、利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP型管。
()22、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
()23、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
()24、在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数;(√)同时,也可增大共模抑制比。
()25-30(第五章)25、只有输出与输入反相的放大电路,才可能引入负反馈。
()26、对交流信号有反馈作用的称为交流反馈,对直流信号有反馈作用的称为直流反馈。
()27、电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。
()28、使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。
()29、引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
()30、负反馈越深,电路的性能越稳定。
()31-36(第六章)31、实现运算电路不一定非引入负反馈。
()32、在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
(×)33、在深度负反馈条件下,运算电路依靠反馈网络实现输出电压和输入电压的某种运算。
()34、由集成运放组成的有源滤波电路中一定引入深度负反馈。
()35、电压比较器电路中集成运放的净输入电流为零。
()36、电压比较器将输入模拟信号转换为开关信号。
()37-44(第七章)37、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
()38、同相比例运算电路中的集成运放有共模信号输入,而反相比例运算电路中的集成运放无共模信号输入。
()39、凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。
()40、电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。
()41、电压比较器输出端限幅电路中的稳压管不一定非加限流电阻不可。
()42、只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。
()43、具有选频网络的放大电路引入正反馈,就将产生正弦波振荡。
()44、在组成正弦波振荡电路时,若没有稳幅环节,则输出电压幅值将为无穷大。
()45-47(第八章)45、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈网络,与共射放大电路相接就将产生正弦波振荡。
()46、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈网络,与共集放大电路相接就将产生正弦波振荡。
()47、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈网络,与两级共射放大电路相接,并引入电压串联负反馈就将产生正弦波振荡。
()48、只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。
()49-51(第九章)49、在振荡频率特别高时,应考虑正弦波振荡电路中的放大电路采用共基接法。
()50、正弦波振荡电路的振荡频率应决定于选频网络,而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。
()51、桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路的唯一特点是以RC串并联网络作为选频网络。
()52-55(第十章)52、直流稳压电源是能量转换电路,是将交流能量转换成直流能量。
()53、在输出电压平均值相同的情况下,单相半波整流电路和单相桥式整流电路中二极管的平均电流相同。