05级电子技术期末考试试卷1-4

05级电子技术期末考试试卷1-4
05级电子技术期末考试试卷1-4

学年第二学期05级计算机专业电工基础期末联考试卷出卷人: 刘刚审核人:龚德猛成绩

第Ⅰ卷客观题(共50分)

一、选择题(3′×10=30′)

1.一个额定功率为2W,阻值为5Ω的电阻和一个额定功率为10W,阻值为10Ω的电阻串联,则串联后的电阻值和额定功率分别为________。

A.15Ω,6w B.15Ω,12w

C.15Ω,8w D.15Ω,16w

2.如图电路中,发出功率的电源是()。

A、E1,E2,E3

B、E2,I S1

C. I S1 , I S2

D、E2,E3 ,I S1

3.如图所示电路,高内阻电压表

读数为16V,则电动势E x为________。

A.2V B.4V

C.8V D.16V

4.如图所示电路中,电压U为________。

A.30V

B.9V

C.10V D.6V

5、在图1-1所示电路中,欲使I=1A,则

I S= 。

A、I S=2.5A

B、I S=-1A

C、I S=1A

D、I S=5A

6.一个容量为CμF的电容器和一个

容量为8μF的电容器并联,总电容为CμF电容器的3倍,则电容C 为________。

A.2μF B.4μF C.6μF D.8μF

7、如图所示,电源电动势E=12V,r=1Ω,电阻R1=3Ω,R2=2Ω,R3=5Ω,电容C1=4uF,C2=1 uF则C1、C2所带电量之比为()

A、3∶2

B、5∶3

C、5∶4

D、8∶5

8.如图6,电源电动势E1=E2=6V,内电阻不计,R1=R2=R3=3Ω,则ab两点间的电压是()

A 0

B -3V

C 6V

D 3V

9.如图7,为使输出电压UAB=0.1V,则输入电压UEF的值是()A 0.1V B 1V C 10V D 100V 10..两块平行金属板带等量异种电荷,要使两板间的电压加倍,则采用的办法有()

A 两极的电荷量加倍,而距离变为原来的4倍

B 两极的电荷量加倍,而距离变为原来的2倍

C 两极的电荷量减半,而距离变为原来的4倍

D 两极的电荷量减半,而距离变为原来的2倍

二、判断题(2′×10=20′)

11.当电路处于通路状态时,外电路负载上的电压等于电源的电动势。()

12.电位与参考点有关而电压与参考点无关。()

13.在检测较大容量的电容器的质量时,当我们将万用表的表棒分别与电容器的两端接触时,发现指针根本不偏,则说明电容器内部已短路。()

14.在复杂电路中有n个回路就可以列出n个独立的电压方程. 。( )

15..电源电动势越大,则输出功也一定大.。

16.三电阻的比为1:3:5,如果它们并联在电路中,其电流比为5:3:1. 。( )

17.平行板电容器的电容量与外加电压和电量无关。()18..要使负载获得最大功率必须是电源内阻为零. 。( )

19.任何一个有源二端网络都可以用一个等效电源来代替。()20.恒压源与恒流源之间可以进行等效变换。()

第Ⅱ卷主观题(共100分,在试卷上答题)

三、填空(2′×26=52′)

1.如图所示,U x=________V,I x=________A。

2.如图所示,A。

3.用万用表判别较大容量电容器质量时,应将万用表拨到欧姆档的________档或________档,若万用表指针向右偏转后又较快地回到起始位置的地方,说明电容器________,若指偏转到零欧姆处不再返回,说明电容器内部已经________若指针不偏转,则说明电容器内容已经________。

4.如图所示,已知C1=C2=C3=3μF,C4=C5=6μF,则AB间等效

电容C

=________。

6.如图1,U= 。

7.如图2,为使R L获得最大功率,开关应放在置,此时负载获得最大功率为W。

8.如图3,当开关S闭合时V a= ,Uab= ;当开关S断开时,Uab= 。

9.如图4,伏特表的内阻很大,每个电池的电动势为2V,内阻为0.15Ω,则伏特表的读数是,电池组的内阻是。

10如图5,已知每个电源的电动势均为16V,电源内阻不计,电阻R1=12Ω,R2=4Ω,则a、b两点间的开路电压为,两点间的等效电阻为。

11.如图所示电路中,若15Ω电阻上的电压降为30V,其极性如图所示,试求电阻R=________,B点电位V B=________

12.如图所示电路,当开关S闭合

时R ab=________

13.如图所示,U ab=________,R ab=________

四、计算分析题(48′)

1.1.如图,设二极管为理想二极管,求二极管中的电流I。(10′)

2.求如图所示电路中的电流I:(10′)

3、应用电源等效变换法,求图所示电路中2Ω支路的电流I及5A电流源的功率。(10分)

4.如图所示电路,已知I ab=1A,求恒压源电压U S。(10′)

5.如图,电源电压E=200V,先将开关S置位置1,对电容C1充电,充电完毕后,将开关S置位置2,如果C1=0.2μF,C2=0.3μF,试问(1)C1和C2各带多少电荷量?(2)C1和C2两极板间电压各为多少?(8′)

电工电子技术期末考试试题及答案汇总

成绩统计表 专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 请将选择题答案填入下表: 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。A、未通电状态B、通电状态C、根据情况确定状态4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数 B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数

C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。A.频率失真B、相位失真C、波形过零时出现的失真D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻(b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 ∞ 9.单稳态触发器的输出状态有(a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。

A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2=6V,R1=12Ω,R2=6Ω,R3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R3中的电流I3。(10分) a I3 b 2.如图所示R-L串联电路,R=280Ω,R L=20Ω,L=1.65H,电源电压U=220V,电源频率为50H Z。(10分)

电力电子技术期末考试试题及答案(1)

电力电子技术试题 第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在 __开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为 __开关损耗 __。 3.电力电子器件组成的系统,一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加 _保护电路 __。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通,承受反相电压截止 _。 6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。 7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为, UDSM_大于 __Ubo。 11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。 14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。 15.IGBT 的开启电压 UGE(th )随温度升高而 _略有下降 __,开关速度 __小于__电力 MOSFET。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在 1/2 或1/3 额定电流以下区段具有 __负___温度系数,在1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属

电子技术基础期末复习题

2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时,若给其施加正向电压时,二极管导通,若施加反向电压时,则二极管截至,这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时,在三个电极电位中,其电位高低关系为 V C >V B >V E ,基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中,测得I C=3mA,I E=,则I B= , = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式,可组成共基、共集和共射三种基本放大电路;其中共集电路输出电阻低,带负载能力强;共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态,并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端,对于每一组输入代码,有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时,其B、E两端可用一个线性电阻等效代替,其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种,分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。

15、反馈量与放大器的输入量极性相反,因而使 净输入量 减小的反馈,称为 负反馈 。 为了判别反馈极性,一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区,使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0,见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码,则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等,而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端,则会出现( C )问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ,负极电位是,则该二极管处于( A )状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时,具有如下特点( A ). A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管,它一般工作在( C )状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管,其各极对地电压分别为,2V ,6V ,则该管( A )。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区,当+u >-u 时,则( A ) A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时;时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为( B )。

电子技术期末考试试卷及答案

2、射极输出器电路中,输出电压U o 与输入电压u i 之间的关系是( )。 (a ) 两者反相,输出电压大于输出电压 (b ) 两者同相,输出电压近似等于输入电压 (c ) 两者相位差90 ,且大小相等 3、为了放大变化缓慢的信号或直流信号,多级放大器级与级之间必须采 用( )。 (a ) 阻容耦合 (b ) 变压器耦合 (c ) 直接耦合 汁侶吗llTFF (咏宀、 方 亠z-r /咏宀\ 命题教帅(签字) 试做教师(签字) 系、室土任(签字) )匚记标修重 ................ 名姓 题号 -一- _ 二 _ 三 四 五 七 八 合计 满分 32 10 8 10 6 7六 10 12 丿八 12 100 实得分 评阅人 得分 、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填 入括号内(本大题共16小题,总32分) 1、 电 路如图 所 示, 所有二极管 状 态为 ( )。 ⑻ D 1导 通,D 2、 D 3 截 止 (b) D 1、 D 2截止 D 3导通 (c) D 1、 D 3截止, D 2导 通 (d) D 1、 D 2、D 3均 截 止 均为理想元件,则D ,、D 2、D 3的工作 12V +6V J 1 ----------------- W D2 Ld D3 白R 0V D i

⑻L i、C i组成的电路 (b)L、C组成的电路 (c)L2、&组成的电路 +U cc 5、正弦波振荡器如图所示,为了获得频率可调的输出电压,则应该调节的电阻是()。 ⑻R i (b)R F(c)R U o 6、模拟电路中晶体管大多工作于()。 ⑻放大状态(b)开关状态(c)击穿状态 7、数字电路中的工作信号为()。 ⑻随时间连续变化的电信号(b)脉冲信号(c)直流信号 8、逻辑电路如图所示,分析图中C, J, K的波形。当初始状态为“ 0” 时,输出Q是“1”的瞬间为()。 ⑻t i (b) t2 (c) t3

模拟电子技术基础期末试题 答案

课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题:(15分,每空1分) 1. 环境温度变低,放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时,应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化,则差模输入电阻id r = ,o r = 。 4.在负反馈放大电路中,要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的,应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大,而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时,放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 (填“能”或“不能”)产生正弦波振荡。 9.负反馈使放大电路增益下降,但它可以 通频带, 非线性失真。

10. 在直流电源中,当变压器副边电压有效值2U =20V 时,单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ,若负载电阻L R =20Ω,则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题:(20分,每题2分) 1.在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2.工作在放大区的某三极管,如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA , 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3.以下基本放大电路中, 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ,将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。 A .温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7.欲得到电流—电压转换电路,应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8.欲将方波转换成尖顶波电压,应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中,当信号频率f =O f 时,RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、(本题10分)判断下图电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈,如果电路引入了交流负反馈,判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。

电工电子技术期末考试试卷及答案

《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭卷) 一、填空题(每空1分,共40分) 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间,都有确定的大小和方向,叫做交流电该时刻的瞬时值,分别用小写字母 i 、 u 表示。 2、数字电路中只有 0 和 1 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的,所以中线又称__地___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___相__线。 4、(1011)2 = ( 11 )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件,但它们在电路中所起的作用却是不同的,从能量上看,电容是_储能____元件,电阻是__耗能____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫功率因数。 7、正弦交流电的三要素是振幅、频率和初相。 8、实际电压源总有内阻,因此实际电压源可以用电动势与电阻串联的组合模型来等效。 9、基本门电路有与门、或门和非门。 10、能够实现“有0出1,全1出0”逻辑关系的门电路是与非门。 11、能够实现“有1出0,全0出1”逻辑关系的门电路是或非门。 12、能够实现“相异出1,相同出0”逻辑关系的门电路是异或门。 13、在交流电中,电流、电压随时间按正弦规律变化的,称为正弦交流电。正弦交流电的三要素是指最大值、角频率、初相位。 14、工频电流的频率f= 50 Hz。 15、设u=311sin314t V,则此电压的最大值为 311V ,频率为 50HZ ,初相位为 0 。 16、在如图所示的电路,已知I1 = 1A,I2 = 3A ,I5 =4.5A,则I3 = 4 A,I4 = 0.5 A,则I6 = 3.5 A。

17、半导体三极管是由发射极、基极、集电极三个电 极,发射结、集电结两个PN结构成。 18、三极管按其内部结构分为 NPN 和 PNP 两种类型。 19、晶体三极管作共射组态时,其输入特性与二极管类似,但其输出特性 较为复杂,可分为放大区外,还有截止区和饱和区。 20、二极管具有单相导电性特性。 二、单项选择题(每小题2分,共10分) 1、如图所示电路中,电压表的内阻Rv为20KΩ,则电压表的指示为( B )。 20KΩ 20KΩ A.5V B.10V C.15V D.30V 2、在三相交流电路中,当负载为对称且三角型连接时,线电流与相电流的 相位关系是( D )。 A. 线电压超前相电压300 B. 线电压滞后相电压300 C. 线电流超前相电流300 D. 线电流滞后相电流300 3、叠加定理可以用在线性电路中不能叠加的是( C )。 A、电压 B、电流 C、功率 D、电动势 4、如图所示电路中,若电阻从2Ω变到10Ω,则电流i( C )。 R i s A.变大 B. 变小 C.不变 D.不确定 5、如图所示电路,电路的电流I=( A )。

电子技术基础期末复习资料(含答案)

11级电子技术基础期末复习资料 一.概念填空: 1.电路由电源负载中间环节三部分组成。 2.电路中电流数值的正或负与参考方向有关,参考方向设的不同,计算结果也不同。 3.理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关,流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4.由电路中某点“走”至另一点,沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5.相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6.电阻并联分流与分流电阻值成反比,即电阻值大者分得的电流小,且消耗的功率也小。 7.串联电阻具有分压作用,大电阻分得的电压大,小电阻分得的电压小功率也小。 8.实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9.在电路分析中,应用戴维南或诺顿定理求解,其等效是对外电路而言。 11 .常用的线性元件有电阻、电容、电感,常用的非线性元件有二极管和三极管。 12.二极管正向偏置,是指外接电源正极接二极管的阳(或正)极,外接电源负极接二极管 的阴(或负)极。 13.P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素,其多数载流子是空穴,少数

载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素,其多数载流子是 自由电 子 ,少数载流子是 空穴 。 14.若三极管工作在放大区,其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ; 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则,如果电路在t=0时刻发生换路,则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时,有三种可能的工作状态,它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38.3个输入的译码器,最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器,最多可译出 __16___(2×2×2×2)______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同,可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20.两个电压值不同的理想电压源并联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 33.两个电流值不同的理想电流源串联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了()而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有()()() A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有()()()。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由()而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题(每空1分,共32分) 1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。 2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。 3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是()控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β

电工电子技术期末考试试题及答案

专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数

B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。 A.频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻( b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 -+∞ + u O u i 9.单稳态触发器的输出状态有( a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2 =6V,R 1 =12Ω,R 2 =6 Ω,R 3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I

电子技术基础期末复习

第1章检测题 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散运动起削弱作用,对少子的漂移运动起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的阴极;黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿损坏;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(错) 3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错) 4、PN结正向偏置时,其外电场方向一致。(错) 5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错) 6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对)

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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数字电子技术基础期末试题及答案

数字电子技术基础期末 试题及答案 Company number:【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】

一、填空题:(每空1分,共16分) 1.逻辑函数有四种表示方法,它们分别是(真值表)、( 逻辑图 )、( 逻辑表达式 )和( 卡诺图 )。 2.将2004个“1”异或起来得到的结果是( 0 )。 3.目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是( TTL )电路和( CMOS )电路。 4.施密特触发器有( 两 )个稳定状态.,多谐振荡器有( 0 )个稳定状态。 5.已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( 10 )条,数据线( 4 )条。 6.已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( 20 )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( 50 )。 7.GAL 器件的全称是( 通用阵列逻辑 ),与PAL 相比,它的输出电路是通过编程设定其( 输出逻辑宏单元 )的工作模式来实现的,而且由于采用了( E 2CMOS )的工艺结构,可以重复编程,使用更为方便灵活。 二、根据要求作题:(共16分) 1. 试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。 解:1. 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成,图3由 CMOS 门电路构 成,试分别写出F1、F2、F3的表 达式。 F C F B A F = =+=321; ;解:.2. 三、已知电路及输入波形如图4(a )(b )所示,其中FF1是D 锁存器,FF2是维持-阻塞D 触发器,根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。 (8分) 解: R +

电子技术基础期末考试考试卷及答案

9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是() 10.电路如下图所示,若初态都为0,则n+1=1Q 的是() 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是() A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器() A.n B.2n C.n 2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为() A.0010B.0100C.1100D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为() 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为() A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分)(对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴( ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降( ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开() 19.稳压二极管工作在反向击穿区域() 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件()

注:将选择题和判断题答案填写在上面的表格里,否则该题不得分 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则V0=。 四、应用题(本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.(10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q和Q的波形。27.(9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: (1)R开路;(2)R L开路;(3)稳压二极管V接反; (4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.(16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: (1)列出状态表,状态转换图;(2)说明计数器类型。

电子技术基础期末考试考试题及答案

电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门: xxx 时间: xxx 整理范文,仅供参考,可下载自行编辑

触发器,输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下, A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<) 10.电路如下图所示,若初态都为0,则的是<) 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<) A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<) A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为<) A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为<) 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为<) A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题,每小题3分,共15分)<对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴< ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降< ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开<) 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<) 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<)

注:将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里, 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.<10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: <1)R开路;<2)RL开路;<3)稳压二极管V接反; <4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.<16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: <1)列出状态表,状态转换图; <2)说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题,每小题2分,共30分) 二、判断题<本大题共5小题,每小题3分,共15分) 三、填空题<本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.不确定,翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题,共30分,要求写出演算过程) 26. 27.解:稳压二极管V接反,变成正向偏置,稳压二极管正向导通时,压降是0.7V 28.解:计数前,各触发器置0,使Q2Q1Q0=000

数字电子技术基础期末考试试卷及答案

数字电子技术基础试题(一) 一、填空题 : (每空1分,共10分) 1. (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为:、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器,其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题: (选择一个正确的答案填入括号内,每题3分,共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0,找出图中触发器在时钟信号作用下, 输出电压波形恒为0的是:(C )图。 2.下列几种TTL电路中,输出端可实现线与功能的电路是( D)。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路,其多余输入端正确的处理方法是(D )。

A、通过大电阻接地(>1.5KΩ) B、悬空 C、通过小电阻接地(<1KΩ) B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的(A )。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路(C )。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6.下列几种A/D转换器中,转换速度最快的是(A )。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7.某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示,则该电路为( C)。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8.要将方波脉冲的周期扩展10倍,可采用(C )。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为( D)。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时,最多可以有( C)个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简(每题5分,共10分) 1、用代数法化简为最简与或式

电工电子技术基础期末考试试题

《电工电子技术基础期末考试试题》--------A 班级: 姓名: 得分: 一、填空(每空一分 共十分): 1、若交流电i=1023Sin (314t+30o)A 其最大值 有效值 初相位 角频率 频率 周期 相位 。 2、如果把P 型半导体和N 型半导体通过一定的方法结合起来,在两者的 处,就会形成一层很薄的 称之为 。 二、判断(每题一分 共十五分): 1、1秒钟内交流电有100次达到最大值( 在我国 )。 ( ) 2、晶闸管单向导通,门极阻断。 ( ) 3、 感抗X l =ωL; 容抗Xc=1/(ωc)。 ( ) 4、交流电的阻抗Z=)(2 2Xc Xl R -+ ( ) 5、一般情况下,三相负载不对称时,P 总=Pu+Pv+Pw 。 ( ) 6、导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为PN 结 。 ( ) 7、导电性能不断提高的物质称为导体 。 ( ) 8、cos Φ反应了负载中的有功功率所占电源输出功率的比例,定义为功率因数 。 ( ) 9、二极管的主要参数为最大整流电流Im>I 工作、最高反向工作电压 Urm ≥U 工作,并且Urm 为Uz/2~Uz/3 。 ( ) 10 稳压二极管的接法为正端接被稳压器件的负极,负端接正极。 ( ) 11、电容滤波原理是利用大电容充电快、放点慢的特性,使定向脉动成分峰尖变钝,波动减 小 ,衰减变缓实现滤波的。 ( ) 12、桥式整流电路可将交流电正、反向都过滤成同一方向的脉动成分。 ( ) 13、电容滤波的接法是在整流后负载的两端正向并联电容器。 ( ) 14、二极管外加反向电压超过一定数值后,反向电流猛增,反向击穿 。 ( ) 15、三极管电流放大作用的条件是发射结正偏,集电结反偏。 ( ) 三、作图题 1、画出三相交流电动势的向量图。(七分) 2、、画出一个单相桥式整流电路图,并对负载电容滤波。(十分) 四、简答题 1、二极管、晶闸管的特性各如何?(十分) 2、写出三相交流负载星形及三角形联接时线电压与相电压、线电流与相电流. 的关系。(八分) 五、综合题(十分) 画一个三相桥式整流电路图,并分析当负载两端为同向电流,而电源的 a(+)b(-); a(+)c(-); b(+)a(-); b(+)c(-); c(+)a(-); c(+)b(-) .时电流流向。 六、选择题(每题一分 共三十分) 1、单相交流电路中,纯电阻电路情况下,电流与电压的关系为( )。 A :同频率、同相位; B :同频率、不同相位; C :不同频率、同相位; D :不同频率、相位。

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