模电课后复习思考题答案

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模电实验四思考题答案(模电A)

模电实验四思考题答案(模电A)

实验指导书思考题及答案实验2.4 电压比较器四、实验总结报告分析提示1、将迟滞比较器的门限电压理论值和实测值进行比较 ,并分析误差原因。

答:门限电压理论值为112OH T RU U R R +=+,112OL T RU U R R −=+。

稳压二极管稳压值不是正好±8V ,电阻R1和R2阻值的误差。

五、预习要求阅读本实验内容,了解由运算放大器组成电压比较器的工作原理。

填写表2-4-1中的内容。

理论计算图2-4-2(a )电路中,上限门电压U T+= 0.73V ;下限门电压U T—= -0.73V 。

(112OH T RU U R R +=+, 112OL T RU U R R −=+,U OH =8V ,U OL = - 8V) 实验2.5 波形发生器四、实验总结报告分析提示1、整理实验数据,将波形周期的实测值和理论值进行比较,并分析误差原因。

答:正弦波频率为12f RCπ=,主要是10K 电阻和0.1μF 电容不是标称值。

方波周期表达式为周期为122ln (12)F R T R C R =+,可见R F 、C 、R 1和R 2的精度都影响周期。

2、RC 正弦波发生器图2-5-1中,电位器R P 的作用是调节正弦波的频率吗?它的作用是什么? 表2-4-1 选定正确的操作方法(正确的在方框内画√,错误的在方框内画×) 项 目操作方法 运算放大器使用 运算放大器使用时须提供直流电源(±12V 和地)(√) 运算放大器须检测好坏,方法是开环过零(√)电压比较器仍须要调零(╳)迟滞比较器 利用迟滞比较器将输入的正弦波转换为输出的矩型波,对输入信号幅值大小没有要求(╳)答:不是调节正弦波的频率。

它的作用是调节放大电路的Av 值,使之满足振幅平衡条件Av=3(︱A F︱=1)。

3、方形波发生器图2-5-3,u c 波形中充、放电的幅值由什么决定?充、放电的时间由什么决定?答:方形波发生器是由滞回比较器和积分电路组合而成。

模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)

模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)

第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

1、两个管子都正接。

(1.4V )2、6V 的管子反接,8V 的正接。

模电复习思考题部分答案 康华光

模电复习思考题部分答案 康华光

模电复习思考题部分答案第三章2.1 集成电路运算放大器2.1.1答;通常由输入级,中间级,输出级单元组成,输入级由差分式放大电路组成,可以提高整个电路的性能。

中间级由一级或多级放大电路组成,主要是可以提高电压增益。

输出级电压增益为1,可以为负载提供一定的功率。

2.1.2答:集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成,线性区的直线的斜率即Vvo 很大,直线几乎成垂直直线。

非线性区由两条水平线组成,此时的Vo达到极值,等于V+或者V-。

理想情况下输出电压+V om=V+,-V om=V-。

2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆,输出电阻r约为100欧姆,开环电压增益Avo约为10^6欧姆。

2.2 理想运算放大器2.2.1答:将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。

2.输出电阻很小,接近零。

3.运放的开环电压增益很大。

2.2.2答:近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。

2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中,输出通过负反馈的作用,是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn,或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。

2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象,而运放的输入电阻的阻值又很高,因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。

3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端,R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。

由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位,称为虚地。

虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零,而虚地Vp,Vn接近是零。

2.3.2答:由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入,所以Vo为正值,V o等于R1和R2的电压之和,所以有了负反馈电阻后,Vn增大了,Vp不变,所以Vid变小了,Vo变小了,电压增益Av=V o/Vi变小了。

大学模拟电子技术实验课思考题及参考答案

大学模拟电子技术实验课思考题及参考答案

实验报告简要分析及参考答案以下为简要分析,答题时请详细规范作答——实验一仪器的使用P178:交流毫伏表的使用(1)将信号发生器输出值与毫伏表测量值相比较,得到的结论是:信号发生器输出的电压是用峰峰值表示的,而毫伏表测量的电压是用有效值表示的,正弦波峰峰值电压是有效值电压的(2)用毫伏表的MANU和AUTO模式测量信号发生器的输出电压,其不同之处是:用MANU 模式测量时要把量程旋钮置于合适的量程才能显示正确的测量电压;AUTO模式则自动显示测量电压。

P178:思考题1.因为交流毫伏表的电压测量范围为100U A~300V,它能感应并测量仪器周围很微弱的干扰信号,所以交流毫伏表一接通电源显示屏上就有数码显示。

2.图(a):(1)调节触发方式选择开关在AUTO状态;(2)调节垂直位移旋钮在适当的位置;(3)调节亮度旋钮在适当的位置。

图(b):(1)T/DIV旋钮不要置于X-Y显示方式;(2)扫描时间选择旋钮的扫描频率不要选得太高,图(c):调节聚焦和垂直位移旋钮在适当的位置。

3.示波器的红夹子应于毫伏表测试线上的红夹子相接,示波器的黑夹子应于毫伏表的黑夹子相接。

如果互换使用将引入干扰,产生较大的测量误差,甚至不能测量。

原因参阅课本P10。

实验二元件的识别与测量P1804.(2)用两手抓住表笔捏紧电阻两端测量其阻值,相当于把人体的电阻与所测电阻并联,所测电阻越大,影响越大,测量值越小。

P1816(2)用×100Ω档测出的阻值小,而用×1KΩ档测出的阻值大。

因为万用表不同的欧姆档流出的电流不同,×100Ω档时流出的电流大,×1KΩ档时流出的电流小。

当用不同的欧姆档测量同一只二极管时,由于二极管是非线性元件,等效电阻不是一个固定值,其值随电流的改变而改变,所以当用不同的量程测其正、反向电阻值时,测量值也不同。

P183:思考题用×1档电流大,×10k档电压大,都容易烧坏晶体管。

模拟电子技术(第2版)课后复习题答案第一章

模拟电子技术(第2版)课后复习题答案第一章

第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示,设二极管为理想的,试判断下列情况下,电路中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端的电压AO U 。

(1)V V DD 61=,V V DD 122=;(2)V V DD 61=、V V DD 122-=;(3)V V DD 61-=、V V DD 122-=。

解:1、当V V DD 61=、V V DD 122=时,假设二极管是截止的,则V V B 6=、VV A 12=二极管承受反偏电压,所以二极管截止假设成立。

V V U DD AO 122==。

2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。

V V U DD AO 61==。

3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的,则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。

V V U U DD BO AO 61-===。

1.2 二极管电路如图P1.2所示,二极管的导通电压V U D 7.0)on (=,试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时,电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。

解:1、当Ω=k R 1时,假设二极管是截止的,则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知,二极管承受正偏电压导通(假设不成立)故可得其等效电路如图P1.2b 所示:根据KCL 、 KVL :⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=R I R I R I I I I L O O 222197.039 解之:mA I mA I mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时,假设二极管是截止的,则mA I I O 8.11492=+=-=V R I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知,二极管承受反偏电压截止(假设成立)01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的,试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压AO U解:(a )假设21V V 、均截止,则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=, 21V V 、均承受正偏电压,但2V 管的正向偏值电压更大,故它首先导通。

模电实验思考题答案

模电实验思考题答案

低频电子线路实验思考题实验三单级低频放大器的设计、安装和调试1.R C和R L的变化对静态工作点有否影响?答:R C的变化会影响静态工作点,如其它参数不变,则R C↑==>V CE↓。

R L的变化对静态工作点无影响,原因是C2的隔直作用。

2.R C和R L的变化对放大器的电压增益有何影响?答:本实验电路中be LU r RA'β-=,R L′= R C // R L ,R L′增加时,∣A U∣的值变大,反之则减小。

3.放大器的上、下偏置电阻R B1和R B2若取得过小,将对放大器的静态和动态指标产生什么影响?答:上、下偏置电阻R B1和R B2取得很小时,静态稳定性提高,但静态功耗大增而浪费能源,而且还会使放大器的输入动态电阻减小以致信号分流过大。

4.C3若严重漏电或者容量失效而开路,两种器件故障分别对放大器产生什么影响?答:C3若严重漏电会使R4短路失效,放大器不能稳定工作,严重时会造成放大器处于饱和工作状态,而不能放大信号。

C3容量失效而开路时,由于R4的作用,使放大器处于深度负反馈工作状态,不能放大信号,A U≈-1。

实验八负反馈放大器1.负反馈放大器有哪四种组成形式,各种组成形式的作用是什么?答:负反馈放大器有电压串联、电压并联、电流串联和电流并联负反馈四种组成形式。

电压串联负反馈具有稳定输出电压,降低输出电阻,提高输入电阻的作用。

电压并联负反馈具有稳定输出电压、降低输出电阻和输入电阻的作用。

电流串联负反馈具有稳定输出电流,提高输出电阻和输入电阻的作用。

电流并联负反馈具有稳定输出电流,提高输出电阻,降低输入电阻的作用。

2.如果把失真的信号加入到放大器的输入端,能否用负反馈的方式来改善放大器的输出失真波形?答:不能。

因为负反馈放大器只能改善和消除电路内部因素造成的失真。

实验九集成运放的线性应用1.集成运放用于交流信号放大时,采用单、双电源供电时各有什么优缺点?答:运放采用单电源供电:优点:电源种类少。

电子技术基础 模拟部分 课后复习思考题答案

电子技术基础 模拟部分 课后复习思考题答案

100 100 v o 2v o1 1 v o2 2(v o1 v o2 ) 2(3vi1 vi2 2vi3 ) 50 150
6.试写出图示加法器对vI1、vI2、vI3 的运算结果:vO = f (vI1、vI2、vI3)。
解:A2 的输出 vO2=-(10/5)vI2-(10/100)vI3=-2vI2-0.1vI3 vO=-(100/20)vI1-(100/100)vO2=-5vI1+2vI2+0.1vI3
10Ω 10Ω 1V 6 1V 10 5 V 1MΩ 10Ω 10 Ω
在拾音头与扬声器之间接入放大电路后,使用电压放大电路模型,则等效电路如下图所示
2
Vi
Ri 1MΩ Vs 1V 0.5V Rs Ri 1MΩ 1MΩ RL 10Ω AvoVi 1 0.5V 0.25V RL Ro 10Ω 10Ω
7.在 图 示 电 路 中 , 已 知 输 入 电 压 v i 的 波 形 如 图 ( b ) 所 示 , 当 t = 0 时 , 电 容 C 上 的 电 压 vC= 0。 试 画 出 输 出 电 压 vo 的 波 形 。
7
1 t2 vi dt v C ( t1 ) RC t1 1 vi ( t 2 t1 ) v C ( t1 ) -100 vi ( t 2 - t1 ) v C ( t1 ) 解: 当 vi 为常数时 v o RC 若 t1 0, v C 0, t 2 5ms 时 vo 100 5 5 10 3 2.5V vo 若 t1 5ms, v C -2.5V, t 2 15ms 时 vo -100 (-5) 10 10 3 ( 2.5) 2.5V

模拟电子电路基础 1~7章思考题 答案

模拟电子电路基础 1~7章思考题 答案
• PN结的电容效应在什么情况下会影响其单向导电性? 答:在输入信号频率很高时。
• 二极管折线化等效电路和微变等效电路的应用条件有何区别? 答:二极管折线化等效电路应用于输入信号为直流电源或低频 交流信号源;微变等效电路应用于输入信号为直流电源叠加中、 低频微小交流信号源。
• 如何区分NPN型晶体管的三个工作区? 答:当已知三个极的电位时,可通过两个结的偏置来判断; 当已知电路结构及电路参数时,可通过判断发射结的是否反偏 来判断晶体管是否工作在截止区;若发射结正偏,则可通过临 界放大(或临界饱和)状态的条件(UCE=UBE)来判断晶体管是 工作在放大状态还是饱和状态,或者通过比较IB与IBS的大小来 判断晶体管是工作在放大状态还是饱和状态。
• 放大电路有何特点?其中的交流信号与直流信号有何关系? 答:放大电路中直流信号和交流信号共存,其中交流信号驮载 在直流信号上,直流信号影响交流信号的失真。
• 什么是静态工作点?静态工作点如何影响放大电路? 答:静态时晶体管各电极的直流电流和直流电压常称为静态工 作点,简称为Q点(Q-point) 。Q点包括IBQ、ICQ、 IEQ、 UBEQ、 UCEQ 。只有设置合适的Q点,使晶体管在信号整个周期内全部 处于放大状态,放大电路的输出波形才不会失真。
UGS<0时有: N沟道JFET、P沟道增强型MOS管、 N沟 道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管;
UGS=0时有: N沟道JFET、 P沟道JFET 、 N沟道耗尽型 MOS管、P沟道耗尽型MOS管。
• 共射与共源放大电路比较各有何优缺点? • 共集与共漏放大电路比较各有何优缺点?
答:共射与共源放大电路比较:共射放大电路电压放 大倍数一般比共源放大电路的大,并有电流放大作用, 但共源放大电路的输入电阻比共射放大电路的大。

模电答案

模电答案

种,就是自由电子与空穴,它们都能参加导电。
空穴——硅和锗均为共价键结构,属于四价元素。最外层的四个电子与相邻原子最外层
电子组成四个共价键,每一个共价键上均有两个价电子运动。当环境温度升高(加热或光照)
时,价电子获得能量摆脱原子核与共价键对它的束缚进入自由空间成为自由电子,在原来的
位置上就出现一个空位,称为空穴。空穴带正电,具有吸引相邻电子的能力,参加导电时只
1-3 选择填空(只填 a、b…以下类同)
(1)在 PN 结不加外部电压时,扩散电流
漂移电流。(a.大于,b.小于,c.等于)
(2)当 PN 结外加正向电压时,扩散电流
漂移电流。(a1.大于,b1.小于,c1.等于)
此时耗尽层。(a2.变宽,b2.变窄,c2.不变)
(3)当 PN 结外加反向电压时,扩散电流
第一章 思考题与习题解答
1-1 名词解释
半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N 型半导体、P 型半导
体、PN 结。
解 半导体——导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。例如硅(Si)和锗(Ge),这
两种半导体材料经常用来做晶体管。
载流子——运载电流的粒子。在导体中的载流子就是自由电子;半导体中的载流子有两
=
IC2 I B2
− −
IC1 I B1
知,对于一般的管子来说不可以,因为
IC1
0

I B1
0

而对于理想的三极管来说,可取 IC1 = 0 , IB1 = 0 ,此时可以由 IC =1 mA , IB =10 μA 这两
个数据来决定它的交流电流放大系数,即 = IC = 1000 10 = 100 。 IB

模电第四版习题答案

模电第四版习题答案

1 思考与练习答案1.1 填空(1)单向导电性 不可以(2)0.5V 0.7V 0.1V 0.3V 硅(3)R×100或R×1K R×10K R×1K(4)变压、整流、滤波、稳压 整流(5)4 100Hz(6)变压器次级线圈 滤波电容(7)+5 -12I C =1mA 时,工作电压的极限值为100V 。

2.7 (a )放大;(b )截止;(c )饱和;(3)e b c PNP 硅管 (2)c b e PNP 锗管2.13 (a ) 能 (b ) 不能 (c ) 能 (d ) 不能 (e ) 不能 (f ) 不能2.14 要保证发射结正偏,集电结反偏2.17 (1) I BQ =200μA I CQ =10mA U CEQ =14V 放大区(2) I BQ =33.3μA I CQ =2mA U CEQ =2V 放大区(3) I BQ =50μA I CQ =5mA U CEQ =9V 放大区(4) I BQ =30μA I CQ =3mA I CS ≈0.86mA I BS ≈8.6μA I BQ > I BS 饱和区2.18 (b )图为饱和失真 原因是静态工作点偏高 将R b 调小消除失真;(c )图为截止失真 原因是静态工作点偏低 将R b 调大消除失真2.19 I BQ =30μA I CQ =1.2mA U CEQ =5.88V(1) 360k Ω (2) 270 k Ω项目3 思考与练习答案3.1 (a )不能 (b )能 (c )不能 (d )不能3.2 R =10k Ω3.3 (1)上“-”下“+” (2)f 0=1.94kHz (3)二极管V D 1、V D 2用以改善输出电压的波形,稳定输出幅度。

(4)R p 用来调节输出电压的波形和幅度。

必须调节R p 使得R 2满足2 R 3> R 2>(2 R 3-R 1)。

3.5 (a )能 (b )不能 (c )能 (d )能 (e )不能 (f )能3.7 (a )并联型石英晶体振荡器 (b )串联型石英晶体振荡器3.8(1)o i u u =-(2)o i u u =3.9(a )-0.4V ;(b )0.8 V ;(c )0.8 V ;(d )6 V ;(e )1.5 V 3.10S L F U I R =3.1121222O i R R u u R += 响,(612)O u V = ;3.13(a )124()O i i u u u =-+;(b )122i i O u u u +=;(c )2144O i i u u u =-; 3.14 312463O i i i u u u u =--; 3.15 (1)R 1= 50 k Ω (2) R 1=10 0 k Ω (3) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω R 3= 100 k Ω(4) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω项目4 思考与练习答案4.3 (c )二阶无源带阻滤波器 (d )二阶有源带通滤波器4.4 (a )二有源带通滤波器 (b )二阶有源带阻滤波器(c )二阶有源低通滤波器 (d )二阶有源高通滤波器4.5答是使音响系统的频率特性可以控制,以达到高保真的音质;或者根据聆听者的爱好,修饰与美化声音。

模电实验一思考题答案

模电实验一思考题答案

实验指导书思考题及答案实验1.1 示波器的使用四、实验总结报告分析提示Y轴校零,把耦合方式放“GND”,调整输入通道的垂直“POSITION”旋钮,将零基准线调到合适的位置。

Y轴校零作用:确定信号零的位置,能看出波形相对于零是高还是低。

思考题1:示波器上的信号测试线(同轴电缆)上黑夹子和红夹子在测试信号时能否互换使用?观察波形时,黑夹子接被测电路何处?答:不可以互换。

黑夹子必须接所测信号的“地”端。

思考题2:当用示波器测“CAL”的波形时,说明Y 轴输入耦合方式选“DC” 档与“AC”档有什么不同?答:波形样子相同,但垂直方向上有位移。

原因:1、示波器的“CAL”有1V的直流分量。

2、选“DC”档:波形的交、直流分量都能显示。

选“AC”档:输入信号要经过电容滤波,因此只能显示交流分量,无直流分量。

五、预习要求阅读本实验内容,了解示波器的工作原理、性能及面板上常用的各主要旋钮、按键的作用和调节方法。

试填写表1-2-3的选项内容。

(正确的在方框内画√,错误的在方框内画×)选定示波器正确的操作方法(表1-1-3 选定示波器正确的操作方法显示情况操作方法显示出的波形亮度低调整聚焦调节旋钮(╳); 调整辉度调节旋钮(√)显示出的波形线条粗调整聚焦调节旋钮(√); 调整辉度调节旋钮(╳)显示出的波形不稳定调整触发电平旋钮(√); 调整水平位移旋钮(╳)(波形在X轴方向移动)显示出的波形幅值太小调整垂直衰减旋钮(√); 调整垂直位移旋钮(╳)显示出的波形X轴太密调整扫描时间旋钮(√); 调整垂直衰减旋钮(╳)填空:当用示波器观测信号,已知信号频率为1KHz,峰-峰值为1V,则应将Y 轴衰减选择 0.2V /格的档位,扫描时间选择 0.2ms /格的档位。

(要求:波形Y 轴显示占5格,X 轴显示一个周期占5格)实验1.2 数字扫频信号发生器的使用四、实验总结报告分析提示思考题1:信号发生器测试线上的红夹子能与示波器的黑夹子相接吗?为什么?答:不能。

《模拟电子技术》期末复习 全书课后习题+参考答案

《模拟电子技术》期末复习 全书课后习题+参考答案

晶体二极管及应用电路1 图(a)和图(b)分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。

假设二极管为理想开关,试分析对于输入信号的正半周和负半周,每支二极管的状态,并画出输出电压O v的波形。

2在T=300K时,某Si管和Ge管的反向饱和电流分别是0.5pA和1μA。

两管按如图所示的方式串联,且电流为1mA。

试用二极管方程估算两管的端电压Si V和Ge V。

图P1-23在T=300K时,利用PN结伏安方程作以下的估算:I=μA,求正向电压为0.1V,0.2V和0.3V时的电流。

(1)若反向饱和电流10S(2)当反向电流达到反向饱和电流的90%时,反向电压为多少?(3)若正反向电压均为0.05V,求正向电流与反向电流比值的绝对值。

1 图(a )和图(b )分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。

假设二极管为理想开关,试分析对于输入信号的正半周和负半周,每支二极管的状态,并画出输出电压O v 的波形。

[解]图P1-8输入正半周时,D 1导通,D 2截止。

输入正半周时,D 1D 3导通,D 2D 4截止。

输入负半周时,D 2导通,D 1截止。

输入负半周时,D 2D 4导通,D 1D 3截止。

(a )(b )两整流电路0v 波形相同(图P1-8-1):2 在T=300K 时,某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。

两管按如图所示的方式串联,且电流为1mA 。

试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。

[解]S I I >>,两管已充分导通,故VA 关系为/T V V S I I e =,由此lnT S IV V I =,取26T V =mV (T=300K )∴10000.026ln0.181Ge V ==V 图P1-29100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。

O图P1-8-13在T=300K时,利用PN结伏安方程作以下的估算:(1)若反向饱和电流10SI=μA,求正向电压为0.1V,0.2V和0.3V时的电流。

模拟电子技术思考与练习解答

模拟电子技术思考与练习解答

项目一思考与练习解答1.1 思考与练习1. 半导体具有哪些独特性能?在导电机理上,半导体与金属导体有何区别?答:半导体地独特性能是:光敏性,热敏性与掺杂性。

在导电机理上,金属导体只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体有多子与少子两种载流子同时参与导电,这是它们导电机理上地本质区别。

2. 何谓本征半导体?什么是"本征激发"?什么是"复合"?答:天然地半导体材料经过特殊地高度提纯工艺,成为晶格完全对称,具有价键结构地纯净半导体时,即为本征半导体。

由于光照,辐射,温度地影响在本征半导体产生自由电子载流子地现象称为本征激发;本征激发地主要导电方式是完全脱离了价键地自由电子载流子逆着电场方向而形成地定向迁移——电流。

本征激发地同时,价键地一些价电子"跳进"相邻原子空穴地现象称为复合,复合地结果产生了空穴载流子,空穴载流子带正电,其导电方式是空穴载流子顺着电场方向形成地定向迁移——电流。

3. N型半导体与P型半导体有何不同?各有何特点?它们是半导体器件吗?答:本征半导体掺入五价杂质元素后可得到N型半导体,N型半导体多子是自由电子,少子是空穴,定域地离子带正电;本征半导体掺入三价杂质元素后可得到P型半导体,P型半导体多子是空穴,少子是自由电子,定域地离子带负电。

这两种类型地半导体是构成半导体器件地基本元素,但不能称之为半导体器件。

4. 何谓PN结?PN结具有什么特性?答:用半导体工艺在同一块晶体地两端注入不同地杂质元素后,在晶片两端分别形成P 区与N区,在P区与N区地交界处因为浓度上地差别必定出现扩散,扩散地结果在两区交界处形成一个干净地离子区,这个离子区就是PN结。

PN结具有单向导电性:正向偏置时导通,反向偏置时截止。

5. 电击穿与热击穿有何不同?试述雪崩击穿与齐纳击穿地特点。

答:电击穿包括雪崩击穿与齐纳击穿,前者是一种碰撞地击穿,后者属于场效应地击穿,这两种电击穿过程可逆,不会造成PN结地永久损坏。

(完整版)模电复习答案

(完整版)模电复习答案

基本概念复习第一章 电路基本元件一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( )(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。

( )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。

( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。

(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。

A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S -T U U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(5)U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。

A. 结型管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管(6)在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V , 则这只三极管是 。

A .NPN 型硅管B .NPN 型锗管C .PNP 型硅管D .PNP 型锗管解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C (6)A第二章 基本放大电路一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(5)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(6)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

模电课后习题参考答案

模电课后习题参考答案

《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1.杂质浓度;温度。

2.减小;增大。

3.单向导电;最大整流电流I F;最大反向工作电压U RM。

4.0.5;;;。

5. 15V;;;;6V;。

6.大;整流。

二、1.①;⑤;②;④。

2. ②;①。

3.①。

4.③。

5.③。

6.③。

三、1、2、5、6对; 3、4错。

思考题与习题1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈;则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。

再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。

1.3.2(a)U D=-3V,VD截止,U AB=-12V。

(b) U D1=10V,U D2=25V,VD2优先导通,VD1截止,U AB=-15V。

1.3.3 当u i≥时VD1导通,VD2截止,u o=;当u i≤时VD2导通,VD1截止,u o=;当≤u i≤时VD1、VD2均截止,u o=u i。

故u o为上削顶下削底,且幅值为±的波形(图略)。

1.3.4 在等效电路中,两二极管可由图(c)来表示。

当< u i<时,VD1、VD2均截止,u o=u i。

当u i≥时VD1导通,VD2截止,u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th,其最大值为U om≈。

同理,当u i≤时,U om≈。

图略。

1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V,U B=8V,U BC=5V。

因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。

截止。

1.4.1 当u i>8V时,稳压管起稳压作用,u o=8V;<u i<8V时,u o=u i;u i<时,u o=。

图略。

1.4.2(1)因R L U I/(R L+R)=18V>U Z,稳压管起稳压作用,U O=U Z=12V,I L=U O/R L=6mA,I R=(U I-U O)/R=12mA,I Z=I R-I O=6mA。

模电实验三思考题答案

模电实验三思考题答案

实验指导书思考题及答案实验2.2 比例运算电路1、电路的特点:同相比例电路:1(1F o i R U U R =+,输入电阻理想值Ri=∞(输入电阻大,计算公式1(//)i i F i i i U U R R R I U U +′′==−)。

输出电阻Ro=0。

同相放大,比例系数只可大于1。

集成运放有共模输入,应选高共模抑制比的集成运放。

反相比例电路:1F o i R U U R =−。

输入电阻理想值Ri=R1(输入电阻小,比如20K ,计算公式:1i i i i i U U R R I U U −==−)。

输出电阻Ro=0。

反相放大,比例系数可随意。

3、误差原因(1)运放非理想状态:开环放大倍数非∞,同相、反相输入端电流非零。

(2)电阻等元件参数非标称值。

(3)测量仪器仪表——万用表、示波器的误差。

(4)工作在非线性区域导致很大误差。

4、比例电路输入输出电压传输特性曲线除了线性区外,要画到实测的正负饱和值。

5、思考题:当表2-2-3中Ui 大于等于±4V 时,Uo 会大于等于±12V 吗?为什么? 答:不会。

因为运算放大器的直流电源是±12V 供电,其输出不会大于电源电压。

实验2.3 反相积分电路误差原因1、运放非理想状态:开环放大倍数非∞,同相反相输入端电流非零。

2、电阻、电容等元件参数非标称值。

3、信号发生器产生的输入信号有误差。

4、测量仪器仪表——示波器的误差。

当输入信号为sin i im u U t ω=时,积分器的输出表达式:sin(90)im o U u t RC ωω=+ 。

ui 与uo 之间的相位关系:uo 相位超前超前ui 相位90°。

当输入正弦交流信号的频率f 增大时,积分器的输出会下列变化: 输出信号和输入信号的相位差:不变不变不变。

相位差与f 无关。

输出信号的幅值:减小减小减小。

因为输出信号的幅值为im U RC ω,所以输入信号频率增加,输出信号幅值减小。

模电实验二思考题答案

模电实验二思考题答案

模电实验二思考题答案实验指导书思考题及答案实验2.1 晶体管共射极单管放大电路四、实验总结报告分析提示放大器静态工作点设置的不同对放大器工作有何影响?答:有影响的。

静态工作点不合适,放大器会处于饱和或者截止的工作状态。

Rp 减小,U B 过高,容易导致饱和; Rp 增加,U B 过低,容易导致截止。

还会影响Rbe ,Ri ,Au 等。

放大器负载R L 减小对放大器的放大倍数A u 的影响。

答:R L 的加入,会使得Au 变小。

因为', '//L L C L beR Au R R R r β=?=。

而当R L 减小时,Au减小。

注意:公式中的负号只是表示相公式中的负号只是表示相位相反位相反位相反!!输入信号和输出信号均为交流的正弦波输入信号和输出信号均为交流的正弦波。

思考题:当U o 波形失真时,用晶体管毫伏表测量U o 的电压值是否有意义?答:没有意义。

1、放大电路要求不失真放大。

2、晶体管毫伏表测量的是交流正弦信号的有效值,当波形失真时,测量没有意义。

五、预习要求设:R B1=40K Ω,β=50,U BE =0.7V , 估算图2-1-2静态理论值,并将数值填入表2-1-1中。

理论值:空载时大电压放大倍数Au= - 201.6;负载R L =5.1k 时,Au= -100.8。

空载和负载时放大电路:Ri=R B1//R B2//rbe=1.148K Ω,Ro=Rc=5.1 K Ω表2-1-1 1 放大器静态工作点放大器静态工作点实验所测数据计算:1i i i i i i U U Ri R K U U U U ==×?′′0000 5.1oL oLL oL oLU U U U Ro R K U U ??==×? 阅读完本课实验内容后,填写表2-1-4。

表2-1-4 4 选定仪表正确使用的方法选定仪表正确使用的方法选定仪表正确使用的方法((正确的在方框内画正确的在方框内画√√,错误的在方框内画错误的在方框内画××)项目操作步骤测电阻先选择合适的量程,将指针万用表测试笔输入端短接起来,调节调零旋钮,使指针调在电阻表盘零位置。

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第二章运算放大器2.1集成电路运算放大器2.1.1答;通常由输入级,中间级,输出级单元组成,输入级由差分式放大电路组成,可以提高整个电路的性能。

中间级由一级或多级放大电路组成,主要是可以提高电压增益。

输出级电压增益为1,可以为负载提供一定的功率。

2.1.2答:集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成,线性区的直线的斜率即Vvo 很大,直线几乎成垂直直线。

非线性区由两条水平线组成,此时的Vo达到极值,等于V+或者V-。

理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。

2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆,输出电阻r约为100欧姆,开环电压增益Avo约为10^6欧姆。

2.2理想运算放大器2.2.1答:将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。

2.输出电阻很小,接近零。

3.运放的开环电压增益很大。

2.2.2答:近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。

2.3基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中,输出通过负反馈的作用,是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn,或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。

2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象,而运放的输入电阻的阻值又很高,因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。

3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端,R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。

由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位,称为虚地。

虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零,而虚地Vp,Vn接近是零。

2.3.2答:由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入,所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和,所以有了负反馈电阻后,Vn增大了,Vp不变,所以Vid变小了,Vo 变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。

由上述电路的负反馈作用,可知Vp≈Vn,也即虚短。

由于虚地是由于一端接地,而且存在负反馈,所以才有Vp≈Vn=0.2.3.3答:同相放大电路:1.存在虚短和虚断现象。

2.增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1,至少等于1。

3.输入电阻接近无穷大,出电阻接近于零。

反相放大电路:1.存在虚地现象。

2.电压增益Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。

3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电压趋向无穷大。

电路的不同:1.参考P28和P32的两个图。

2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。

2.3.4参考书本图下面的分析和上述的特点区别。

2.3.5答:电路的电压增益约为1,在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。

2.4同相输入和反反相输入放大电路的其他应用2.4.1各个图参考P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。

2.4.2第三章二极管3.2.1答:空间电荷区是由施主离子,受主离子构成的。

因为在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说耗尽了,因此有称耗尽区。

扩散使空间电荷区加宽,电场加强,对多数载流子扩散的阻力增大,但使少数载流子的漂移增强;而漂移使空间电荷区变窄,电场减弱,又使扩散容易进行,故空间电荷区也称为势垒区。

3.2.2答:使PN结外加电压VF的正端接P区,负端接N区,外加电场与PN结内电场方向相反,此时PN出于正向偏置。

3.2.3答:增加。

因为在外加反向电压产生的电场作用下,P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结,使耗尽区厚度增加。

3.2.4答:只有在外加电压是才能显示出来。

3.2.5答:P67页。

3.3.1答:P71页3.3.23.3.4答:P71页3.3.5答:P71页3.4.1答:P73页3.4.2答:P74,76页3.4.3答:P83页第四章4.1.1不可以,因为BJT有集电区、基区和发射区。

4.1.2不行。

内部结构不同。

4.1.3必须保证发射结正偏,集电结反偏。

反偏,都正偏。

4.1.4发射区向基区扩散载流子,形成发射极电流IE。

IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO4.1.5(p106)第一问没有找到;BJT输入电流Ic(或IE)正比于输入电流IE(或Ib)。

如果能控制输入电流,就能控制输出电流,所以常将BJT成称为电流控制器件。

第四章4.1.1不可以,因为BJT有集电区、基区和发射区。

4.1.2不行。

内部结构不同。

4.1.3必须保证发射结正偏,集电结反偏。

反偏,都正偏。

4.1.4发射区向基区扩散载流子,形成发射极电流IE。

IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO4.1.5(p106)第一问没有找到;BJT输入电流Ic(或IE)正比于输入电流IE(或Ib)。

如果能控制输入电流,就能控制输出电流,所以常将BJT成称为电流控制器件。

4.1.6(VCE=常熟)a=D IC/D IE(VCB=常熟)4.1.8IC,IE,VCE4.1.9IC,IE b上升4.2.1微弱电信号放大,信号源,外加直流电源VCC4.2.2(p119)4.2.3(p117)4.2.4不能IC,a上升4.3.1P1204.3.2P1234.3.3改变Vcc的极性(自己判断是否正确);截止失真4.3.4输入信号电压幅值比较小的条件下,P1284.3.5找不到,个人理解:放大电路工作可看成是静态工作电路(即直流电路)和交流通路的叠加,所以看成是先将直流通路短路处理,作为交流的地电位。

4.3.6P130公式(4.3.7B)P111公式(4.1.11A)不是4.3.7P126P1324.4.1电源电压的波动,元件参数的分散姓及元件的老化,环境温度4.4.2基极分压式射极偏置电路(理由见P135),含有双电源的射极偏置电路,含有恒流的射极偏置电路(理由见P139)4.4.3不能(答案不确定)4.4.4不能,Ce对静态工作点没有影响,对动态工作情况会产生影响,即对电阻Re上的电流信号电压有旁路作用4.5.1有共射,共基和共集;判断方法P147,4.5.34.5.2P147,4.5.3的24.5.3P141的4.5.1的2.动态分析4.5.4可以,根据式(4.4.1)-(4.4.4),可见静态电流Icq只与直流电压及电阻Re 有关,以此温度变化时,Icq基本不变。

4.7.1书上155页第一段,这主要是由BJT的极间电容、耦合电容和旁路电容的开路和短路引起。

4.7.2频带宽度BW是等于上限截止频率减去下限截止频率,数学表达式是:BW=f(H)-f(L)4.7.3低频时,1/wc不可忽略,所以射极旁路电容是低频响应的主要影响因素。

高频是不会4.7.4直接耦合可以把原信号不作改变地放大,所以可以改善低频响应;共基极放大电路中不存在密勒电容效应,所以共基极放大电路具有比较好的高频响应特性。

4.7.54.7.6书上176第五章5.1.1答:二氧化硅是绝缘体5.1.2答:P2375.1.3答:P2375.1.4答:P2075.2.1答:P226JFET不能BJT不能P205耗尽型MOSFET可以答案在P205画波浪线处5.3.4答:P237a图为BJT5.3.5答:P237第六章6.1.1257页第1段5行起6.1.2图6.1.1,6.1.2,6.1.3微电流源微电流源6.1.3259页最后一段6.2.1263页6.2.2100微安,0,100微伏,1000微伏6.2.3Vo=AvdVid+AvcVic得出6.2.4温度6.2.5264页最后两;,ro越大,即电流源Io越接近理想情况,Avc1越小,说明他抑制共模信号的能力越强;ro差模短路,共模2ro6.2.6Kcmr=|Avd/Avc|,268页第一段,6.2.7266页波浪线6.2.8课件33、34页6.2.9275页中间段;276第一段;10的9次方;10的5到6次方6.3.1(P277)(1)当vi1-vi2=vid=0时,vo1=vo2=Vcc-(Io/2)Rc,电路处于静态工作状态,。

(2)Vid在0~±VT范围内,vo1、vo2与vid间呈线性关系,放大电路工作在放大区。

(3)vid在VT~4VT间和-VT~4VT间,vo1、vo2与vid间呈非线性。

电路工作在非线性区。

(4)vid<-VT和vid>+VT,曲线趋于平坦。

Vid的范围书上没说,只说了差分放大电路呈现良好的限幅特性,即范围很大。

6.3.2等于差分放大电路的差模电压增益Avd1=-1/2gmRc,Avd2=1/2gmRc6.4.1由源极耦合差分放大输入级,输入级偏置电流源,共源放大输出级构成。

作用:输入级:输入级差分放大输入信号。

电流源:为差分放大输入级提供直流偏置。

输出级:放大输出信号6.4.2由输入级,偏置电路,中间级,输出级组成。

电流源作用:1)主偏置电路中的T11和T10组成微电流源电路,由Ic10供给输入级中T3,T4的偏置电流。

2)T8和T9组成镜像电流源,供给输入级T1,T2的工作电流。

3)T12和T13构成双端输出的镜像电流源,一路供给中间级的偏置电流和作为它的有源负载,另一路供给输出级的偏置电流。

6.4.3输入级,电压放大级和输出级电路的基本形式分别是:差分式放大电路,共集电极电路和共射集放大电路,互补对称电路。

保护电路有:T15,T21,T22,T23,T24B6.5.1答:在室温(25°C)及标准电源电压下,输入电压为零时,为了使集成运放的输出电压为零,在输入端加的补偿电压叫做失调电压Vio,其大小反映了运放制造中电路的对称程度和电位配合情况,其值愈大说明电路的对称程度愈差。

输入偏置电流是指集成运放两个输入端静态电流的平均值,从使用角度来看,偏置电流愈小由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也愈小,故它是重要的技术指标。

输入失调电流是指Iio是指当输入电压为零时流入放大器两输入端的静态基极电流之差,Iio愈小愈好,它反映了输入级差分对管的不对称程度。

6.5.2答:要求输入失调电压和输入失调电流都比较小,可采用调零电位器的方法减小输出端的误差电压。

不能用外接人工调零电路的方法完全抵消。

6.5.3(1)LM741等一般运放(2)高输入电阻的运放。

(3)输入失调电压Vio小的运放(4)失调电压电流小的运放6.5.4转换速率的大小与许多因素有关,主要与运放所加的补偿电容、运放本身各级BJT的级间电容、以及放大电路提供的充电电流等因素有关,通常要求运放的SR大于信号变化斜率的绝对值。

6.5.5Vom=Sr/(2∏BWp)=7.96V6.5.6见表6.5.1(书本291页)6.6.1电路是由vy控制电流源T3T4的电流iEE,iEE的变化导致BJT T1和T2的跨导gm变化,因此该电路称为变跨导式模拟乘法器。

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