内存时序设置(DRAM Configuration) - 七彩虹 C_P35 X3 Ver2_0 说明书使用手册 - IT168
内存时序的调节
由于CPU外频锁定在200(倍频20)，那么对于我所选用的内存条，根据几种既定的频率比(FSB:RAM)比较合适的频率为:1600(2：8)和2000(2：10)。
发个我自己的图， [ /cache/banner/1027841.png ]
，如图可以看到内存在1600频率下时序为7-7-7-20 1T(7-7-7-20-5-89
1T)，个人建议主要调整前6个参数值，其它的参考之前的解释微调，或者直接AUTO。
1.DRAM CAS Latency(tCL)：内存CAS
Latency是指“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，该参数设置对内存带宽影响较大，数值越小内存性能越高，反之越低，内存运行频率越高该参数通常需要设置越大，根据DDR3内存体质不同，保守设置通常是7-9，也可根据自己内存体质设置不同的Cl值。
上面已经说过，当内存频率提高，特别是过了标称值的时候，就需要以增加内存小参值为代价。
(1)若你内存工作的频率是小于等于你的内存标称值的，那么可以认为你的内存工作时序可以至少跑到标称的水平，比如我选择的内存在1600频率之下，先设定内存时序为7-7-7
1T，其他AUTO，若能成功进入系统并且通过memory test，那说明你的内存时序是OK的，我当时貌似是7-7-7-24-5-89
11.DRAM Timing
Mode：内存首命令延迟设定用选项，对内存性能影响较大，放宽到2N(2T)可适当提升内存超频频率，通常设置为1N(1T)。
-1T拥有较少的延迟，较佳的系统内存效能。却较差的兼容性。
-2T拥有较久的延迟、差很多的系统内存较能。较高的兼容性、稳定性。推荐将内存设定为1T能让内存达到最佳效能。
内存条压时序最简单方法
内存条压时序最简单方法
嘿，你知道内存条压时序是咋回事不？其实超简单！咱先说说步骤哈。
第一步，进入主板BIOS，哇塞，这就像打开一个神秘的宝库。
找到内存设置选项，嘿，可别找错喽。
然后根据自己内存条的参数和网上的教程，一点一点调整时序数值。
这就好比在玩一个精细的拼图游戏，得小心翼翼的。
注意事项可不少呢！你可别瞎调一气，不然电脑可能会闹脾气哦。
一定要先了解自己内存条的体质，要是硬来，那可不行。
就像你不能让一个小身板的人去扛大包，会累垮的嘛。
那这过程安全不？稳定性咋样呢？只要你小心谨慎，一般没啥大问题。
但要是太贪心，把时序压得过低，那可能就会出现各种奇怪的问题，比如死机、蓝屏啥的。
这就跟走钢丝似的，得掌握好平衡。
这内存条压时序有啥应用场景和优势呢？比如说你在玩游戏的时候，更低的时序可以让游戏更流畅，那感觉，爽歪歪！就像给你的游戏装备加了个超强的魔法buff。
而且还能提升电脑的整体性能，让你的电脑飞起来。
我给你讲个实际案例哈。
我有个朋友，他就压了内存条时序，哇，那电脑速度提升得可不是一点半点。
以前玩游戏卡顿得让人抓狂，现在呢，丝滑得很。
就像从老牛拉破车变成了超级跑车。
所以啊，内存条压时序只要你方法得当，注意安全，那绝对是提升电脑性能的好办法。
赶紧试试吧！。
DDR2-SDRAM操作时序规范
注意 : 要谨慎使用此图.此图只是提供了所有可能的状态和状态见转换的控制命令 ,而非全部细节.实际使用过程中可能出现的包括不止一 个簇，激活或禁止片内终结电阻，进入或结束断电状态等情况，这些情况的细节并没有全部列入上面的状态转换图 。
2
Device Operations
DDR2 SDRAM
基本功能
*1 : A13现在保留，以后备用，设置模式寄存器时要设为0。 BA2 和 A14 对于 512Mb DDR2不使用,但对于 1Gb 和2Gb DDR2 SDRAMs使用. A15 保留，以被后用
*2 : WR（自动预充电的写恢复时间 )的最小值由 tCK的最大值决定，而WR最大值由 tCK 最小值决定. WR 的计算方法是看tWR 有几个时钟 周期，如果是小数，则进位为大一的整数(WR[cycles] = tWR(ns)/tCK(ns)). 模式寄存器必须编程为这个值 . 同样的方法用 tRP决定 tDAL.
3
Device Operations
DDR2 SDRAM
上电后的初始化时序图
tCHtCL
CK
/CK
tIS
CKE
ODT
Command
NOP
PRE ALL
EMRS
MRS
PRE ALL
REF
400ns
tRP
tMRD
tMRD
tRP
DLL EN AB LE
DLL RESET
tRFC
REF
tRFC
min. 200 Cycle
Device Operations
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM 扩展模式寄存器设定
EMRS(1)
扩展模式寄存器(1) 存储着激活或禁止DLL的控制信息, 输出驱动强度, ODT 值的选择 和附加延迟等信息. 扩展寄存器（1）的默认值没有被定义, 因此， 上电之后，扩展模式寄存器 （1）的值必须按正确的步骤来设定 。 写扩展模式寄存器（1）是通过拉低CS, RAS, CAS, WE ，置袄 BA0, 同时控制地址线 A0 ~ A13的状态。 在写扩展模式寄存器（1）之前，DDR2 SDRAM 应该通过将 CKE拉高完成所有簇的预充电。扩展模式寄存器（1）设定命令的命令周 期 (tMRD)必须满足完成对扩展模式寄存器 （1）的写操作。在进行正常操作时，只要所有的簇都已经处于预充电完成状态 ，扩展模式寄存器（1）都可以使 用同一命令重新设定.. A0控制着DLL 激活或禁止。 A1被用于激活数据输出驱动能力为一半 。A3~A5 决定着附加延迟, A2和 A6 用语 ODT 值的选定, A7~A9 用于控制 OCD, A10 被用于禁止 DQS#， A11 被用于 RDQS 的激活。
内存时序以及内存时序优化
内存时序以及内存时序优化内存时序是指计算机执行指令时，读取、写入内存的操作所遵循的时间顺序。
内存时序优化是指通过改进内存的读写性能，提高计算机的运行效率。
下面将介绍内存时序以及内存时序优化的相关内容。
一、内存时序1.内存的基本操作计算机内存是存储数据的重要组成部分，包括读操作和写操作两种基本操作。
读操作是指从内存中读取数据到CPU中进行处理，写操作是指将CPU中的数据写入到内存中进行存储。
2.内存读操作的过程内存读操作主要包括以下步骤：（1）指令发出：CPU向内存发出读指令。
（2）地址传递：CPU将要读取的地址传递给内存。
（3）数据传递：内存将地址对应的数据传递给CPU。
（4）数据接收：CPU接收到数据并进行处理。
3.内存写操作的过程内存写操作主要包括以下步骤：（1）指令发出：CPU向内存发出写指令。
（2）地址传递：CPU将要写入的地址传递给内存。
（3）数据传递：CPU将要写入的数据传递给内存。
（4）数据存储：内存将数据存储到地址对应的位置。
4.内存时序的要求内存时序要求读操作和写操作都需要在一定的时间范围内完成，以保证数据的正确性。
内存时序的主要指标包括存储器访问速度、存储周期、存储步骤等。
1.提高存储器访问速度存储器访问速度是影响内存时序的一个重要因素。
可以通过提高内存的工作频率、增加缓存大小等方式提高存储器的访问速度，以减少内存读写操作的延迟。
2.优化存储周期存储周期是内存读写操作中一个重要的时序参数，指的是相邻两次操作间的时间间隔。
通过调整存储周期的大小，可以在保证数据一致性的前提下，尽可能地缩短内存读写操作的时间。
3.优化存储步骤内存读写操作需要经过多个步骤，包括地址传递、数据传递等。
可以通过优化这些步骤的执行顺序、并行执行等方式，减少内存读写操作的总时间。
4.高级内存时序优化技术除了上述常见的内存时序优化手段，还有一些高级技术可以进一步提高内存的读写性能。
例如预取技术，可以提前将可能会使用到的数据加载到缓存中，以减少内存访问的延迟。
SDRAM的相关时序参数设置
SDRAM的相关时序参数设置SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种高速的内存类型，它与处理器进行同步工作，提供快速的数据传输和读写能力。
SDRAM的性能受到各种时序参数的影响，正确设置这些参数对于系统的稳定性和性能至关重要。
下面将详细介绍SDRAM的各个时序参数及其设置方法。
1. 刷新周期（Refresh Cycle）SDRAM是一种动态存储器，需要定期进行刷新操作。
SDRAM芯片上的一个刷新周期包括多个刷新行为，以保持内存中的数据。
刷新周期由刷新间隔（Refresh Interval）和刷新行数（Number of Refreshes）两个参数决定。
刷新间隔表示两次刷新之间的时间间隔，通常以行数或毫秒计算；刷新行数表示每次刷新执行的行数。
刷新周期的设置应该满足芯片厂商的规格要求，并考虑到系统的稳定性和性能需求。
2. CAS延迟（CAS Latency）CAS延迟是SDRAM的一项重要参数，表示从引脚触发读操作时到真正开始执行读操作之间的时间延迟。
CAS延迟的设置影响总线的延迟时间和读取速度。
较低的CAS延迟值可以提高性能，但可能会增加系统的稳定性问题。
在选择CAS延迟值时，需要根据具体平台的要求和SDRAM芯片的规格进行合理设置。
3. RAS到CAS延迟（RAS to CAS Delay）RAS到CAS延迟表示从行地址选定到列地址选定期间的时间延迟。
它是影响SDRAM读取性能的另一个重要参数。
较低的RAS到CAS延迟值可以提高读取速度，但可能会增加系统稳定性问题。
在设置RAS到CAS延迟值时，需要综合考虑平台要求、SDRAM芯片规格和稳定性需求。
4. 前导延迟（Precharge Delay）前导延迟是指当一个行被关闭之后，必须等待一段时间才能执行新的行访问操作。
较低的前导延迟值可以减少访问延迟，提高系统性能，但可能会增加稳定性问题。
内存的时序参数与兼容性检测
内存的时序参数与兼容性检测随着计算机技术的不断进步，内存作为计算机系统中重要的组成部分，其时序参数和兼容性检测变得尤为重要。
本文将对内存的时序参数和兼容性检测进行详细的探讨和介绍。
一、内存的时序参数1. RAS（行地址选通时间）RAS是内存中的一种控制信号，用于选择行地址。
RAS时间表示在读取或写入内存数据时，从行选通到数据有效的时间间隔。
如果RAS 时间过长，将导致内存读写速度下降，从而影响计算机系统的性能。
2. CAS（列地址选通时间）CAS也是内存中的一种控制信号，用于选择列地址。
CAS时间表示在RAS时间确定后，从列选通到数据有效的时间间隔。
与RAS时间类似，CAS时间过长也会降低内存读写速度。
3. tRP（行预充电时间）tRP是内存中的另一项时序参数，用于决定行预充电的时间。
在内存读取或写入数据之前，需要进行行预充电操作，即将所有未选中的行充电。
tRP时间表示在RAS时间结束后，到进行行预充电的时间间隔。
4. tRCD（行到列延迟时间）tRCD是内存中的重要参数之一，它表示在选择行地址后，到选择列地址并开始数据读取或写入的时间间隔。
tRCD时间越短，内存读写速度越快。
二、内存的兼容性检测1. 主板与内存的兼容性检测在选择内存时，需要考虑主板和内存的兼容性。
主板厂商会提供兼容表格，列出可以与其主板兼容的内存品牌和型号，用户在购买内存时需要注意查看兼容性信息，以保证内存能够正常运行。
2. 主板支持的内存类型主板支持的内存类型包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4等，用户在购买内存时需要选择与主板兼容的内存类型。
同时，内存的频率（如DDR4-3200）也需要符合主板的规格要求。
3. 内存容量的匹配主板对内存容量有一定的限制，用户在选择内存时需要根据主板规格选择合适的容量。
在容量匹配时，通常要求两个内存模块的容量相同，以保证系统的稳定性。
4. 内存的时序参数匹配对于多通道内存，为了实现最佳性能，时序参数也需要匹配。
内存时序的调节
内存时序的调节所谓内存时序，它是一种参数，一般存储在内存条的SPD上。
大家经常会看到DDR3内存时序为7-7-7-20，8-8-8-22，9-9-9-24，下面先介绍下各部分小参分别代表的含义。
先给出一个完整的内存时序(例)：7-7-7-20-4-89-10-7-20-0 1T，接下来按顺序对应一一介绍。
1.DRAM CAS Latency(tCL)：内存CASLatency是指“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，该参数设置对内存带宽影响较大，数值越小内存性能越高，反之越低，内存运行频率越高该参数通常需要设置越大，根据DDR3内存体质不同，保守设置通常是7-9，也可根据自己内存体质设置不同的Cl值。
2.DRAM RAS to CASDelay(tRCD)：行寻址到列寻址延迟时间，该参数设置也对内存带宽影响较大，数值越小性能越好，保守设置通常是7-9。
3.DRAM RAS PRETime(tRP)：内存行地址控制器预充电时间，该参数设置对内存带宽影响较大，数值数值越小性能越好，保守设置通常是7-9，该数值通常可设置为比DRAMRAS to CAS Delay少1个数值。
4.DRAM RAS ACT Time(tRAS)：内存行有效至预充电的最短周期，该数值对内存带宽有微弱的影响，保守设置通常为20-24。
5.DRAM RAS to RAS Delay(tRRD)：行单元到行单元的延时，该数值越小越好，建议设置为5-7。
6.DRAM REF CycleTime(tRFC)：SDRAM行刷新周期时间，该数值对内存带宽影响较大，通常设置为60，放宽该参数可适当提升内存超频频率，如当DDR3内存超频到2000MHz以上频率是，建议该数值放宽到88或以上。
7.DRAM WRITE Recovery Time(tWR):写恢复延时，该数值轻微影响内存带宽，通常该参数设置8-12左右即可。
8.DRAM READ to PRE Time(tRTP)：内存预充电时间，通常设置8-12之间。
内存时序设置
Command Per Clock(CPC)该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable（1T）。
CAS Latency Control(tCL)CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。
该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
Min RAS# Active Timing(tRAS)一般我们最好设在5－10之间。
这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。
Row Precharge Timing(tRP)推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。
只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
Row Cycle Time(tRC)row cycle time (tRC) = minimum row active time (tRAS) + row precharge time (tRP)Row Refresh Cycle Time(tRFC)17-19是内存超频建议值。
建议从17开始依次递减来测试该值。
大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
Write Recovery Time(tWR)如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。
Write to Read Delay(tWTR)如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。
Refresh Period(tREF)通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。
内存时序怎么设置
内存时序怎么设置虽然店铺从小就对看书感兴趣，可是让我看一本完全不了解的书可是一点都看不下去，学知识也是一样，自己喜欢的不用别人督促，就能把它学的很好很扎实，自己不喜欢的学科呢，就要逼着自己学，而且效果并不好，兴趣是最好的老师，不过正在上学还没高考的可要认真学习每一门功课，考上大学后再选择一个自己喜欢的专业。
内存时序设置店铺是看不懂，相信总有人会明白的。
内存时序设置内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。
下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。
涉及到的参数分别为：CPC : Command Per ClocktCL : CAS Latency ControltRCD : RAS to CAS DelaytRAS : Min RAS Active TimingtRP : Row Precharge TimingtRC : Row Cycle TimetRFC : Row Refresh Cycle TimetRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)tWR : Write Recovery Time……及其他参数的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable)，如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：CPC : Command Per Clock可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
电脑内存频率与时序的优化方法
电脑内存频率与时序的优化方法一、引言电脑内存（RAM）是计算机系统中重要的组成部分，对系统的性能和运行速度有着重要的影响。
内存的频率和时序是决定内存读写速度和稳定性的两个关键参数。
本文将介绍电脑内存频率与时序的优化方法，以帮助用户提升系统性能。
二、内存频率的优化1.了解内存频率内存频率指的是内存模块从存储器中读取或写入数据的速度。
高内存频率能提升内存的读写速度，从而提高系统的响应速度。
在购买内存时，应选择适合系统需求的高频率内存。
2.检查主板支持的最高频率要优化内存频率，首先要了解主板所支持的最高频率。
不同的主板支持的内存频率可能有所不同，用户应查阅主板手册或咨询相关厂商以获取正确的频率信息。
3.检查内存模块的性能规格内存模块的性能规格通常会在产品说明书中列出。
在选择内存模块时，要注意其频率规格与主板所支持的频率是否相匹配。
选择高频率内存模块时，还需确保主板能稳定支持超频。
可以参考厂商提供的建议或查找相关论坛了解其他用户的使用经验。
4.使用BIOS设置调整内存频率在主板的BIOS设置中，用户可以手动调整内存频率。
如果主板支持超频功能，用户可以尝试逐步提高内存频率，直到稳定运行为止。
但需注意超频操作可能会对系统稳定性产生影响，故应谨慎操作。
三、内存时序的优化1.了解内存时序内存时序指的是内存模块的响应速度，它由一系列的时序参数构成，如CL（CAS Latency）、tRCD（RAS to CAS Delay）和tRP（Row Precharge Time）等。
较低的时序数值代表较好的时序性能，即内存能更快地响应系统的读写请求。
2.检查内存模块的时序参数内存模块的时序参数通常会在产品说明书或内存标签上列出。
用户可通过软件工具（如CPU-Z）或BIOS设置来查看和调整时序参数。
在选购内存模块时，可以选择具有较低时序数值的模块，以获得更好的性能。
3.利用BIOS设置优化内存时序在BIOS设置中，用户可以手动调整内存的时序参数。
常见的内存超频时序
常见的内存超频时序1. 什么是内存超频内存超频是指在超频的基础上，进一步提高计算机内存频率以达到更高的性能水平。
内存超频可以提升计算机的运行速度和响应能力，特别是对于需要大量内存操作的任务，如视频编辑、3D渲染和游戏等。
2. 内存超频的原理内存超频的原理是通过调整内存的时序参数来提高内存的工作频率。
时序参数包括CAS延迟（CL）、RAS到CAS延迟（tRCD）、RAS预充电延迟（tRP）和RAS活动到预充电延迟（tRAS）等。
3. 常见的内存超频时序以下是常见的内存超频时序参数：3.1 CAS延迟（CL）CAS延迟是指内存访问的延迟时间，也称为列地址选择延迟。
较低的CAS延迟可以提高内存的读写速度。
常见的CAS延迟参数有CL14、CL16和CL18等。
3.2 RAS到CAS延迟（tRCD）RAS到CAS延迟是指行地址选择到列地址选择的延迟时间。
较低的tRCD可以提高内存的响应速度。
常见的tRCD参数有tRCD10、tRCD12和tRCD14等。
3.3 RAS预充电延迟（tRP）RAS预充电延迟是指行地址选择到预充电的延迟时间。
较低的tRP可以提高内存的读写性能。
常见的tRP参数有tRP10、tRP12和tRP14等。
3.4 RAS活动到预充电延迟（tRAS）RAS活动到预充电延迟是指行地址选择到下一次预充电的延迟时间。
较低的tRAS可以减少内存刷新的时间，提高内存的工作效率。
常见的tRAS参数有tRAS24、tRAS26和tRAS28等。
4. 内存超频时序的调整方法内存超频时序的调整方法主要包括BIOS设置和软件调整两种方式。
4.1 BIOS设置通过进入计算机的BIOS界面，可以调整内存的时序参数。
具体步骤如下：1.开机时按下相应的按键进入BIOS设置界面（不同品牌的计算机按键可能不同）。
2.在BIOS界面中找到内存设置选项。
3.找到时序参数的设置选项，可以根据需要调整CAS延迟、RAS到CAS延迟、RAS预充电延迟和RAS活动到预充电延迟等参数。
内存时序调节技巧
内存时序调节技巧《内存时序调节那些事儿》嘿，大家好呀！今天咱就来唠唠内存时序调节这个挺专业但其实也挺好玩的事儿。
你们知道吗，内存时序就像是内存的“舞步节奏”。
调节好了，那它就能在电脑里欢快地跳起舞来，让咱的电脑跑得飞快；要是没调好，嘿嘿，那可能就有点磕磕绊绊咯。
我记得我第一次尝试调节内存时序的时候，那可真是又紧张又兴奋。
就好像是要去驯服一头小怪兽，心里还真有点没底呢。
我盯着那些参数，感觉它们就像是一堆神秘的符号，不过咱可不能被它们吓倒！我先去网上查了查各种教程和经验分享，然后就小心翼翼地开始摆弄起来。
哎呀呀，一开始总是不太顺利，不是这里出错就是那里没调好，电脑还时不时给我来点小脾气，重启个几次什么的。
不过我可没灰心，就像打不死的小强。
慢慢地，我开始摸到了一些门道。
原来，内存时序这玩意儿就像是在跟电脑玩一场微妙的游戏。
咱得一点一点地试，找到那个最合适的平衡点。
有时候把这个数字调小一点，嘿，速度好像快了那么一丢丢；再把那个数字调大一点，哟，又有不一样的感觉了。
而且吧，调节内存时序还得有点耐心。
别指望一下子就能调到完美状态，那可不容易。
有时候调了半天，感觉好像没啥变化，但其实可能已经有了一些细微的提升，只是咱没察觉到罢了。
有一次，我花了好几个小时在那捣鼓内存时序，我老婆都看不下去了，说我：“你这是跟它有仇啊，咋就一直折腾不休呢！”哈哈，我笑着跟她说：“这叫追求极致，亲爱的！”不过说真的，当终于调好内存时序，看到电脑的性能有了明显提升的时候，那种成就感简直爆棚！就好像是自己亲手打造了一个超级电脑英雄一样。
总之呢，内存时序调节虽然有点复杂，但也挺有趣的。
只要咱有耐心，多尝试，就一定能让我们的内存跳出最精彩的舞步！大家也赶紧去试试吧，说不定你也能成为一个内存时序调节大师呢！哈哈！。
内存时序详解
超频内存的时候有两种，一种是提高内存的主频，这个可以使得内存的读写数据的速度更快，类似高速公路上的车速，而内存时序是指控制内存数据读写指令的速度，类似收费口，路上的车速再快最终也是要上下高速公路的，只不过并不是只有一个口，因此内存时序只要够用就可以了。
内存频率和时序的超频都有可能导致内存的不稳定，导致无法开机，解决办法就是清BIOS恢复BIOS的默认设置。
内存时序一种参数，一般存储在内存条的SPD上。
2-2-2-84个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。
RAS－to－CAS Delay （tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：Command Per Clock(CPC)可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
七彩虹主板bios设置
七彩虹主板bios设置【七彩虹主板bios设置教程】首先，来看一下第一个菜单Main中的内容：这个菜单中，实际上没有什么特别重要的资料，第一项是调节系统时间，第二项是调节系统日期的，实际上这两个步骤都可以在Windows 中进行操作我们看到，菜单里的第三行Legacy diskette A，这个是配置软盘驱动器的一个选项，你可以在这里选择你软驱的类型，比如1.44M 3.5in当然，目前已经有80%以上的用户装机时不需要软驱了，软驱的使用率也越来越低，优盘几乎取代了一切，对于没有软驱的电脑，在这里设置成Disabled，关闭软驱检测再往下的菜单中，有四个SATA配置，这实际上是直接关联主板上SATA接口的，一般来说，SATA接口可以自动识别到安装到此端口的设备，所以需要设置的时候非常少，当然不排除特殊情况SATA Configuration从字面上意思来理解，表示SATA配置，上图是直接进入此项目的界面，在这里，我们可以对主板上的SATA工作模式进行调节，甚至关闭SATA接口的功能SATA工作模式一般分两种：Compatible和Enhanced，从中文意思上来理解，也就是“兼容模式“和“增强模式”，那到底是什么意思呢？很多朋友都有在安装Windows 98、Windows me、Linux系统时，出现找不到硬盘的情况，实际上这就是SATA工作模式没有调节好一般来说，一些比较老的操作系统对SATA硬盘支持度非常低，在安装系统之前，一定要将SATA的模式设置成CompatibleCompatible模式时SATA接口可以直接映射到IDE通道，也就是SATA硬盘被识别成IDE硬盘，如果此时电脑中还有PATA硬盘的话，就需要做相关的主从盘跳线设定了当然，Enhanced模式就是增强模式，每一个设备拥有自己的SATA通道，不占用IDE通道，适合Windows XP以上的操作系统安装下面这一项是硬盘的写保护设定，这里设定的主要是防止BIOS对硬盘的写入，实际上就是防范多年前有名的CIH病毒，不过现在已经很少很少有BIOS病毒，所以硬盘写保护也没有什么用处，建议Disabled返回Main主菜单中，最后一个项目是System information，这个项目实际上没有什么用处，用来看当前计算机的一些基本配置，比如CPU型号、频率、线程数、内存容量等信息由于Advanced菜单中项目非常多，如果一个一个讲的话非常浪费时间和篇幅，并且很多设置并没有什么用处，所以主要针对Advanced菜单中的重点进行讲述Advanced中文译为“高级”，当选择本菜单时，可以看到几大板块●JumperFree Configuration（免跳线配置）第一个项目是华硕主板特有的项目，jumperfree，直译成中文就是免跳线的意思，所以，这个项目是免跳线设置的项目，不过其他厂商推出的产品也基本都是有这个项目的，只是名字一般不叫jumperfree configration进入JumperFree Configuration后，可以看到如上图所示的界面，内容非常繁多，我们从第一项往下数，来看看他们具体都是什么意思：Ai Overclock Tuner——华硕人工智能超频（建议设置为Auto）CPU ratio setting——CPU频率设置（建议设置为Auto，超频时需设定）FSP Strap to North Bridge——华硕专用的分频调节（建议值Auto）下面的几项DRAM相关的，都是调节内存的项目，如果不超频的话，这几项建议都设置成Auto状态，再往下看，可以看到调节CPU、南北桥、内存等设备电压的的项目，这些都是要在超频时才能用的到这里不做过多讲述，JumperFree Configuration的内容已经介绍完毕，接着看USB Conguration里的内容● USB Configuration（USB配置）USB Conguration里的内容不多，其中，USB Functions就是配置是否开启USB功能的项目，对于普通用户来说，当然应该开启此功能了，不过网吧机的话，这里就应该选择Disabled第二项是USB 2.0控制器调节，如果选择Enabled，USB接口就会工作在USB 2.0的传输模式下，如果Disabled，就会被降级为USB 1.1，速度会慢很多想必绝大多数用户都会Enabled此项吧！下一个是USB 2.0控制器工作模式，有高速模式和全速模式两种选择，不过此项意义不大第四项和第五项对于普通用户来说也没有什么用处，保持默认值就好，第六项就有点重要了，Legacy USB Support，直译成中文可以理解为“传统USB设备支持”这里一定不要设置成Disabled，否者你连接的USB键盘会出现无法在BIOS和DOS中识别的情况，建议选择Auto，在计算机连接有传统USB设备时，则开启；反之则自动关闭● CPU Configuration（CPU配置）下面再次返回主菜单，进入CPU配置页面：CPU配置页面里对于普通用户来说，没有太大的用处，第一项是设置CPU频率的，这在jumperFree Configuration里就已经有了，超频玩家才能用的着其他的几个选项用处都不大，最后一个项目是Intel有名的SpeedStep技术，如果开启此技术的话，可以实现CPU在空闲时自动降频，从而节省电能，强烈推荐笔记本用户开启此选项●Chipset（芯片组）由于北桥芯片的相关设置已经在Advanced菜单中的JumperFree Configuration中完成，所以这里的Chipset主要是对南桥芯片进行配置不过这里经常调节的只有第二项，Initiate Graphic Adapter，中文意思是从什么图形卡启动，也就是说，当计算机中有一块PCI显卡和一块PCI-e显卡同时存在时到底让那一块显卡工作来引导系统，一般来说，整合主板中这里的调节项为PCI-E/On board，也就是先从独立显卡引导还是从集成显卡引导● Onboard Devices Configuration（板载设备配置）此菜单里主要讲述的是一些集成在主板上的设备，包括声卡、网卡、1394控制器等设备，有一天，你突然发现声卡消失了，或者网卡消失了那么你就应该来BIOS里看看这里是不是被屏蔽了，上图正在调节高保真音频，如果你没有独立声卡的话，就选择Enabled吧Front Panel Type讲的是前置音频的类型，可以设置成AC 97或者是HD Audio，如果你家里没有5.1声道以上音响设备的话，建议设置成AC97，因为这样前后的音频才是独立的，如果选择HD Audio的话，前置音频只能作为5.1声道系统中的两个小音箱测试用的这块主板，由于采用P35芯片组，南桥芯片没有直接提供IDE的支持，不过华硕P5K/EPU采用了Marvell公司提供的一颗IDE控制芯片，通过这颗芯片提供了一个IDE接口的支持如果你没有IDE硬盘或光驱的话，可以将此项选择Disabled，下一项是Marvell千兆网卡控制器设置，除非你有性能更加强劲的独立网卡，那么此选项建议设置成Enabled●PCI/PnP主菜单中下一个项目是PCIpnp配置，主要是对硬件的中断请求等进行手动分配，设置稍有不当，就可能造成硬件无法运行，非高级用户建议不要尝试，这部分内容我们也略过Advanced菜单里的项目确实非常多，写了两页才算把重点都提了一下，下面我们再来看一下Power菜单中的一些重点项目Power菜单里第一项是挂起模式，对于PC机来说，建议选择S3 only或者Auto，而对于POS 机来说，则建议选择S1，其他几个项目可以都保持默认值但是笔者在这里要提一下ACPI APIC Support这一项，很多人都遇到过，在Windows里点关机之后，电脑虽然注销了，但还并没有关机，必须要再次按一下电源开关计算机才会关闭，如果你遇到这种情况的话，那么80%以上都是因为没有开启ACPI APIC Support这一项，所以本项一定要开启，P.S. ACPI是高级电源管理的意思●APM Configuration很多朋友都遇到过这样的问题，就是只要一插上电源线，电脑就会自动开机，对于菜鸟来说，要解决这个问题看起来很难，实则不然，在BIOS的Power中，有Restore on AC power loss 这一项，实际上这里就可以修复上面的问题来看看Restore on AC Power loss的中文意思，可以理解为当断开的AC电源恢复时代状态，这里的主要功能就是，当电脑非正常断电之后，电流再次恢复时，计算机要处在什么状态有三个选项：Power Off（当电流恢复时，计算机处在关机状态）Power On（当电流恢复时，计算机处在开机状态）Last state（最近一次的状态，也就是断电时的状态）如果真正理解了Restore on AC Power loss的朋友，相信已经明白为什么一插上电源线电脑就会自动开机了，原来是因为这里选择了Power ON，当然你Last State也可能导致这种情况出现，如果你还在被这个问题所困扰的话，那么你现在就可以去解决了下面几个项目都是一些开机的方法设置，比如定时开机，远程Modem控制开机，PCI设备控制开机，键盘开机、鼠标开机等，使用方法都差不多，这里我们以键盘开机为例将一下这里的知识键盘开机也就是通过键盘上的某个（组合）按键来开启电脑，不需要按机箱前面的Power 按钮，要实现键盘开机的话，不仅主板要支持键盘开机，而且键盘也必须得支持此功能还好，几乎现在所有主板都可以支持此功能，而绝大多数标准键盘也都可以支持此功能，还有一点非常重要，键盘和鼠标开机都只能支持PS/2接口的产品，USB接口的键盘鼠标是无法支持的上图就是键盘开机的设置界面，这里有3种选择，分别是Space Bar（空格键），Ctrl-Esc，Power Key（键盘上的Power键），当你选择相应的（组合）键之后，下次开计算机就可以直接通过相应的按键来开启了一般来说，Power菜单里还有个硬件监控页面，这个页面里显示了当前CPU、主板等设备温度、电压、风扇转速等内容，在某些时候也可以根据这里排除一些故障，BOOT菜单算的上是我们平时使用中，用的最多的一个菜单了这里主要是对各种引导项进行配置，下面我们来看一下BOOT菜单里的重要功能：在BOOT 菜单下面有三个子菜单，这三个菜单里的内容都非常实用，我们一个一个的来看！●Boot Device Priority（优先引导设备）这个项目里，就可以设置系统优先从哪个设备引导，1st Boot Device自然是首引导设备，2nd Boot Device自然是第二个引导设备，以此类推如果要使用光盘安装系统的时候，在这里就需要将1st Boot Device设置成光驱，如上图，选单里找到你所使用的光驱型号就可以；如果你想要从硬盘启动系统，那么你就需要在这里将硬盘设置成1st Boot Device，如上图中的HDD：PM-STAS，希捷160G硬盘，以后装系统的时候，再也不用求着别人帮你调BIOS了吧！●Boot Settings Congurati on（引导设置配置）在Boot Settings Conguration菜单里，用的最多的就是Wait For “F1“ if Error，和Full Screen Logo，Full Screen Logo的作用就是关闭/开启开机BIOS全屏画面（如上图），有Enabled和Disabled两个选项，Enabled表示开启全屏开机画面，Disabled则表示关闭开机Logo还有一个就是Wait For “F1“ if Error，相信很多人都遇到过打开电脑必须按F1键才可以启动电脑，实际上就是这里的原因如果你遇到了每次开机都需要按F1才能进入电脑，但又不确定到底是什么地方出了问题的时候，就可以将此项设置成Disabled，问题得以解决第三个菜单里主要设置开机密码的，里面非常简单，这里就不多说了，由于Tools菜单里都是厂商自己添加的一些工具软件，这里我们就不多说了下面直接来看Exit菜单里的一些设置项目：Exit菜单里有四个项目，从上至下分别为：Exit & Save Changes——保存设置并退出Exit & Discard Changes——不保存设置，并退出Discard Changes——仅仅撤销修改，不退出Load Setup Defaults——载入默认设置同时，给大家说一个保存并退出最简单的方法，在BIOS设置界面里按F10，再按Y，不信你试试！至此，AMI BIOS重点设置就介绍完了如果你从头到尾都认真看了本文的话，相信一定能从中学到很多东西，当然，在看文章之后，一定要进入自己电脑的BIOS设置界面，去练习一下，这才能摆脱每次设置BIOS都要求着别人的窘境。
内存的时序设置及兼容性更新优化
内存的时序设置及兼容性更新优化近年来，随着计算机技术的不断进步，内存也逐渐成为我们日常使用电脑时关注的重要组成部分。
内存的时序设置及兼容性更新优化对于实现稳定性和性能的提升起到了关键作用。
本文将介绍内存的时序设置以及兼容性更新优化方面的知识，并探讨在实践中如何进行相关的优化。
一、内存的时序设置时序设置是指在计算机系统中，内存与其他硬件设备之间进行数据交互时，所需要遵循的时间顺序。
合理的时序设置能够确保数据的传输和处理能够正确无误地进行，并避免出现数据丢失、错误等问题。
以下是一些常见的内存时序设置参数：1. CAS Latency (CL)CAS Latency 是内存访问的一种延迟，也被称为列访问延迟。
它表示的是在内存控制器将请求发出后，内存芯片开始响应的延迟时间。
通常，CL的值越低，内存读写性能越好。
2. RAS to CAS Delay (tRCD)RAS to CAS Delay 表示的是内存行激活到列激活之间的延迟时间。
它主要影响到内存访问的效率和性能。
3. RAS Precharge Time (tRP)RAS Precharge Time 是内存行激活和下一次预充电之间的延迟时间。
这个参数影响到内存访问的稳定性和性能。
4. Command Rate (CR)Command Rate 是内存发出预充电命令或行激活命令之间的时间间隔。
通常，较低的 Command Rate 值能够提高内存访问的速度，但也可能导致不稳定性。
在设置内存的时序参数时，需要考虑到主板和内存条的兼容性。
不同的主板和内存条对时序参数的要求可能会有所不同。
因此，在进行时序设置时，建议参考主板和内存条的技术手册，以确保参数设置的准确性。
二、兼容性更新优化为了提升内存的兼容性和稳定性，内存制造商通常会推出兼容性更新优化的固件或驱动程序。
这些更新通常会修复在特定系统中出现的问题，提高内存的稳定性和性能。
1. BIOS更新BIOS是计算机系统中的基本输入输出系统，也是内存和其他硬件设备之间通信的桥梁。
常见的内存超频时序
常见的内存超频时序内存超频时序（Memory Overclocking Timing）是一种常见的电脑硬件优化技术，它可以提高内存的速度和性能，并且在游戏、视频编辑和其他高性能应用程序中能够发挥重要作用。
在本文中，我们将讨论常见的内存超频时序，并解释如何正确设置和优化内存超频时序。
首先，让我们简要了解内存超频的概念。
内存超频，顾名思义，就是通过在默认设置之上提高内存的工作频率来提高性能。
然而，随着频率的提高，内存对于时序设置的要求也变得越来越严格。
时序是指内存芯片中数据传输和访问的顺序和速度。
因此，正确的时序设置对于内存超频至关重要。
在选择内存超频时序之前，我们需要了解内存模块的规格和性能。
内存模块通常由两个重要的方面组成：时钟频率和时序。
时钟频率是指内存的工作速度，它以MHz 表示。
而时序描述了内存模块如何在时钟周期中完成读写操作。
最常见的四个时序是CAS延迟、TRCD、TRP和TRAS。
这些时序值通常以时钟周期数的形式表示。
首先，让我们来了解 CAS 延迟（CAS Latency）。
CAS 延迟是内存读取数据所需的时钟周期数。
较低的 CAS 延迟意味着内存能够更快地响应读取请求，从而提高性能。
然而，降低 CAS 延迟会增加内存稳定性问题的风险。
因此，在进行内存超频时需要找到适当的平衡点。
一般来说，较高的时钟频率可以抵消较高的 CAS 延迟，从而实现更高的性能。
接下来，我们来看看 TRCD（RAS to CAS Delay）时序。
TRCD 是指在行地址选定之后，从 RAS（Row Address Strobe）到 CAS（Column Address Strobe）之间的延迟时间。
较低的 TRCD 值意味着内存模块能够更快地响应读取请求，但也会增加内存的稳定性问题。
然后，我们需要考虑 TRP（RAS Precharge Time）时序。
TRP 值表示在执行下一次行地址选定之前必须在行地址线上维持的时间。
电脑内存频率与时序的调整方法
电脑内存频率与时序的调整方法随着科技的快速发展和电脑的广泛应用，人们对电脑性能的要求也越来越高。
电脑内存作为电脑系统中的重要组成部分，对系统的运行速度和稳定性起着至关重要的作用。
本文将介绍电脑内存频率与时序的调整方法，帮助读者提升电脑内存性能。
一、了解内存频率和时序的基本概念内存频率指的是内存模块每秒钟进行读写操作的速度，单位为MHz。
内存时序则是指内存模块在进行读写操作时，所需要的延迟时间和时钟周期数。
了解这两个基本概念对于后续的调整方法至关重要。
二、确定内存的频率和时序在进行内存频率和时序的调整之前，首先要确定内存模块的具体频率和时序信息。
通常情况下，我们可以通过以下途径获取这些信息：1. 查看内存标签：在内存模块上通常会标有频率和时序的相关信息，例如“DDR4-3200”表示频率为3200 MHz的DDR4内存。
2. 使用硬件信息软件：通过使用硬件信息软件，如CPU-Z或HWiNFO，可以查看电脑系统中安装的内存模块的详细信息，包括频率和时序。
三、提升内存频率和时序的方法了解了内存的频率和时序信息后，我们可以尝试以下方法来调整内存以提升性能：1. 提升内存频率：一般来说，内存模块的默认频率是最稳定和兼容的，但不一定是最高的。
通过进入电脑的BIOS设置界面，找到内存频率/速度选项，并选择一个更高的选项来提升内存频率。
然而，需要注意的是，在进行频率提升之后，我们需要进行系统的稳定性测试，以确保系统正常运行。
2. 调整内存时序：内存时序的调整可以对内存的读写速度产生较大的影响。
在BIOS设置界面中，我们可以找到内存时序/延迟选项，并选择更小的数值来减少内存读写的延迟时间。
同样地，调整时序后也需要进行系统的稳定性测试。
3. 使用XMP/DOCP：现代内存模块通常配备了XMP（Intel处理器）或DOCP（AMD处理器）功能，可以通过BIOS设置界面中的相应选项启用。
XMP/DOCP是内存制造商预先设置好的一组优化参数，可以快速提升内存的频率和时序。
电脑内存时序以及内存时序终极优化
谈内存时序以及内存时序优化原创作者：不抬杠最近看到一些网友对内存频率的重要性争论不休，认为内存频率不重要的，只能说对电脑运行的工作原理不了解，对超频知识不了解。
内存的实质是随时写入/读取存储器，是一种高速存储器。
CPU 不能直接读取硬盘内的数据进行计算，那么硬盘的数据就要通过内存来实现和CPU 之间的交换，所有的程序运行时候都要调入到内存里才能进一步交换给CPU 计算。
如果内存速度（频率）低，会直接影响到内存与CPU 进行数据交换的速度，因此影响到整体的计算速度。
内存频率虽然重要，内存时序优化也很重要。
如果内存时序调校得不好，就算CPU 体质再好，频率一样上不去。
在主板BIOS 设置中，有以下几个重要的内存时序参数：1. DRAM Command Rate 1. DRAM Command Rate（（CMD Rate CMD Rate））这个参数表示“首命令延迟”。
该参数的单位是时钟周期，越小越好。
不过，当内存较多且系统工作不太稳定时，要将此参数调大。
在K8主板上，CMD Rate 的选项有Auto、1T 或2T。
品质好一点的内存模组可以使用1T 来提高性能，大部分主板为了保证更好的兼容性，默认采用了2T 的保守值。
2. CAS# Latency 2. CAS# Latency（（tCL tCL））CAS 表示“列地址选通脉冲”，在内存寻址后，系统必须等待列地址信号CAS 才能开始进行数据传输，CL 就是列地址脉冲的反应时间，它是衡量内存品质的重要参数之一。
通常DDR2内存的tCL=4/5/6，在稳定的前提下，数值越低越好。
3. RAS to CAS Delay 3. RAS to CAS Delay（（tRCD tRCD））该参数表示“行寻址至列寻址延迟时间”，这个参数主要影响带宽和稳定性，数值越小越好。
在超频时大部分内存在设定为5以上时会改善不少稳定性。
4. Row Precharge Timing 4. Row Precharge Timing（（tRP tRP））该参数表示“行位址预充电时间”，即内存从结束一个行存取操作到重新开始下次操作的间隔时间。
内存时序以及内存时序优化
内存时序以及内存时序优化内存时序是计算机中非常重要的一个概念，它描述了计算机在执行指令和存储数据时的时间顺序。
优化内存时序是提高计算机系统运行效率和性能的一个关键手段。
内存时序优化可以从多个方面入手，包括提高内存读写速度、减少内存访问延迟、最大限度地利用内存带宽等。
在进行内存时序优化的过程中，开发者需要掌握一定的硬件知识，了解内存的结构和原理，并利用合理的算法和编码技巧来实现优化。
首先，要提高内存读写速度，可以采用多种方法。
如通过提高内存总线速度、增加内存通道的数量、采用高速缓存等。
此外，可以考虑使用更快的内存芯片，如DDR3、DDR4等。
通过这些方法可以提高内存的数据传输速度，从而加快计算机的运行速度。
其次，要减少内存访问延迟，可以采用一系列方法。
首先，可以通过合理的内存布局来减少内存访问延迟。
常用的方法有将频繁访问的数据放置在靠近处理器的内存地址上，以减少数据传输的距离。
此外，可以采用预取技术来提前将数据从内存中取出，以减少数据加载时间。
还可以使用数据压缩等技术来减少数据传输量，从而减少内存访问延迟。
最后，要最大限度地利用内存带宽，可以采用一系列策略。
首先，可以使用并行处理器来提高内存访问带宽。
常见的策略有在多个处理器之间进行数据分割和聚合，以提高数据传输效率。
此外，可以通过数据压缩和编码技术来减少数据传输量，以提高带宽利用率。
还可以采用分层存储结构，将数据存储在高带宽的存储器中，以提高数据传输速度。
在进行内存时序优化时，还需要注意避免一些常见的问题。
如内存访问冲突、内存泄漏、非一致内存访问等。
这些问题都有可能导致性能下降和系统崩溃。
因此，在进行内存时序优化前，需要对系统进行充分的测试和调试，确保系统的稳定性和可靠性。
总的来说，内存时序优化是提高计算机系统性能的一个关键手段。
在进行内存时序优化时，开发者需要掌握一定的硬件知识，并利用合理的算法和编码技巧来实现优化。
通过提高内存读写速度、减少内存访问延迟、最大限度地利用内存带宽等方法，可以有效地提高计算机系统的运行效率和性能。
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sdram precharge delay（sdram 内存预充电延迟）
此项控制s d r a m 内存时钟周期数的r a s 最小值。
sdram twr
选择dram 登录最后一笔写入数据后的写入回复时间，即最后一笔写入数据之后的预充电时间。
sdram trfc
该字段用于选择自动刷新周期时间。
sdram twtr
选项为reserved, 1 bus clock, 2 bus clocks 与3 bus clocks
sdram trrd
选择不同b a n k 的列与列间的延迟时间。
clocks, 7 bus clocks
sdram ras# precharge(trp)
指定row 预备时间.预先激活或自动更新相同的bank. 通常为20-24nsec。
选项: 3 bus clocks (默认), 2 bus clocks, 4 bus clocks, 5bus clocks, 6 bus
内存时序设置(DRAM Configuration) - 七彩虹 C.P35 X3 Ver2.0 说明书|使用手册 - IT168
内存时序设置(DRAM Configuration)
非专业人士请不要随意更改选项内的设置！
Hale Waihona Puke dram timing selectable（动态记忆体时序选择）
u，则此字段不会出现。auto 自动侦测内存时钟。
1t 为较佳性能的时钟设定。
2t 为一般性能的时钟设定，提供较佳的系统稳定性。此选项为默认值。
七彩虹 C.P35 X3 Ver2.0 相关内容：报价 | 参数 | 图片 | 论坛 | 评测
configuring by spd 等，将其值设为“menual”（视bios 的不同可能的选项有：on/off
或enable/disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表。
sdram cas latency time
选择cas 延迟时间。
sdram trtp
选择预充电时间。
system memory frequency
此处设置系统内存频率, 选项有ddr2 533/667/800
dram 1t/2t mode
对于cg 或更新版本的amd athlontm 64 cpu，2t 选项可提供较稳定的系统运作环境。若所使用的是c g 版本之前的c p
sdram ras# to cas# delay
指定ras# 到cas# 的延迟,以便读/写指令到相同的bank .通常为-20nse。
选项: 3 bus clocks (默认), 2 bus clocks, 4 bus clocks, 5bus clocks, 6 bus
选项则是性能优先选项，通常如果内存质量够好，都可通过把byspd 修改为turbo 来提高系统性能；而normal
则是比较保守的内存设定值。首先，需要在bios 中打开手动设置，在bios 设置中找到“dram timing selectable”，bios
设置中可能出现的其他描述有：automatic configuration、dram auto、timing selectable、timing
timing selectable 是(内存参数设置选项)
选项：normal、by spd、turbo
当您选择"by spd"的时候，bios 会自动读取内存上spd 芯片中的预设信息，当您选择"manuel"可以自行设置内存的一下相关信息。
这是厂商为普通电脑用户提供的选项，里面的by spd 是通过读取内存上spd 芯片中的厂商默认值来进行设定，这样一般能保证内存稳定运行；turbo