电子注入材料

低功函阴极材料
• LiF 类： • Li02、LiCo02、NaCl、MgF2、CsF 、CaF2、
BaF2、NaF、RbF、CsCl、Ru2C03、YbF3等。 • 比Al更活泼的金属： • LiF/Mg:Ag 、LiF/Ca/Al、CsF/Ca/Ag、 CsF/Yb/Ag、CsF/Ba/Ag、CsF/Mg:Ag、 NaCI/Ca/Al等。
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背景
空穴易注入 空穴迁移速度快
空穴多于电子
加入介电层抑制空穴注入，减小空穴浓度
提高了器件工作电压
降低阴极界面势垒提高电子注入。
机理
金属阴极与有机半导体薄膜接触前后的能级变化
机理
电子越过界面处肖特基势垒注入器件内部的两种途径: （a）热发射注入；（b）隧穿注入
阴极/电子注入材料
单层金属阴极:金属Ag、Al、Ca、Ba 合金阴极：Mg:Ag合金(掺杂比例10:1） Li:AI合金(Li 浓度为0.1%) 化合物-金属复合阴极：LiF/Al复合阴极 CsF/A1复合阴极 Li2O/Al复合阴极 A1203/Al复合阴极 Mg0/Al复合阴极
LiPP）、 8-羟基喹啉铯（Csq ) 、三(8_羟基喹啉)
铒(Erq3）等。
高功函金属阴极材料
插入绝缘层前(a)后(b>隧穿长度变化的机理示意图
高功函金属阴极材料
聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的L-B /Al复合阴极，
用于聚合物的LiF/Al复合阴极，
基于小分子OLED的A1203/Al 复合阴极， 硬脂酸钠(NaSt）Al(或Mg,Ag )复合阴极， 聚苯乙烯磺酸钠/Al复合阴极, LiF/Ag， Mg0/Al， Si02/A1， Mn0/A1 ，
LiF/Al复合阴极
• 机理一： • （1）真空蒸镀热活化的Al蒸气，
（2）界面处超薄的LiF层发生化学反应， （3）生成极其微量的金属Li。
LiF/Al复合阴极
• 机理二： • （1）LiF与Al的界面化学反应属于热力学禁阻，
（2）处于LiF层之下的某种特定的有机半导体接受一个 电子形成负离子并释放一定能量， （3）能量释放将协同LiF与Al的反应发生，生成Li 极其微量的金属Li在生成瞬间，即将一个电子传递给 下层有机半导体材料，形成有利于电子注入的n型掺杂 结构。
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高功函金属阴极材料
Ag阴极键合SH-C2H4-CONH-(CH2CH20)45-CH3自组装单分子
层复合阴极，
Ag阴极键合SH-Si(OCH3)2-(OCH2CH2)nOH自组装单分子层 复合阴极， Au阴极键合自组装生长SH-C16H33单分子层复合阴极， 聚乙烯乙二醇二甲酯(PEGDE ) /Al复合阴极， 聚苯乙烯一聚甲基丙烯酸甲酯共聚离子交联聚合物/Al复 合阴极
OLED电子注入材料
汇报人： 学 号：
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OLED电子注入材料
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背景 机理 实例 Q&A
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OLED结构示意图
背景
获得高效的OLED器件性能： (1)努力提高器件空穴与电子的注入并使之 平衡; (2)采用可以产生磷光发射的材料； (3)通过分子设计合成高量子产率的材料用 作器件的发光层； (4)在器件结构中加入增透膜等光学结构。
低功函阴极材料
• 含有低功函金属离子的有机材料：
（1）一类是有机部分只作为平衡电荷的阴离子
或配体，不具备额外的电子传输功能，戊间二
酮锂、二叔丁基戊酞甲烷锂、戊间二酮钙等;
低功函阴极材料
• （2）有机部分含有缺电子的含氮芳环结构，可以形成
稳定的负离子，所以具备一定的电子注入和传输能力，
8_羟基喹啉锂（Liq ) 、 2一甲基一8_羟基喹啉锂 (LiMeq）、四(8-羟基喹啉)硼锂(LiBq4 ) 、 8-羟基喹啉 钠(Naq）、4-羟基菲啶锂(LiPh ） 、 2-(5一苯基一 1,3,4-噁二唑基)苯酚锂(LiOXD ）、 2-(2-吡啶)苯酚锂
Thank you
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