2动态压力测量技术
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sc
U
EK 4
1
三、压阻式压力Leabharlann Baidu感器
1954年史密斯等人发现硅和锗等半导体材料具 有压阻效应。1958年研制出半导体电阻应变片, 包括体形、扩散型与薄膜型三种,而压阻式压 力传感器利用的就是扩散型半导体应变片。 压阻式压力传感器是以硅膜片作为弹性敏感元 件,在该膜片上用集成电路扩散工艺制成四个 等值半导体电阻,组成惠斯登电桥,当膜片受 力后,由于半导体的压阻效应,电阻值发生变 化,使电桥输出反映压力的变化,利用这种方 法制成的压力传感器称为压阻式压力传感器。
(2-15)
式中
——电阻片的电阻温度系数; t ——温度变化量。
at
由于 t 的存在,感受元件与粘贴上其的电阻片的 线膨胀系数不同而引起电阻变化量为:
( R R )2 K (1 2 ) t
(2——16)
式中
1 ——传感器感受元件的线膨胀系数;
2 ——电阻片材料的线膨胀系数;
(2—13)
B温度补偿
如果电阻应变片粘贴在压力传感器上,当有温度变 化时,有三方面的作用引起电阻应变片电阻的改 变,它们是电阻丝的温度系数、电阻丝的线膨胀 系数与压力传感器感受元件的线膨胀系数。 当压力传感器受到温度为 t ( C ) 的温度变化时,所引 起的电阻温度效应为
(
R R
)1 t t
y
Fc / M (1 q ) 4 q
2 2 2
[s in t tg
1
2 q 1 q
2
]
(2——66) 式中
D 2 ME
——阻尼度
q
0
E M
f f0
——阻尼振动频率与自振频率比
0
——自振角频率
令
D1
1 (1 q ) 4 q
2 2 2 2
U
U
A
U
U
B
R R 1 1 R R R R 1 1 4 4
R R 2 2 R R R R 2 2 3 3
U
如略去分子分母中的 R i 的二次微量,可简化为:
U ( R U 1 R 2 R 3 R 4 )
R 4(R
4 桥式电路输出与低温补偿
A桥式电路的输出
全桥电路如左图2—11。 所谓全桥即四个桥臂电 阻相等即: R 、 、 、 R4 R1 R 2 3 都是工作片,受某一压 力作用后,其对应阻值 增量分为 R 、 R 、 R 、 R 4 。
1
2
3
在测量前要先调平衡,并设四个桥臂电阻相等 即:R 1 R 2 R 3 R 4 R . 此时电桥输出 U 0 ,当测量时,各桥臂电阻都有了变化, 阻值增量分别为 R 1 、 R 2 、 R 3、 R 4,则输出电 压 U 为:
1静态标定(参照热工测量仪表) 2标定数据的处理 2A直线法:适用线性标定 2B绘图法:精度最高 2C折线内插法:求未知 2D拟合直线法:直线拟合,适用线形标定 3动态标定
动态标定
图2—37压力传感器的物理模型
图2—37是压力传感器的物理模型,图a表示膜片在压力F的作用 下产生了变形y.因而产生了弹性力 E ,惯性力 M d y / d t 和膜片在 运动时受到空气或其他气、液体的阻力Ddy/dt。这是由三个元 件组成的一个单自由度的二阶振荡环节,则外力F由惯性力、弹 性力和阻尼力所平衡,其运动方程为
上的横向应变片 R 1 与纵向应变片 R 2 同时产生正 应变 1 与负应变 2 ,如图2—3所示,即电阻应 变片 R 1 受拉伸而 R 2 受压缩,连成如图2—4的电 桥电路。该电路不仅增加了仪器的输出,同时可 进行自温度补偿,此输出通过电缆引线与应变仪 的电桥盒相连接。为了提高力的传递效果,测压 膜片一般不做成平膜片,而是做成垂链膜片,用 它来增加应变筒的刚性,提高应变筒的自振频率, 这种柔软的膜片,将力传递给应变筒。
注意事项:
1如果在高温下或工作温度不甚高但是温度有波动,且在较长 的时间进行测量时,应通入冷却水或冷风。以减少因温度的影 响而带来的误差 2在安装传感器时也要确保传感器处于良好的受力状态
此两点不可轻视,否则会带来严重的后果。 该传感器的特点是具有较高的强度和抗冲击稳定性, 具有优良的静态特性和动态特性,具有较高的自振频 率可达30KHz以上,测量上限压力可达到9.6MPa, 适与测量高频脉冲压力。又加上强制水冷却,也适合 高温下的动态压力测量,如火箭发动机的压力测量, 内燃机、压气机等的动态测量。
2 2
y
M
d y dt
2
2
D
dy dt
Ey F
( 2-64)
式中 M——运动质量, E——弹性模数; D——阻尼系数。 如外力F按正弦变化,即 F F c s in t ,式(2——64)除 以M则有
d y dt
2 2
20
dy dt
0 y
2
1 M
F c s in t
该方程的全解为
y t 0 Fc e M M (1 q 1 s in [ t 0 2 1 2 tg 1 1 2 ]
1 2 q ] q 2 1
Fc 2 2 2 2 ) 4 q
s in [ t tg
(2——65)
略去式(2——65)中第一项很快衰减的固有振荡,则压力传 感器的动态特性为
压阻式压力传感器是六十年代初出现的,
随着半导体工业和集成电路的迅速发展, 国际上到七十年代这种传感器已在航空、 宇航、风洞及其它领域得到了广泛的应 用。
压阻压力传感器的特点
1、结构简单,可微型化。国内研制的硅杯直径为 1mm的传感器。国外有直径为0.8mm的,量程为 0.686MPa,其输出为40mV。还有直径为1mm厚 度为0.1mm的扁型传感器,由于微型化,大量用于 宇航和医学领域中。 2、可测高频。由于传感器小而轻,因此膜片刚度大, 自振频率高,如日本PE104—1F型压阻压力传感器 自振频率可达90KHz,也有直径2mm,厚 0.025~0.075mm的传感器,直接装于测压管内, 可测300~500kHz以下的脉动压力。 3、灵敏度高。半导体的灵敏度系数比金属电阻应变 片高35~70倍,因此,传感器输出信号大,可达 200mV,这就可不必放大而直接用记录仪记录。 4、精度高。非线形误差和滞后误差都较小。目前一 般可达0.1~0.05%,最高可达0.01%。
——畸变因素 ——滞后角
(2——67) (2——68)
1
a r c tg
第二章 动态压力测量技术
应用举例: 1动态压力测量可以发现火箭发动机燃烧室的压力是 否振荡,改变燃烧条件,经过反复的测量和对比可 以找出最好的燃烧方案。 2通过动态压力的测量可以发现热机如内燃机、空气 压缩机、制冷机、热泵、螺杆压缩机、透平压缩机 等内部的压力变化,以及吸排气的阻力损失等,同 时测得的压力-位移曲线又可绘制出示功图,从而 进一步分析热机循环过程的完善程度以及改进的途 径,提高热机的效率,以利于节约能源和开发新型 机器。
四、压电式压力传感器
(与热工仪表类似) 1压电效应与压电材料 2压电压力传感器的结构 3压电传感器的温度补偿 4压电传感器的测量原理 5压电式压力传感器的特点
五、电感式压力传感器
(与热工仪表类似) 1电感式压力传感器的工作原理 2电感变换器的特性
六、静态与动态压力标定
1
R
2
R
3
R
4 )
2
因
Ri 2
R
,则可简化为:
U ( R U 1 R 2 R 3 R 4 )
4R
又因
R R
K
,故
UK 4 ( 1 2 3 4 )
U
当
2 与 4 为负应变时,则全桥输出为:
U UK 4 ( 1 2 3 4 )
压阻压力传感器的缺点
1、受温度影响大 。因此国内只用于100℃以下,国外大多用 于150℃以下,如用水冷却或温度补偿,可用到480℃。 2、量程小。用于0.686MPa以下。 3、不耐腐蚀。受腐蚀性气体或液体影响较大。 4、工艺复杂,要求严格,制作困难。
总结:
这种扩散型压阻式压力传感器主要存在的问题是半导体工艺 问题和温度影响问题。这种传感器对于温度变化极为敏感。 以零点漂移与灵敏度漂移两种形式表现出来,因此必须有 可靠的温度补偿措施。 但总的看来,这种压阻式压力传感 器具有独特的优点,因此国际上对这种压力传感器的研究 工作非常重视,我国也有类似产品。
一、概述
动态压力测量在热物理过程的研究中起着极 为重要的作用,动态压力测量首先把被测压 力参数变为电量,这个任务由压力传感器完 成。 压力传感器分为:电阻应变式、压阻式、压 电式和电感式等。
二、电阻应变式压力传感器
被测的动态压力作用在弹性敏感元件上, 使它产生变形,在其变形的部位粘贴有 电阻应变片,电阻应变片感受动态压力 的变化,按这种原理设计的传感器称为 电阻应变式压力传感器。 常用的电阻应变式压力传感器有: 测低压:膜片式压力传感器 测中压:膜片—应变筒式压力传感器 测高压:应变筒式压力传感器
而由式(2—6)可知,当弹性敏感元件受到 动态压力作用后随之产生的变形 , 值可由丝 式应变片或箔式应变片测出,从而得到了 R 的 变化,也就得到了动态压力的变化,基于这种 应变效应的原理实现了动态压力的测量。
2 膜片-应变筒式压力传感器
左图是水冷BPR-3型应 变压力式传感器,主要 由应变片1、受压外壳2、 冷却水管4,应变筒12 和垂链膜片等组成。传 感器的弹性敏感元件是 一个薄壁筒,也是传感 器的核心部分,是由合 金钢制成的,壁厚 0.2~0.3mm,筒受压 缩变形,粘贴在外壁
3 膜片式应变压力传感器
膜片式应变压力传感器不宜 测量较大的压力,当变形大 时,非线形较大,但小压力 测量中由于变形很小,非线 形误差可小于0.5%,同时 又有较高的灵敏度,因此在 冲击波的测量中,国内外都 用过这种膜片式压力传感器。
这种传感器与膜片—应变筒式压力传感器相比,自振频率较低, 因此在低高压高频率测量中,应严防冲击压力频率与膜片自振频 率相接近,否则会带来严重的波形与压力值的失真与偏低。
U
(2-19) 当满足下列三个条件时,电阻片温度系数引起的 虚假应变 和片膨胀系数引起的虚假应变 相等。
t1 t2
4
( 1 t1 t 2 )
(1)所用的电阻应变片为同批制造,即它们的电阻温度 系数、线膨胀系数和灵敏度系数均相同,且初始值R相等; (2)工作片与补偿片均处于同一温度场; (3)工作片与补偿片应粘贴在同种材料上,即要 相同
K ——电阻片的灵敏度系数。
因此,由于温度变化所引起的总的电阻变化为:
( R R )t ( R R )1 ( R R )2
at t K (1 2 ) t
(2—17)
由此而引起的虚假应变与虚假应力。解决的办法 之一是采用电桥自测温度补偿法,即在工作应变 片的邻臂上接上温度补偿片,该温度补偿片也可 以是工作片。当由于温度变化时,电桥输出为: EK
1金属电阻的应变效应
材料的电阻变化率由下式决定: dR d dL dA (2—1) R L A 式中: R——材料电阻; ———材料电阻率; L————材料的长度; A——材料的截面积。
R K R L Ke L
(2-6) 比例系数K称为金属电阻应变片的灵敏度系数。 它的物理意义是单位所引起的电阻相对变化。
1
满足该三条件后则 与 大小相等方向一致,而邻 臂电桥输出为0,因此经温度补偿 后的电桥输出为:
t1 t2
(2-10) 从而得到了自温补偿,消除了由于温度的变化引 起带来的虚假应变。 虽然自温补偿能消除虚假应变,但实际测试中仍 尽量减少温度的变化,因为在高温时,很难使各应 变片的完全一致,另外对于纸基的常用的应变片工 作温度一般在30~60℃。因此,当有温度变化时应 尽量采用冷却方案,使应变片维持温度恒定,且在 静、动标定与测试中冷却条件需要一致。
U
EK 4
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三、压阻式压力Leabharlann Baidu感器
1954年史密斯等人发现硅和锗等半导体材料具 有压阻效应。1958年研制出半导体电阻应变片, 包括体形、扩散型与薄膜型三种,而压阻式压 力传感器利用的就是扩散型半导体应变片。 压阻式压力传感器是以硅膜片作为弹性敏感元 件,在该膜片上用集成电路扩散工艺制成四个 等值半导体电阻,组成惠斯登电桥,当膜片受 力后,由于半导体的压阻效应,电阻值发生变 化,使电桥输出反映压力的变化,利用这种方 法制成的压力传感器称为压阻式压力传感器。
(2-15)
式中
——电阻片的电阻温度系数; t ——温度变化量。
at
由于 t 的存在,感受元件与粘贴上其的电阻片的 线膨胀系数不同而引起电阻变化量为:
( R R )2 K (1 2 ) t
(2——16)
式中
1 ——传感器感受元件的线膨胀系数;
2 ——电阻片材料的线膨胀系数;
(2—13)
B温度补偿
如果电阻应变片粘贴在压力传感器上,当有温度变 化时,有三方面的作用引起电阻应变片电阻的改 变,它们是电阻丝的温度系数、电阻丝的线膨胀 系数与压力传感器感受元件的线膨胀系数。 当压力传感器受到温度为 t ( C ) 的温度变化时,所引 起的电阻温度效应为
(
R R
)1 t t
y
Fc / M (1 q ) 4 q
2 2 2
[s in t tg
1
2 q 1 q
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]
(2——66) 式中
D 2 ME
——阻尼度
q
0
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f f0
——阻尼振动频率与自振频率比
0
——自振角频率
令
D1
1 (1 q ) 4 q
2 2 2 2
U
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A
U
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R R 1 1 R R R R 1 1 4 4
R R 2 2 R R R R 2 2 3 3
U
如略去分子分母中的 R i 的二次微量,可简化为:
U ( R U 1 R 2 R 3 R 4 )
R 4(R
4 桥式电路输出与低温补偿
A桥式电路的输出
全桥电路如左图2—11。 所谓全桥即四个桥臂电 阻相等即: R 、 、 、 R4 R1 R 2 3 都是工作片,受某一压 力作用后,其对应阻值 增量分为 R 、 R 、 R 、 R 4 。
1
2
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在测量前要先调平衡,并设四个桥臂电阻相等 即:R 1 R 2 R 3 R 4 R . 此时电桥输出 U 0 ,当测量时,各桥臂电阻都有了变化, 阻值增量分别为 R 1 、 R 2 、 R 3、 R 4,则输出电 压 U 为:
1静态标定(参照热工测量仪表) 2标定数据的处理 2A直线法:适用线性标定 2B绘图法:精度最高 2C折线内插法:求未知 2D拟合直线法:直线拟合,适用线形标定 3动态标定
动态标定
图2—37压力传感器的物理模型
图2—37是压力传感器的物理模型,图a表示膜片在压力F的作用 下产生了变形y.因而产生了弹性力 E ,惯性力 M d y / d t 和膜片在 运动时受到空气或其他气、液体的阻力Ddy/dt。这是由三个元 件组成的一个单自由度的二阶振荡环节,则外力F由惯性力、弹 性力和阻尼力所平衡,其运动方程为
上的横向应变片 R 1 与纵向应变片 R 2 同时产生正 应变 1 与负应变 2 ,如图2—3所示,即电阻应 变片 R 1 受拉伸而 R 2 受压缩,连成如图2—4的电 桥电路。该电路不仅增加了仪器的输出,同时可 进行自温度补偿,此输出通过电缆引线与应变仪 的电桥盒相连接。为了提高力的传递效果,测压 膜片一般不做成平膜片,而是做成垂链膜片,用 它来增加应变筒的刚性,提高应变筒的自振频率, 这种柔软的膜片,将力传递给应变筒。
注意事项:
1如果在高温下或工作温度不甚高但是温度有波动,且在较长 的时间进行测量时,应通入冷却水或冷风。以减少因温度的影 响而带来的误差 2在安装传感器时也要确保传感器处于良好的受力状态
此两点不可轻视,否则会带来严重的后果。 该传感器的特点是具有较高的强度和抗冲击稳定性, 具有优良的静态特性和动态特性,具有较高的自振频 率可达30KHz以上,测量上限压力可达到9.6MPa, 适与测量高频脉冲压力。又加上强制水冷却,也适合 高温下的动态压力测量,如火箭发动机的压力测量, 内燃机、压气机等的动态测量。
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M
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( 2-64)
式中 M——运动质量, E——弹性模数; D——阻尼系数。 如外力F按正弦变化,即 F F c s in t ,式(2——64)除 以M则有
d y dt
2 2
20
dy dt
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2
1 M
F c s in t
该方程的全解为
y t 0 Fc e M M (1 q 1 s in [ t 0 2 1 2 tg 1 1 2 ]
1 2 q ] q 2 1
Fc 2 2 2 2 ) 4 q
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(2——65)
略去式(2——65)中第一项很快衰减的固有振荡,则压力传 感器的动态特性为
压阻式压力传感器是六十年代初出现的,
随着半导体工业和集成电路的迅速发展, 国际上到七十年代这种传感器已在航空、 宇航、风洞及其它领域得到了广泛的应 用。
压阻压力传感器的特点
1、结构简单,可微型化。国内研制的硅杯直径为 1mm的传感器。国外有直径为0.8mm的,量程为 0.686MPa,其输出为40mV。还有直径为1mm厚 度为0.1mm的扁型传感器,由于微型化,大量用于 宇航和医学领域中。 2、可测高频。由于传感器小而轻,因此膜片刚度大, 自振频率高,如日本PE104—1F型压阻压力传感器 自振频率可达90KHz,也有直径2mm,厚 0.025~0.075mm的传感器,直接装于测压管内, 可测300~500kHz以下的脉动压力。 3、灵敏度高。半导体的灵敏度系数比金属电阻应变 片高35~70倍,因此,传感器输出信号大,可达 200mV,这就可不必放大而直接用记录仪记录。 4、精度高。非线形误差和滞后误差都较小。目前一 般可达0.1~0.05%,最高可达0.01%。
——畸变因素 ——滞后角
(2——67) (2——68)
1
a r c tg
第二章 动态压力测量技术
应用举例: 1动态压力测量可以发现火箭发动机燃烧室的压力是 否振荡,改变燃烧条件,经过反复的测量和对比可 以找出最好的燃烧方案。 2通过动态压力的测量可以发现热机如内燃机、空气 压缩机、制冷机、热泵、螺杆压缩机、透平压缩机 等内部的压力变化,以及吸排气的阻力损失等,同 时测得的压力-位移曲线又可绘制出示功图,从而 进一步分析热机循环过程的完善程度以及改进的途 径,提高热机的效率,以利于节约能源和开发新型 机器。
四、压电式压力传感器
(与热工仪表类似) 1压电效应与压电材料 2压电压力传感器的结构 3压电传感器的温度补偿 4压电传感器的测量原理 5压电式压力传感器的特点
五、电感式压力传感器
(与热工仪表类似) 1电感式压力传感器的工作原理 2电感变换器的特性
六、静态与动态压力标定
1
R
2
R
3
R
4 )
2
因
Ri 2
R
,则可简化为:
U ( R U 1 R 2 R 3 R 4 )
4R
又因
R R
K
,故
UK 4 ( 1 2 3 4 )
U
当
2 与 4 为负应变时,则全桥输出为:
U UK 4 ( 1 2 3 4 )
压阻压力传感器的缺点
1、受温度影响大 。因此国内只用于100℃以下,国外大多用 于150℃以下,如用水冷却或温度补偿,可用到480℃。 2、量程小。用于0.686MPa以下。 3、不耐腐蚀。受腐蚀性气体或液体影响较大。 4、工艺复杂,要求严格,制作困难。
总结:
这种扩散型压阻式压力传感器主要存在的问题是半导体工艺 问题和温度影响问题。这种传感器对于温度变化极为敏感。 以零点漂移与灵敏度漂移两种形式表现出来,因此必须有 可靠的温度补偿措施。 但总的看来,这种压阻式压力传感 器具有独特的优点,因此国际上对这种压力传感器的研究 工作非常重视,我国也有类似产品。
一、概述
动态压力测量在热物理过程的研究中起着极 为重要的作用,动态压力测量首先把被测压 力参数变为电量,这个任务由压力传感器完 成。 压力传感器分为:电阻应变式、压阻式、压 电式和电感式等。
二、电阻应变式压力传感器
被测的动态压力作用在弹性敏感元件上, 使它产生变形,在其变形的部位粘贴有 电阻应变片,电阻应变片感受动态压力 的变化,按这种原理设计的传感器称为 电阻应变式压力传感器。 常用的电阻应变式压力传感器有: 测低压:膜片式压力传感器 测中压:膜片—应变筒式压力传感器 测高压:应变筒式压力传感器
而由式(2—6)可知,当弹性敏感元件受到 动态压力作用后随之产生的变形 , 值可由丝 式应变片或箔式应变片测出,从而得到了 R 的 变化,也就得到了动态压力的变化,基于这种 应变效应的原理实现了动态压力的测量。
2 膜片-应变筒式压力传感器
左图是水冷BPR-3型应 变压力式传感器,主要 由应变片1、受压外壳2、 冷却水管4,应变筒12 和垂链膜片等组成。传 感器的弹性敏感元件是 一个薄壁筒,也是传感 器的核心部分,是由合 金钢制成的,壁厚 0.2~0.3mm,筒受压 缩变形,粘贴在外壁
3 膜片式应变压力传感器
膜片式应变压力传感器不宜 测量较大的压力,当变形大 时,非线形较大,但小压力 测量中由于变形很小,非线 形误差可小于0.5%,同时 又有较高的灵敏度,因此在 冲击波的测量中,国内外都 用过这种膜片式压力传感器。
这种传感器与膜片—应变筒式压力传感器相比,自振频率较低, 因此在低高压高频率测量中,应严防冲击压力频率与膜片自振频 率相接近,否则会带来严重的波形与压力值的失真与偏低。
U
(2-19) 当满足下列三个条件时,电阻片温度系数引起的 虚假应变 和片膨胀系数引起的虚假应变 相等。
t1 t2
4
( 1 t1 t 2 )
(1)所用的电阻应变片为同批制造,即它们的电阻温度 系数、线膨胀系数和灵敏度系数均相同,且初始值R相等; (2)工作片与补偿片均处于同一温度场; (3)工作片与补偿片应粘贴在同种材料上,即要 相同
K ——电阻片的灵敏度系数。
因此,由于温度变化所引起的总的电阻变化为:
( R R )t ( R R )1 ( R R )2
at t K (1 2 ) t
(2—17)
由此而引起的虚假应变与虚假应力。解决的办法 之一是采用电桥自测温度补偿法,即在工作应变 片的邻臂上接上温度补偿片,该温度补偿片也可 以是工作片。当由于温度变化时,电桥输出为: EK
1金属电阻的应变效应
材料的电阻变化率由下式决定: dR d dL dA (2—1) R L A 式中: R——材料电阻; ———材料电阻率; L————材料的长度; A——材料的截面积。
R K R L Ke L
(2-6) 比例系数K称为金属电阻应变片的灵敏度系数。 它的物理意义是单位所引起的电阻相对变化。
1
满足该三条件后则 与 大小相等方向一致,而邻 臂电桥输出为0,因此经温度补偿 后的电桥输出为:
t1 t2
(2-10) 从而得到了自温补偿,消除了由于温度的变化引 起带来的虚假应变。 虽然自温补偿能消除虚假应变,但实际测试中仍 尽量减少温度的变化,因为在高温时,很难使各应 变片的完全一致,另外对于纸基的常用的应变片工 作温度一般在30~60℃。因此,当有温度变化时应 尽量采用冷却方案,使应变片维持温度恒定,且在 静、动标定与测试中冷却条件需要一致。