74HC573芯片简介
74HC573
型号：74HC573D
尺寸：12mm（长）*8mm（宽）
12mm（长）*11mm（宽）
8D数据锁存器和373一样
注：74HC573参数
74573引脚图
HC573引脚功能表：
特点：
·三态总线驱动输出
·置数全并行存取
·缓冲控制输入
·使能输入有改善抗扰度的滞后作用
原理说明：
74HC573的八个锁存器都是透明的D 型锁存器，当使能（G）为高时，Q 输出
将随数据（D）输入而变。
当使能为低时，输出将锁存在已建立的数据电平上。
输出控制不影响锁存器的内部工作，即老数据可以保持，甚至当输出被关闭时，
新的数据也可以置入。
这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载，可以直接与系统总线接口并驱动总线，而不需要外接口。
特别适用于缓冲寄存器，I/O 通道，双向总线驱动器和工作寄存器。
真值表：
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS绝对最大额定值：
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS建议操作条件：
DC SPECIFICATIONS直流电气规格：
应用电路图：点击图片查看大图。
最新74HC573单片机应用
74HC573 8位数据锁存器资料2、如右图所示，芯片各引脚功能如下:OE：output_enable,输出使能; LE：latch_enable,数据锁存使能;Dn：第n路数据输入端; Qn：第n路数据输出端;当OE＝1是,无论Dn、LE为何,输出端为高阻态;当OE＝0、LE＝1时,输出端数据等于输入端数据，芯片可以当作不存在，相当于导线;当OE＝0、LE＝0时,输出端保持不变,处于数据锁存状态;在实际应用的时候是这样做的：a．令OE＝0;LE=1b．将数据从单片机的口线上输出到Dn;c．令OE=0;LE=0;d．这时,你所需要输出的数据就锁存在Qn上了,输入的数据再变化也影响不到输出的数据了;74HC573简单应用（一）如下图所示，在P3口同时接了两个74HC573锁存器，两个芯片的输出使能端OE都接地，数据锁存使能端LE分别接P2^6和P2^7，锁存器的输出数据端Qn都接LED条形显示器，本例通过对P3口赋不同的值来使U4的上四个LED灯点亮,U5的下四个LED灯点亮。
C程序如下：#include<reg51.h>sbit LE1=P2^6;sbit LE2=P2^7;void main(){LE1=1;P3=0X0F;LE1=0; //开启锁存功能，使U2输出端锁存数据0X0FLE2=1;P3=0XF0;LE2=0; //开启锁存功能，使U3输出端锁存数据0XF0while(1);}74HC573简单应用（二）两片74HC573的数据输入端同时接到P0口，输出使能端OE都接地，数据锁存端LE分别接到P2^6和P2^7，U2的数据输出端接六个数码管的段码，U3的数据输出端接六个数码管的位码。
本例使六个数码管同时循环点亮0到9十个数字。
C程序如下：#include<reg51.h>#define uchar unsignedc har#define uint unsigned int//延时函数void delay(uint x){uchar i;while(x--)for(i=0;i<120;i++);}//0到9的共阴显示代码uchar code dis[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; sbit LE1=P2^6;sbit LE2=P2^7;uchar i;void main(){ LE2=1;P0=0XC0;LE2=0;while(1){LE1=1;P0=dis[i];LE1=0;delay(400);//延时1s左右i=(i+1)%10;//i取值为0到9}}木兰诗北朝民歌唧(jī)唧复唧唧，木兰当户织。
74hc573怎么连接数码管？74hc573连接数码管的应用解析
74hc573怎么连接数码管？74hc573连接数码管的应用解析74hc573连接数码管在不同的电路中有不同的连接方法，本文主要介绍几种在不同电路中74hc573是怎么连接数码管的，以及74hc573连接数码管的应用解析。
74hc57374hc573是透明的D 型锁存器，当使能（G）为高时，Q 输出将随数据（D）输入而变。
当使能为低时，输出将锁存在已建立的数据电平上。
输出控制不影响锁存器的内部工作，即老数据可以保持，甚至当输出被关闭时，新的数据也可以置入。
这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载，可以直接与系统总线接口并驱动总线，而不需要外接口。
特别适用于缓冲寄存器，I/O 通道，双向总线驱动器和工作寄存器。
74hc573连接数码管应用案例一:一般情形下74hc573怎么跟数码管连接起来这个分两种：一种是静态扫描，二是动态扫描。
静态的太耗资源，一般很少用，除非资源足够用。
动态扫描的原理是：首先有八个数据线，分别连接到七段数码管的七个位，和小数点位。
然后就是有一批使能信号线。
二：74hc573怎么连接4位数码管4位数码管轮流点亮循环扫描就能完成显示，如果你用573锁存器，如果保持静态显示，可以用4片，8个输出引脚分别接上对应的8个数码管引脚，锁存低电平有效，可以再加一个译码器做片选，或者分成控制器的4个引脚做片选，LE高电平时写入数据之后拉低，再写下一个，一次完成。
三：在电子温度计中74hc573怎么连接数码管这种情形下，用一个8位接口(实际上使用了7条线)，外接了25个8段的LED数码显示器。
用两条线外接了5片164，可以直接带动5个数码管；用五条线外接了5个8550，可以动态带动5行数码管。
软件略复杂些，显示效果很好，比16行的汉字点阵显示，轻松的多。
74hc573连接数码管的应用解析数码管数码管也称LED数码管，不同行业人士对数码管的称呼不一样，其实都是同样的产品。
74hc573在应用电路作用解析 74hc573驱动数码管动态扫描
74hc573在应用电路作用解析74hc573驱动数码管动态扫描74HC573D是8位三态锁存器，一般在实际应用电路中用于地址或数据的锁存。
本文主要探讨了74HC573D在实际应用电路中的作用以及如何驱动数码管动态显示，下面就来一一介绍74HC573D。
大家都知道74HC573D是一种锁存器，那么锁存器是干嘛用的呢？锁存器辨析所谓锁存器，就是输出端的状态不会随输入端的状态变化而变化，仅在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号到来时才改变。
典型的锁存器逻辑电路是D 触发器电路。
PS：锁存信号（即对LE赋高电平时Data端的输入信号）。
锁存，就是把信号暂存以维持某种电平状态。
锁存器的最主要作用1：缓存、2：完成高速的控制其与慢速的外设的不同步问题、3：是解决驱动的问题（提供的电流比51IO口输出电流大）4：拓展I/O口（可以很猥琐的用锁存器幂叠加方法，即锁存器的Q再接锁存器~ 实现IO 口的无限拓展···）锁存器应用实例：I/O口复用：当单片机连接片外存储器时，要接上锁存器，这是为了实现地址的复用。
假设，MCU 端口其中的8 路的I/O 管脚既要用于地址信号又要用于数据信号，这时就可以用锁存器先将地址锁存起来。
（具体操作：先送地址信息，由ALE使能锁存器将地址信息锁存在外设的地址端，然后送数据信息和读写使能信号，在指定的地址进行读写操作）如果单片机的总线接口只作一种用途，不需要接锁存器;如果单片机的总线接口要作两种用途，就要用到锁存器。
例如：一个I/O口要控制两个LED，对第一个LED 送数据时，“打开”第一个锁存器而“锁住”第二个锁存器，使第二个LED 上的数据不变。
对第二个LED 送数据时，“打开”第二个锁存器而“锁住”第一个锁存器，使第一个LED 上的数据不变。
如果单片机的一个口要做三种用途，则可用三个锁存器，操作过程相似。
就。
M74HC573F1R中文资料
VIH
High Level Input ge Low Level Input Voltage
V IL
VI = VIH or VIL VO = VCC or GND 6.0 VI = VCC or GND
5/13
元器件交易网
M54/M74HC563/573
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C L = 50 pF, Input t r = t f = 6 ns)
HC563 HC573
of D input data. While the OE input is at low level, the eight outputs will be in a normal logic state (high or low logic level) and while high level the outpts will be in a high impedance state. The application designer has a choise of combination of inverting and non inverting outputs. The three state output configuration and the wide choise of outline make bus organized system simple. All inputs are equipped with protection circuits against discharge and transient excess voltage.
LE GND V CC
Latch Enable Input Ground (0V) Positive Supply Voltage
M74HC573M1R中文资料
1/12July 2001sHIGH SPEED:t PD = 13ns (TYP .) at V CC = 6V sLOW POWER DISSIPATION:I CC = 4µA(MAX.) at T A =25°C sHIGH NOISE IMMUNITY:V NIH = V NIL = 28 % V CC (MIN.)sSYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:|I OH | = I OL = 6mA (MIN)sBALANCED PROPAGATION DELAYS:t PLH ≅ t PHLsWIDE OPERATING VOLTAGE RANGE:V CC (OPR) = 2V to 6VsPIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH 74 SERIES 573DESCRIPTIONThe M74HC573 is an high speed CMOS OCTAL LATCH WITH 3-STATE OUTPUTS fabricated with silicon gate C 2MOS technology.This 8-BIT D-Type latches is controlled by a latch enable input (LE) and output enable input (OE).While the LE input is held at a high level, the Q outputs will follow the data input precisely. When LE is taken low, the Q outputs will be latched precisely at the logic level of D input data.While the OE input is at low level, the eight outputs will be in a normal logic state (high or low logic level) and while is at high level the outputs will be in a high impedance state.The 3-State output configuration and the wide choice of outline make bus organized system simple.All inputs are equipped with protection circuits against static discharge and transient excess voltage.M74HC573OCTAL D-TYPE LATCHWITH 3 STATE OUTPUT NON INVERTINGPIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLSORDER CODESPACKAGE TUBE T & RDIP M74HC573B1R SOP M74HC573M1RM74HC573RM13TR TSSOPM74HC573TTRM74HC5732/12INPUT AND OUTPUT EQUIVALENT CIRCUITPIN DESCRIPTIONTRUTH TABLEX: Don’t CareZ: High Impedance(*): Q Outputs are latched at the time when the LE input is taken low logic level.LOGIC DIAGRAMPIN No SYMBOL NAME AND FUNCTION 1OE 3 State Output Enable Input (Active LOW)2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9D0 to D7Data Inputs12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19Q0 to Q73 State Latch Outputs11LE Latch Enable Input 10GND Ground (0V)20V CCPositive Supply VoltageINPUTSOUTPUTSOE LE D QH X X ZL L X NO CHANGE (*)L H L L LHHHM74HC5733/12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSAbsolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Functional operation under these conditions is not implied(*) 500mW at 65 °C; derate to 300mW by 10mW/°C from 65°C to 85°CRECOMMENDED OPERATING CONDITIONSSymbol ParameterValue Unit V CC Supply Voltage -0.5 to +7V V I DC Input Voltage -0.5 to V CC + 0.5V V O DC Output Voltage -0.5 to V CC + 0.5V I IK DC Input Diode Current ± 20mA I OK DC Output Diode Current ± 20mA I O DC Output Current ± 35mA I CC or I GND DC V CC or Ground Current± 70mA P D Power Dissipation 500(*)mW T stg Storage Temperature -65 to +150°C T LLead Temperature (10 sec)300°CSymbol ParameterValue Unit V CC Supply Voltage 2 to 6V V I Input Voltage 0 to V CC V V O Output Voltage 0 to V CC V T op Operating Temperature -55 to 125°C t r , t fInput Rise and Fall TimeV CC = 2.0V 0 to 1000ns V CC = 4.5V 0 to 500ns V CC = 6.0V0 to 400nsM74HC5734/12DC SPECIFICATIONSSymbolParameterTest ConditionValue UnitV CC (V)T A = 25°C -40 to 85°C -55 to 125°C Min.Typ.Max.Min.Max.Min.Max.V IHHigh Level Input Voltage2.0 1.5 1.5 1.5V 4.53.15 3.15 3.156.04.24.24.2V ILLow Level Input Voltage2.00.50.50.5V4.5 1.35 1.35 1.356.0 1.81.81.8V OHHigh Level Output Voltage2.0I O =-20 µA 1.9 2.0 1.9 1.9V4.5I O =-20 µA 4.4 4.5 4.4 4.46.0I O =-20 µA5.96.0 5.9 5.94.5I O =-6.0 mA 4.18 4.31 4.13 4.106.0I O =-7.8 mA 5.685.8 5.635.60V OLLow Level Output Voltage2.0I O =20 µA 0.00.10.10.1V 4.5I O =20 µA 0.00.10.10.16.0I O =20 µA 0.00.10.10.14.5I O =6.0 mA 0.170.260.330.406.0I O =7.8 mA 0.180.260.330.40I I Input Leakage Current6.0V I = V CC or GND ± 0.1± 1± 1µA I OZHigh Impedance Output Leakage Current6.0V I = V IH or V IL V O = V CC or GND ± 0.5± 5± 10µA I CCQuiescent Supply Current6.0V I = V CC or GND44080µAM74HC5735/12AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C L = 50 pF, Input t r = t f = 6ns)SymbolParameterTest ConditionValue UnitV CC (V)C L (pF)T A = 25°C -40 to 85°C -55 to 125°C Min.Typ.Max.Min.Max.Min.Max.t TLH t THL Output TransitionTime 2.05025607590ns 4.571215186.06101315t PLH t PHL Propagation DelayTime(LE - Q)2.05050115145175ns4.5152329356.0132025302.015060155195235ns4.5203139476.017263340t PLH t PHL Propagation DelayTime(D - Q)2.05042110140165ns4.5142228336.0121924282.015057150190225ns4.5193038456.016263238t PZL t PZH High ImpedanceOutput Enable Time2.050R L = 1 K Ω55140175210ns4.5172835426.0142430362.0150R L = 1 K Ω66180225270ns4.5223645546.019313846t PLZ t PHZ High ImpedanceOutput Disable Time 2.050R L = 1 K Ω40125155190ns4.5172531386.015212632t W(L) t W(H)Minimum Pulse Width2.050407595110ns4.581519226.07131619t sMinimum Set-up Time2.05016506575ns4.551013156.0391113t hMinimum Hold Time2.050555ns4.55556.0555M74HC5736/12CAPACITIVE CHARACTERISTICS1) C PD is defined as the value of the IC’s internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load. (Refer to Test Circuit). Average operating current can be obtained by the following equation. I CC(opr) = C PD x V CC x f IN + I CC /8 (per Flip Flop) and the C PD when n pcs of Flip Flop operate, can be gained by the following equation: C PD(TOTAL) = 33 + 18 x n (pF)TEST CIRCUITC L = 50pF/150pF or equivalent (includes jig and probe capacitance)R 1 = 1K Ω or equivalentR T = Z OUT of pulse generator (typically 50Ω)SymbolParameterTest ConditionValue UnitV CC (V)T A = 25°C -40 to 85°C -55 to 125°C Min.Typ.Max.Min.Max.Min.Max.C IN Input Capacitance 5101010pF C OUT OutputCapacitance10pF C PDPower Dissipation Capacitance (note 1)51pF TESTSWITCH t PLH , t PHL Open t PZL , t PLZ V CC t PZH , t PHZGNDM74HC5737/12WAVEFORM 1: LE TO Qn PROPAGATION DELAYS, LE MINIMUM PULSE WIDTH, Dn TO LE SETUP AND HOLD TIMES (f=1MHz; 50% duty cycle)WAVEFORM 2: OUTPUT ENABLE AND DISABLE TIMES(f=1MHz; 50% duty cycle)M74HC5738/12WAVEFORM 3: PROPAGATION DELAY TIMES(f=1MHz; 50% duty cycle)M74HC573Information furnished is believed to be accurate and reliable. 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74HC573芯片概述
74HC573是高性能硅门CMOS 器件。
SL74HC573 跟LS/AL573 的管脚一样。
器件的输入是和标准CMOS 输出兼容的;加上拉电阻，他们能和LS/ALSTTL 输出兼容。
当锁存使能端LE为高时，这些器件的锁存对于数据是透明的(也就是说输出同步)。
当锁存使能变低时，符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
74hc573基本参数：
八进制3态非反转同步锁存器
CMOS工艺硅门
输入和标准CMOS 输出兼容
电压范围：2.0V~6.0V
输入电流：1.0uA
高噪声抵抗特性
封装：SOIC-20
×u36755X出能直接接到CMOS，NMOS 和TTL 接口上
×u25805X作电压范围：2.0V~6.0V
×u20302X输入电流：1.0uA ×CMOS 器件的高噪声抵抗特性。
三态总线驱动输出
置数全并行存取
缓冲控制输入
使能输入有改善抗扰度的滞后作用
74hc573原理说明：
M54HC563/74HC563/M54HC573/74HC573的八个锁存器都是透明的D 型锁存器，当使能(G)为高时，Q 输出将随数据(D)输入而变。
当使能为低时，输出将锁存在已建立的数据电平上。
输出控制不影响锁存器的内部工作，即老数据可以保持，甚至当输出被关闭时，新的数据也可以置入。
这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载，可以直接与系统总线接口并驱动总线，而不需要外接口。
特别适用于缓冲寄存器，I/O 通道，双向总线驱动器和工作寄存器。
74hc573芯片逻辑图。
74hc573原理
74hc573原理74HC573是一种常用的集成电路芯片，属于高速CMOS逻辑系列。
它是一种8位透明锁存器，可以实现数据的存储和传输功能。
本文将介绍74HC573的原理和应用。
我们来了解一下74HC573的基本结构。
它由8个锁存器单元组成，每个单元都具有一个数据输入端(D)、一个时钟输入端(CK)和一个数据输出端(Q)。
这些单元可以独立地将数据存储在内部存储器中，并在时钟脉冲到达时将数据传输到输出端。
除此之外，74HC573还具有一个输出使能端( OE )，通过控制该端口的高低电平，可以使输出端的数据有效或者无效。
接下来，我们来看一下74HC573的工作原理。
当时钟输入端接收到一个信号时，数据输入端的数据会被存储在内部存储器中。
存储的数据可以通过数据输出端输出。
当输出使能端为高电平时，数据输出端的数据有效；当输出使能端为低电平时，数据输出端的数据无效。
通过控制输出使能端的状态，我们可以实现数据的读取和屏蔽操作。
那么，74HC573的应用有哪些呢？它广泛应用于数字电路中，特别是在数据存储和传输方面。
例如，在微处理器系统中，我们可以使用74HC573将数据从外部设备传输到微处理器中，或者将数据从微处理器传输到外部设备中。
它还可以用于存储数据，以便在需要时进行读取。
除了数据存储和传输外，74HC573还可以用于地址译码。
通过将地址线连接到74HC573的数据输入端，我们可以根据地址信号的不同将数据传输到不同的输出端。
这在存储器和外设的选择和控制中起着重要作用。
74HC573还可以用于时序控制。
通过控制时钟输入端和输出使能端的状态，我们可以实现对数据传输的控制。
例如，可以根据特定的时序要求将数据传输到其他模块，并在需要时将其输出。
总结一下，74HC573是一种功能强大的集成电路芯片，可以实现数据的存储和传输功能。
它广泛应用于数字电路中，特别是在数据存储、传输、地址译码和时序控制等方面。
通过灵活的控制和应用，我们可以实现不同的功能需求。
74hc573完整中文资料培训讲学
74h c573完整中文资料74hc573中文资料参数-74hc573引脚图-功能原理-74hC573的作用-应用电路-74hC563-54hC57高性能硅门 CMOS器件SL74HC573跟 LS/AL573的管脚一样。
器件的输入是和标准CMOS输出兼容的；加上拉电阻，他们能和 LS/ALSTTL输出兼容。
当锁存使能端为高时，这些器件的锁存对于数据是透明的（也就是说输出同步）。
当锁存使能变低时，符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
×输出能直接接到CMOS，NMOS和 TTL接口上×操作电压范围：2.0V~6.0V×低输入电流：1.0uA×CMOS器件的高噪声抵抗特性·三态总线驱动输出·置数全并行存取·缓冲控制输入·使能输入有改善抗扰度的滞后作用原理说明：M54HC563/74HC563/M54HC573/74HC573的八个锁存器都是透明的D 型锁存器，当使能（G）为高时，Q 输出将随数据（D）输入而变。
当使能为低时，输出将锁存在已建立的数据电平上。
输出控制不影响锁存器的内部工作，即老数据可以保持，甚至当输出被关闭时，新的数据也可以置入。
这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载，可以直接与系统总线接口并驱动总线，而不需要外接口。
特别适用于缓冲寄存器，I/O 通道，双向总线驱动器和工作寄存器。
HC563引脚功能表：HC573引脚功能表：1OE 3 State output Enable Input (Active LOW)3态输出使能输入（低电平）2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9D0 to D7Data Inputs数据输入12,13,14,15,16,17,18,19Q0 to Q7 3 State Latch Outputs 3态锁存输出11LE Latch Enable Input 锁存使能输入10GND Ground接地(0V)20VCC Positive Supply Voltage电源电压图1 HC573引脚图图2 HC573 国际电工委员会逻辑符号图3 HC563引脚图图4 HC563 国际电工委员会逻辑符号图5 HC563 逻辑图图6 HC573 逻辑图图7 输入输出等效电路真值表：INPUTS 输入Outputs输出OE LE D Q (HC573) Q (HC563) H X X Z ZL L X NO CHANGE *NO CHANGE * L H L L HL H H H L ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS绝对最大额定值：Symbol 符号Parameter 参数Value 数值Unit 单位VCC Supply Voltage电源电压-0.5 to +7VVI DC Input Voltage 直流输入电压-0.5 to VCC + 0.5VVO DC Output Voltage直流输出电压-0.5 to VCC + 0.5VIIK DC Input Diode Current直流输入二极管电流± 20mA IOK DC Output Diode Current直流输出二极管电流± 20mA IO DC Output Source Sink Current Per Output Pin± 35mA ICC or IGND DC VCC or Ground Current± 70mA PD Power Dissipation功耗500 (*)mW Tstg Storage Temperature贮藏温度-65 to +150℃TL Lead Temperature 焊接温度 (10 sec)300℃RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS建议操作条件：Symbol 符号Parameter 参数Value 数值Unit单位VCC Supply Voltage电源电压 2 to 6V VI Input Voltage输入电压0 to VCC V VO Output Voltage输出电压0 to VCC VTop Operating Temperature: M54HC Series M74HC Series操作温度： M54HC系列M74HC系列-55 to +125 -40 to +85℃tr,tf Input Rise and Fall Time输入上升和下降时间VCC =2V0 to 1000ns VCC=4.5V0 to 500VCC =6V0 to 400VOHHigh Level Output Voltage输出高电平电压2.0 VI = VIH or VILIO=-20 μA1.92.0-1.9 -1.9 -V4.54.44.54.44.4---6.05.96.05.95.9-4.5IO=-6.0 mA4.184.314.134.10-6.0IO=-7.8 mA5.685.85.635.60-VOLLow Level Output Voltage输出低电平电压2.0 VI = VIH or VILIO=20 μA-0.0 0.1 -0.1-0.1V4.5-0.00.1 0.10.16.0-0.00.10.10.14.5IO= 6.0mA-0.170.260.330.406.0IO= 7.8mA-0.180.260.330.40IIInput Leakage Current输入漏电流6.0VI=VCC or GND--±0.1-±1±1μA IOZState Output Off State Current关断状态3态输出电流6.0VI =VIH or VIL VO =VCC or GND--±0.5-±5.0-±10μAICCQuiescent Supply Current静态电源电流6.0VI =VCC or GND--4-40-80μA应用电路图：点击图片查看大图图8。
74hc573和74hc595有什么不同？该怎样区分74hc573和74hc595
74hc573 和74hc595 有什么不同？该怎样区分
74hc573 和74hc595
这是两种完全不同的器件，74hc573 是个锁存器，而74hc595 则是一个串转并的芯片。
虽然它俩都能节约外部引脚及增大驱动能力，但不是不同点还是大于相同点的，本文是要比较74hc573 和74hc595 的不同点，看看它俩差别在哪些地方。
74hc573
74HC573 是拥有八路输出的透明锁存器，输出为三态门，是一种高性能硅栅CMOS 器件。
器件的输入是和标准CMOS 输出兼容的，加上拉电阻他们能和LS/ALSTTL 输出兼容。
八进制3 态非反转透明锁存器+74HC573+高性能硅门CMOS 器件+SL74HC573 跟LS%2FAL573 的管脚一样。
器件的输入是和标准CMOS 输出兼容+的；加上拉电阻，他们能和LS%2FALSTTL 输出兼容。
当锁存使能端为高时，这些器件的锁存对于数据是透明的（也就是说输出同步）。
当锁存使能变低时，符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
一种简单低成本信号锁存电路的制作方法
一种简单低成本信号锁存电路的制作方法一、引言信号锁存电路是一种常见的电子电路，用于将输入信号在一个特定的时间点保持住，以便于后续的处理和控制。
本文将介绍一种简单低成本的信号锁存电路的制作方法，旨在帮助读者快速了解并尝试制作这种电路。
二、材料准备制作这种简单低成本信号锁存电路所需的材料非常简单，只需要准备以下几样材料即可：1. 74HC573锁存器芯片：这是一种常见的数字逻辑集成电路，可以实现信号的锁存功能；2. 电路基板：用于安装和连接电路元件的载体，可以选择适合的尺寸和形状；3. 连接线：用于连接电路元件之间的导线，可以选择合适长度和规格；4. 电源：用于为电路提供稳定的电源供电；5. 其他辅助工具：如焊锡、焊台、剪线钳等，用于焊接和处理电路连接。
三、电路连接1. 首先，将74HC573锁存器芯片插入电路基板上的合适位置。
确保芯片的引脚与基板上的插孔对应，插入时要小心不要弯曲或损坏芯片的引脚。
2. 接下来，使用连接线将该锁存器芯片的引脚与其他元件连接起来。
具体连接方式如下：- 将锁存器芯片的VCC引脚连接到电源正极，GND引脚连接到电源负极，以确保芯片正常工作；- 将锁存器芯片的数据输入引脚（D0-D7）分别连接到需要锁存的信号源；- 将锁存器芯片的时钟引脚（CLK）连接到一个稳定的时钟源；- 将锁存器芯片的使能引脚（EN）连接到一个逻辑高电平信号，以启用锁存功能；- 将锁存器芯片的输出引脚（Q0-Q7）连接到需要接收锁存信号的电路或器件。
四、电路测试在完成电路连接之后，可以进行简单的测试以验证电路的功能和性能。
具体测试方式如下：1. 将需要锁存的信号输入到锁存器芯片的数据输入引脚（D0-D7）上；2. 提供稳定的时钟信号，使锁存器芯片在时钟上升沿时进行锁存操作；3. 检查锁存器芯片的输出引脚（Q0-Q7），确认锁存信号是否被正确保持；4. 可以通过改变输入信号和时钟信号的状态，多次测试锁存器芯片的功能和性能。
74HC573中文资料
6.0
VIN=VCC 或者 GND
6.0
高阻抗态下的输出 6.0
VIN=VIH 或者 VIL，
VOUT=VCC 或者 GND
VIN=VCC 或者 GND
6.0
IOUT＝0uA
3.15 3.15 3.15 4.2 4.2 4.2 0.5 0.5 0.5 V 1.35 1.35 1.35 1.8 1.8 1.8 1.9 1.9 1.9 V 4.4 4.4 4.4 5.9 5.9 5.9
6.0
VIN=VIH 或者 VIL，
2.0
|IOUT|≤20uA
4.5
6.0Biblioteka VIN=VIH 或者 VIL，
|IOUT|≤6.0mA
4.5
|IOUT|≤7.8mA
6.0
VIN=VIH 或者 VIL，
2.0
|IOUT|≤20uA
4.5
6.0
VIN=VIH 或者 VIL，
|IOUT|≤6.0mA
4.5
|IOUT|≤7.8mA
×输出能直接接到 CMOS，NMOS 和 TTL 接口上 ×操作电压范围：2.0V~6.0V ×低输入电流：1.0uA ×CMOS 器件的高噪声抵抗特性
管腿安排：
功能表：
输入
输出使能
锁存使能
D
L
H
H
L
H
L
L
L
X
H
X
X
X=不用关心
Z＝高阻抗
输出 Q H L
不变 Z
ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｌｅｃｆａｎｓ．ｃｏｍ
符号
参数
VCC
条件限制
单
V 25℃～ ≤85 ≤125 位
74hc573芯片资料
74HC573和74LS373原理一样，8数据锁存器。
主要用于数码管、按键等等的控制1. 真值表参见74LS373的PDF的第2页：Dn LE OE OnH H L HL H L LX L L QoX X H Z这个就是真值表,表示这个芯片在输入和其它的情况下的输出情况。
每个芯片的数据手册（datasheet）中都有真值表。
布尔逻辑比较简单,在此不赘述;2. 高阻态就是输出既不是高电平,也不是低电平,而是高阻抗的状态;在这种状态下,可以多个芯片并联输出;但是,这些芯片中只能有一个处于非高阻态状态,否则会将芯片烧毁;高阻态的概念在RS232和RS422通讯中还可以用到。
3. 数据锁存当输入的数据消失时,在芯片的输出端,数据仍然保持;这个概念在并行数据扩展中经常使用到。
4. 数据缓冲加强驱动能力。
74LS244/74LS245/74LS373/74LS573都具备数据缓冲的能力。
OE：output_enable,输出使能;LE：latch_enable,数据锁存使能,latch是锁存的意思;Dn：第n路输入数据;On：第n路输出数据;再看这个真值表,意思如下：第四行：当OE＝1是,无论Dn、LE为何,输出端为高阻态;第三行：当OE＝0、LE＝0时,输出端保持不变;第二行第一行：当OE＝0、LE＝1时,输出端数据等于输入端数据;结合下面的波形图,在实际应用的时候是这样做的：a．OE＝0;b．先将数据从单片机的口线上输出到Dn;c．再将LE从0->1->0d．这时,你所需要输出的数据就锁存在On上了,输入的数据在变化也影响不到输出的数据了;实际上,单片机现在在忙着干别的事情,串行通信、扫描键盘……单片机的资源有限啊。
在单片机按照RAM方式进行并行数据的扩展时,使用movx @dptr, A这条指令时,这些时序是由单片机来实现的。
后面的表格中还有需要时间的参数,你不需要去管它,因为这些参数都是几十ns 级别的,对于单片机在12M下的每个指令周期最小是1us的情况下,完全可以实现;如果是你自己来实现这个逻辑,类似的指令如下：mov P0,A ;将数据输出到并行数据端口clr LEsetb LEclr LE ;上面三条指令完成LE的波形从0->1->0的变化74ls573跟74LS373逻辑上完全一样,只不过是管脚定义不一样,数据输入和输出端。
C语言基础知识,Keil软件的使用,流水灯、数码管、74HC573、74HC595介绍.doc
第一节单片机的用途单片机是一种集成电路芯片,采用超大规模技术把具有数据处理能力(如算术运算,逻辑运算、数据传送、中断处理)的微处理器(CPU),随机存取数据存储器(RAM),只读程序存储器(ROM),输入输出电路(I/O口),可能还包括定时计数器,串行通信口(SCI),显示驱动电路(LCD或LED驱动电路),脉宽调制电路(PWM),模拟多路转换器及A/D转换器等电路集成到一块单块芯片上,构成一个最小然而完善的计算机系统.这些电路能在软件的控制下准确、迅速、高效地完成程序设计者事先规定的任务.单片机也被称为微控制器（Microcontroler），是因为它最早被用在工业控制领域。
单片机由芯片内仅有CPU的专用处理器发展而来。
最早的设计理念是通过将大量外围设备和CPU集成在一个芯片中，使计算机系统更小，更容易集成进复杂的而对提及要求严格的控制设备当中。
INTEL的Z80是最早按照这种思想设计出的处理器，从此以后，单片机和专用处理器的发展便分道扬镳。
早期的单片机都是8位或4位的。
其中最成功的是INTEL 的8031，因为简单可靠而性能不错获得了很大的好评。
此后在8031上发展出了MCS51系列单片机系统。
基于这一系统的单片机系统直到现在还在广泛使用。
随着工业控制领域要求的提高，开始出现了16位单片机，但因为性价比不理想并未得到很广泛的应用。
90年代后随着消费电子产品大发展，单片机技术得到了巨大的提高。
随着INTEL i960系列特别是后来的ARM系列的广泛应用，32位单片机迅速取代16位单片机的高端地位，并且进入主流市场。
而传统的8位单片机的性能也得到了飞速提高，处理能力比起80年代提高了数百倍。
目前，高端的32位单片机主频已经超过300MHz，性能直追90年代中期的专用处理器，而普通的型号出厂价格跌落至1美元，最高端的型号也只有10美元。
当代单片机系统已经不再只在裸机环境下开发和使用，大量专用的嵌入式操作系统被广泛应用在全系列的单片机上。
74573资料
最佳答案74HC573和74LS373原理一样，8数据锁存器。
主要用于数码管、按键等等的控制1. 真值表参见74LS373的PDF的第2页：Dn LE OE OnH H L HL H L LX L L QoX X H Z这个就是真值表,表示这个芯片在输入和其它的情况下的输出情况。
每个芯片的数据手册（datasheet）中都有真值表。
布尔逻辑比较简单,在此不赘述;2. 高阻态就是输出既不是高电平,也不是低电平,而是高阻抗的状态;在这种状态下,可以多个芯片并联输出;但是,这些芯片中只能有一个处于非高阻态状态,否则会将芯片烧毁;高阻态的概念在RS232和RS422通讯中还可以用到。
3. 数据锁存当输入的数据消失时,在芯片的输出端,数据仍然保持;这个概念在并行数据扩展中经常使用到。
4. 数据缓冲加强驱动能力。
74LS244/74LS245/74LS373/74LS573都具备数据缓冲的能力。
OE：output_enable,输出使能;LE：latch_enable,数据锁存使能,latch是锁存的意思;Dn：第n路输入数据;On：第n路输出数据;再看这个真值表,意思如下：第四行：当OE＝1是,无论Dn、LE为何,输出端为高阻态;第三行：当OE＝0、LE＝0时,输出端保持不变;第二行第一行：当OE＝0、LE＝1时,输出端数据等于输入端数据;结合下面的波形图,在实际应用的时候是这样做的：a．OE＝0;b．先将数据从单片机的口线上输出到Dn;c．再将LE从0->1->0d．这时,你所需要输出的数据就锁存在On上了,输入的数据在变化也影响不到输出的数据了;实际上,单片机现在在忙着干别的事情,串行通信、扫描键盘……单片机的资源有限啊。
在单片机按照RAM方式进行并行数据的扩展时,使用movx @dptr, A这条指令时,这些时序是由单片机来实现的。
后面的表格中还有需要时间的参数,你不需要去管它,因为这些参数都是几十ns级别的,对于单片机在12M下的每个指令周期最小是1us的情况下,完全可以实现;如果是你自己来实现这个逻辑,类似的指令如下：mov P0,A ;将数据输出到并行数据端口clr LEsetb LEclr LE ;上面三条指令完成LE的波形从0->1->0的变化74ls573跟74LS373逻辑上完全一样,只不过是管脚定义不一样,数据输入和输出端。
74HC573数据手册
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8位数据锁存器74HC573 6:.$ᇎ傼ᶯу⭘᮷ẓ ᙍᗞ、⭥ᆀᮤ⨶
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74hc573
74HC573简介74HC573是一款集成电路芯片，属于74HC系列。
它是一个八位透明锁存器，可用于存储并输出数据。
该芯片具有广泛的应用范围，特别适用于数字系统中的数据存储和传输控制。
特性1.输入/输出电压高兼容性2.具有高噪声抑制特性3.3态输出（输出能力：15pF的负载）4.具有非常低的静电电流消耗5.可采用直接储存法或环形移位法进行数据输入6.异常条件下的保护功能7.符合RoHS标准引脚功能74HC573芯片有20个引脚，具体引脚功能如下：1.OE（输出使能）：输出使能端口，高电平有效。
当OE为高电平时，输出开启；当OE为低电平时，输出关闭。
2.D（数据端口）：数据输入端口，可输入二进制数据。
3.Q0-Q7（输出端口）：数据输出端口，用于存储和输出数据。
4.LE（锁存控制）：锁存控制端口，高电平有效。
当LE为高电平时，数据被锁存；当LE为低电平时，数据不被锁存。
5.GND（地）：接地端口，连接至系统的地线。
6.VCC（电源）：电源端口，连接至系统的电源。
工作原理数据锁存当LE为高电平时，数据输入到D端口，由于OE为高电平，数据透明地传输到输出端口Q0-Q7，实现了数据的锁存与输出。
当LE为低电平时，数据输入到D端口，数据不被锁存，输出端口Q0-Q7不受输入数据的影响。
指定输出状态当锁存器处于透明状态（LE为高电平）时，通过在输入端口D输入二进制数据，可以指定锁存器的输出状态。
输出使能控制通过控制OE端口的电平，可以控制输出使能状态。
当OE为高电平时，锁存器的输出端口Q0-Q7开启，数据可以正常传输。
当OE为低电平时，锁存器的输出端口Q0-Q7关闭，数据不能正常传输。
应用范围74HC573芯片具有广泛的应用范围，在数字系统中常用于以下方面：1.数据存储与传输：通过74HC573芯片，可以实现对数据的存储与传输控制，方便数据的处理和分析。
2.并行数据输入输出：通过控制锁存器的输入与输出端口，可以实现并行数据的输入与输出。
74ls373和74hc573有什么区别
74ls373和74hc573有什么区别74ls373和74hc573都是八D锁存器（三态）。
74ls373是TTL电路，电源电压是5V。
74hc573是cmos电路，电源电压工作范围是2V ~ 6V。
74ls373和74hc573的引脚编排不一样。
一、锁存器74hc57374HC573是拥有八路输出的透明锁存器，输出为三态门，是一种高性能硅栅CMOS器件。
SL74HC573跟LS/AL573的管脚一样。
器件的输入是和标准CMOS 输出兼容的，加上拉电阻他们能和LS/ALSTTL输出兼容。
当锁存使能端LE为高时，这些器件的锁存对于数据是透明的（也就是说输出同步）。
当锁存使能变低时，符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
I/O输出能直接接到CMOS，NMOS 和TTL 接口上工作电压范围：2.0V~6.0V最低输入电流：1.0uA器件的高噪声抵抗特性三态总线驱动输出置数全并行存取缓冲控制输入使能输入有改善抗扰度的滞后作用编程时：1.使能端置1，此时输出数据和输入数据一致；2.使能端清0，输出端保持原有值，使得输出的数据锁定，防止误操作。
真值表及功能：二、74ls37374LS373是一款常用的地址锁存器芯片，由八个并行的、带三态缓冲输出的D 触发器构成。
在单片机系统中为了扩展外部存储器，通常需要一块74LS373芯片。
（1）.1脚是输出使能（OE），是低电平有效，当1脚是高电平时，不管输入3、4、7、8、13、14、17、18如何，也不管11脚（锁存控制端，G）如何，输出2（Q0）、5（Q1）、6（Q2）、9（Q3）、12（Q4）、15（Q5）、16（Q6）、19（Q7）全部呈现高阻状态（或者叫。
74hc573完整中文资料
74hc573中文资料参数-74hc573引脚图-功能原理-74hC573的作用-应用电路-74hC563-54hC57高性能硅门CMOS器件SL74HC573跟LS/AL573的管脚一样。
器件的输入是和标准CMOS输出兼容的；加上拉电阻，他们能和LS/ALSTTL输出兼容。
当锁存使能端为高时，这些器件的锁存对于数据是透明的（也就是说输出同步）。
当锁存使能变低时，符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
×输出能直接接到CMOS，NMOS和TTL接口上×操作电压范围：2.0V~6.0V×低输入电流：1.0uA×CMOS器件的高噪声抵抗特性·三态总线驱动输出·置数全并行存取·缓冲控制输入·使能输入有改善抗扰度的滞后作用原理说明：M54HC563/74HC563/M54HC573/74HC573的八个锁存器都是透明的D 型锁存器，当使能（G）为高时，Q 输出将随数据（D）输入而变。
当使能为低时，输出将锁存在已建立的数据电平上。
输出控制不影响锁存器的内部工作，即老数据可以保持，甚至当输出被关闭时，新的数据也可以置入。
这种电路可以驱动大电容或低阻抗负载，可以直接与系统总线接口并驱动总线，而不需要外接口。
特别适用于缓冲寄存器，I/O 通道，双向总线驱动器和工作寄存器。
HC563引脚功能表：HC573引脚功能表：图1 HC573引脚图图2 HC573 国际电工委员会逻辑符号图3 HC563引脚图图4 HC563 国际电工委员会逻辑符号图5 HC563 逻辑图图6 HC573 逻辑图图7 输入输出等效电路真值表：ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS绝对最大额定值：Top Operating Temperature: M54HC Series M74HC Series 操作温度：M54HC系列M74HC系列-55 to +125 -40 to +85℃tr,tf Input Rise and Fall Time输入上升和下降时间VCC =2V0 to 1000ns VCC=4.5V0 to 500VCC =6V0 to 400VOHHigh Level Output Voltage输出高电平电压2.0 VI = VIH or VILIO=-20 μA1.92.0-1.9 -1.9 -V4.54.44.54.44.4---6.05.96.05.95.9-4.5IO=-6.0mA4.184.314.134.10-6.0IO=-7.8 mA5.685.85.635.60-VOLLow Level Output Voltage输出低电平电压2.0 VI = VIH or VILIO=20μA-0.0 0.1 -0.1-0.1V4.5-0.00.1 0.10.16.0-0.00.10.10.14.5IO=6.0mA-0.170.260.330.406.0IO=7.8mA-0.180.260.330.40IIInput Leakage Current输入漏电流6.0VI =VCC or GND--±0.1-±1±1μA IOZState Output Off State Current关断状态3态输出电流6.0VI =VIH or VIL VO =VCC or GND--±0.5-±5.0-±10μAICCQuiescent Supply Current静态电源电流6.0VI =VCC or GND--4-40-80μA应用电路图：点击图片查看大图图8。
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74HC5反相
74HC373，但引脚布局不同
74HC573芯片简介
74HC573芯片简介：
74HC573N，8路D型锁存器，具有三态输出。
型号/参数：
74HC573芯片概述
74HC573是一款高速CMOS器件，74HC573引脚兼容低功耗肖特基
TTL(LSTTL)系列。
74HC573包含八路D型透明锁存器，每个锁存器具有独立的D型输入，
以及适用于面向总线的应用的三态输出。所有锁存器共用一个锁存使能(LE)
端和一个输出使能(OE)端。
当LE为高时，数据从Dn输入到锁存器，在此条件下，锁存器进入透明模
式，也就是说，锁存器的输出状态将会随着对应的D输入每次的变化而改
变。当LE为低时，锁存器将存储D输入上的信息一段就绪时间，直到LE
的下降沿来临。
当OE为低时，8个锁存器的内容可被正常输出;当OE为高时，输出进入