电子线路第二章教案分解

三极：发射极、基极、集电极

两结：发射结、集电结

三区：发射区、基区、集电区

3．特点

（1）发射区掺杂浓度较大，以利于发射区向基区发射载流子。（2）基区很薄，掺杂少，载流子易于通过。

（3）集电区比发射区体积大且掺杂少，收集载流子。

a．NPN型b．PNP

．内部三个区的半导体分类：NPN型

．工作频率分类：低频管和高频管

．以半导体材料分：锗、硅

三极管的工作电压和基本连接方式

一、三极管的工作电压

．三极管工作时，发射结加正向电压，集电结加反向电压。．偏置电压：基极与发射极之间的电压。

二、三极管在电路中的基本连接方式

三极管内电流的分配和放大作用

三极管的特殊构造，使三极管具有特殊作用。

．三极管中电流分配关系 很小，所以I E = I C 。 ——基极开路时c 、e 的电流

I CEO 越小，说明温度稳定性越好CBO ——发射极开路时c 、b 间的电流

集电极、基极反向饱和电流二、电流放大作用

I B 有较小变化时，I C 就有较大变化

．交流电流放大系数：B

C I I

∆∆=β

注意：工作电流不同，β不同，在I C 较大范围内，β变化很小．直流电流放大系数B

C

I I =

β ββ=

＝βI B

I C ＝ β I B ＋I CEO

增大时，曲线应右移。

时，曲线非常靠近。

）截止区：

，三极管截止，I B = 0以下的区域。

0，即为I CEO。

③三极管发射结反偏或两端电压为零时，为截止。

）饱和区：

较小的区域。

的增大而变化。

CE

值为饱和压降。

：硅管为0.3 V，锗管为0.1 V。

⑤发射结、集电结都正偏，处于饱和。

）放大区：

控制，ΔI C=βΔI B，具有电流放大作用。

I B一定，I C不随V CB变化，I C恒定。

③发射结正偏，集电结反偏，处于放大状态。

总结：三极管工作状态由偏置情况决定。

放大截止饱

发射结正偏集电结反偏发射结反偏或零偏

发射结正偏

集电结正偏

V C＞V B＞V E V B≤V E V B＞V E，

V C＜V B＜V E V B≥V E V B＜V E，．判别三极管的工作状态

断开和接通时的电阻值，前后两个读数相关越大，表示三极管的

指向N的意思。沟道结型场效晶体管

V DS作用下，形成电流

结受反向偏压→ PN结加宽→ N

PN结变得较宽，以至N

可控制漏极电流I D的变化。

沟道工作原理相同（V GS＞0，V DS＜

）场效晶体管只有多数载流子导电，故称为单极晶体管。

三、结型场效晶体管的特性曲线和跨导

P

管的电路

图，注意

V

（引导与三

极管对比，

三极管称为

双

型衬底扩散两个高浓度N型区，引出两电极：源极和漏极。型衬底覆盖绝缘层，引出栅极。

且一定时：

（自身有导电沟道）。

沟道变宽，I D↑。

沟道变窄，I D↓。

——夹断电压。

减小。

）输出特性曲线三个区域：可调电阻区、饱和区、击穿区。

增强NMOS 耗尽NMOS 增强PMOS 耗尽PMOS 2.2.3场效晶体管的主要参数和特点

．直流参数：

①开启电压V T 。

②夹断电压V P。

③饱和漏极电流I DSS

④直流输入电阻R GS

．交流参数：

①跨导g m；

②极间电容