场效应管(MOS管)知识介绍
MOS管基础知识
ＭＯＳ管基础知识MOS管场效应管知识要点：场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。
有N沟道器件和P沟道器件。
有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。
IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）。
1.11.1.1MOS场效应管MOS场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。
场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。
增强型MOS(EMOS)场效应管根据图3-1，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。
在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。
P 型半导体称为衬底，用符号B表示。
图3-1 N 沟道增强型EMOS管结构示意一、工作原理1．沟道形成原理当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。
当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。
耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。
mosfet半导体场效应晶体管mos管
主题：mosfet半导体场效应晶体管mos管一、介绍mosfet半导体场效应晶体管的基本概念mosfet（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种广泛应用于集成电路的半导体器件。
它由一段导电性较好的半导体材料形成的栅极和绝缘层构成，其结构与普通的晶体管有明显的不同，能够更好地控制电流。
二、mosfet半导体场效应晶体管的工作原理mosfet的工作原理主要包括局部场效应和接近场效应两种。
在局部场效应下，由于外加电压改变了栅极电场，从而控制了导通道的电荷密度；而在接近场效应下，则是通过改变栅极与半导体之间的电荷耦合来控制导通道。
这些原理使得mosfet在电子器件中大放异彩，成为了当今电子工业中不可或缺的一部分。
三、mosfet半导体场效应晶体管的特点和优势1. 高输入电阻：由于mosfet的栅极与通道之间的绝缘层，其输入电阻远高于普通晶体管，可降低输入功率。
2. 低输入电流：mosfet的控制方式与普通晶体管不同，可以通过改变栅极电场来控制电流，因此输入电流较低。
3. 低噪声：由于mosfet的工作原理，其本身产生的噪声很小，能够更好地保持信号的清晰度。
4. 大功率放大：mosfet在电子器件中功率放大的性能较好，能够适用于不同功率的应用场景。
四、mosfet半导体场效应晶体管的应用范围1. 集成电路：mosfet因为其体积小、功耗低、性能高等特点，被广泛应用于各类集成电路中，如微处理器、存储器等。
2. 功率放大器：mosfet在功率放大器中的应用也非常广泛，其高功率放大、低噪声等特点使得其成为了功率放大器的首选器件。
3. 波形整形电路：由于mosfet对信号的响应速度很快，能够在一定程度上实现波形的整形和放大，因此也被应用在波形整形电路中。
4. 逻辑电路：mosfet的工作原理使得其在逻辑电路中有较好的应用效果，能够实现快速开关和逻辑运算等功能。
15.MOS管知识点梳理，它凭什么成为现代电力电子的主角
15.MOS管知识点梳理，它凭什么成为现代电力电子的主角场效应晶体管（FET）是利用电场效应来控制晶体管电流的半导体器件，因此叫场效应管。
它是一种用输入电压控制型的半导体器件。
按基本结构分为结型场效应管和金属-氧化物-半导体场效应管（又叫绝缘栅型场效应管）。
场效应管家族分类场效应管的特点：输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单。
由于市面上见到和工作中使用的主要是增强型MOSFET，下面内容以此讨论。
1.MOS管的基础知识MOS管分为N沟道MOS管和P沟道MOS管（N沟道应用更加广泛）。
MOS管的三个极分别为：栅极G、漏极D、源极S。
N沟道MOS管和P沟道MOS管电路符号N-MOS与P-MOS区别MOS管实物图（TO-220封装）注：MOS管制造工艺会造成内部D极与S极之间存在一个寄生二极管，其作用：一是电路有反向电压时，为反向电压提供续流，避免反向电压击穿MOS管；二是当DS两级电压过高时，体二极管会先被击穿，进而保护MOS；对于高速开关场合，寄生二极管由于开通速度慢，导致反向后无法迅速开通，进而损坏MOS，因此需要在外部并联一个快恢复或肖特基二极管。
2.MOS管的主要参数IRF3205规格书IRF3205规格书①漏源电流ID：是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过 ID 。
此参数会随结温的上升而有所降低。
②漏源击穿电压VDSS：是指栅源电压VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。
这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 VDSS 。
③导通漏源电阻RDS（on）：在特定的结温及漏极电流的条件下，MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。
它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的消耗功率。
此参数一般会随结温的上升而有所增大。
故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。
④开启电压VT：是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时（规定ID值）的栅极电压。
MOSFET场效应管(MOS管)
MOS管基本知識
MOS管的定義與類型 MOS管結構圖及封裝 MOS管的基本參數 MOS管的作用 MOS管與三極管的區別 如何判斷MOS管好壞
MOS管的定義與類型
MOSFET(場效應管)是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的首字母 缩写﹐簡稱MOS管。 它是只有一種載流子參與 導電的半導體器件﹐是用輸入電壓控制輸出電 流的半導體器件。
MOS管常用封裝
SOT-89
MOS管基本參數
參數符號 參數名稱
VGS(th)
BVDSS
閾值(開啟)電壓 擊穿電壓
RDS(on)
導通電阻
IDSS
漏電流
MOSห้องสมุดไป่ตู้的作用
開關﹕ NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极
接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性則剛好相反。
Vout
Vin
放大
MOS管與三極管的區別
結構 工作原理
作用
相同點
P/N結構成 小信號控制 開關﹑放大
不同點
MOS管控制端(G)是 絕緣的,三極管控制端 (B)是導通的。 MOS管受電壓控制﹐ 三極管受電流控制。
MOS管偏于開關作用 三極管偏于放大作用
如何判斷MOS管好壞
量測前﹐先把GS兩端短路放電﹐然后用歐姆表 量測DSG任意兩端電阻為M歐級﹐假若先量測GS, 再量測DS兩端電阻﹐其阻值會明顯變小或者通路。 這些都是一個正常的MOS管所具備的。
MOS管分為兩大類型﹕耗盡型(DMOS )和增強 型(EMOS )。每一類都有N溝道和P溝道兩種導 電類型。實際應用的是增強型的N溝道和P溝道 MOS管﹐即NMOS和PMOS。
场效应管的基础知识
场效应管的基础知识英文名称：MOSFET（简写：MOS）中文名称：功率场效应晶体管（简称：场效应管）场效应晶体管简称场效应管，它是由半导体材料构成的。
与普通双极型相比，场效应管具有很多特点。
场效应管是一种单极型半导体（内部只有一种载流子—多子）分四类：N沟通增强型；P沟通增强型；N沟通耗尽型；P沟通耗尽型。
增强型MOS管的特性曲线场效应管有四个电极，栅极G、漏极D、源极S和衬底B，通常字内部将衬底B与源极S相连。
这样，场效应管在外型上是一个三端电路元件场效管是一种压控电流源器件，即流入的漏极电流ID栅源电压UGS控制。
1、转移特性曲线：应注意：①转移特性曲线反映控制电压VGS与电流ID之间的关系。
②当VGS很小时，ID基本为零，管子截止；当VGS大于某一个电压VTN时ID随VGS的变化而变化，VTN称为开启电压，约为2V。
③无论是在VGS2、输出特性曲线：输出特性是在给顶VGS的条件下，ID与VDS之间的关系。
可分三个区域。
①夹断区：VGS②可变电阻区：VGS>VTN且VDS值较小。
VGS值越大，则曲线越陡，D、S极之间的等效电阻RDS值就越小。
③恒流区：VGS>VTN且VDS值较大。
这时ID只取于VGS，而与VDS无关。
3、MOS管开关条件和特点：管型状态，N-MOS，P-MOS特点截止VTN，RDS非常大，相当与开关断开导通VGS≥VTN，VGS≤VTN，RON很小，相当于开关闭合4、MOS场效应管的主要参数①直流参数a、开启电压VTN，当VGS>UTN时，增强型NMOS管通道。
b、输入电阻RGS，一般RGS值为109～1012Ω高值②极限参数最大漏极电流IDSM击穿电压V(RB)GS，V(RB)DS最大允许耗散功率PDSM5、场效应的电极判别用R×1K挡，将黑表笔接管子的一个电极，用红表笔分别接另外两个电极，如两次测得的结果阻值都很小，则黑表笔所接的电极就是栅极(G)，另外两极为源(S)、漏(D)极，而且是N型沟场效应管。
mos管的一些重要参数
MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种常见的半导体器件，它具有许多重要参数。
以下是其中一些重要参数：
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指在MOS管中形成导电通道所需的门极电压。
当门极电压高于阈值电压时，MOS管将处于导通状态。
2. 饱和漏源电流（Idsat）：饱和漏源电流是指当MOS管工作在饱和区时，漏极和源极之间的电流。
这个参数决定了MOS管在饱和状态下的输出能力。
3. 前向跨导（gm）：前向跨导是指MOS管输出电流与输入信号电压之间的变化率。
它表示了MOS管对输入信号的放大能力。
4. 输出电容（Cout）：输出电容是指MOS管输出端的电容。
它对于高频应用非常重要，因为它决定了MOS管的截止频率和带宽。
5. 最大漏极电流（Idmax）：最大漏极电流是指MOS管可以承受的最大电流。
超过这个限制可能导致器件破坏。
6. 负温度系数（TC）：负温度系数表示MOS管阈值电压随温度变化的程度。
这个参数对于高温环境下的应用非常重要，因为它决定了器件在不同温度下的性能稳定性。
这些是MOS管中一些重要的参数，不同类型的MOS管可能还有其他特定的参数。
mos管 场效应管
MOS管（场效应管）1. 简介MOS管，全称金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种重要的电子器件。
它是由金属氧化物半导体材料构成的栅极与源极、漏极之间形成的电流控制装置。
MOS管具有高输入阻抗、低输出阻抗、低功耗、高频带宽等特点，在电子设备中得到广泛应用。
2. 结构和工作原理2.1 结构MOS管的基本结构包括栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）三个部分。
栅极与源极之间通过绝缘层隔离，形成了一个电容，被称为栅氧化物层或栅介质层，常用的材料是二氧化硅。
2.2 工作原理MOS管是一种控制型器件，其工作原理基于场效应。
当施加在栅极上的电压发生变化时，会在源-漏通道中形成或消失一个导电路径。
这个导电路径的状态由栅极-源结附近的电场来控制。
当没有外加电压时，栅极与源极之间的电势差为零，此时MOS管处于截止状态，导电路径断开。
当施加一个正向电压时，栅极-源结形成反型结，导致MOS管处于放大状态。
当施加一个负向电压时，栅极-源结形成正型结，导致MOS管处于截止状态。
MOS管的工作原理可以用以下公式表示：I D=μC ox WL(V GS−V TH)2其中： - I D为漏极电流 - μ为迁移率 - C ox为栅氧化物层的电容 - W/L为通道宽度和长度的比值 - V GS为栅极与源极之间的电压 - V TH为阈值电压3. MOS管的分类3.1 N沟道MOS管（NMOS）N沟道MOS管是一种以N型材料作为主体材料的场效应管。
在N沟道MOS管中，漏极和源极都是N型材料。
3.2 P沟道MOS管（PMOS）P沟道MOS管是一种以P型材料作为主体材料的场效应管。
在P沟道MOS管中，漏极和源极都是P型材料。
3.3 CMOSCMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是由N沟道MOS管和P沟道MOS管组成的互补对。
mos场效应管
mos场效应管
MOS场效应管是指metal-oxide-semiconductor（金属氧化物半导体）场效应管，是一种纯集成电路元器件，常用来实现电子信号的转换和变换。
MOS场效应管有
三个部件组成：金属-氧化物-半导体片结构，以及与二极管类似的三极管结构。
它
的主要特点是：
1、低功耗：MOS场效应管的功耗比及其他电路元件更低，且工作稳定性好。
2、小尺寸：MOS场效应管的体积小，而能完成多种功能，可以极大地减少电
路尺寸。
3、高速读写：MOS场效应管能方便地完成高速读写操作，可以满足复杂电子
系统的需求。
4、广泛应用：MOS场效应管广泛应用于电脑、汽车电子、通信设备等多种场合，可以满足不同用户的不同需求。
MOS场效应管特有的性能和特点，使它在微电子技术的发展中发挥着重要的
作用。
它具有低功耗、小尺寸、高速读写和广泛应用等优点，可以应用于各种复杂电子系统中，以满足不同电子应用的需要。
MOS场效应管的广泛且精准的设计，
使其在电子行业中得到广泛应用，成为微电子技术发展的重要组成部分，受到了业界的高度评价。
MOS管总结
MOS管总结金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET），是一种常用的半导体器件，也是现代集成电路中使用最广泛的晶体管之一、它具有低功耗、高密度集成、开关速度快等优点，在数字电子技术和模拟电路中有着广泛的应用。
以下是关于MOSFET的总结。
首先介绍MOSFET的结构。
MOSFET由P型或N型半导体基底、一层绝缘层和一层金属导电层组成。
结构上分为两种类型：N沟道型（N-channel）和P沟道型（P-channel）。
N沟道型中，基底是P型半导体，沟道区是N型半导体；而P沟道型中，基底是N型半导体，沟道区是P型半导体。
通过对绝缘层上的金属导电层的电压控制，可以控制沟道区的导电状态，从而实现电流的传输和控制。
MOSFET的工作原理是基于场效应。
当在绝缘层上施加正向电压，形成电场时，电子或空穴会沿着绝缘层与沟道区界面堆积。
当基极与沟道区间的电压大于临界值（即门阈电压），沟道区的电导性会发生变化，导致电流的传输。
N沟道型中，当施加正向电压时，电子会从源极流向漏极；而P沟道型中，当施加负向电压时，空穴会从源极流向漏极。
MOSFET的应用十分广泛。
在数字电子技术中，MOSFET作为开关管常用于逻辑电路、存储器和微处理器等集成电路中。
由于其开关速度快、功耗低，使其成为现代电子产品节能和性能优化的重要组成部分。
在模拟电路中，MOSFET的工作在放大和调整电流等方面起着重要作用，例如在放大器、运算放大器和模拟开关等电路中广泛应用。
然而，在实际应用中，MOSFET也存在一些问题。
首先是漏电流问题，由于绝缘层不能将电流完全隔离，部分电流会通过绝缘层流失，导致功耗上升。
其次是热量问题，由于MOSFET工作时需要消耗能量，并产生热量，如果不能及时散热，会影响其性能。
此外，MOSFET还对电压变化和电磁干扰比较敏感，需要适当的抗干扰措施以保证其正常工作。
MOS管知识最全收录技术参数详解！MOS管的种类及结构
MOS管知识最全收录技术参数详解！MOS管的种类及结构MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
MOS管的种类及结构MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。
因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
图表1 MOS管的4种类型每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。
接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。
图表2 MOS管内部结构图从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。
场效应管输出电流由输入的电压（或称场电压）控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。
MOS管工作原理1N沟道增强型场效应管原理N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。
由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
场效应管讲解
例5.2.1 P212
设VDS VGS VT，工作于饱和区
VGS
Rg 2 Rg1 Rg 2
VDD
40 5 2V 60 40
I DQ Kn (VGS VT )2 0.2 (2 1)2 0.2mA
VDS VDD I D Rd 5 0.2 15 2V 判断VDS 2V (VGS VT )=1V，成立
MOS电容
SiO2绝缘层
+ + + + + - - - - - -
金属铝
E
P
P型基底
电子反型层
SiO2绝缘层
掺入了大量的碱金 属正离子Na+或K+
+ + + + +
金属铝
- - - - - -
P
P型基底
电子反型层
一、结构和电路符号 S
G
D
金属铝
D
两个N区 N
P
N P型基底 SiO2绝缘层
G S
导电沟道
耗尽型的MOS管vGS=0时就有导电沟道，加反向 电压才能夹断。
iD 转移特性曲线
vGS VP 0
输出特性曲线
iD
vGS>0 vGS=0 vGS<0
0 vDS
四、说明：
（1）MOS管有四种基本类型；
（2）增强型的MOS管的vGS必须超过一定的值以使沟 道形成； 耗尽型的MOS管使形成沟道的vGS可正可负； （3）MOS管的输入阻抗特别高
N沟道增强型
S
G
D D
N
P
N
G
S
N 沟道耗尽型
mos场效应管工作原理
mos场效应管工作原理
MOS场效应管（MOSFET）是一种常用的三端可控硅器件，
其工作原理基于金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）结构。
MOS场效应管的结构包括三层：金属层、绝缘层（通常是二
氧化硅）和半导体层（通常是硅）。
绝缘层将金属层与半导体层隔离开来，形成了一个被控制的电介质层。
MOS场效应管有两种常见的工作模式：增强型（enhancement mode）和耗尽型（depletion mode）。
在增强型MOS场效应管中，当控制端加有正电压时，电子注
入到半导体中，形成一个导电层，从而增强了导电特性。
这时，可以在控制端和源端之间输出一个较大电流。
在耗尽型MOS场效应管中，当控制端加有负电压时，导电特
性被减弱。
这时，控制端和源端之间的电流较小。
MOS场效应管的主要工作原理是通过控制栅电压来改变栅和
源之间的电场，从而控制了栅氧化物与半导体之间的电荷分布。
这种电场效应可以调节通道中的载流子浓度，进而影响了器件的导电特性。
总之，MOS场效应管是通过调节控制栅电压来改变器件导电
特性的三端可控硅器件，其工作原理基于金属-氧化物-半导体
结构和电场效应。
MOS管知识介绍
带缓冲级的CMOS门 1、与非门
存在的缺点： (1) : 输出电阻 RO受输入状态影响 A 1, B 1则RO RON 2 RON 4 2 RON A 0, B 0则RO RON 1 // RON 3 A 0, B 1则RO RON 1 RON A 1, B 0则RO RON 3 RON ( 2)输出的高低电平受输入 端数目的影响 输入端越多， VOL 越高， VOH 也更高 (3)使T2、T4的VGS 达到开启电压时， 对应的 VI 值不同 1 RON 2
2.解决方法——输入端加上带缓冲级的CMOS门
பைடு நூலகம்
或非门 缓冲器 与非门
五、漏极开路的门电路（OD门）
1.可将输出并联使用，实 现线与 或用作电平转换、驱动 器 (VDD 可以不等于 VDD ) 2.使用时允许外接 RL , VDD
六. 双向模拟开关
七、三态输出门
EN 0时，Y A EN 1时，Y Z (高阻)
• 3. 使用注意事项： • （2）闲置输入端的处理 • A. 不用的输入端不允许悬空设置； • B. 对“与非门”电路，闲置输入端应接 电源或高电平；对“或门”、“或非门”， 闲置端应接“地”或低电平； • C. 闲置输入端不宜与使用输入端并联使用， 这样会增大输入电容使电路的工作速度下 降，但在“低速”工作状态，可以使用。
功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识
功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识功率场效应管(PowerMOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。
由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。
但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。
一、电力场效应管的结构和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。
在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。
电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有很大区别。
小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件，导电沟道平行于芯片表面，横向导电。
电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐电流的能力。
按垂直导电结构的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。
电力场效应晶体管采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。
N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图，如图1(a)所示。
电气符号，如图1(b)所示。
电力场效应晶体管有3个端子：漏极D、源极S和栅极G。
当漏极接电源正，源极接电源负时，栅极和源极之间电压为0，沟道不导电，管子处于截止。
如果在栅极和源极之间加一正向电压UGS，并且使UGS大于或等于管子的开启电压UT，则管子开通，在漏、源极间流过电流ID。
UGS超过UT越大，导电能力越强，漏极电流越大。
二、电力场效应管的静态特性和主要参数PowerMOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。
1、静态特性（1）输出特性输出特性即是漏极的伏安特性。
特性曲线，如图2(b)所示。
MOS管参数详解
MOS管参数详解MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为一种常见的场效应管，具有很多重要的参数需要了解和掌握。
下面详细介绍MOS管的几个重要参数。
1. 门电压（Vgs）：门电压是指施加在MOS管的栅极和源极之间的电压差。
它决定了MOS管的导通和截止状态。
当Vgs小于MOS管的阈值电压（Vth）时，MOS管处于截止状态；当Vgs大于Vth时，MOS管处于导通状态。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指MOS管处于导通和截止状态的临界电压。
当Vgs小于Vth时，MOS管截止，导通状态转变为截止状态；当Vgs大于Vth时，MOS管导通，截止状态转变为导通状态。
3.漏极电流（Id）：漏极电流是指从漏极流出的电流。
在MOS管导通状态下，漏极电流与门电压和漏源电压有关。
4. 开关比（On/Off Ratio）：开关比是指MOS管导通和截止状态下的漏极电流差异。
开关比越大，表示MOS管的截止和导通状态差异越大，具有更好的开关特性。
5. 压降（Voltage Drop）：压降是指MOS管导通状态下，从漏极到源极的电压差。
在导通状态下，压降越小，表示MOS管的导通效果越好。
6. 战略伏（Subthreshold Voltage）：战略伏是指MOS管处于微弱导通状态时的电压范围。
当Vgs小于战略伏时，MOS管具有微弱导通功能。
7. 输出电阻（Output Resistance）：输出电阻是指在MOS管导通状态下，漏源电压改变时，漏极电流变化的程度。
输出电阻越小，表示MOS管的控制能力越强。
除了上述参数外，还有一些其他参数也需要了解：1. 最大耐压（Maximum Drain-Source Voltage）：最大耐压是指MOS管能够承受的最大漏源电压。
超过最大耐压，MOS管可能会被击穿。
2. 最大功率（Maximum Power Dissipation）：最大功率是指MOS管能够承受的最大功率。
(完整word版)MOS管概述
基本电子电路系列——MOS管MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，英文：MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），属于绝缘栅型。
本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。
其结构示意图：解释1：沟道上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可。
因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。
解释3：增强型相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。
栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。
因此，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。
由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。
耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。
但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。
所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。
解释4：左右对称图示左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。
但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。
我的老师年轻时用过不带二极管的mos管。
非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。
解释5：金属氧化物膜图中有指示，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。
MOS管工作原理详细讲解
MOS管工作原理详细讲解
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常见的场
效应晶体管，其工作原理可以分为三个主要部份：栅极控制、沟道形成和电流传输。
1. 栅极控制：MOS管的栅极是通过栅极电压来控制沟道中的电流流动。
当栅
极电压为零时，沟道中没有电流流动，即处于截止状态。
当栅极电压增加到临界电压（阈值电压）以上时，栅极和沟道之间的氧化物层下形成一个正负电荷分布，这个电荷分布会在栅极电场的作用下改变沟道的导电性质。
栅极电压越高，沟道的导电性越好，电流流动越大。
2. 沟道形成：当栅极电压高于阈值电压时，沟道中会形成一个导电通道，这个
通道是由沟道区的材料（通常是n型或者p型半导体）构成的。
沟道的导电性质由栅极电压决定，当栅极电压高于阈值电压时，沟道的导电性会增强，而当栅极电压低于阈值电压时，沟道的导电性会减弱或者消失。
3. 电流传输：当沟道形成后，源极和漏极之间就可以传输电流了。
当漏极施加
一个较高的电压时，电子会从源极进入沟道并流向漏极，形成漏极电流。
这个电流的大小取决于沟道的导电性质和源漏电压之间的差异。
当源漏电压增加时，电流也会随之增加。
总结起来，MOS管的工作原理是通过栅极电压控制沟道的导电性质，从而控
制源漏之间的电流传输。
栅极电压高于阈值电压时，沟道形成并导电；栅极电压低于阈值电压时，沟道消失并截止电流。
这种栅极控制的特性使得MOS管在集成电
路中广泛应用。
MOS场效应管概述
• 三极管中多子、少子同时参与导电，故称双 极型器件。
伏安特性
由于MOS管栅极电流 为零，故不讨论输入特 性曲线。
共源组态特性曲线：
IG0 VG+-S
ID
+
T VDS
-
输出特性： ID= f ( VDS ) VGS = 常数 转移特性： ID= f ( VGS ) VDS = 常数 转移特性与输出特性反映场效应管同一物理过程， 它们之间可以相互转换。
▪ rds为场效应管输出电阻： rds 1 /(I DQ )
与三极管输出电阻表达式 rce 1 /(ICQ ) 相似。
▪ MOS管跨导
gm
iD vGS
Q
利用
ID
COXW
2l
(VGS
VGS(th) )2
得
gm
iD vGS
Q 2
COXW
2l
I DQ
三极管跨导
gm
iC vBE
Q
re
38.5ICQ
从平方律关系式：
ID
nCOXW
2l
(VGS
VGS(th) )2
若考虑沟道长度调制效应，则ID的修正方程：
ID
nCOXW
2l
(VGS
VGS(th)
)2
1
VDS VA
nCOXW
2l
(VGS
VGS(th) )2
1
VDS
其中： 称沟道长度调制系数，其值与l 有关。
通常 =( 0.005 ~ 0.03 )V-1
P
P
由图 VGD = VGS - VDS
▪ VDS很小时 → VGD VGS 。此时W近似不变，即Ron不变。
场效应管（MOS管）的分类介绍与测量方法：
场效应管（MOS管）的分类介绍与测量方法：场效应管(MOS管)的分类介绍与测量方法:一、符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用二、场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
三、效应管的特性：1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通4、场管的ＤＳ功能可互换Ｎ沟道场管的导通截止电压：导通条件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大截止条件：ＶＧ<ＶＳ，ＩＤ没有电流或有很小的电流四、场效应管的作用：放大、调制、谐振、开关五、场效应管的测量及好坏判断1、测量极性及管型判断红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准2、好坏判断测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。
六、场效应管的代换原则（只适合主板）场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可功率大的可以代换功率小的板子上的场管最好原值代换。
n沟结型场效应管 mos管
n沟结型场效应管 mos管
沟结型场效应管（MOS管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常用的半导体器件，用于电子电路中
的开关或放大功能。
MOS管主要由三个区域组成：栅极（Gate）、漏极（Drain）
和源极（Source）。
栅极上有一层绝缘层（通常是氧化硅层），其下是一层金属介电层，作为栅极电极。
漏极和源极之间的区域是半导体材料。
MOS管根据控制电压的极性和大小，可以分为N沟道型MOS 管和P沟道型MOS管。
N沟道型MOS管栅极电压为正时，
会增加沟道电流；而P沟道型MOS管栅极电压为负时，会增
加沟道电流。
MOS管具有很高的输入电阻、较低的功耗和尺寸小的特点，
因此被广泛应用在各种电子设备中，如计算机、手机、电视、音响等。
在数字电路中，MOS管可以用作开关，控制电流流通；在模拟电路中，MOS管可以用作放大器或电压调节器。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
场效应管(MOS管)知识介绍
6.1场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)
6.2 场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管
6.3 场效应管电路符号：
结型场效应管
S S
N沟道 P沟道
6.4场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)
D D D D
G
G G G 绝缘栅型场效应管
增强型 S 耗尽型
N沟道 P沟道 N沟道 P沟道
注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。
6.5场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源
吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。
6.6场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
6.7 场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管
为好管.
将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G 极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.。