51IO端口的驱动能力
3.1MCS-51单片机的并行IO口
一、并行I/O口的功能结构
2、接口功能 （2）通用I/O接口
（四）P0口
此时“控制”信号为“0”，多路开关 MUX向下，输出驱动器处于开漏状态，故需 外接上拉电阻，这种情况下，电路结构与P1 相同，所以也是一个准双向口，当要作为输 入时，必须先向口锁存器写“1”。
一、并行I/O口的功能结构
（四）P0口
这是由接口的特殊结构所决定的。每一个 口都包含一个锁存器，一个输出驱动器和两 个（P3口为3个）输入缓冲器。各口的结构也 P 3 有些差异，下面分别介绍。
一、并行I/O口的功能结构
1、接口结构
（一）P1口
P1口一位的结构如下图所示：
图2.15
一、并行I/O口的功能结构
1、接口结构
（一）P1口
接口结构中锁存器起输出锁存作用， 8位锁存器组成特殊功能寄存器P1，场 效应管和上拉电阻组成输出驱动器，以 增大负载能力，三态门1和三态门2分别 用于控制输入引脚和锁存器的状态。
作为I/O口应用的一个实例，下面介绍 8031单片机的最小应用系统如下图所示
二、产生接口控制信号的指令
（四）P0口
8051指令系统中能与接口打交道的指令 大体可分两类 １．一般的输入/输出指令 ２．“读－修改－写”指 令
二、产生接口控制信号的指令
１．一般的输入输出指令
（四）P0口
输入指令执行时，内部产生“读引脚”信号， 直接从口线读入，亦称“读引脚”指令。 下面是属于这种指令的各种实例：
二、产生接口控制信号的指令
（四）P0口 ２．“读－修改－写”指令 INC P2 接口锁存器加１ DEC P1 接口锁存器内容减１ DJNZ P3,LOOP 减１后不为零则跳转 还有三条虽不明显，但也属此列： MOV P1.1,C CLR P1.1 SETB P1.1 将进位位送接口的某位 清接口的某一位 接口的某一位置位
几种常用51单片机的IO驱动能力分析
几种常用51单片机的I/O口驱动能力分析在控制系统中，经常用单片机的Ｉ／Ｏ口驱动其他电路。
几种常用单片机Ｉ／Ｏ口驱动能力在相关的资料中的说法是：ＧＭＳ９７Ｃ２０５１、ＡＴ８９Ｃ２０５１的Ｐ１、Ｐ３的口线分别具有１０ｍＡ、２０ｍＡ的输出驱动能力，ＡＴ８９Ｃ５１的Ｐ０、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３的口线具有１０ｍＡ的输出驱动能力。
在实际应用中，仅有这些资料是远远不够的。
笔者通过实验测出了上述几种单片机的Ｉ／Ｏ口线的伏安特性（图１、图２），从中可以得到这些Ｉ／Ｏ口的实际驱动能力。
说明：１、测试方法：所测试的口线输出的信号是周期为４秒的方波。
当测试口线为低电平时的驱动能力时，该口线通过电阻箱接＋５Ｖ电源，测出该口线对地的电压，从而计算出通过电阻的电流，即灌电流；测出这样的一组数据，得到口线为低电平时的伏安特性曲线。
当测试口线为高电平时的驱动能力时，该口线通过电阻接地，测出该口线对地的电压，从而计算出通过电阻的电流，即拉电流；测出这样的一组数据，得到口线为高电平时的伏安特性曲线。
２、ＡＴ８９Ｃ２０５１、ＧＭＳ９７Ｃ２０５１的Ｐ１．０和Ｐ１．１及ＡＴ８９Ｃ５１的Ｐ０口的８条口线为漏极开路，其输出伏安特性取决于外接的上拉电阻，本实验不包括这些口线。
实验发现，ＧＭＳ９７Ｃ２０５１的Ｐ１口为高电平时能够驱动ＣＭＯＳ和ＬＳＴＴＬ，但驱动能力较差，其输出伏安特性曲线未标在图２中。
３、图中绘出ＬＳＴＴＬ电平的上下限值ＶOL（MAX）＝０．５Ｖ和ＶOH（MIN）＝２．７Ｖ，据此可求出口线的最大扇出Ｎ。
ＡＴ８９Ｃ５１：Ｐ０、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３口线为低电平时，ＮL≤３８，Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３口线为高电平时，ＮH≤１０，取Ｎ＝１０。
ＡＴ８９Ｃ２０５１：Ｐ１、Ｐ３口线为低电平时，ＮL≤９１，Ｐ１、Ｐ３口线为高电平时，ＮH≤９，取Ｎ＝９。
ＧＭＳ９７Ｃ２０５１：Ｐ１、Ｐ３口线为低电平时，ＮL≤５１，Ｐ３口线为高电平时，ＮH≤１７，取Ｎ＝１７。
根据图１、图２及上述说明，可以得出如下结论：1）这几种芯片的Ｉ／Ｏ口线的低电平的驱动能力明显高于高电平的驱动能力；2）ＧＭＳ９７Ｃ２０５１的Ｐ３口作Ｉ／Ｏ口的驱动能力为：Ｎ＝１７，Ｐ１口高电平的驱动能力相对较差，最好不用Ｐ１口高电平作驱动；3）ＡＴ８９Ｃ２０５１的Ｐ１、Ｐ３口做Ｉ／Ｏ口的驱动能力为：Ｎ＝９；4）ＡＴ８９Ｃ５１的Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３口做Ｉ／Ｏ口的驱动能力为：Ｎ＝１０。
单片机输出端口的驱动能力及电流保护措施分析
单片机输出端口的驱动能力及电流保护措施分析随着科技的迅猛发展，单片机作为一种重要的控制器件，被广泛应用于各个领域。
单片机的输出端口承担着控制外部设备工作的重要功能，因此其驱动能力以及电流保护措施的设计非常重要。
本文将深入分析单片机输出端口的驱动能力和电流保护措施。
首先，了解单片机输出端口的驱动能力对于正确设计电路至关重要。
单片机的输出端口是通过数字信号的方式与外部设备进行交互的，在输出高电平和低电平时需要有足够的电流输出能力。
不同型号的单片机输出端口的驱动能力不尽相同，一般都会在其技术手册中有明确的规定。
例如，对于常见的51系列单片机，其IO端口的驱动能力为15mA，而对于STM32系列单片机来说，其IO端口的驱动能力在4mA到20mA之间。
因此，在具体的应用中，需要根据所使用的单片机型号来确定其输出端口的驱动能力。
通常情况下，单片机的输出端口的电流驱动能力较小，如果驱动的负载电流过大，可能会导致输出端口不能正常工作，造成设备系统故障。
为了提高单片机输出端口的驱动能力，在实际应用中，可以通过三种方式进行改善。
第一种方式是通过外接三极管或场效应管等驱动芯片来增加驱动能力。
这些驱动芯片具有较高的电流输出能力，能够满足大功率负载的驱动需求。
第二种方式是采用继电器来进行电流的切换和驱动，继电器具有较大的电流传输能力，因此可以用于驱动负载电流较大的情况。
但继电器的体积较大、功耗较高，使用时需要充分考虑其自身的特点和限制。
第三种方式是通过模拟输出方式进行电流的驱动，即通过PWM（脉宽调制）信号控制外部电路中的电流大小。
在这种方式下，单片机输出的是一个周期为T的方波信号，通过控制方波的占空比，从而控制外部负载电流的大小。
这种方式具有良好的驱动能力，适用于对输出电流精度要求较高的应用场景。
除了驱动能力，单片机输出端口的电流保护措施也是设计中需要重视的方面。
输出端口电流的过大或过小都可能导致系统故障，因此需要采取相应的保护措施来避免这些问题的发生。
51单片机IO引脚IO口工作原理
51单片机IO引脚IO口工作原理一、IO引脚的基本特性1.输入与输出：IO引脚可以配置为输入（接收外部信号）或输出（发送信号到外部设备）。
2. 高低电平：IO引脚可以输出高电平（通常为Vcc电压）或低电平（通常为接地GND电压）。
3.上拉与下拉：IO引脚可以通过上拉电阻或下拉电阻实现电平的稳定。
4. 悬空状态：未配置输入的IO引脚可能处于悬空状态（floating），容易受到噪声的干扰。
二、IO口的工作原理1.寄存器配置：通过对相应的寄存器进行配置，可以选择IO引脚的工作模式（输入或输出）、电平（高或低）、上拉或下拉等。
2.IO端口的控制：通过对控制寄存器进行设置，可以使IO引脚产生相应的电平信号，控制外部设备的操作。
3.输入输出驱动能力：IO引脚的输出能力决定了其能够驱动的外部设备的负载能力。
对于较重的负载，需要考虑使用缓冲电路或者外部驱动芯片。
三、IO口的配置与操作1.选择IO引脚功能：通过寄存器配置，将IO引脚配置为输入模式（将输入电平传递给芯片内部）或输出模式（将芯片内部的电平输出到外部设备）。
2.设置电平状态：对于输出模式的引脚，可以通过寄存器来设置输出电平的状态，使其输出高电平或低电平。
3.上拉与下拉电阻：通过配置相关寄存器，可以启用上拉电阻（使引脚在悬空状态时拉高到高电平）或下拉电阻（使引脚在悬空状态时拉低到低电平）。
四、IO端口的应用1.输入：将外部设备的信号输入到IO引脚，通过编程来实现对信号的判断和处理。
例如，读取按键的状态、读取传感器的数据等。
2.输出：将芯片内部产生的信号输出到外部设备，用于控制和驱动外部设备的操作。
例如，控制LED灯的亮灭、控制继电器的开关等。
3.通信：通过IO引脚与其他设备（例如外围设备、传感器、通信模块等）进行通信。
4.扩展IO口：通过外部的IO扩展芯片或者接口芯片，可以扩展更多的IO口。
总结：51单片机的IO口是其与外部设备通信的接口，通过配置相关寄存器来选择引脚的工作模式、电平和电阻状态。
51单片机P0口的驱动能力
转---MCS-51单片机P0口扩展技术研究---关于51单片机P0口的驱动能力51单片机的并行口有P0、P1、P2和P3，由于P0口是地址／数据总线口，P2口是高8位地址线，P3口具有第二功能，这样，真正可以作为双向I／O口应用的就只有P1口了。
这在大多数应用中是不够的，因此，大部分MCS-51单片机应用系统设计都不可避免的需要对P0口进行扩展。
由于MCS-51单片机的外部RAM和I／O口是统一编址的，因此，可以把单片机外部64K字节RAM空间的一部分作为扩展外围I／O口的地址空间。
这样，单片机就可以像访问外部RAM存储器单元那样访问外部的P0口接口芯片，以对P0口进行读／写操作。
用于P0口扩展的专用芯片很多。
如8255可编程并行P0口扩展芯片、8155可编程并行P0口扩展芯片等。
本文重点介绍采用具有三态缓冲的74HC244芯片和输出带锁存的74HC377芯片对P0口进行的并行扩展的具体方法。
1 输入接口的扩展MCS-51单片机的数据总线是一种公用总线，不能被独占使用，这就要求接在上面的芯片必须具备“三态”功能，因此扩展输入接口实际上就是要找一个能够用于控制且具备三态输出的芯片。
以便在输入设备被选通时，它能使输入设备的数据线和单片机的数据总线直接接通；而当输入设备没有被选通时，它又能隔离数据源和数据总线(即三态缓冲器为高阻抗状态)。
1.1 74HC2244芯片的功能如果输入的数据可以保持比较长的时间(比如键盘)，简单输入接口扩展通常使用的典型芯片为74HC244，由该芯片可构成三态数据缓冲器。
74HC244芯片的引脚排列如图1所示。
74HC244芯片内部共有两个四位三态缓冲器，使用时可分别以1C和2G作为它们的选通工作信号。
当1C和2G都为低电平时，输出端Y和输入端A状态相同；当1G和2G 都为高电平时，输出呈高阻态。
1.2 应用74HC244芯片扩展输入接口图2是采用74HC2244芯片进行输入接口扩展的原理电路，图3是读P0口的时序。
很全的51单片机IO端口详解(带图)
80C51的I/O端口结构及应用特性一，I/O端口的结构1，锁存器加引脚的典型结构80C51的I/O端口都有内部总线实现操作控制。
P0-P3四个I/O 口都可以做普通I/O口，因此，要求具有输出锁存功能。
内部总线有事分时操作，因此每个I/O端口都有相应的锁存器。
然而I/O端口又是外部的输入/输出通道，必须有相应的引脚，故形成了I/O端口的锁存器加引脚的典型结构。
2，I/O口的复用功能（1）I/O口的总线复用。
80C51在使用并行总线扩展时，P0口可作为数据总线口和低8位地址总线口，这是，P0为三态双向口。
P0口输出总线的地址数据信号，P2口输出高8位地址信号。
（2）I/O口的功能复用。
I/O口的P3为功能复用的I/O端口。
端口有复用输出的控制端；引脚也有复用输入的控制端。
3，准双向结构P0,P1,P2,P3口做普通I/O口使用时，都是准双向口结构。
准双向口的典型结构见P1口位结构图。
准双向口的输入操作和输出操作本质不同，输入操作时读引脚状态；输出操作时对口锁存器的写入操作。
有口锁存器和引脚电路可知：当有内部总线对只1或只0时，锁存器的0、1状态立即反应到引脚上。
但是输入操作（读引脚）时，如果口锁存器的状态为0，引脚被嵌位在0状态，导致无法读出引脚的高电平输入。
二，I/O端口的应用特性1，引脚的自动识别。
无论P0，P2口的总线复用，还是P3口的功能复用，内部资源会自动选择，不需要通过指令的状态选择。
2，口锁存器的读、该、写操作。
许多涉及到I/O端口的操作，只是涉及口锁存器的读出、修改、写入的操作。
这些指令都是一些逻辑运算指令、置位/清除指令、条件转移指令以及将I/O口作为目的地址的操作指令。
3，读引脚的操作指令。
如果某个I/O口被指定为源操作数，则为读引脚的操作指令。
例如，执行MOV A,P1时，P1口的引脚状态传送到累加器中，执行MOV P1，A是，指令则将累加器的内容传送到P1口锁存器中。
4，准双向口的使用。
关于51单片机IO引脚驱动能力
单片机的引脚，可以用程序来控制，输出高、低电平，这些可算是单片机的输出电压。
但是，程序控制不了单片机的输出电流。
单片机的输出电流，很大程度上是取决于引脚上的外接器件。
单片机输出低电平时，将允许外部器件，向单片机引脚内灌入电流，这个电流，称为“灌电流”，外部电路称为“灌电流负载”；单片机输出高电平时，则允许外部器件，从单片机的引脚，拉出电流，这个电流，称为“拉电流”，外部电路称为“拉电流负载”。
这些电流一般是多少？最大限度是多少？这就是常见的单片机输出驱动能力的问题。
早期的51系列单片机的带负载能力，是很小的，仅仅用“能带动多少个TTL输入端”来说明的。
P1、P2和P3口，每个引脚可以都带动3个TTL输入端，只有P0口的能力强，它可以带动8个！分析一下TTL的输入特性，就可以发现，51单片机基本上就没有什么驱动能力。
TTL输入基极的电流很小（一般为微安级的10uA-100uA）。
它的引脚，甚至不能带动当时的LED进行正常发光。
（其工作电流一般为几个毫安到十几个毫安）。
记得是在AT89C51单片机流行起来之后，做而论道才发现：单片机引脚的能力大为增强，可以直接带动LED发光了。
看看下图，图中的D1、D2就可以不经其它驱动器件，直接由单片机的引脚控制发光显示。
虽然引脚已经可以直接驱动LED发光，但是且慢，先别太高兴，还是看看AT89C51单片机引脚的输出能力吧。
从AT89C51单片机的PDF手册文件中可以看到，稳态输出时，“灌电流”的上限为：Maximum IOL per port pin:10mA;Maximum IOL per8-bit port:Port0:26mA,Ports1,2,3:15mA;Maximum total I for all output pins:71mA.这里是说：每个单个的引脚，输出低电平的时候，允许外部电路，向引脚灌入的最大电流为10mA；每个8位的接口（P1、P2以及P3），允许向引脚灌入的总电流最大为15mA，而P0的能力强一些，允许向引脚灌入的最大总电流为26mA；全部的四个接口所允许的灌电流之和，最大为71mA。
MCS-51单片机IO口详解
单片机IO口结构及上拉电阻MCS-51有4组8位I/O口：P0、P1、P2和P3口，P1、P2和P3为准双向口，P0口则为双向三态输入输出口，下面我们分别介绍这几个口线。
一、P0口和P2口图1和图2为P0口和P2口其中一位的电路图。
由图可见，电路中包含一个数据输出锁存器（D触发器）和两个三态数据输入缓冲器，另外还有一个数据输出的驱动（T1和T2）和控制电路。
这两组口线用来作为CPU与外部数据存储器、外部程序存储器和I/O扩展口，而不能象P1、P3直接用作输出口。
它们一起可以作为外部地址总线，P0口身兼两职，既可作为地址总线，也可作为数据总线。
图1 单片机P0口内部一位结构图图2 单片机P0口内部一位结构图P2口作为外部数据存储器或程序存储器的地址总线的高8位输出口AB8-AB15，P0口由ALE选通作为地址总线的低8位输出口AB0-AB7。
外部的程序存储器由PSEN信号选通，数据存储器则由WR和RD读写信号选通，因为2^16=64k，所以MCS-51最大可外接64kB的程序存储器和数据存储器。
二、P1口图3为P1口其中一位的电路图，P1口为8位准双向口，每一位均可单独定义为输入或输出口，当作为输入口时，1写入锁存器，Q(非)=0，T2截止，内上拉电阻将电位拉至"1"，此时该口输出为1，当0写入锁存器，Q(非)=1,T2导通，输出则为0。
图3 单片机P2口内部一位结构图作为输入口时，锁存器置1，Q(非)=0，T2截止，此时该位既可以把外部电路拉成低电平，也可由内部上拉电阻拉成高电平，正因为这个原因，所以P1口常称为准双向口。
需要说明的是，作为输入口使用时，有两种情况:1.首先是读锁存器的内容，进行处理后再写到锁存器中，这种操作即读—修改—写操作，象JBC(逻辑判断)、CPL(取反)、INC(递增)、DEC(递减)、ANL(与逻辑)和ORL(逻辑或)指令均属于这类操作。
2.读P1口线状态时，打开三态门G2,将外部状态读入CPU。
单片机IO口的驱动能力
单片机的IO是有驱动能力限制的，特别是输出为高电平的时候，是有限制的。
我们来看单片机的IO口在输出时电路结构：
通过等效我们可以做出如下的模型
因此我们通过测试可得到每个IO口的输出能力，上拉或下拉电阻实际包括两部分组成，实际上拉/下拉电阻+Mos管的Rdson。
如果超过了这个电流，负载电路再减小的时候，输出电压就会持续的降低。
因此我们在实际输出接口要考虑不同芯片的电压和输入和输出的能力，根据实际的计算来考虑设置模式或者限制电流。
以上测试都是在负载电容50pf左右的时候。
在驱动容性负载的时候，由于初始充电电流比较大，因此波形可能变得很缓。
因此随着负载容性的增大，信号变得越缓，但容性超过一定程度的时候，IO口的电流不注意承担的时候，
就很容易出现问题。
我们在设计单片机输出的时候，一定要注意IO口的输出能力和输出电平是否可以接受，其次是负载类型会不会造成信号不良或对IO口本身造成伤害。
前面博文中有提到，IO直接接地的问题就是源于IO内部可能存在内部上拉，（51系列P1，P2，P3做输出口都是内部上拉），如果程序紊乱，寄存器设置为高电平，就会出现电流猛增，造成单片机的损坏，但这不是一定的，属于设计风险。
51单片机IO口驱动能力
单片机输出低电平的时候，单个的引脚，向引脚灌入的最大电流为 10 mA;一个 8 位的接口(P1、P2 以及 P3)，灌入的总电流最大为 15 mA，P0 允许灌入的最大总电流为 26 mA;全部的四个接口所允许的灌电流之和，最大为 71 mA。
但是当引脚输出高电平的时候，它们的“拉电流”能力可就差多了，竟然还不到 1 mA。
为了合理利用IO引脚的低电平能力强的特点，在外接耗电较大的器件(如LED数码显示器、继电器等)的时候，应该优先选用低电平输出来驱动外部器件。
使用IO口输出高电平驱动负载，就是一个错误的选择。
下图是一个直接利用单片机IO引脚驱动LED的电路。
图中P0口使用低电平驱动方式，只要加上约1K的限流电阻即可，甚至不需要常见的P0口上拉电阻。
发光的段，每个引脚灌电流约为3mA，不发光的段，电流为0。
即使各个段全都发光，电流也不超过P0所容许的电流，这是一个合理的驱动方式。
图中P3口使用了高电平驱动方式，这就必须加上上拉电阻来帮助IO接口输出电流。
电阻也采用了1K，发光的段，LED上的电流约为3mA，不发光的段，电流则为5mA，灌入了单片机的IO引脚。
单片机输出低电平的时候，LED不亮，此时VCC通过上拉电阻把电流全部灌进单片机IO口，并且电流是5mA，单片机输出高电平的时候，VCC通过上拉电阻将电流注入到LED中，led亮。
注意到了吗？LED 不发光的时候，上拉电阻给的电流全部灌入单片机的引脚了！如果在一个 8 位的接口，安装了 8 个 1k 的上拉电阻，当单片机都输出低电平的时候，就有 40mA 的电流灌入这个 8 位的接口！如果四个 8 位接口，都加上 1k 的上拉电阻，最大有可能出现32 × 5 = 160mA 的电流，都流入到单片机中！这个数值已经超过了单片机手册上给出的上限。
此时单片机就会出现工作不稳定的现象。
而且这些电流，都是在负载处于无效的状态下出现的，它们都是完全没有用处的电流，只是产生发热、耗电大、电池消耗快...等后果。
51单片机IO端口的四种输入输出模式知识讲解
51单片机I O端口的四种输入输出模式51单片机IO端口的四种输入输出模式 (by wuleisly)单片机I O口的使用对所有单片机玩家来说都是“家常便饭”，但是你真的了解I O口吗？你真的能按你的需要配置I O口吗？一、准双向口输出准双向口输出类型可用作输出和输入功能而不需重新配置口线输出状态。
这是因为当口线输出为1时驱动能力很弱，允许外部装置将其拉低。
当引脚输出为低时，它的驱动能力很强，可吸收相当大的电流。
（准双向口有3个上拉晶体管适应不同的需要）准双向口读外部状态前,要先锁存为‘1’,才可读到外部正确的状态.二、强推挽输出推挽输出配置的下拉结构与开漏输出以及准双向口的下拉结构相同，但当锁存器为1时提供持续的强上拉。
推挽模式一般用于需要更大驱动电流的情况。
三、仅为输入（高阻）输入口带有一个施密特触发输入以及一个干扰抑制电路。
四、开漏输出配置(若外加上拉电阻，也可读)当口线锁存器为0时，开漏输出关闭所有上拉晶体管。
当作为一个逻辑输出时，这种配置方式必须有外部上拉，一般通过电阻外接到V cc。
如果外部有上拉电阻，开漏的I/O口还可读外部状态，即此时被配置为开漏模式的I/O口还可作为输入I/O口。
这种方式的下拉与准双向口相同。
开漏端口带有一个施密特触发输入以及一个干扰抑制电路。
关于I/O口应用注意事项：1.有些是I/O口由低变高读外部状态时,读不对,实际没有损坏,软件处理一下即可。
因为1T的8051单片机速度太快了,软件执行由低变高指令后立即读外部状态,此时由于实际输出还没有变高,就有可能读不对,正确的方法是在软件设置由低变高后加1到2个空操作指令延时,再读就对了.有些实际没有损坏,加上拉电阻就O K了有些是外围接的是NP N三极管,没有加上拉电阻,其实基极串多大电阻,I/O口就应该上拉多大的电阻,或者将该I/O口设置为强推挽输出. 2.驱动L E D发光二极管没有加限流电阻,建议加1K以上的限流电阻,至少也要加470欧姆以上做行列矩阵按键扫描电路时,实际工作时没有加限流电阻,实际工作时可能出现2个I/O口均输出为低,并且在按键按下时,短接在一起,我们知道一个C MO S电路的2个输出脚不应该直接短接在一起,按键扫描电路中,此时一个口为了读另外一个口的状态,必须先置高才能读另外一个口的状态,而8051单?片机的弱上拉口在由0变为1时,会有2时钟的强推挽高输出电流输出到另外一个输出为低的I/O口,就有可能造成I/O口损坏.建议在其中的一侧加1K限流电阻,或者在软件处理上,不要出现按键两端的I/O口同时为低.一种典型三极管控制电路:如果用弱上拉控制，建议加上拉电阻R1(3.3K～10K)，如果不加上拉电阻R1(3.3K～10 K)，建议R2的值在15K以上，或用强推挽输出。
51单片机端口驱动能力详解
单片机输出低电平时，将允许外部器件，向单片机引脚内灌入电流，这个电流，称为“灌电流”，外部电路称为“灌电流负载”；单片机输出高电平时，则允许外部器件，从单片机的引脚，拉出电流，这个电流，称为“拉电流”，外部电路称为“拉电流负载”。
这些电流一般是多少？最大限度是多少？这就是常见的单片机输出驱动能力的问题。
早期的 51 系列单片机的带负载能力，是很小的，仅仅用“能带动多少个 TTL 输入端”来说明的。
P1、P2 和 P3口，每个引脚可以都带动 3 个 TTL 输入端，只有 P0 口的能力强，它可以带动 8 个！分析一下 TTL 的输入特性，就可以发现，51 单片机基本上就没有什么驱动能力。
它的引脚，甚至不能带动当时的 LED 进行正常发光。
记得是在 AT89C51 单片机流行起来之后，做而论道才发现：单片机引脚的能力大为增强，可以直接带动 LED 发光了。
看看下图，图中的 D1、D2 就可以不经其它驱动器件，直接由单片机的引脚控制发光显示。
虽然引脚已经可以直接驱动 LED 发光，但是且慢，先别太高兴，还是看看 AT89C51 单片机引脚的输出能力吧。
从 AT89C51 单片机的 PDF 手册文件中可以看到，稳态输出时，“灌电流”的上限为：Maximum IOL per port pin: 10 mA;Maximum IOL per 8-bit port ort 0: 26 mA,Ports 1, 2, 3: 15 mA;Maximum total I for all output pins: 71 mA.这里是说：每个单个的引脚，输出低电平的时候，允许外部电路，向引脚灌入的最大电流为 10 mA；每个 8 位的接口（P1、P2 以及 P3），允许向引脚灌入的总电流最大为 15 mA，而 P0 的能力强一些，允许向引脚灌入的最大总电流为 26 mA；全部的四个接口所允许的灌电流之和，最大为 71 mA。
MCS-51系列单片机的基本IO口.
MCS-51单片机P3口的第二功能
引脚 P3.0 P3.1 P3.2 第二功能 RXD(串行口输入) TXD(串行口输出) INT0(外部中断0输入)
P3.3
P3.4 P3.5 P3.6 P3.7
INT1(外部中断1输入)
P1可以驱动4个标准的TTL负载电路； 注意在P1口作为通用的I/O口使用时，在从I/O端口读入数据时，应该首 先向相应的I/O口内部锁存器写“1”。 举例：从P1口的低四位输入数据 MOV MOV P1,#00001111b ;;先给P1口底四位写1 A,P1 ;;再读P1口的底四位
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并行输入和输出端口P2
P2 口作为通用 I/O 时，准 双向输入输出端口。 P2口作为高8位地址总线 ，AB8-AB15。
P2 口与 P0 一起构成单片 机与外电路相连接的扩展端 口。通常可以用来扩展存储 器、及与其它总线型连接方 式的外设。
P2可以驱动4个标准的TTL 负载电路。
· P3.6外部数据存储器写选通(WR)
· P3.7外部数据存储器读选通(RD)
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P3口电路中包含有一个数据输出锁存器、两个三态数据输入 缓冲器、一个数据输出的驱动电路和一个输出控制电路。 P3口的功能和驱动能力 P3口可以作为通用的I/O口使用； 可以作为单片机系统的第二功能的输入和输出。 P3口可以驱动4个标准的TTL负载电路。 注意在P3口的使用时，首先要考虑第二功能的要求。 初学者可能对P3口的第二功能的用法有些疑惑，在他们看：
并行输入和输出端口P3
P3 口作为通用 I/O 时，为准双向输入输出 端口。 P3口的第二功能。 · P3.0 串行输入口(RXD) · P3.1 串行输出口(TXD) · P3.2外中断0(INT0) · P3.3外中断1(INT1) · P3.4定时/计数器0的外部输入口(T0) · P3.5定时/计数器1的外部输入口(T1)
STC51单片机的IO配置问题解决方案
STC51单片机的IO配置问题解决方案我们人类可以通过连接手脚上神经网络，肌腱，控制着我们的肌肉做出各种动作，完成各种造型。
那单片机里的肌腱和神经就是今天我们要讲的主角----单片机的IO 口。
我们学习单片机，到底学什么呢？最终落脚点，就是落在单片机的IO口上，其实最终就是操作单片机的IO口，什么串口通讯，IIC通信协议，中断，定时器，最终在单片机上体现出来的还是我们对单片机IO口的操作。
既然那么重要，今天我们就来好好的说一说单片机的IO口。
说起单片机的IO口，大家肯定会笑话小编，这么简单的东西，还要你说。
对，它是简单，看遍你是个人写的单片机教程，最开始讲编程就是从操作单片机IO口开始，都是从点亮一个LED灯开始，是的点亮一个LED灯，就是对单片机IO的最简单的操作，要么给高电平，要么给低电平，这也是操作IO的唯一的两个方法。
怎么说？举个例子：要在某个IO上输出PWM信号，其实就是有规律的在这个IO上交替的给高低电平，给的速度快慢决定了PWM信号的频率，给的高电平的时间所占一个高低电平周期的多少，决定了这个PWM信号的占空比。
这么一说，高大上的PWM信号是不是就简单多了。
说了这么多，下面我们具体来说STC51单的IO的配置和各个模式的区别。
·正·文·来·啦·STC的51单片机为了更多更能的使用和运用于不同场合，STC51单片机设计了4中IO口模式，分别是：准双向IO口模式、推挽输出模式、高阻输入模式和开漏输出模式。
每个IO口的模式配置，需要两个寄存器结合起来进行设置。
这两个寄存器分别是PnM1和PnM0,（在STC8系列芯片中n=0,1,2,3,4,5,6,7），以P0口为例，配置P0口需要P0M1和P0M0两个寄存器进行配置，具体如下图：即P0M1寄存器的第0位和P0M0寄存器的第0位组合起来配置P0.0位的模式，P0M1寄存器的第1位和P0M0寄存器的第1位组合起来配置P0.1位的模式，P0口的其他位以此。
单片机IO口驱动能力
单片机IO口驱动能力2010-12-03 15:27驱动当逻辑门输出端是低电平时，灌入逻辑门的电流称为灌电流，灌电流越大，输出端的低电平就越高。
由三极管输出特性曲线也可以看出，灌电流越大，饱和压降越大，低电平越大。
逻辑门的低电平是有一定限制的，它有一个最大值UOLMAX。
在逻辑门工作时，不允许超过这个数值，TTL逻辑门的规范规定UOLMAX≤0.4～0.5V。
当逻辑门输出端是高电平时，逻辑门输出端的电流是从逻辑门中流出，这个电流称为拉电流。
拉电流越大，输出端的高电平就越低。
这是因为输出级三极管是有内阻的，内阻上的电压降会使输出电压下降。
拉电流越大，高电平越低。
逻辑门的高电平是有一定限制的，它有一个最小值UOHMIN。
在逻辑门工作时，不允许超过这个数值，TTL逻辑门的规范规定UOHMIN≥2.4V。
由于高电平输入电流很小，在微安级，一般可以不必考虑，低电平电流较大，在毫安级。
所以，往往低电平的灌电流不超标就不会有问题，用扇出系数来说明逻辑门来同类门的能力。
扇出系数NO是描述集成电路带负载能力的参数，它的定义式如下NO= IOLMAX / IILMAX其中IOLMAX为最大允许灌电流，IILMAX是一个负载门灌入本级的电流。
No越大，说明门的负载能力越强。
一般产品规定要求No≥8。
对于标准TTL门，NO≥10；对于低功耗肖特基系列的TTL门，NO≥20扇入、扇出系数：扇入系数--门电路允许的输入端数目。
一般门电路的扇入系数Nr为1—5，最多不超过8。
若芯片输入端数多于实际要求的数目，可将芯片多余输入端接高电平(+5V)或接低电平(GND)。
扇出系数--一个门的输出端所驱动同类型门的个数，或称负载能力。
一般门电路的扇出系数Nc为8，驱动器的扇出系数Nc可达25。
Nc体现了门电路的负载能力。
对于输入电流的器件而言：灌入电流和吸收电流都是输入的，灌入电流是被动的，吸收电流是主动的。
如果外部电流通过芯片引脚向芯片内‘流入’称为灌电流；反之如果内部电流通过芯片引脚从芯片内‘流出’称为拉电流。
MCS-51单片机IO口详解
MCS-51单片机IO口详解单片机I O口结构及上拉电阻MCS-51有4组8位I/O口：P0、P1、P2和P3口，P1、P2和P3为准双向口，P0口则为双向三态输入输出口，下面我们分别介绍这几个口线。
一、P0口和P2口图1和图2为P0口和P2口其中一位的电路图。
由图可见，电路中包含一个数据输出锁存器（D触发器）和两个三态数据输入缓冲器，另外还有一个数据输出的驱动（T1和T2）和控制电路。
这两组口线用来作为CPU与外部数据存储器、外部程序存储器和I/O扩展口，而不能象P1、P3直接用作输出口。
它们一起可以作为外部地址总线，P0口身兼两职，既可作为地址总线，也可作为数据总线。
图1单片机P0口内部一位结构图图2 单片机P0口内部一位结构图P2口作为外部数据存储器或程序存储器的地址总线的高8位输出口AB8-AB15，P0口由ALE 选通作为地址总线的低8位输出口AB0-AB7。
外部的程序存储器由PSEN信号选通，数据存储器则由WR和RD 读写信号选通，因为2^16=64k，所以MCS-51最大可外接64kB的程序存储器和数据存储器。
二、P1口图3为P1口其中一位的电路图，P1口为8位准双向口，每一位均可单独定义为输入或输出口，当作为输入口时，1写入锁存器，Q(非)=0，T2截止，内上拉电阻将电位拉至"1"，此时该口输出为1，当0写入锁存器，Q(非)=1,T2导通，输出则为0。
Newbuff图3 单片机P2口内部一位结构图作为输入口时，锁存器置1，Q(非)=0，T2截止，此时该位既可以把外部电路拉成低电平，也可由内部上拉电阻拉成高电平，正因为这个原因，所以P1口常称为准双向口。
需要说明的是，作为输入口使用时，有两种情况:1.首先是读锁存器的内容，进行处理后再写到锁存器中，这种操作即读—修改—写操作，象JBC(逻辑判断)、CPL(取反)、INC(递增)、DEC(递减)、ANL(与逻辑)和ORL(逻辑或)指令均属于这类操作。
单片机I_O驱动能力介绍
关于驱动能力的基本问题我一直都不明白驱动是什么.一般的说驱动一个负载,我想只要你的电压达到了一个阈值,那么就可以驱动这个负载啊,为什么有时候又说驱动能力不够了?为什么说一个没有输出缓冲的op是驱动不了小电阻和大电容负载的了?我直接在这个op后面接个大电容或者一个小电阻负载有什么影响了?当我用运放驱动一个大的mos管的时候为什么要级连几个反向器了,我直接把运放的输出接在这个大mos管上面不行吗?-----------------------------------楼主这个问题提得好，我以我自己的理解来试图做个解答。
首先，所谓的驱动能力，指的是输出电流的能力。
比方说，某型单片机通用IO口在高电平时的最大输出电流是20mA，这个20mA的指标，就表征了该IO口的驱动能力。
其次，如果负载过大（就像楼主所说的小电阻），则负载电流有可能超过其最大输出电流，这时我们说驱动能力不足。
再次，出现驱动能力不足，直接后果是输出电压下降，对逻辑电路来说，就是无法保持其高电平，以致出现逻辑混乱，不能实现预期的效果。
这种现象一般是不允许出现的。
------------------------------------因为mos管是有内阻的,每个mos管可以提供的最大电流是有限的.小的mos管提供小电流,大mos管可以提供大电流.楼主问题中说"我想只要你的电压达到了一个阈值,那么就可以驱动这个负载啊", 关键是当负载太大(即电阻太小,电容太大),超出了输出管的驱动能力时,输出的电压就会被拉下来,达不到gnd-vdd的变化范围.极限情况:r无限小,c无限大(gnd),那输出就没有信号变化了!关于51单片机P0口的驱动能力P0是个漏极开路接口,让它工作在灌电流状态下驱动LED是没有问题的.即:VCC>限流电阻>LED>P0.灌电流：IO口为低电平的时候,电流从IO口外面"灌"进单片机相反的就是 "拉电流" IO口为高电平的时候,电流从单片机流出去给负载供电。
51单片机io口的用法
51单片机io口的用法51单片机是一种经典的单片机系列，广泛应用于各种嵌入式系统中。
其IO口是单片机最基本的输入输出功能，可以用来连接外部设备和实现与外界的交互。
本文将介绍51单片机IO口的用法，并提供相关参考内容，帮助读者更好地理解和应用。
一、51单片机IO口简介51单片机的IO口是通过P0、P1、P2、P3四个寄存器来控制的。
其中P0口为8位双向I/O口，P1、P2、P3口为8位I/O 口，可以通过配置将其设置为输入（IN）或输出（OUT）模式。
在51单片机中，IO口的状态（高电平或低电平）决定了其在电路中的功能。
二、IO口的输入模式通过将IO口设置为输入模式，可以实现对外部信号的读取。
以下是51单片机IO口输入模式的几种常见应用：1. 按键输入：通过将IO口与按键连接，读取按键的状态（按下或松开）。
2. 传感器输入：通过将IO口与传感器连接，读取传感器的输出信号，如光线强度、温度等。
3. 外部信号输入：通过将IO口与其他设备连接，读取外部设备的状态或数据。
在使用IO口作为输入时，需要设置对应端口的引脚为输入模式，并读取相应寄存器的值进行判断。
三、IO口的输出模式通过将IO口设置为输出模式，可以实现对外部设备的控制。
以下是51单片机IO口输出模式的几种常见应用：1. LED显示：通过将IO口与LED连接，控制LED的闪烁、亮灭。
2. 电机驱动：通过将IO口与电机驱动芯片连接，控制电机的转动方向、速度。
3. 继电器控制：通过将IO口与继电器连接，控制继电器的开关状态。
在使用IO口作为输出时，需要设置对应端口的引脚为输出模式，并将相应寄存器的值设置为高电平或低电平。
四、IO口的控制方法有两种常见的方式可以控制51单片机的IO口：位操作和寄存器读写。
1. 位操作：通过对相应寄存器的位进行操作来控制IO口的状态。
例如，要将P1口的第0位设置为高电平，可以使用以下代码：P1_0 = 1;要将P1口的第1位设置为低电平，可以使用以下代码：P1_1 = 0;2. 寄存器读写：通过读写相应寄存器的值来控制IO口的状态。
51手记之标准51(二)
51手记之标准51(二)51 手记之标准51---I/O 口有4 组8 位I/O 口：P0、P1、P2、P3 P0 为双向三态输入输出口，P1、P2、P3 为准双向口，P0 的驱动能力是单个其余口的两倍！外扩数据RAM 时，P0 口可作数据/地址总线，P2 口作地址总线的高8 位51 的基础是8031，8031 的I/O 口只有P1 口！双向三态I/O 口：口线内无固定上拉电阻，由两个MOS 管串接，既可开漏输出，又可处于高阻的浮空状态，故称为双向三态I/O 口。
P0 口是双向指的是它被用作地址／数据端口时，只有在这个时候，P0 口才处于两个开关管推挽状态，当两个开关管都关闭时，才会出现高阻状态．当P0 口用于一般I/O 口时，内部接Vcc 的那个开关管是与引脚（端口）脱离联系的，这个时候，只有拉地的那个开关管其作用，P0 口作为输出，是必须外接上拉电阻的，不然就无法输出高电平；如果P0 口作为输入，则必须先对端口写１，使拉地的开关管断开，这个时候，如果不接上拉电阻，则是高阻状态，就是一个双向口，如果接上拉电阻，则本身输出高电平，对输入信号的逻辑无影响（注意是对逻辑无影响，对实际参数有无影响我不确定，但是我认为是有的）．准双向I/O 口：各口线在片内均有固定的上拉电阻，当这三个准双向I/O 口作输入口使用时，要向该口先写1，另外准双向I/O 口无高阻的浮空状态。
双向与准双向，根本原则是双向包含了高阻这个状态，而不在于是否需要先写１或者不写，P1~P3 口因为有内部上拉电阻，因此无论如何不是双向；P０口内部无上拉电阻，在处于数据／地址功能时，自动完成３态的转换，是双向，处于一般I/O 口时，如果不接外部上拉，而且先向端口写了１，那么就处于高阻状态，此时，它也是一个人为的双向口，这与它处于地址／数据功能时的自动双向有区别，以及与P1~P3 处于输入时输出锁存器为1 是有区别的跟I2C 总线上那种漏极开路或者集电极开路结构差不多. 通过上拉电。
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人生的意义在于进化299792458 / 40075704 = 7.473162011-09-22 18:4751单片机IO端口的驱动能力单片机输出驱动分为高电平驱动和低电平驱动两种方式，所谓高电平驱动，就是端口输出高电平时的驱动能力，所谓低电平驱动，就是端口输出低电平时的驱动能力，当单片机输出高电平时，其驱动能力实际上是端口的上拉电阻来驱动的，实际测试表明，51单片机的上拉电阻的阻值在330K左右，也就是说如果高电平驱动，本质上就是330K的上拉电阻来提供电流的，当然该电流是非常小的，小的甚至连发光二极管也难以点亮，如果要保证LED正常发光，必须要外接一个1K左右的上拉电阻，如果是一个led还好，要是10个、20个led的话，就要接10个、20个1K的上拉电阻，接电阻的本身是可以的，问题是接了上拉电阻以后，每当端口变为低电平0的时候，那么就有10个、20个上拉电阻被无用的导通，假设每个电阻的电流为5mA计算，20个电阻就是100mA，这将造成电源效率的严重下降，导致发热，纹波增大，以至于造成单片机工作不稳，因此很少有采用高电平直接驱动led的，高电平驱动led实际上就是共阴。
低电平驱动就不同了，端口为低电平0时，端口内部的开关管导通，可以驱动高达30多毫安的驱动电流，可以直接驱动led等负载，当端口为低电平0时，尽管内部的上拉电阻也是消耗电流的，但是由于内部的上拉电阻很大，有330K，因此消耗电流极小，基本上不会影响电源效率，不会造成无用功的大量消耗。
因此51单片机是不能用高电平直接驱动led的，只能用低电平直接驱动led，即只能用共阳数码管，而不能直接用共阴数码管。
youki12345 ( /thread-160467-1-1.html )在51单片机系列中，现在生产厂家很多，兼容型号也很多。
不同厂家生产的单片机P1口的驱动能力是不同的。
下面仅举最常用的3种单片机为例，谈谈驱动能力。
先说说LS型TTL负载。
LS型TTL负载是指单片机端口所接负载是74LS 系列的数字芯片。
以TI公司的74LS00芯片为例，其输入端接高电平时，输入电流为20μA，输入端接低电平时，输入电流是-0.4mA。
因此，单片机端口输出高电平时，每个LS型的输入端将是20μA的拉电流型负载；输出低电平时，将是0.4mA的灌电流负载。
1. 标准的Intel8051单片机：其P0口是一个漏极开路的准双向口，驱动能力是8个LS型TTL负载。
楼上3楼说“51单片机P1口只是准双向口，内部没有上拉的。
（上拉的概念只是对于I/O的输入来说，对于输出来说，无所谓上拉，下拉的）。
”，其实并不对。
不对之处有两点：①没有上拉的是P0口，而不是P1口。
P1口是有上拉的。
② 没有上拉（即漏极开路）其实只对输出有影响，以致只能输出低电平，不能输出高电平，而不妨碍高低电平的输入。
因此对P0口来说，输出为高电平时，其输出电流为0，必须外接上拉电阻才能输出高电平；输出低电平时，允许灌入电流为0.4mA×8=3.2mA。
而P1、P2、P3口都是有上拉的准双向口，带负载能力为4个LS型TTL门，因此，高电平输出电流为20μA×4=80μA，低电平允许灌入电流为0.4mA×4=1.6mA。
输出高低电平的带负载能力都很差，因此应该接入4.7k~10k左右的上拉电阻。
2. AT89系列单片机：因为输出电流会影响输出电压，所以参数表中是结合输出电压来提供输出电流能力的。
AT89C51和AT89S51允许的高电平输出电流为：输出电压为3.7V时，电流为25μA；允许的低电平输出电流（实际为灌入电流）为：输出电压为0.45V时，电流为-1.6mA。
AT89系列单片机中有一个另类，输出电流特别大，那就是AT89C2051，允许20mA的灌电流输入，但高电平输出电流也只有30μA。
3. STC89系列单片机：晶宏科技的STC89系列单片机现在应用的人很多。
由于至今没有见到正规的Datasheet，只能从它的简介上得知：通用I/O 口（36/40 个），复位后为：准双向口/ 弱上拉（普通8051 传统I/O 口）可设置成四种模式：准双向口/ 弱上拉，推挽/ 强上拉，仅为输入/ 高阻，开漏每个I/O 口驱动能力均可达到20mA，44/40 管脚的IC 建议整个芯片不要超过100mA，20/18/16 管脚的IC 建议整个芯片不要超过60mA。
由此可见，晶宏的STC89系列带负载能力最强。
以上拙见供参考选用。
倚剑笑东风:一般的单片机除了P0口外都内置了上拉电阻。
一般的灌入电流也就为20mA（STC 的比别的少点一点）,输出电流更小一点。
向你说的那样要输出到100mA一般不要直接接在I/O口上，尽量用晶体管或者达林顿管等。
如果你非要接上拉电阻的话，也要看上拉电压为多少。
一般5V要接20欧姆左右。
V(端口)+R(上拉)*I(out)=5V(上拉电源)。
所以建议用晶体管进行电流放大。
3050311118: STC单片机 IO口不加限流电阻和三极管可以直接驱动3.3MMLED 吗?downtoearth: 用强推挽输出是可以的，前题下要单片机有这样的功能。
如果单片机没这个功能，一两个都可以不过好暗，多就会不能运行，不段重启。
ziyouzhanshi89: 对，有两种方法，,一，5v接LED正极，负极可以串个限流电阻（要考虑LED的工作电流，以及IO口的最大灌电流）接在Io口上，二，采用上拉式，IO口接LED正极,LED负极接地，在IO口和LED正极之间接一个上拉电阻（第一种方法要好些）251540866: STC的单片机，你用强推模式，任何一个IO口都能点亮LED的。
不加限流，可能会烧毁LED，因为压降过高。
ap0705307: 我做LED灯箱的，配电阻=（电源电压-led电压*led个数）/led电流. 做的大灯箱都是成千上万个led，都是这样配的。
xuehongren:1 开漏:可吸入强电流,相当于三极管集电极开路,2 高阻:顾名思义,就是输入电阻很大3 强推挽:具有较强的输入输出电流的能力.4 弱上拉,就是相当于一个三极管集电极加了一个很大的电阻.1.可以驱动指示灯数码管等之类.但只能用低电平驱动,高电平开路,2.当输入口用3.可以当输出驱动用,在掉电模式不宜用.4.可以当输入输出用,作输出时不可驱动强负载.一般情况下可以作按键等类型输入.jimsboy: 单片机的IO口是可以配置的，通过设定寄存器，让它变成其中的某一种。
注意，上面的四种不是每个单片机都能支持的。
比如标准的AT89C51，它的IO口是不要配置的。
它是怎么实现既可作为输入又可作为输出的呢？它采用的弱上拉。
它作为输入时，当输入为高电平，显然端口上是高电平，当输低电平，这时输入信号能克服那个上拉电阻就能使得端口为低电平。
当它作为输出，把它设为1，由于这个弱上拉，所以端口状态为高电平，设为0，这时端口内部有MOS管把端口拉到地。
所以表现为低电平。
很显然，这种IO口有一个毛病，作为输入时，如果输入信号驱动能力太弱，连2uA都不到，那就会驱不动。
作为输出时，它的高电平驱动非常弱，弱到连一个20K的电阻接地都无法把它驱成高电平。
开漏是一种输出的方式，它只能输出低电平，想要高电平，只能通过外接上拉。
另外它可以实现“线与”功能。
这种方式标准的51是不支持的。
高阻是一种输入方式，有时输入信号非常弱，这时就需要那个IO口的内阻越大越好，而像刚才那个51单片机的弱上拉这时就会出麻烦了。
假设这个输入信号输连2uA都输出不来，那驱51单片机就麻烦了，驱不动啊!理想的高阻是根本不需要从输入信号那里获取能量的，因此它的灵敏度就很好，不存在驱不动的问题，但这是好事，有时就是坏事，如果这个IO口悬空了，空中的电磁波都能使它状态改变，这应该不是你希望的事吧？所以，一般高阻输入的管脚都要认真处理。
shengu2009: ( /question/131311919.html )1）51单片机的P0口内部没有上拉，所以使用P0口时一定要先加上上拉电阻，阻值大小可以是几K的，如2.7K、4.7k，最好是9个脚的那种排阻。
如图所示。
（2）STC89C58跟89S52是通用的，都是51单片机，程序可以直接用；只是在下载程序方面有点不同。
stc单片机如何将IO口设为强推挽输出C程序怎么设置比如我设P1.1口为强推挽输出高手指教一可通过设置PXM1：PXM0的值：PXM1：PXM0 0 0 准双向口（传统IO） 0 1 推挽输出（强上拉，电流可达20mA,尽量少用） 1 0 仅为输入（高阻） 1 1 开漏，如传统8051的P0口例：C语言中直接赋值 P1M0 = 0xC0; P1M1 = 0xA0;//P1.7开漏，P1.6高阻，P1.5强推挽输出，其他准双向IO口。
问题14： STC12系列的单片机I/O口驱动能力1.灌电流20mA2.弱上拉时,拉电流能力是200uA3.设置成强推挽时,拉电流能力也可达20mA问题15： STC89系列5V单片机I/O口驱动能力1.P1/P2/P3/P4灌电流6mA2.P0灌电流12mA3.弱上拉时,拉电流能力是160uA - 230uA4.P0做I/O口要加10K上拉电阻问题16： STC89系列3V单片机I/O口驱动能力1.P1/P2/P3/P4灌电流4mA2.P0灌电流8mA3.弱上拉时,拉电流能力是100uA - 160uA#51单片机零起点入门分享到：举报浏览(3145) 评论(1) 转载(2)你可能也喜欢∙宇航员首次太空遥控地面机器人∙甘孜，安静的让人沉迷∙数据图示中国有多少共产党员！∙全国人大常委会委员分组审议痛批城镇化报告“贪大求快”∙美女模特曝民警男友豪赌百万纪委介入调查(图)∙体育新闻：国足排名再次下降∙51单片机定时器控制数码管动态显示 (STC89C52RC)本文最近访客∙JamesXiao7月24日∙清风一鹤7月3日∙848406466月27日∙hetaoer6月24日∙成功在望5号6月17日∙落花纷飞的街道6月16日∙张连聘6月4日niubeilei5月11日评论同时评论给同时评论给原文作者发布500/0三毛流浪记额2013-06-17 18:13回复收起|查看更多帮助中心 | 空间客服 | 投诉中心 | 空间协议©2013 Baidu。