数电期末复习题 (2)

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分析:使用三态门可以构成传送数据总线。题图 2-7 中所示电路均为单向总 线结构,即分时传送数据,每次只能传送其中一个信号。当 n 个三态门中的某一 个片选信号 EN 为 1 时,其输入端的数据经与非逻辑后传送到总线上;反之,当 所有 EN 均为 0 时,不传送信号,总线与各三态门呈断开状态(高阻态)。
解(5):电路结构错误,CMOS 门电路输入端不允许悬空。 解(6):电路结构错误,CMOS 门电路输入端不允许悬空。
解(7): F7 = 1⋅ 0 = 1
2-6 TTL 门电路如题图 2-5 所示。 (1)写出电路输出Y1~Y3的逻辑表达式。 (2)已知输入A,B的波形如题图 2-5(d)所示,画出Y1~Y3的波形。
可认为无输入电流,输入端接电阻 R 时,没有电流流过,同时,CMOS 电路的
输入端不允许悬空。 解 ( 1 ): G1 门 和 G2 门 均 为 TTL 门 时 , 对 于 G2 门 , 其 中 一 个 输 入 接 电 阻
20kΩ > Rion = 3.2kΩ ,接地负载上等效电平为逻辑高电平,与G1门的输出无关。 因此,电路输出 F 的逻辑表达式为
为逻辑低电平,因此
Y4 = A⋅ B ⋅ 0 ⋅ 0 = 1 若要实现Y4 = A⋅ B ,可改电路如题解 图 2-8(c)所示。
GND
1 A
1 B
& ≥1
A B
Y3
& Y2
100Ω
(a)
A B
(b) &
Y4
10kΩ (c)
题解 图2-8 解(2):当电路中所示均为 CMOS 门电路时: 图(a):可以正常工作。 图(b):可以正常工作。 图(c):不能正常工作。因为 CMOS 门电路输入端不能处于悬空状态。若
解(2):Y1~Y3的工作波形如题解 图 2-5 所示。
A B Y1 Y2 Y3
题解 图2-5
2-8 指出在题图 2-6 所示电路中,能实现Y = AB + CD 的电路。
解:图(b)和图(d)均能实现Y = AB + CD 的功能。
图(a):对于 TTL 集成门电路,两个门(或者多个门)输出直接线与,将 会造成集成电路的损坏。
A
B
C
Y1 Y2
A⊕C
B⊙C
Y3 Y4 Y5
题解 图2-10
2-2 反相器电路如题图 2-2 所示。图中VCC为 12V, VBB为 12V,R1=1.5kΩ,
R2=18kΩ,RC=1.5kΩ,设VT管的VCES≈0.1V,VBE=0.7V, β = 12 。试问:
(1)当VI为何值时,VT管饱和,VCES≈0.1V? (2)若VI=3.0V,VO端灌入电流为多大时,VT管脱离饱和?
2-7 CMOS 门电路如题图 2-5 所示。 (1)写出电路输出Y1~Y3的逻辑表达式。 (2)已知输入A,B的波形如题图 2-5(d)所示,画出Y1~Y3的波形。
解(1): 图(a):Y1 = A + B + 0 = A + B = AB 图(b):Y2 = A ⊕ B 图(c):Y3 = AB + 0⋅ 0 = AB
解(1): 图(a):10kΩ > Rion = 3.2kΩ ⇒ Y1 = A + B +1 = 0
图(b):10kΩ > Rion = 3.2kΩ ⇒ Y2 = A ⊕1 = A 图(c):100Ω > Rioff = 0.91kΩ ⇒ Y3 = AB + 0⋅ 0 = AB
解(2):Y1~Y3的工作波形如题解 图 2-4 所示。
分析:读者应了解 TTL 门电路和 CMOS 门电路的输入结构以及它们的差异, 方可作出正确的解答。TTL 门电路采用三极管作为开关器件,所以存在输入电流, 由此在输入端引入开门电平、开门电阻、关门电平和关门电阻等概念;而 CMOS 门电路采用绝缘栅场效应管作为开关器件,绝缘栅场效应管输入电流近似为零,
解:由电路图得 F1 和 F2 的逻辑表达式分别为
F1 = C AB + C AB ; F2 = X1 AB + X2 BC + X3 AC 由表达式,画出 F1 和 F2 的工作波形分别如题解图 2-6 和题解 图 2-7 所示。
A
B
C
X1
X2
X3
F2 题解 图2-7
2-10 CMOS 门电路的最典型的特点是什么? 解:CMOS 反相器为互补式结构,采用两种不同沟道类型的 MOS 管构成。 比如,若输入采用 N 沟道 MOS 管,则负载采用 P 沟道 MOS 管;反之,若输入 采用 P 沟道 MOS 管,则负载采用 N 沟道 MOS 管。一般使用前者。 2-11 在题图 2-8 所示各电路中,要实现相应表达式规定的逻辑功能,电路 连接上有什么错误?请改正之。
RC = 1.5kΩ ,VCES ≈ 0.1V , β = 12 。代入计算可得
VIH ≈ 2.75V
综上,当输入VI ≥ 2.75V 时,VT 管进入饱和状态。
解(2):参见教材图
2-6,若满足 Ib
≥ Ibs
=
1 β
(VCC RC
+ IOL ) ,则反相器仍处
于饱和状态;但是随着负载电流 IOL 的进一步来自大,反相器会逐渐退出饱和状态,
(1)电路中所示均为 TTL 门电路; (2)电路中所示均为 CMOS 门电路。 分析:判定电路能否正常工作,首先要判断电路结构是否可行,如需要再从 负载能力上进一步考虑。 解(1):当电路中所示均为 TTL 门电路时: 图(a):可以正常工作。 图(b):不能正常工作。因为从电路结构上来看,多个 TTL 门输出端不能
要实现Y3 = A⋅ B ,可改电路如题解 图 2-9(a)所示。
图(d):不能正常工作。因为 CMOS 门电路输入端对地接电阻时,由于无 输入电流流过,此输入端等效为逻辑低电平,因此
Y4 = A⋅ B ⋅ 0 ⋅ 0 = 1
若要实现Y4 = A⋅ B ,可改电路如题解 图 2-9(b)所示。
2-12 CMOS 门电路如题图 2-9(a)所示。 (1)写出电路输出Y1~Y5的逻辑表达式。 (2)已知输入A,B,C的波形如题图 2-9(b)所示,画出Y1,Y3~Y5的波 形。
2-1 二极管门电路如题图 2-1(a)所示。
(1)分析输出信号Y1,Y2与输入信号A,B,C之间的逻辑关系; (2)根据题图 2-1(b)给出的A,B,C波形,对应画出Y1,Y2的波形(输 入信号频率较低,电压幅度满足逻辑要求)。
解(1):Y1 = A⋅ B ⋅C ;Y2 = A + B + C 解(2):Y1 ,Y2 的波形如题解 图 2-1 所示。
解(1):若 VT 管饱和,此时基极回路的等效电路如题解 图 2-2 所示。由
电路图可定量计算出基极电路 Ib ,若 Ib ≥ Ibs ,则电路处于饱和状态。
Ib
=
I1 − I2
= VIH
− VBES R1
− VBB
+ VBES R2

Ibs
=
Ics β
= VCC −VCES β RC
其 中 , VCC = VBB = 12V , VBE = 0.7V , R1 = 1.5kΩ , R2 = 18kΩ ,
图(b):Y = AB ⋅CD = AB + CD 。
图(c):OC 门输出端是开路的,使用时必须外接一个适当阻值的负载电阻 和电源才能正常工作,如题图 2-6(b)。
(d):与或非门直接实现Y = AB + CD 。
2-9 TTL 三态门电路如题图 2-7 所示,在图示输入波形的情况下,画出其输 出端的波形。
解(6): EN = 1 ⇒ F6 = 高阻态 解(7): EN = 1 ;50kΩ > Rion = 3.2kΩ ⇒ F7 = 1⋅1 = 0
2-5 CMOS门电路如题图 2-4 所示,试确定电路输出F1~F7的状态。 分析:CMOS 门电路输入端对地接电阻时,由于无输入电流流过,因此无论
R 阻值如何,此输入端等效为逻辑低电平。 解(1): F1 = 1⋅ 0 = 1 解(2): F2 = 0 + 0 = 1 解(3): F3 = 1+ 0 = 0 解(4): F4 = 1⊕ 0 = 1
输出低电平抬高。因此,对灌电流 IOL 的值必须加以限制,要求
IOL

Ics
− IRC

β Ib
− VCC −VCES RC
Ib
=
I1

I2
=
VI
− VBES R1
− VBB
+ VBES R2
代入相应参数,计算可得
IOL ≤ 2mA
综上,当VO 端灌入电流到达 2mA 时,VT 管脱离饱和状态。
2-3 根据题图 2-3 所示TTL门电路和给定输入信号波形,画出电路输出F的波 形。若把G1门和G2门换成CMOS门时,再画出电路输出F’的波形。
解(1):由电路图,可得Y1~Y5的逻辑表达式分别为
Y1 = AB
Y2 = AB + AB = A Y3 = C AB + C AB = C(A + B) + C( A + B) = (A ⊕ C) + (B : C) Y4 = ABC Y5 = AC ⊕ B
解(2):由表达式,可得Y1~Y5的工作波形如题解 图 2-10 所示。
F = C ⋅1 = C
解(2):G1门和G2门均为CMOS门时,对于G2门,其中一个输入接电阻,没
有电流流过,因此,电路输出 F ' 的逻辑表达式为 F ' = AB ⋅C = AB + C
F 和 F ' 的工作波形如图题解 图 2-3 所示。
2-4 TTL门电路如题图 2-4 所示,试确定电路输出F1~F7的状态。
解(1): 50kΩ > Rion = 3.2kΩ ⇒ F1 = 1⋅1 = 0 解(2): 50kΩ > Rion = 3.2kΩ ⇒ F2 = 0 +1 = 0 解(3): F3 = 1+ 0 = 0 解(4): 2.5V > Von = 1.8V ;50kΩ > Rion = 3.2kΩ ⇒ F4 = 1⊕1 = 0 解(5):100 < Rioff = 0.91kΩ ;50kΩ > Rion = 3.2kΩ ⇒ F5 = 1⋅ 0 +1⋅1 = 0
直接连接构成线与结构。若要实现Y2 = A + B ,可改电路如题解 图 2-8(a)所
示。 图(c):不能正常工作。因为与非门输入端悬空等效为接逻辑高电平,同时
10kΩ > Rion = 3.2kΩ ,接地负载上等效电平为逻辑高电平,因此
Y3 = 1⋅1+ A⋅ B +1⋅1 = 0
若要实现Y3 = A⋅ B ,可改电路如题解 图 2-8(b)所示。 图(d):不能正常工作。因为100Ω < Rioff = 0.91kΩ ,接地负载上等效电平
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