电力电子器件的特征

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电力电子技术试卷及答案

电力电子技术试卷及答案

一、填空题(每空1分,34分)1、实现有源逆变的条件为和.2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。

3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经的电流。

为了减小环流,一般采用αβ状态。

4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置.5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,晶闸管才能导通.6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象.7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;这说明电路的纹波系数比电路要小.8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。

9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。

10、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管又会关断。

三、选择题(10分)1、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差度。

A 、180度;B、60度;C、360度;D、120度;2、α= 度时,三相半波可控整流电路,在电阻性负载时,输出电压波形处于连续和断续的临界状态.A、0度;B、60度; C 、30度;D、120度;3、通常在晶闸管触发电路中,若改变的大小时,输出脉冲相位产生移动,达到移相控制的目的。

A、同步电压;B、控制电压;C、脉冲变压器变比;4、可实现有源逆变的电路为。

A、单相全控桥可控整流电路B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路5、由晶闸管构成的可逆调速系统中,逆变角βmin选时系统工作才可靠。

A、300~350B、100~150C、00~100D、00四、问答题(每题9分,18分)1、什么是逆变失败?形成的原因是什么?2、为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求?五、分析、计算题:(每题9分,18分)1、三相半波可控整流电路,整流变压器的联接组别是D/Y—5,锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管。

电力电子器件概述

电力电子器件概述
4. 最高工作结温 TJM:125~175℃
5. 反向恢复时间trr 6. 浪涌电流IFSM
1.2.4 主要类型
1. 普通二极管——又称整流二极管 1KHZ以下 数千安和数千伏以上
2. 快恢复二极管 5μs以下 3. 肖特二极管
1.3 半控型器件——晶闸管(SCR)
常用晶闸管的结构
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
Id
1
2
3
Im
sin td
t
3
4
Im
0.24Im
I
1
2
Im
sin t
2
d
t
0.46Im
3
Kf
I Id
0.46 0.24
1.92
IT ( AV )
100 2
50
Id
1.57 50 1.92
41 A
Im
Id 0.24
41 0.24
171
A
⑵ 维持电流IH 使晶闸管维持通态所必需的最小主电流。 ⑶ 擎住电流IL ⑷ 浪涌电流ITSM
4. 光控晶闸管LTT
⑴又称光触发晶闸 管,是利用一定 波长的光照信号 触发导通的晶闸 管。
⑵光触发保证了主 电路与控制电路 之间的绝缘,且 可避免电磁干扰 的影响。
⑶在高压大功率的 场合占有重要地位。
1.4 典型全控型器件
门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来,电力电子技术进入了一个崭新时代。
不可控器件:电力二极管
半控型器件:晶闸管及其派生器件 全控型器件:功率场效应管、绝缘栅双极性晶体管、
门极可关断晶闸管
⑵ 按照控制信号性质可分为: 电流控制型 电压控制型:控制功率小

电力电子器件的概念

电力电子器件的概念

电力电子器件的概念:直接承担电能的变换或控制的电路称为主电路。

可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件称为电力电子器件。

电力电子器件的特征:(1)、电力电子器件所能处理电功率的大小,所能承受的电压、电流的能力是其重要参数,一般都大于信息电子器件。

(2)、电力电子器件为减小自身损耗,提高效率,一般都工作在开关状态,通态阻搞接近于短路,电流由外电路决定;断态阻搞接近于断路,电流几乎为零,电压决定于外电路。

(3)、电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。

(4)、自由功率损耗远大于信息电子电路,需要良好的散热导热设计。

电力电子器件的系统组成:一般由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。

电力电子器件的分类:1、按能够被控制信号所控制的程度来分类:全控型:既可控制其导通,又可控制其关断(绝缘栅双极晶体管,电力MOSFET)半控型:可以控制其导通,不能控制其关断(晶闸管、其大部分派生器件)不可控型:导通与关断取决于所承受的电流、电压(电力二极管)2、按照驱动电路加在器件控制端的信号性质分类:电压驱动型、电流驱动型3、根据驱动电路加在器件控制端有效信号的波形分类:脉冲触发型、电平控制型4、按照器件内部电子的空穴参与导电的情况:单极型、双极型、复合型电力二极管特征:能承受高电压和大电流(垂直导电结构、低掺杂N区)静态特征:伏安特征动态特征:零偏、正偏、反偏时的过滤过程(图)主要参数:1、正向平均电流I F(AV),正向压降VF,反向重复峰值电压V RRM,最高工作结温T JM,反向恢复时间,浪涌电流。

主要类型:普通二极管(整流二极管)、快恢复二极管、有特基二极管电导调制效应:PN结通过大电流,大量空穴被注入基区,它们来不及和基区中的电子中和就到达负极,使基区电子浓度大幅增加。

——使原始基片的电阻率下降。

晶闸管:正常导通条件:晶闸管承受正向阳极电压,向门极施加触发电流。

关断条件:。

电力电子技术期末考试

电力电子技术期末考试

电力电子技术期末考试第一章电力电子技术(概念):就是应用于电力领域的电子技术。

电力变换器通常分为四大类:1、交流变直流;2、交流变交流;3;直流变直流;4、直流变交流。

电力电子学的倒三角:电力电子学包含了电力电子技术。

电力电子技术的应用:1、一般工业;2、交通运输;3、电力系统;4、电子装置用电源;5、家用电器;6、其他(航空等)第二章电力电子器件的概念:主电路:在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。

电力电子器件:是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。

电力电子器件用于主电路与处理信息的电子器件相比,电力电子器件的特征:(1)电力电子器件所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和电路的能力,是其最重要的参数;(2)因为处理的电功率较大,为了减小本身的损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在开关状态;(3)在实际应用当中,电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制;(4)尽管工作在开关状态,但是电力电子器件自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件,因而为了保证不致于因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏,不仅在器件封装上比较讲究散热设计,而且在其工作时一般都还需要安装散热器。

电力电子器件在实际应用中的系统组成说明:电力电子器件在实际应用中,一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。

按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为以下三类:(1)通过控制信号可以控制其导通而不能控制其通断的电力电子器件称为半控型器件;(2)通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件(3)也有不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件,这就是电力二极管(不可控器件)。

按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,可以将电力电子器件(电力二极管除外)分为电压驱动型和电流驱动型两类。

电导调制效应:低掺杂N区由于掺杂浓度低而具有的高电阻率对于电力二极管的正向导通是不利的。

电力电子器件的概念和特征同处理信...

电力电子器件的概念和特征同处理信...

导通时(通态)阻抗很小,接近于短路, 管压降接近于零,而电流由外电路决定
阻断时(断态)阻抗很大,接近于断路,电 流几乎为零,而管子两端电压由外电路决定
2008-5-14
作电路分析时,为简单起见往
上海电往力学用院理电子想技术开教关研室来代替
2
《电力电子技术》第1章 电力电子器件 1.1 电力电子器件概述
1.3.1 晶闸管的结构与工作原理
二.晶闸管工作原理:

Ic1=α1 IA + ICBO1 Ic2=α2 IK + ICBO2
IK=IA+IG
IA=Ic1+Ic2
(1-1) (1-2)
G
(1-3) (1-4)
A
P1
N1
N1
P2
P2
N2
K
A
IA
PNP
V1
G IG
Ic1
Ic2
R
NPN V2
S
EG
IK
EA
上海电力学院 电子技术教研室
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《电力电子技术》第1章 电力电子器件 1.2 不可控器件——电力二极管
1.2.4 电力二极管的主要类型
1. 普通二极管(General Purpose Diode) 频率不高容量大
又称整流二极管(Rectifier Diode)
多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中 其反向恢复时间较长,一般在5µs以上,
3. 反向重复峰值电压URRM 指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压
2008-5-14
上海电力学院 电子技术教研室
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《电力电子技术》第1章 电力电子器件 1.2 不可控器件——电力二极管

电力电子技术-电力电子器件的原理与特性

电力电子技术-电力电子器件的原理与特性
Vo RL
IR
Vo
VS +
-
IZ
DZ
RL
(a)整流
(b)续流
(c)限幅
(d)钳位
图2.6 二极管的整流、续流、限幅、钳位和稳压应用
(e)稳压
本章内容
2.3 晶闸管(SCR)
2. 3 晶闸管
一、名称 ➢晶闸管 (Thyristor) ➢可控硅
(SCR)
二、外形与符号 ➢螺栓式结构 (<200A) ➢平板式结构 (>200A)
• N型半导体: 掺入微量5价元素(磷、锑、鉮等)
自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子。 • P型半导体:
掺入微量3价元素(硼、镓、铟等) 空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。
半导体基础知识
器件原理
• PN结(异型半导体接触现象) • (1)扩散运动(多数载流子)
自由电子由 N区 向 P区 空 穴由 P区 向 N区 (2)漂移运动(少数载流子) 与扩散运动相反
三、SCR的工作原理(续)
(2)按晶体管原理可得:
IA
2 I G I CBO1 I CBO2 1 ( 1 2 )
其中: α1、α2分别是晶 体管T1、T2的共基极电 流增益; ICBO1、ICBO2分 别是晶体管T1、T2的共 基极漏电流。
❖双极型器件:有两种载流子参与导电,如二 极管、 晶闸管、GTO、GTR、IGCT、SITH等。
❖复合型器件:由MOSFET与晶体管、晶闸管复 合而成,如IGBT、IPM、MCT等。
➢ 按门极驱动信号的种类(电流、电压)分类: ❖电流控制型器件 如晶闸管、GTO、GTR、 IGCT、SITH等
❖电压控制型器件 如MOSFET、IGBT、IPM、 SIT、MCT等

电力电子半导体器件(IGBT)

电力电子半导体器件(IGBT)
b. 动态锁定:动态锁定发生在开关过程中,在大电流、高电压旳情况下、 主要是因为在电流较大时引起α1和α2旳增长,以及由过大旳dv/dt引起旳位移 电流造成旳。
c. 栅分布锁定:是因为绝缘栅旳电容效应,造成在开关过程中个别先开通或 后关断旳IGBT之中旳电流密度过大而形成局部锁定。
——采用多种工艺措施,能够提升锁定电流,克服因为锁定产生旳失效。
4.开关时间与漏极电流、门极电阻、结温等参数旳关系:
5.开关损耗与温度和漏极电流关系
(三)擎住效应
IGBT旳锁定现象又称擎住效应。IGBT复合器件内有一种 寄生晶闸管存在,它由PNP利NPN两个晶体管构成。在NPN晶 体管旳基极与发射极之间并有一种体区电阻Rbr,在该电阻上, P型体区旳横向空穴流会产生一定压降。对J3结来说相当于加 一种正偏置电压。在要求旳漏极电流范围内,这个正偏压不大, NPN晶体管不起作用。当漏极电流人到—定程度时,这个正偏 量电压足以使NPN晶体管导通,进而使寄生晶闸管开通、门极 失去控制作用、这就是所谓旳擎住效应。IGBT发生擎住效应后。 漏极电流增大造成过高旳功耗,最终造成器件损坏。
在使用中为了防止IGBT发生擎住现象:
1.设计电路时应确保IGBT中旳电流不超出IDM值; 2.用加大门极电阻RG旳方法延长IGBT旳关断时间,减小重加
dVDS/d t。 3.器件制造厂家也在IGBT旳工艺与构造上想方设法尽量提
高IDM值,尽量防止产生擎住效应。
(四)安全工作区 1.FBSOA:IGBT开通时正向偏置安全工作区。
4.开关特征:
与功率MOSFET相比,IGBT 通态压降要小得多,1000V旳 IGBT约有2~5V旳通态压降。这 是因为IGBT中N-漂移区存在电 导调制效应旳缘故。

新能源汽车技术07-常用电力电子器件

新能源汽车技术07-常用电力电子器件
开启沟道VGS控制沟道宽窄 电力MOSFET的工作原理 截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。 –P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。 导电:在栅源极间加正电压UGS –当UGS大于UT时,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形 成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电 。
- UAA +
(a)
(b)
R + UGG - S
- UAA + UGG - +
R S
+ UAA -
(c)
(d)
亮 R + UGG - S - + UAA UGG - 灭 + R S 暗 + UAA -
(e)
(f)
R - UGG + S
+ UAA - UGG + -
R S
- UAA +
(g)
(h)
(1) S断开, UGK=0, UAA为正向, 灯泡不亮, 称之为正向阻断, 如图 (a)所示。
+表示高掺 杂浓度,-表 示低掺杂浓 度
GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动
3.全控型器件-电力晶体管-GTR
☞在应用中,GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为
i =b i
c
b
i
c
ib I ceo
ib1< ib2< ib3
O
截止区
共发射极接法时 GTR的输出特性
Uce
3.全控型器件-电力场效应晶体管- Power MOSFET
电力场效应晶体管
分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET) 简称电力MOSFET(Power MOSFET) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT) 特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单,需要的驱动功率小。 开关速度快,工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。

电力电子技术2.1-2.2

电力电子技术2.1-2.2
转换为可以被主电路所接收的信息。
5)保护电路:用于保证电力电子器件和整个电力电子系 统正常可靠工作。 因为主电路中有电压和电流的冲击,而电力电子器 件一般比主电路中的普通器件昂贵,但承受过电压和过 电流的能力却要差一些,所以保护电路的存在是非常必 要的。 6)电气隔离:将主电路和控制电路等进行安全隔离,而 通过光、磁等来传递信号。 因为主电路中电流和电压较大,而控制电路中的元 器件只能承受较小的电压和电流,因此在主电路和控制 电路连接的路径上需要进行电气隔离。例如:驱动电路 与主电路的连接处、与控制信号的连接处,主电路与检 测电路的连接处。
④PN结的电容效应 PN结的电荷量随外加电压的变化而变化,呈现电容效应,称 为结电容CJ,又称为微分电容。 结电容按其产生的机制和作用的差别分为以下两类: A—势垒电容CB: 它只在外加电压变化时才起作用,外加电压频率越高,其作 用越明显。 它的大小与PN结的截面积成正比,与阻挡层厚度成反比。 B—扩散电容CD: 它仅在正向偏置时起作用。 在正向偏置时,当正向电压较低时,势垒电容为结电容的主 要成份,正向电压较高时,扩散电容为结电容的主要成份。 注意:结电容影响PN结的工作频率,特别是在高速开关的状态 下,可使其单向导电性变差,甚至不能工作,应用时要注意。
4 电力电子器件的分类
(1)按照器件的开关控制特性分类:分为三类 ①不可控器件:器件本身没有导通、关断控制功能,而是需要根据 电路条件决定其导通、关断状态的器件称为不可控器件。 如:电力二极管。 ②半控型器件:通过控制信号只能控制其导通,不能控制其关断的 电力电子器件称为半控型器件。 如:晶闸管及其大部分派生器件。 ③全控型器件:通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断的器 件,称为全控型器件。 如:门极可关断晶闸管(GTO)、功率晶体管GTR、功率场效应晶 体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。

电力电子器件

电力电子器件

电力电子器件电力电子器件(Power ElectronicDevice)是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。

主电路:在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。

电力电子器件的特征◆所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和电流的能力,是其最重要的参数,一般都远大于处理信息的电子器件。

◆为了减小本身的损耗,提高效率,一般都工作在开关状态。

◆由信息电子电路来控制,而且需要驱动电路。

◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件,在其工作时一般都需要安装散热器。

电力电子器件的功率损耗断态损耗通态损耗:是电力电子器件功率损耗的主要成因。

开关损耗:当器件的开关频率较高时,开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。

分为开通损耗和关断损耗。

电力电子器件在实际应用中,一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。

电力电子器件的分类按照能够被控制电路信号所控制的程度◆半控型器件:指晶闸管(Thyristor)、快速晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管、双向晶闸管。

◆全控型器件:IGBT、GTO、GTR、MOSFET。

◆不可控器件:电力二极管(Power Diode)、整流二极管。

按照驱动信号的性质◆电流驱动型:通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。

Thyrister,GTR,GTO。

◆电压驱动型:仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。

电力MOSFET,IGBT,SIT。

按照驱动信号的波形(电力二极管除外)◆脉冲触发型:通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。

晶闸管,SCR,GTO。

◆电平控制型:必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并维持在通断状态。

GTR,MOSFET,IGBT。

按照载流子参与导电的情况◆单极型器件:由一种载流子参与导电。

1电力电子器件概述

1电力电子器件概述

U
图1-4 电力二极管的伏安特性
2) 动态特性
半导体电力二极管的开关特性
开关过程,由导通状态转为阻
断状态并不是立即完成,它要 经历一个短时的过渡过程;
此过程的长短、过渡过程的波
状态: 导通、阻断
形对不同性能的二极管有很大 差异;
理解开关过程对今后选用电力
过程:
开通、关断
电子器件,理解电力电子电路 的运行是很有帮助的,因此应 对二极管的开关特性有较清晰 的了解。
(2)最大允许全周期均方根正向电流的定义:
当二极管流过半波正弦电流的 平均值为IFR时,与其发热等效 的全周期均方根正向电流IFrms称 为最大允许全周期均方根正向 电流。 当正弦半波电流的峰值为Im时,它可用下式计算:
I Frms
1 T /2 2 2 I sin ( t )dt 0 m T
3)肖特基二极管
以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极 管称为肖特基势垒二极管
肖特基二极管的弱点 反向耐压提高时正向压降会提高,多用于200V以下。 反向稳态损耗不能忽略,必须严格地限制其工作温度。 肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短(10~40ns)。 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。 反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。 效率高,其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。
主电路(Main Power Circui
——电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制 任务的电路。
2. 分类:
电真空器件 半导体器件 (汞弧整流器、闸流管) (采用的主要材料硅)
3. 同处理信息的电子器件相比的一般特征
(1)能处理电功率的能力,一般远大于处理信息的电 子器件。
(2) 电力电子器件一般都工作在开关状态。(开关器 件的条件)

电力电子技术智慧树知到答案章节测试2023年潍坊学院

电力电子技术智慧树知到答案章节测试2023年潍坊学院

第一章测试1.()年,电子管出现,从而开创了电子技术之先河。

A:1904B:1905C:1915D:1914答案:A2.1957年,美国通用电气公司研制出第一个(),因电气性能和控制性能优越,其应用范围迅速扩大。

A:GTOB:IGBTC:GTRD:晶闸管答案:D3.一般认为,电力电子学的诞生是以()的发明为标志。

A:GTRB:GTOC:IGBTD:晶闸管答案:D4.电力电子技术中,电力变换电路包含()变换。

A:AC/ACB:DC/DCC:DC/ACD:AC/DC答案:ABCD5.电力电子技术的发展趋势()。

A:向智能化方向发展B:向容量更大和更小的两个方向发展C:向集成化方向发展答案:ABC6.下列哪些选项可以应用到电力电子技术?()A:一般工业B:交通运输C:通信系统D:电力系统答案:ABCD7.变流技术是电力电子技术的核心。

()A:错B:对答案:B8.电力变换通常有四大类:交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。

()A:错B:对答案:B9.电力电子技术称为节能技术。

()A:错B:对答案:B10.电力电子学和电力电子技术是同一个概念。

()A:对B:错答案:A第二章测试1.普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。

A:最大值B:平均值C:最小值D:有效值答案:D2.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()。

A:减小至维持电流以下B:减小至门极触发电流以下C:减小至擎住电流以下D:减小至5A以下答案:A3.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。

A:二次击穿B:临界饱和C:一次击穿D:反向截止答案:A4.为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用()。

A:吸收电路B:抗饱和电路C:du/dt抑制电路D:di/dt抑制电路答案:B5.具有自关断能力的电力半导体器件称为( )。

A:半控型器件B:触发型器件C:全控型器件D:不控型器件答案:C6.若晶闸管电流有效值是157A.,则其额定电流为()。

(整理)电力电子教材重点知识点总结

(整理)电力电子教材重点知识点总结

《电力电子技术》复习题第1章绪论1 电力电子技术定义:是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,是应用于电力领域的电子技术,主要用于电力变换。

2 电力变换的种类(1)交流变直流AC-DC:整流(2)直流变交流DC-AC:逆变(3)直流变直流DC-DC:一般通过直流斩波电路实现,也叫斩波电路(4)交流变交流AC-AC:可以是电压或电力的变换,一般称作交流电力控制3 电力电子技术分类:分为电力电子器件制造技术和变流技术。

4、相控方式;对晶闸管的电路的控制方式主要是相控方式5、斩空方式:与晶闸管电路的相位控制方式对应,采用全空性器件的电路的主要控制方式为脉冲宽度调制方式。

相对于相控方式可称之为斩空方式。

第2章电力电子器件1 电力电子器件与主电路的关系(1)主电路:电力电子系统中指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。

(2)电力电子器件:指应用于主电路中,能够实现电能变换或控制的电子器件。

广义可分为电真空器件和半导体器件。

2 电力电子器件一般特征:1、处理的电功率小至毫瓦级大至兆瓦级。

2、都工作于开关状态,以减小本身损耗。

3、由电力电子电路来控制。

4、安有散热器3 电力电子系统基本组成与工作原理(1)一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。

(2)检测主电路中的信号并送入控制电路,根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。

(3)控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。

(4)同时,在主电路和控制电路中附加一些保护电路,以保证系统正常可靠运行。

4 电力电子器件的分类根据控制信号所控制的程度分类(1)半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。

如SCR晶闸管。

(2)全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。

如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。

(3)不可控器件:不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。

第1章 电力电子器件1(湖南大学电气院)

第1章 电力电子器件1(湖南大学电气院)

A
G K
IA
光强度


O
UAK
a)
b)
光控晶闸管的电气符号和伏安特性
电力电子技术
图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号
G KK
A A G 外形a)
A
G
P1 N1 P2 N2
J1 J2 J3
K G
A
K 结构b)
电气图c)
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➢ 电力电子器件一般工作在开关状态 ➢ 电力电子器件常常需要信息电子电路来控
制 ➢ 电力电子器件的功率损耗通常比信息电子
电路器件的大
电力电子技术
二、电力电子器件的分类
➢ 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度,分 为三类:
(1)半控型器件——通过控制信号可以控制其导通而不 能控制其关断(晶闸管) (2)全控型器件——通过控制信号既可控制其导通又可 控制其关断,又称自关断器件(MOSFET、IGBT) (3)不可控器件——不能用控制信号来控制其通断,因 此也就不需要驱动电路(二极管)
➢ 平板型封装的晶闸管,两个平面分别是阳极和阴极, 细长端是门极
电力电子技术
2.晶闸管的工作原理
2.1晶闸管的导通实验 A
G K
EA S1
EG S2
➢A、K接正向电压,灯泡不燃亮 ➢A、K接正向电压,G、K接负电压,灯泡不燃亮 ➢A、K接正向电压,G、K接正电压,灯泡燃亮 ➢A、K接负向电压,灯泡不燃亮 ➢A、K接负向电压,无论G、K接何种电压灯泡不燃亮 ➢灯泡燃亮后,撤除G、K间电压或G、K间接负向电压,灯泡仍然燃亮 ➢灯泡燃亮后,撤除A、K间电压或A、K接负向电压,灯泡熄灭
量时,求选择晶闸管的电流定额
IT(AV)

电力电子复习题

电力电子复习题

1、同信息电子器件相比,用于主电路的电力电子器件有哪些特征?10页答:电功率-----承受电压和电流的能力---最重要的参数。

开关状态-----减小本身的损耗,提高效率。

驱动电路-----由信息电子电路来控制。

功率损耗-----远大于信息电子器件----安装散热器。

2、举例说明电压驱动型电力电子器件和电流驱动型器件的特点。

12页答:一、1)电压驱动型电力电子器件的特点:仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。

2)电流驱动型器件的特点:通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。

以三极管为例:场效应管的输入阻抗非常高,属于电压控制型,原极需输入电压而电流极低,普通三极管就属于电流控制型的器件,基极需要偏置电流才能工作于极大状态,这就是二者区别。

二、电压驱动型:单极型器件和复合型器件特点:输入阻抗高,所需驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高。

电流驱动型:双极型器件特点:具有电导调制效应,因而通态压降低,导通损耗小,但工作频率较低,所需驱动功率大,驱动电路较复杂。

3、单相桥式全控整流电路,当负载为电阻负载和电感负载时,晶闸管移相范围分别为多少?47页答:当负载为电阻负载时,得a角的移相范围为0°—180°。

当负载为阻感负载时,得a角(晶闸管)的移相范围为0°—90°。

4、交流调压电路和交流调功电路有什么区别?140页答案一:交流变压电路和交流调功电路的电路形式完全相同,二者区别在于控制方式不同,交流调压电路是在交流电源的每个周期对输出电压波形进行控制;交流调功电路是将负载于交流电源接通几个波,再断开几个周波,通过改变接通周波与断开周波的比值来调节负载所消耗的平均功率。

答案二:交流调压:通过控制交流电移相触发角控制输出电压大小。

交流调功:通过控制交流电通断比例(pwm)来控制输出功率大小。

5、换流方式有哪几种?各有什么特点?99页换流方式有4种:1)器件交换特点是利用全控型器件的自关断能力进行换流。

1-1-电力电子器件特征与分类

1-1-电力电子器件特征与分类

电力电子器件特征与分类◆电力电子技术的概念:使用电力电子器件对电能进行变换和电力电子技术的概念使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。

◆电力电子器件的地位:又称功率半导体器件,是电力电子电电力电子器件的地位又称功率半导体器件是电力电子电路(变流技术)的基础。

◆电力电子器件概念:可直接用于主电路中,实现电能的变换电力电子件概念直接用主电路中实电能的变换或控制的电子器件。

问题:为什么要对电能进行变换和控制?()特征半导体功率开关与普通半导体器件有何区别? (一)特征问题:半导体功率开关与普通半导体器件有何区别☞电力电子器件能处理电功率的能力,一般远大于处理信息的电子器件的电子器件。

☞电力电子器件一般都工作在开关状态。

☞电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制,需要驱动电路。

☞电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件,一般都要安装散热器。

ii;(2)开关处于导通状态时能流过大电流端电压为零;(3)导通、关断切换时所需;(4)长期反复地开关也不损坏()。

)长期反复地开关也不损坏(寿命长◆电力电子开关的特点---近似理想开关◆电力电子开关的主要损耗☞通态损耗是器件功率损耗的主要成因。

器件开关频率较高时的可行性☞器件开关频率较高时,开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。

◆在分析变换器电路时采用理想化器件模型的可行性:☞由于能量转换的效率通常设计得很高,所以器件的通态电压与工作电压相比一定比较小所以在电路分析中可以电压与工作电压相比一定比较小,所以在电路分析中可以忽略。

☞器件的开关时间一定远小于电路的工作周期因此可近器件的开关时间定远小于电路的工作周期,因此可近似为瞬时通断。

采用理想化器件模型可大大简化变换器工作原理的分析,但是在设计实际变流装置时,必须考虑器件的具体特性。

(三)电力电子开关器件的应用准则在设计变流电路时,应根据应用的场合选择适合的电力电子开关器件。

选择时应考虑如下问题:☞电压和电流定额决定器件处理功率的能力。

2021电力电子技术复习要点

2021电力电子技术复习要点

2021电力电子技术复习要点复习要点基本概念:电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。

通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。

电力电子技术是应用于电力领域的电子技术,是利用电力电子器件来转换和控制电能的技术。

信息电子技术主要用于信息处理,而电力电子技术主要用于电力变换。

电力包括交流和直流两种。

从公用电网直接得到的是交流,从蓄电池和干电池得到的是直流。

电力变换通常可分为四大类:交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。

进行电力变换的技术称为变流技术。

电力电子技术一般分为两个分支:电力电子器件制造技术和变流器技术。

变换器技术又称电力电子器件应用技术,包括利用电力电子器件形成各种功率变换电路并对其进行控制的技术。

电力电子器件应用技术:用电力电子器件构成电力变换电路和对其进行控制的技术,及构成电力电子装置和电力电子系统的技术,是电力电子技术的核心,理论基础是电路理论。

电力电子器件制造技术:是电力电子技术的基础,理论基础是半导体物理。

对于信息电子,器件既可工作在放大状态,也可处于开关状态;而电力电子总处在开关状态,为避免功率损耗过大。

这是电力电子技术的一个重要特征。

电力电子设备广泛应用于电力系统和电气工程中,如高压直流输电、静态无功补偿、电力机车牵引、交流/直流输电、电解、励磁、电加热、高性能交流/直流电源等。

电力电子技术通常属于电气工程学科。

它是电气工程中最活跃的分支之一,它的不断进步极大地推动了电气工程的现代化。

控制理论广泛用于电力电子技术,使电力电子装置和系统的性能满足各种需求。

电力电子技术可看成“弱电控制强电”的技术,是“弱电和强电的接口”,控制理论是实现该接口的强有力纽带。

控制理论与自动化技术密不可分,电力电子设备是自动化技术的基本组成部分和重要支撑技术。

以计算机为核心的信息科学将是21世纪起主导作用的科学技术之一,而电力电子技术和运动控制一起,将和计算机技术共同成为未来科学技术的两大支柱。

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(2) P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓、铟 等形成了P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体 中空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
⑶ PN结:
在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质, 分别形成N型半导体和P型半导体。对于P型半导体和N 型半导体结合面,离子薄层形成的空间电荷区称为PN 结。
2.主要特征
半导体主要特征:半导体材料具有掺杂性、热敏性和光敏性。 杂质半导体主要特征:在本征半导体中掺入某些微量元素作为 杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入杂质的本征半 导体称为杂质半导体。掺入的杂质主要是三价或五价元素。
(1) N型半导体
在本征半导体中掺入五价杂质元素,例如磷,可形 成N型半导体,也称电子型半导体。在N型半导体中自由电 子是多数载流子,空穴是少数载流子。
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
2.基本特性
二极管的基本原理在于PN结的单向导电性这一主要特征。
(1)静态特性主要指其伏安特性
当电力二极管承受的正向电压大到
一定值(门槛电压UTO),正向电流才开
始明显增加,处于稳定导通状态。与正
向电流IF对应的电力二极管两端的电压 UF即为其正向电压降。当电力二极管承
教学目标
1.知识目标:熟悉电力电子器件的特征及分类问题;了 解半导体的有关知识;熟悉电力二极管的 结构及图形符号;理解电力二极管的工作 特性。
2.能力目标:学会应用电力二极管的工作特性解决实际 问题。
3.情感目标:培养学生积极向上的学习态度,培养学生 接受新知识的能力。
教学重点 、难点
重点:通过自主探究,让学生发现电力二极 管的单向导电性,确定判断极性的方 法。
PN结具有单向导电性,若外加电压使电流从P区 流到N区,PN结呈低阻性,所以电流大;反之是高阻 性,电流小。
二、电力二极管
1.电力二极管的外形、结构和电气图形符号
基本结构和工作原理 与信息电子电路中的二极 管一样。由一个面积较大 的PN结和两端引线以及封 装组成的。从外形上看, 主要有螺栓型和平板型两 种封装。
电力电子器件:可直接用于处理电能的主电路中,实现 电能的变换或控制的电子器件。
2.电力电子器件的特征
(1)能处理电功率的大小,即承受电压和电流的能力, 是最重要的参数。 (2)电力电子器件一般都工作在开关状态。
(3)实用中,电力电子器件往往需要由信息电子电路来控 制。 (4)为保证不致于因损耗散发的热量导致器件温度过高而 损坏,不仅在器件封装上讲究散热设计,在其工作时一般 都要安装散热器。
难点:二极管特性的正确应用。
知识回顾
电力电子技术课程要求和安全操作规程:
要严格按照课程要求和安全操作规 程来完成任务。
拟解决问题:
1.了解电力电子器件的特征。 2.了解半导体的有关知识。 3.了解二极管的特性及应用。 4.建立理论与实践结合起来的抽象思维方式。
一、电力电子器件的知识
1.电力电子器件的概念
受反向电压时,只有少子引起的微小而 数值恒定的反向漏电流。
I IF
O UTO UF
U
二维动画演示电力二极管特性
(2)动态特性---开关特性: 反映通态和断态之间的转换过程。
●关断过程:须经过一段短暂的时间才能重新获得反向 阻断能力,进入截止状态。在关断之前有较大的反向电 流出现,并伴随有明显的反向电压过冲。 ●开通过程:电力二极管的正向压降先出现一个过冲UFP, 经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值(如 2V)。 这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr。电导调制效 应起作用需一定的时间来储存大量少子,达到稳态导通 前管压降较大。正向电流的上升会因器件自身的电感而 产生较大压降。电流上升率越大,UFP越高 。
具有这样特征的器件是晶闸管及其大部分派生器件, 器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定。 (3)全控型器件:通过控制信号既可控制其导通又可控 制其关断,又称自关断器件。
具有这样特征的器件是绝缘栅双极晶体管、电力场 效应晶体管、门极可关断晶闸管。
二、半导体的知识
1.分类
根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、 绝缘体和半导体。半导体的导电性能优于绝缘体而不如 导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
二、核心内容
1.电力电子器件的知识 2.半导体知识 3.电力二极管的结构、特性、主要参数
拓展
1.分析电力二极管的开关特性,试设计电力 二极管的特性实验电路。 2.电力二极管作为开关元器件是如何控制电 路的?
3.主要参数
(1)正向平均电流IF(AV) 额定电流——在指定的管壳温度(简称壳温,用TC表
示)和散热条件下,其允许流过的最大工频正弦半波电流 的平均值。
(2)正向压降UF 指电力二极管在指定温度下,流过某一指定的稳态正
向电流时对应的正向压降。
(3)反向重复峰值电压UPRM 指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压;
3.电力电子器Байду номын сангаас的分类
按照器件能够被控制电路信号所控制的程度,分为以下三 类: (1)不可控器件:不能用控制信号来控制其通断, 因此也 就不需要驱动电路。
具有这样特征的器件是电力二极管,只有两个端子, 器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
(2)半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能 控制其关断。
通常是其雪崩击穿电压UB的2/3;使用时,往往按照电路 中电力二极管可能承受的反向最高峰值电压的两倍来选定。
(4)最高工作结温TJM 结温是指管芯PN结的平均温度,用TJ表示。最高工作
结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温 度。TJM通常在125~175C范围之内。
(5)反向恢复时间trr trr=td+tf,关断过程中,电流降到零起到恢复反
响阻断能力止的时间。
(6)浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频
周期的过电流。
课堂小结
一、基本概念
1.电力电子器件:可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变 换或控制的电子器件。 2.不可控器件:不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱 动电路。 3.半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 4.全控型器件:通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断,又 称自关断器件。
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