半导体基础知识教案
大学物理半导体教案
课时安排：2课时教学目标：1. 理解半导体的基本概念、导电性能及其应用。
2. 掌握半导体材料的特性，包括本征半导体、杂质半导体以及PN结的形成。
3. 理解PN结的单向导电特性，并学会分析二极管的基本电路。
4. 了解半导体三极管的结构、工作原理以及放大作用。
教学内容：一、半导体基础知识1. 半导体的定义、导电性能及其特点。
2. 本征半导体与杂质半导体的区别。
3. 半导体材料的能带结构。
二、PN结的形成与特性1. PN结的形成过程。
2. PN结的特性：单向导电性、反向截止特性。
3. PN结的伏安特性曲线。
三、半导体二极管1. 二极管的基本结构、符号及主要参数。
2. 二极管的伏安特性曲线及主要参数。
3. 二极管的应用电路：整流、稳压、限幅等。
四、半导体三极管1. 三极管的结构、符号及分类。
2. 三极管的工作原理：放大作用。
3. 三极管的放大电路：共发射极、共基极、共集电极。
教学过程：第一课时：一、导入新课1. 通过生活中的实例，如手机、电脑等，引入半导体的概念。
2. 提问：什么是半导体？它有哪些特点？二、讲授新课1. 半导体基础知识：介绍半导体的定义、导电性能及其特点。
2. 本征半导体与杂质半导体的区别：讲解本征半导体、杂质半导体以及能带结构。
三、课堂练习1. 让学生分析不同半导体材料的导电性能差异。
2. 讨论半导体的应用领域。
第二课时：一、复习导入1. 回顾上节课所学内容，提问：什么是PN结？PN结有哪些特性？二、讲授新课1. PN结的形成与特性：讲解PN结的形成过程、单向导电性、反向截止特性。
2. PN结的伏安特性曲线：分析PN结的伏安特性曲线，讲解其主要参数。
三、讲授新课1. 半导体二极管：介绍二极管的基本结构、符号及主要参数。
2. 二极管的伏安特性曲线及主要参数：分析二极管的伏安特性曲线，讲解其主要参数。
3. 二极管的应用电路：讲解整流、稳压、限幅等应用电路。
四、课堂练习1. 让学生分析二极管在电路中的作用。
半导体器件电子教案
• 数字集成电路 • 模拟集成电路 • 混合集成电路
集成电路的设计与制造工艺
集成电路的设计
• 电路设计 • 布图设计 • 工艺设计
集成电路的制造工艺
• 硅片制备 • 光刻 • 掺杂 • 薄膜沉积 • 刻蚀 • 测试
集成电路的应用与实例
集成电路的应用
• 计算机芯片 • 通信芯片 • 消费电子产品
半导体器件电子教案
01
半导体器件基础知识
半导体材料的性质与应用
半导体材料的特点
• 介于导体和绝缘体之间 • 能带结构 • 温度和掺杂影响导电性
半导体材料的分类
• 元素半导体（如硅、锗） • 化合物半导体（如镓砷化物） • 合金半导体（如硅锗合金）
半导体材料的应用
• 集成电路 • 二极管、三极管等半导体器件 • 光电器件 • 传感器
二极管的实例
• 整流二极管在电源电路中的应用 • 发光二极管在显示屏中的应用 • 稳压二极管在稳压电路中的应用
03
半导体三极管
三极管的结构与类型
三极管的结构
• NPN型 • PNP型 • MESFET型
三极管的类型
• 双极型三极管 • 结型场效应晶体管 • 高电子迁移率晶体管
三极管的特性与参数
07
半导体传感器
传感器的基本概念与分类
传感器的基本概念
• 将物理量或化学量转换为电信号 • 敏感元件与转换电路的结合
传感器的分类
• 物理传感器 • 化学传感器 • 生物传感器
传感器的原理与应用
传感器的原理
• 压电效应 • 热电效应 • 光电效应 • 化学效应
传感器的应用
• 压力检测 • 温度检测 • 光照检测 • 气体检测
半导体的基本知识教案
半导体的基本知识教案第一篇：半导体的基本知识教案电工电子技术教案第一章半导体二极管§1-1 教学目的：1、了解半导体导电性及特点。
2、初步掌握PN结的基本特性及非线性的实质。
3、熟悉二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数。
4、了解特殊功能的二极管及应用。
半导体的基本知识教学重点、难点：教学重点：1）半导体导电性及特点。
2）PN结的基本特性及非线性的实质3）二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数。
教学难点：二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数一、半导体的基本概念人们按照物质导电性能，通常将各种材料分为导体、绝缘体和半导体三大类。
导电性能良好的物质称为导体，例如金、银、铜、铝等金属材料。
另一类是几乎不导电的物质称为绝缘体，例如陶瓷、橡胶、塑料等材料。
再一类是导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体，例如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓等都是半导体。
纯净半导体也叫本征半导体，这种半导体只含有一种原子，且原子按一定规律整齐排列。
如常用半导体材料硅（Si）和锗（Ge）。
在常温下，其导电能力很弱；在环境温度升高或有光照时，其导电能力随之增强。
常常在本征半导体中掺入杂质，其目的不单纯是为了提高半导体的导电能力，而是想通过控制杂质掺入量的多少，来控制半导体的导电能力的强弱。
在硅本征半导体中，掺入微量的五价元素(磷或砷)，就形成N型半导体。
在硅本征半导体中，掺入微量的三价元素(铟或硼)，就形成P 型半导体。
二、PN结及单向导电性1、当把一块P型半导体和一块N型半导体用特殊工艺紧密结合时，在二者的交界面上会形成一个具有特殊现象的薄 1电工电子技术教案层，这个薄层被称为PN结。
2、PN结的单向导电性1）PN结加正向电压――正向导通正极接Ｐ区，负极接Ｎ区，称“正向偏置”或正偏。
２）PN结加反向电压――反向截止电源负极接Ｐ区，正极接Ｎ区，称“反向电压”或反偏。
ＰＮ结加正向电压导通，加反向电压截止，即ＰＮ结的――单向导电性§1-２一、二极管的结构、符号和分类 1.二极管的结构、符号半导体二极管晶体二极管是由一个PN结构成的，从P区引出的电极为二极管正极，N区引出的电极为二极管负极，用管壳封装起来即成二极管。
「半导体的基本知识教学设计」
「半导体的基本知识教学设计」教学目标：1.理解什么是半导体及其特性；2.掌握半导体的基本结构和工作原理；3.了解常见的半导体器件及其应用。
教学内容：一、半导体的定义和特性（200字）1.什么是半导体：介于导体和绝缘体之间的材料，具有导电能力，但电阻较高；2.半导体的特性：电阻随温度变化、存在电子和空穴两种载流子、能带结构。
二、半导体的基本结构和掺杂（300字）1.半导体材料的基本结构：原子结构和晶体结构；2.半导体的掺杂：掺入外来原子改变半导体晶体的导电性，区分P型和N型半导体。
三、PN结的形成和工作原理（300字）1.PN结的形成：将P型半导体和N型半导体结合形成的二极管结构；2.PN结的工作原理：电子从N区流向P区，空穴从P区流向N区，形成正向偏置和反向偏置模式。
四、常见的半导体器件及其应用（400字）1.二极管：用于整流、开关和信号检测等电路；2.晶体管：用于放大、开关和振荡等电路；3.MOSFET：用于功率放大和开关电路，广泛应用于数字电子技术；4.LED：发光二极管，用于指示灯、显示屏和照明等。
教学方法：1.课堂讲授：通过讲解理论知识，使学生了解半导体的基本概念和特性。
2.实验演示：展示半导体器件的基本原理和工作特点，让学生亲身体验半导体器件的使用。
3.讨论小组活动：组织学生分小组讨论，比较不同半导体器件的特点和应用。
教学过程：1.开篇导入（5分钟）：介绍半导体的概念和特性，引发学生对半导体的兴趣。
2.理论讲解（30分钟）：详细讲解半导体的基本知识，包括定义、特性、基本结构和掺杂等。
3.实验演示（30分钟）：展示二极管和晶体管的实验，让学生观察器件的工作现象并进行验证。
4.小组讨论（20分钟）：分小组讨论不同半导体器件的特点和应用，并分享给全班。
5.深化拓展（15分钟）：介绍MOSFET和LED等常见半导体器件及其应用，鼓励学生自主学习和探索。
6.总结回顾（10分钟）：对本节课的重点内容进行总结，并强调学生需要进一步学习和掌握的知识点。
半导体的基础知识教案
半导体的基础知识教案第一章：半导体概述1.1 半导体的定义与特性解释半导体的概念介绍半导体的物理特性讨论半导体的重要参数1.2 半导体的分类与制备说明半导体材料的分类探讨半导体材料的制备方法分析半导体器件的制备过程第二章：PN结与二极管2.1 PN结的形成与特性解释PN结的概念与形成过程探讨PN结的特性分析PN结的应用领域2.2 二极管的结构与工作原理介绍二极管的结构解释二极管的工作原理探讨二极管的主要参数与规格第三章：双极型晶体管（BJT）3.1 BJT的结构与分类解释BJT的概念介绍BJT的结构与分类分析BJT的运作原理3.2 BJT的特性与参数探讨BJT的输入输出特性讨论BJT的主要参数与规格分析BJT的应用领域第四章：场效应晶体管（FET）4.1 FET的结构与分类解释FET的概念介绍FET的结构与分类分析FET的运作原理4.2 FET的特性与参数探讨FET的输入输出特性讨论FET的主要参数与规格分析FET的应用领域第五章：半导体器件的应用5.1 半导体二极管的应用介绍半导体二极管的应用领域分析二极管在不同电路中的应用实例5.2 半导体晶体管的应用解释半导体晶体管在不同电路中的应用探讨晶体管在不同电子设备中的应用实例5.3 半导体集成电路的应用介绍半导体集成电路的概念分析集成电路在不同电子设备中的应用实例第六章：半导体存储器6.1 存储器概述解释存储器的作用与分类探讨半导体存储器的发展历程分析存储器的主要参数6.2 RAM与ROM介绍RAM（随机存取存储器）的原理与应用解释ROM（只读存储器）的原理与应用分析RAM与ROM的区别与联系6.3 闪存与固态硬盘探讨闪存（NAND/NOR）的原理与应用介绍固态硬盘（SSD）的结构与工作原理分析固态硬盘的优势与挑战第七章：太阳能电池与光电子器件7.1 太阳能电池解释太阳能电池的原理与分类探讨太阳能电池的优缺点分析太阳能电池的应用领域7.2 光电子器件解释光电子器件的分类与应用探讨光电子器件的发展趋势第八章：半导体传感器8.1 传感器的基本概念解释传感器的作用与分类探讨传感器的基本原理分析传感器的主要参数8.2 常见半导体传感器介绍常见的半导体传感器类型解释半导体传感器的原理与应用分析半导体传感器的优势与挑战8.3 传感器在物联网中的应用探讨物联网与传感器的关系介绍传感器在物联网应用中的实例分析物联网传感器的发展趋势第九章：半导体激光器与光通信9.1 半导体激光器解释半导体激光器的工作原理探讨半导体激光器的特性与参数分析半导体激光器的应用领域9.2 光通信原理解释光纤通信与无线光通信的区别探讨光通信系统的组成与工作原理9.3 光通信器件与技术介绍光通信器件的类型与功能解释光通信技术的分类与发展趋势分析光通信在现代通信系统中的应用第十章：半导体技术与未来趋势10.1 摩尔定律与半导体技术发展解释摩尔定律的概念与意义探讨摩尔定律对半导体技术发展的影响分析半导体技术的未来发展趋势10.2 纳米技术与半导体器件介绍纳米技术在半导体器件中的应用解释纳米半导体器件的特性与优势探讨纳米半导体器件的未来发展趋势10.3 新兴半导体技术与应用分析新兴半导体技术的种类与应用领域探讨量子计算、生物半导体等未来技术的发展前景预测半导体技术与产业的未来发展趋势重点和难点解析重点环节一：半导体的定义与特性重点环节二：半导体的分类与制备重点环节三：PN结与二极管重点环节四：双极型晶体管（BJT）重点环节五：场效应晶体管（FET）重点环节六：半导体存储器重点环节七：太阳能电池与光电子器件重点环节八：半导体传感器重点环节九：半导体激光器与光通信重点环节十：半导体技术与未来趋势全文总结和概括：本文主要对半导体的基础知识进行了深入的解析，包括半导体材料的分类与特性、半导体的制备方法、PN结与二极管、双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）、半导体存储器、太阳能电池与光电子器件、半导体传感器、半导体激光器与光通信以及半导体技术与未来趋势等内容进行了详细的阐述。
半导体及其应用教案
半导体及其应用教案一、教学目标1.了解半导体的概念和基本特性；2.掌握半导体的晶体结构和能带理论；3.了解半导体的主要应用领域。
二、教学内容与教学步骤1.半导体的概念和基本特性（20分钟）a.介绍半导体的定义和特点，与导体和绝缘体进行对比；b.讲解半导体的电子结构和能带。
2.半导体的晶体结构和能带理论（40分钟）a.介绍半导体的晶体结构，包括晶格、晶体缺陷和束缚能级；b.讲解半导体的能带结构，包括导带、价带和禁带；c.解释半导体的p型和n型掺杂。
3.半导体的主要应用领域（40分钟）a.介绍半导体在电子器件中的应用，如二极管、三极管和集成电路；b.介绍半导体在光电子学中的应用，如激光器和光电器件；c.介绍半导体在能源领域中的应用，如太阳能电池。
三、教学手段1. PowerPoint演示；2.实物展示：展示一些半导体材料和器件，让学生能够直观感受到半导体的特性；3.讲解与讨论：与学生进行互动，解答他们的问题，并鼓励他们参与课堂讨论。
四、教学评价1.利用课堂小测验对学生的学习情况进行评价，包括选择题和简答题；2.在课堂讨论中评价学生的参与度和回答问题的质量；3.鼓励学生进行实验和课堂展示，评价他们的观察、分析和表达能力。
五、教学资源1. PowerPoint演示；2.半导体材料和器件的展示；3.课堂小测验。
六、教学延伸1.组织学生参观半导体生产厂家或研究机构，加深对半导体的理解和应用；2.鼓励学生进行小组项目研究，探索更多的半导体应用领域；3.组织学生参与科技创新竞赛，提升他们的创新能力和团队合作精神。
七、教学反思本节课主要介绍了半导体的概念、基本特性、晶体结构和能带理论，以及半导体在电子器件、光电子和能源领域的应用。
通过实物展示、讲解和讨论，提高了学生对半导体的理解和应用意识。
然而，由于时间有限，课堂内容相对简单，不能深入讲解每个应用领域的具体原理和技术。
教学过程中，通过与学生的互动和评价，发现学生们对晶体结构和能带理论的理解还不够深入，需要更多的练习和实践。
半导体基础知识教案
半导体基础知识教案教案：半导体基础知识一、教学目标1.了解半导体的基本概念和特性。
2.认识半导体器件的分类和特点。
3.理解PN结的形成原理。
4.掌握半导体材料的基本性质和载流子的性质。
5.能够解释N型和P型半导体的形成过程及其特点。
二、教学重点1.半导体的基本概念和特性。
2.PN结的形成原理和性质。
三、教学难点1.半导体材料的基本性质和载流子的性质。
2.N型和P型半导体的形成过程及其特点。
四、教学过程1.导入（10分钟）通过展示一些常见的电子器件，引导学生思考半导体在电子器件中的作用，并提出相关问题。
2.讲解半导体的基本概念和特性（30分钟）（1）什么是半导体？（2）半导体的特性：导电性介于导体和绝缘体之间，自由载流子密度较低，导电性可通过控制去控制。
（3）半导体的晶体结构：满足共价键结构，可分为三维晶体和二维薄膜。
3.讲解PN结的形成原理和性质（40分钟）（1）PN结的形成原理：在P型和N型半导体相接触时，P型区域的空穴会向N型区域扩散，而N型区域的电子会向P型区域扩散，从而形成PN结。
（2）PN结的特性：具有整流作用，在正向偏置时导通，在反向偏置时截止。
4.讲解半导体材料的基本性质和载流子的性质（40分钟）（1）半导体材料的基本性质：硅和锗是常见的半导体材料，它们的常见性质包括禁带宽度和载流子浓度等。
（2）载流子的性质：包括载流子类型、载流子浓度和载流子迁移率等。
5.解释N型和P型半导体的形成过程及其特点（40分钟）（1）N型半导体的形成：掺杂少量的五价元素，如砷、锑等，形成多余电子，增加了电子浓度，形成N型半导体。
（2）N型半导体的特点：导电性主要由电子提供，因此电子迁移到P 型区域发挥导电作用。
（3）P型半导体的形成：掺杂少量的三价元素，如硼、铝等，形成多余空穴，增加了空穴浓度，形成P型半导体。
（4）P型半导体的特点：导电性主要由空穴提供，空穴迁移到N型区域发挥导电作用。
6.总结与讨论（20分钟）总结半导体的基本概念、特性以及PN结的形成原理和性质。
《半导体的基本知识》教学设计
《电子技术基础》1-1半导体的基本知识教学设计1教学重点1．半导体的导电特性；2．两种杂质半导体的形成、特点。
教学难点 1. PN结的形成及其特点。
教学资源及手段多媒体课件；智慧树平台；YN智慧校园；钉钉；智慧黑板以及彩色粉笔。
教学方法讲授法；提问法；练习法；演示法；讨论法；自主学习法。
教学环节教学内容及过程课前教学内容教师活动学生活动设计意图1.通过智慧树平台，让学生利用微课视频提前预习教学内容；2.通过钉钉线上布置任务，让学生明确学习任务；3.通过钉钉线上提交课前预习情况及时调整课堂教学内容；4.准备电子课件、电子教案；课前，教师通过钉钉平台家校本功能发布预习任务；根据学生提交的课前学习任务完成情况，适时调整教学内容。
查看钉钉课前预习任务并按时提交，“智慧树”平台观看电子技术概述微课视频。
提升学生学习电子技术这门技术的兴趣，把握学生预习情况。
中复习旧知(2min) 准备上课：用YN智慧校园点名功能，进行签到；上次课内容的回顾本节课是电子技术基础的第一节课，可以直接新课导入，通过多媒体播放图片、实物展示等让学生在直观上感知电子技术的魅力，激发学生学习的好奇心。
把全班学生进行分组，对每个小组课前预习情况及完成率进行总结，并计入课堂考核。
教师提问，电子技术这门课的初步印象。
（提问法）分小组回答老师提出的问题，并互相评价每个小组回答的是否准确。
（讨论法）让学生对本门课程产生兴趣和认知2新课导入(5min)多媒体播放图片、微视频演示、实物观察让学生在直观上感知学习任务，激发学生学习的好奇心和求知欲。
YN智慧校园点名；视频演示、电路板实物演示。
(演示法)学生在YN智慧校园APP完成本节课考勤；观看视频、观察电路板的组成。
提高学生课堂注意力，激发学生学习兴趣。
新课讲解(32min)一、概述(5min)1.半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
半导体基础知识教案
课序： 1课题：第一章第 1.1 节半导体基础知识目的要求： 1.了解本征半导体的结构和特征2.掌握杂质半导体的结构和特征3.牢固掌握P型和N型半导体的特点重点难点：重点P型和N型半导体的特点难点本征激发教学手段: 结合电子课件讲解教具：电子课件、计算机、投影屏幕复习提问 1.三、四、五价化学元素有哪些？2.惰性气体有何特点？课堂讨论 1.何谓本征半导体？其导电能力由什么因素决定。
2. P型和N型半导体的特点？3.半导体的导电能力与哪些因素有关？课时分配:2课时授课内容：引言模拟电子电路的核心是半导体器件，而半导体器件是由半导体材料制成的。
因此，我们必须首先了解半导体的有关知识，尤其应当了解半导体的导电特性。
1.1.1导体、绝缘和半导体物质按其导电能力的强弱，可分为导体、绝缘体和半导体。
一. 导体导电能力很强的物质，叫导体。
如低价元素铜、铁、铝等。
二、绝缘体导电能力很弱，基本上不导电的物质,叫绝缘体.如高价惰性气体和橡胶、陶瓷、塑料等高分子材料等.三. 半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，叫半导体。
如硅、锗等四价元素，其简化原子结构模型如图课本１.１所示。
为什么物质的导电能力有如此大的差别呢？这与它们的原子结构有关，即与它们的原子最外层的电子受其原子核束缚力的强弱有关。
１.１.２本征半导体纯净且呈现晶体结构的半导体，叫本征半导体。
一. 本征半导体结构通过特殊工艺加工，可以使硅或锗元素的原子之间靠共有电子对—共价键，形成非常规则的晶体点阵结构。
结果每个原子外层相对排满８个电子，形成相对稳定的状态。
这种结构整齐且单一的纯净半导体，叫本征半导体。
如课本图１-２所示二. 本征激发在常温下，由于热能的激发，使本征半导体共价键中的价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子。
同时，在共价键中留下一个空位，叫空穴。
这种产生自由电子和空穴对的现象，叫本征激发。
温度一定，自由电子和空穴对的浓度也一定。
难度适中的物理教案：半导体
半导体一、教学目标1、理解半导体的概念和特点。
2、掌握半导体晶体的结构和性质。
3、了解半导体的导电性和半导体器件的应用。
二、教学重点1、半导体的导电性。
2、半导体器件的应用。
三、教学难点1、半导体晶体的结构和性质。
2、半导体器件的原理和应用。
四、教学方法1、讲解理论知识，结合实验教学。
2、讲解原理，引导学生探索。
五、教学内容1、半导体的概念和特点半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，在它的晶体中，电子的运动状态介于导体和绝缘体之间，并且受外界电场、光照、温度等因素的影响很大。
半导体的导电性介于导体和绝缘体之间，相对导体具有比较小的导电性，但又比绝缘体具有很好的导电性。
2、半导体晶体的结构和性质半导体晶体一般采用硅、锗等元素制成。
半导体晶体的结构和性质决定了半导体的导电性和电学性质。
半导体晶体包括两种类型的掺杂：n型掺杂和p型掺杂。
n型掺杂是在晶体中加入掺杂剂，例如磷、锑、砷等元素，这些元素具有多余电子，称为施主；p型掺杂是在晶体中加入掺杂剂，例如硼、镓、铝等元素，这些元素具有缺电子，称为受主。
3、半导体的导电性和半导体器件的应用半导体的导电性是通过n型和p型掺杂实现的。
在n型半导体中，施主原子会附加在半导体晶体中，多余的电子会引起电子浓度增加；在p型半导体中，受主原子会附加在半导体晶体中，引发电子缺陷，即空穴，随着空穴浓度的增加，p型半导体具有良好的导电性。
p-n结是半导体器件中的基本元件。
半导体器件具有很多种应用，如二极管、三极管、场效应晶体管和光电二极管等。
二极管具有电流仅能在一定方向上流动的特性，可以将交流变成直流；三极管的作用是放大信号，可以用于放大器和开关电路；场效应晶体管可以控制电信号，在半导体器件中应用广泛。
六、教学总结半导体技术是现代电子技术中最为重要的技术之一，使用广泛，在电子工业、通讯、计算机等领域都有广泛的应用。
半导体器件是现代电子技术的核心之一，掌握半导体技术和器件的原理和应用，对于电子工程师和相关专业人员都是非常重要的。
半导体器件基础教案
半导体器件基础教案一、教学目标1.了解半导体的基本概念和特性；2.掌握常见的半导体器件的工作原理和应用；3.能够对常见的半导体器件进行基本的参数计算和电路设计。
二、教学内容1.半导体的基本概念1.1半导体的定义1.2半导体的基本特性1.3半导体的能带结构2. pn结的基本特性和应用2.1 pn结的形成和基本特性2.2 pn结的整流特性和应用2.3 pn结的击穿特性和应用3.势垒二极管的工作原理和应用3.1势垒二极管的结构和符号3.2势垒二极管的电流-电压关系3.3势垒二极管的特性指标3.4势垒二极管的应用4.双极型晶体管的结构和特性4.1双极型晶体管的三种基本结构4.2双极型晶体管的放大特性和放大模式4.3双极型晶体管的特性指标4.4双极型晶体管的应用5.MOS场效应管的结构和特性5.1MOS场效应管的基本结构和符号5.2MOS场效应管的工作原理5.3MOS场效应管的特性指标5.4MOS场效应管的应用三、教学方法1.理论授课：通过讲解半导体器件的基本原理和特性，以及它们在电子电路中的应用，使学生理解并掌握相关知识。
2.实验演示：通过实验演示半导体器件的基本工作原理，以及它们在电路中的应用，帮助学生加深对知识的理解和记忆。
四、教学过程1.引入通过提问，引导学生回顾半导体的基本概念和特性。
2.主体2.1讲解半导体的基本概念和特性，包括半导体材料的能带结构、载流子的类型以及半导体的导电性等内容。
2.2 讲解pn结的基本特性和应用，包括pn结的形成过程、整流特性以及击穿特性等内容。
2.3讲解势垒二极管的工作原理和应用，包括势垒二极管的结构、电流-电压关系以及常见的应用场景。
2.4讲解双极型晶体管的结构和特性，包括双极型晶体管的三种基本结构、放大特性以及常见的放大模式。
2.5讲解MOS场效应管的结构和特性，包括MOS场效应管的基本结构、工作原理以及常见的特性指标。
3.巩固通过例题练习，帮助学生巩固所学的知识。
半导体基础知识教案
教学内容和教师活动学生活动教学设计意图
本征半导体又称纯净半导体。
本征半导体的特性：
当导体处于热力学温度0K 时，导体中没有自由电子。
当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。
挣脱：这一现象称为本征激发，也称热激发。
4.自由电子和空穴
自由电子
空穴
电子空穴对
复合
5.本征半导体的另外一些性质本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。
空穴的移动
空穴的导电能力不如自由电子学生思考：0K是多少摄氏度？
在本征半导体的特性中挣脱
和日常生活中的挣脱是有什
么区别？说出自己的理解。
学生通过阅读课本相关材料
分组学习自由电子、空穴及电
子空穴对和复合的基本意义，
并每个小组派出代表说出或
者表演这些基本概念的意义。
学生通过图片和动画认识本
征半导体的另外一些性质。
设计意图：10分钟
带着学生去思考问
题，渗透一些学习
的方法。
设计意图：10分钟
培养学生的阅读能
力，分析能力和理
解能力，能够从给
定的材料中找到问
题的答案。
设计意图：10分钟
对于比较难理解的
部分采用图片展示
及动画模拟等多媒
体手段，让学生能
够深入浅出的理解
本征半导体的特
性。
电子电工学第8章半导体器件的教案
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第 8 章 半导体器件
*（二）光电二极管
它的反向电流随光照强度的增加而上升。光电二极管工作 于反向偏置状态，无光照时电路中电流很小，有光照时电流会 急剧增加。
D D
E
RL
I E
图 8.3.3 光电二极管电路
*（三）发光二极管
图 8.3.4 发光二极管电路
发光二极管工作于正向偏置状态，正向电流通过发光二极 管时，它会发出光来，正向工作电压一般不超过 2 V，正向电 流为10 mA左右。发光二极管常用于数字仪表和音响设备中的 显示器。
第 8 章 半导体器件
第 8 章 半导体器件
8.1 半导体基础知识 8.2 半导体二极管 8.3 特殊二极管 8.4 集成稳压器 8.5 双极型晶体管 8.6 场效应晶体管 8.7 集成电路 8.8 晶闸管
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教学基本要求
分析与思考
练习题
第 8 章 半导体器件
8.1 半导体基础知识
（一）本征半导体 定义：纯净的具有晶体结构的半导体
UO
C1 ：2.2 F
—
CO ：1F
图 8.3.4 CW7900 接线图
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第 8 章 半导体器件
+
1 CW7805 2
+
+
+
C1
3
CO UO1
Ui
UO
+
C1
1
+
CO
UO2
–
CW7905
3
2
—
图 8.4.4 同时输出正负两组电压接线图
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半导体器件的基础知识微课教学设计
教学反思
新授课
Ａ、引出课题
我们在初中物理学过，自然界的物质按照导电能力的不同，可划分为几类呢？（导体和绝缘体）通过提问的方式引出本节课课题。
B、新授课
第一节半导体的基础知识（老师板书并讲解）
1．自然界的物质按照导电能力的强弱可划分为导体、半导体和绝缘体。
2.半导体的定义：导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体，主要材料有硅和锗。
3.本征半导体的定义：纯净的晶体结构的半导体。
纯净代表着无杂质，晶体结构说明结
构稳定。
4.本征半导体的结构：
（通过将本征半导体比作教室，自由电子比作教室的学生，空穴比作教室的座位来加深学生对本征半导体的理解）
5.本征半导体的导电原理
由于光照或温度，引起分子热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子，自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴。
在外加电场的作用下，自由电子和空穴的定向移动形成电流。
（通过学生下课，学生的活动和座位的空缺来解释分子热运动，生动形象）
6.P型半导体和N型半导体
在本征半导体中掺入五价元素（如磷P），自由电子的浓度大于空穴的浓度，称自由电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载流子（简称少子），形成电子型半导体，即N 型半导体。
在本征半导体中掺入三价元素（如硼B），空穴为多子，电子为少子，形成空穴型半导体，即P型半导体。
课堂练习
小结1、半导体的定义
2、本征半导体的定义以及结构
3、本征半导体的导电原理
4、P型半导体和N型半导体的形成及特点
布置作业。
半导体的基础知识教案
半导体的导电性：在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；另一方面，价电子也按一定方向依次填补空穴，即空穴产生了定向移动，形成所谓空穴电流。
载流子：由此可见，半导体中存在着两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。
本征半导体中自由电子与空穴是同时成对产生的，因此，它们的浓度是相等的。
载流子的浓度：价电子在热运动中获得能量摆脱共价键的束缚，产生电子—空穴对。
同时自由电子在运动过程中失去能量，与空穴相遇，使电子—空穴对消失，这种现象称为复合。
在一定的温度下，载流子的产生与复合过程是相对平衡的，即载流的浓度是一定的。
本征半导体中的载流子浓度，除了与半导体材料本身的性质有关以外，还与温度有关，当本征半导体所处环境温度升高或有光照射时，其内部载流子数增多，导电能力随之增强。
所以半导体载流子的浓度对温度十分敏感。
上述特点称为本征半导体的热敏性和光敏性，利用这些特点可以制成半导体热敏元件和光敏元件。
半导体的导电性能与载流子的浓度有关，但因本征载流子在常温下的浓度很低，所以它们的导电能力很差。
当我们人为地、有控制地掺入少量的特定杂质时，其导电性将产生质的变化。
二、杂质半导体在本征半导体中掺入适量且适当的其他元素（叫杂质元素），就形成杂质半导体，其导电能力将大大增强。
因掺入杂质不同，杂质半导体可分为空穴（P）型和电子(N)型半导体两类。
1、P型半导体在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素（如硼元素）。
硼原子只有3个价电子,它与周围硅原子组成共价键时,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空穴。
这个空穴与本征激发产生的空穴都是载流子,具有导电性能。
在P型半导体中,空穴数远远大于自由电子数,空穴为多数载流子(多子),自由电子为少数载流子(少子)。
导电以空穴为主,故此类半导体称为空穴(P)型半导体。
2、N型半导体在纯净的半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如磷元素）后,就可成为N型半导体。
在这种半导体中,自由电子数远大于空穴数，自由电子为多数载流子(多子)；空穴为少数载流子(少子),导电以电子为主,故此类半导体称为电子（N）型半导体。
现代教育技术课件——半导体基础知识教案
现代教育技术课件——半导体基础知识教案第一篇：现代教育技术课件——半导体基础知识教案《半导体基础知识》说课稿尊敬的各位评委、各位老师：大家好！今天我说课的内容是《模拟电子技术基础》第一章第1课时的《半导体基础知识》。
下面我将从以下六个方面对本节课的设计加以阐述：一、说教材的地位与作用半导体是模拟电路的的主要内容，在模拟电子技术占有重要的地位。
半导体技术应用广泛，衍生出很多半导体材料，其中半导体二极管，三极管为模拟电子技术基础的重点，所以本章节为本书籍的最底层，最基础的部分。
同时，本章节也让同学认识到模拟电子技术的最原始的理论。
二、教学目标的确定及依据根据教学大纲要求，结合教材，考虑到学生已有的认知结构心理特征，我制定了如下的教学目标：(1)知识目标：认识什么是半导体，半导体的材料物理特性，电特性等概念。
(2)能力目标：通过类比，让同学们认识到空穴，电子等概念，半导体的工作原理。
(3)情感目标：通过图解法与等效电路法的对比，使学生体验到两种方法能化难为简美妙之处，调动学生学习数学的积极性。
三、教学重点与难点重点：1、PN结的单向导电性；2、PN结的伏安特性；难点：1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电；2、掺杂半导体中的多子和少子3、PN结的形成；四、教学组织过程本讲宜教师讲授。
用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。
五、主要内容1、半导体及其导电性能根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。
半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 •cm。
典型的半导体有硅Si 和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。
半导体基本知识教案
其中，大家听说过的晶体二极管、三极管，它们的制作材料就是这种半导体。目前，制造半导体器件用的最多的是硅和锗两种材料。
今天，我们主要学习半导体的相关知识。
拓展
由于从化学的角度上看，硅和锗是原子规则排列的单晶体，因此用半导体材料制成的半导体管通常也称为晶体管。
一起参与讨论
2 min
过渡
既然半导体的导电性介于导体和绝缘体之间，那么我们来看一下，半导体的特性。
而对于不同物质，其导电性是不相同的。
提问：你认为哪一类物质的导电性最好？哪一类物质的导电性最差？
学生思考
5 min
教师听取学生的回答，并做出解答。
绝缘体：最外层电子不易摆脱原子核的束缚，很难挣脱成为自由电子，因此导电性极差；
导体：一般为金属，最外层电子受到的束缚很小，极易挣脱成为自由电子，因此导电性较好；
讲解
纯净的半导体称为本征半导体，在本征半导体中，有选择地掺入少量其它元素，会使其导电性能发生显著的变化。这也就是刚才讲过的半导体的“掺杂特性”。
其中，这些加入的少量元素统称为杂质。掺பைடு நூலகம்杂质的半导体称为杂质半导体。根据掺入的杂质不同，有N型半导体和P型半导体两种。
听讲
过渡
如果将P型半导体和N型半导体结合在一起，会有什么特殊的性质呢？接下来我们就来学习第二部分内容——PN结及其性质。
本章将介绍与半导体器件有关的基础知识及半导体二极管的结构、工作原理和特性等知识。
学生可以回答自己所认识的关于半导体材料的相关内容。
2 min
板书
第一章半导体二极管
做课堂笔记
3 min
过渡
首先来学习一下半导体的基本知识。
板书
§1—1半导体的基本知识
半导体器件的基础知识学习教案
(diànliú)随电压增大而急剧增大，二极管导通。
导通电压： Von
=
0.6 0）.2
V V
~ ~
0.7 0.3
V V
（Si （Ge）
结论：正偏时电阻小，具有非线性。
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1.1 半导体二极管
（2）反向特性（二极管负极电压(diànyā)大于正极电压 (diàn①yā反)）向饱和电流：当加反向电压时，二极管反向电流很小，而
1．半导体二极管的结构(jiégòu)和符号 利用 PN 结的单向导电性，可以用来(yònɡ lái)制造一种 半导体器件 —— 半导体二极管。 电路符号如图所示。
箭头表示正向导(xiàngdǎo)通电流的方向。
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1.1 半导体二极管
由于管芯结构不同(bù tónɡ)，二极管又分为点接触型（如 图 a）、面接触型（如图 b）和平面型（如图 c）。
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1.1 半导体二极管
3．半导体二极管的主要参数
（1）最大整流(zhěngliú)电流 IF：
二极管长时间工作时允许(yǔnxǔ)通过的最大直流电流 。
使用时应注意流过二极管的正向最大电流不能大于这个数 值，否则可能损坏二极管。
（2）最高反向工作电压 VRM
二极管正常(zhèngcháng)使用时允许加的最高反向电压。 使用中如果超过此值，二极管将有被击穿的危险。
第十四页，共49页。
1.2 半导体三极管
1.2.2 三极管的电流(diànliú)放大作用
1．三极管各电极上的电流(diànliú)分配 三极管电流分配实验(shíyàn)电路如图所示。
电工与电子技术半导体器件电子教案
电工与电子技术-半导体器件电子教案第一章：半导体基础知识1.1 半导体的概念与分类1.2 半导体的物理性质1.3 半导体材料的制备与掺杂1.4 半导体器件的优点与局限性第二章：二极管2.1 二极管的结构与工作原理2.2 二极管的伏安特性2.3 二极管的分类与参数2.4 二极管的应用举例第三章：晶体管3.1 晶体管的结构与工作原理3.2 晶体管的分类与参数3.3 晶体管的放大作用3.4 晶体管的应用举例第四章：场效应晶体管4.1 场效应晶体管的结构与工作原理4.2 场效应晶体管的分类与参数4.3 场效应晶体管与晶体管的比较4.4 场效应晶体管的应用举例第五章：集成电路5.2 集成电路的分类与特点5.3 集成电路的封装与测试5.4 集成电路的应用举例第六章：晶闸管6.1 晶闸管的结构与工作原理6.2 晶闸管的伏安特性6.3 晶闸管的触发与维持6.4 晶闸管的应用举例第七章：可控硅7.1 可控硅的结构与工作原理7.2 可控硅的触发与控制7.3 可控硅的应用领域7.4 可控硅与其他器件的比较第八章：集成电路设计基础8.1 集成电路设计的基本流程8.2 数字集成电路设计8.3 模拟集成电路设计8.4 集成电路设计软件与工具第九章：集成电路制造技术9.1 集成电路的制造流程9.2 晶圆制造技术9.4 集成电路制造的发展趋势第十章：半导体器件的检测与维护10.1 半导体器件的检测方法10.2 半导体器件的测试仪器与设备10.3 半导体器件的维护与保养10.4 半导体器件的故障分析与处理第十一章：功率半导体器件11.1 功率二极管和快恢复二极管11.2 晶闸管模块和GTO11.3 IGBT和MOSFET11.4 功率集成电路和模块第十二章：传感器与半导体器件12.1 温度传感器12.2 压力传感器12.3 光敏传感器和光电子器件12.4 超声波传感器和其他传感器第十三章：半导体器件在通信技术中的应用13.1 晶体管在放大器和振荡器中的应用13.2 集成电路在数字通信中的应用13.3 光电器件在光纤通信中的应用13.4 射频识别技术(RFID)和半导体器件第十四章：半导体器件在计算机技术中的应用14.1 微处理器和逻辑集成电路14.2 存储器原理和存储器芯片14.3 显卡和显示技术中的半导体器件14.4 固态硬盘和闪存技术第十五章：半导体器件的安全、环保与可靠性15.1 半导体器件的安全性15.2 环保型半导体器件的设计与制造15.3 半导体器件的可靠性原理15.4 故障诊断和寿命预测技术重点和难点解析本文主要介绍了电工与电子技术中的半导体器件相关知识，包括半导体基础知识、二极管、晶体管、场效应晶体管、集成电路、晶闸管、可控硅、集成电路设计基础、集成电路制造技术、半导体器件的检测与维护、功率半导体器件、传感器与半导体器件、半导体器件在通信技术中的应用、半导体器件在计算机技术中的应用以及半导体器件的安全、环保与可靠性等内容。
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课序： 1课题：第一章第 1.1 节半导体基础知识目的要求： 1.了解本征半导体的结构和特征2.掌握杂质半导体的结构和特征3.牢固掌握P型和N型半导体的特点重点难点：重点P型和N型半导体的特点难点本征激发教学手段: 结合电子课件讲解教具：电子课件、计算机、投影屏幕复习提问 1.三、四、五价化学元素有哪些？2.惰性气体有何特点？课堂讨论 1.何谓本征半导体？其导电能力由什么因素决定。
2. P型和N型半导体的特点？3.半导体的导电能力与哪些因素有关？课时分配:2课时授课内容：引言模拟电子电路的核心是半导体器件，而半导体器件是由半导体材料制成的。
因此，我们必须首先了解半导体的有关知识，尤其应当了解半导体的导电特性。
1.1.1导体、绝缘和半导体物质按其导电能力的强弱，可分为导体、绝缘体和半导体。
一. 导体导电能力很强的物质，叫导体。
如低价元素铜、铁、铝等。
二、绝缘体导电能力很弱，基本上不导电的物质,叫绝缘体.如高价惰性气体和橡胶、陶瓷、塑料等高分子材料等.三. 半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，叫半导体。
如硅、锗等四价元素，其简化原子结构模型如图课本１.１所示。
为什么物质的导电能力有如此大的差别呢？这与它们的原子结构有关，即与它们的原子最外层的电子受其原子核束缚力的强弱有关。
１.１.２本征半导体纯净且呈现晶体结构的半导体，叫本征半导体。
一. 本征半导体结构通过特殊工艺加工，可以使硅或锗元素的原子之间靠共有电子对—共价键，形成非常规则的晶体点阵结构。
结果每个原子外层相对排满８个电子，形成相对稳定的状态。
这种结构整齐且单一的纯净半导体，叫本征半导体。
如课本图１-２所示二. 本征激发在常温下，由于热能的激发，使本征半导体共价键中的价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子。
同时，在共价键中留下一个空位，叫空穴。
这种产生自由电子和空穴对的现象，叫本征激发。
温度一定，自由电子和空穴对的浓度也一定。
由于本征激发而在本征半导体中存在一定浓度的自由电子（带负电荷）和空穴（带正电荷）对，故其具有导电能力，但其导电能力有限。
１.１.３杂质半导体在本征半导体中掺入适量且适当的其他元素（叫杂质元素），就形成杂质半导体，其导电能力将大大增强。
一.Ｎ型半导体在硅或锗本征半导体中掺入适量的五价元素（如磷），则磷原子与其周围相邻的四个硅或锗原子之间形成共价键后，还多出一个电子，这个多出的电子极易成为自由电子参与导电。
同时,因本征激发还产生自由电子和空穴对。
结果,自由电子成为多数载流子(称多子),空穴成为少数载流子(称少子)。
这种主要依靠多数载流子自由电子导电的杂质半导体，叫N型半导体，如图1-4所示。
二.P型半导体在硅或锗本征半导体中，摻入适量的三价元素（如硼），则硼原子与周围的四个硅或锗原子形成共价键后，还留有一个空穴。
同时，因本征激发还产生自由电子和空穴对。
结果，空穴成为多子，自由电子成为少子。
这种主要依靠多子空穴导电的杂质半导体，叫P型半导体。
如图1-5所示。
无外电场作用时，本征半导体和杂质半导体对外均呈现电中性，其内部无电流。
小结1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
2.在一定温度下，本征半导体因本征激发而产生自由电子和空穴对，故其有一定的导电能力。
3.本征半导体的导电能力主要由温度决定；杂质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。
4.P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。
N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。
5.半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度和材料性质有关。
课序： 2课题：第一章第 1.2 节 PN结及半导体二极管目的要求： 1.理解PN结的形成机理。
2.掌握PN结、二极管的单向导电特性3.了解稳压二极管和特种二极管的特点4.了解二极管和稳压二极管的用途重点难点：重点二极管的结构、特征和参数难点 PN结的形成手段: 结合电子课件讲解教具：电子课件、计算机、投影屏幕复习提问 1.半导体的导电能力与那些因素有关？2.P型和N型半导体的特点？课堂讨论 1.同温下，硅二极管和锗二极管的特性相同吗？2.同一只二极管，当温度不同时，其特性相同吗？3.PN结为何具有单向导电特性？课时分配: 2课时授课内容引言本征半导体、P型和N型半导体都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。
1.2.1 PN结的形成在特殊工艺条件下，P型和N型半导体交界面处所形成的空间电荷区，称为PN结.一. 多数载流子的扩散在P型和N型半导体交界面两侧,电子和空穴的浓度差很大。
在浓度差的作用下，P区中的多子空穴向N区扩散,在P区一侧留下杂质负离子,在N区一侧集中正电荷;同时，N区中的多子自由电子向P区扩散，在N区一侧留下杂质正离子，在P区一侧集中负电荷。
结果，在P型和N型半导体交界面处形成空间电荷区，自建内电场ε（从N区指向P区），如课本图1-6所示。
内二. 少数载流子的漂移在内电场的作用下，P区中的少子自由电子向N区漂移，而N区中的少子空穴向P区飘移，使内电场削弱。
三. 扩散与漂移的动态平衡当内电场达到一定值时，多子的扩散运动与少子的漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区不再变化，这个空间电荷区，就称为PN结。
空间电荷区无载流子停留，故曰耗尽层，又叫阻挡层或势垒层。
无外电场作用时，PN结内部虽有载流子运动，但无定向电流形成。
1.2.2 PN结的单向导电特性一. PN结加正向电压PN结加正向电压（正偏）时，外电场与内电场反方向，使空间电荷区变窄，多子的扩散运动远大于少子的漂移运动，由浓度大的多子扩散形成较大的正向电流，PN结处于导通状态。
此时，其正向通态电阻很小，正向通态管压降也很小，如图1-7（a）所示。
二. PN结加反向电压PN结加反向电压（反偏）时，外电场与内电场同方向，使空间电荷区变宽，多子扩散运动大大减弱，而少子的漂移运动相对加强，由浓度很小的少子漂移形成很小的反向饱和电流IS,PN结处于截止状态。
此时，反向电阻很大。
如图1-7（b）所示。
PN结正偏时导通，反偏时截止，故具有单向导电特性。
其特性曲线如图1-8所示，电压U与电流I的关系式为I D =IS（1TPUUe）三，反向击穿当PN结所加反向电压达到UB 时，其反向电流急剧增加，叫反向击穿，UB叫击穿电压。
PN结有雪崩击穿和齐纳击穿两种击穿状态。
无论处于何种击穿时，反向电流只要不超过允许值，去掉反向电源后，仍能恢复单向导电性。
四，PN结的电容效应1.势垒电容CT当PN结的反偏电压变化时，空间电荷区随之变宽（相当于充入电荷）或变窄（相当于放出电荷），故具有电容效应，叫势垒电容，用CT表示。
2.扩散电容CD当PN结的正偏电压变化时，P区和N 区中多子的浓度和浓度梯度均随之变化，也具有一定的电容效应，叫扩散电容，用CD表示3.PN结的结电容CJC J =CT+CD正偏时，CD 起主要作用；反偏时，CT起主要作用。
1.2.3半导体二极管一，二极管的结构给PN结加上两个引线（管脚）和管壳即成二极管，接P区的管脚称阳极，接N区的管脚称阴极。
二，二极管的类型1.按结构区分，如图1-2所示点接触型：PN结面积小，工作电流小，PN结电容小，工作频率高。
面接触型：PN结面积大，工作电流大，PN结电容大，工作频率低。
2.按工作频率区分有高频管和低频管。
3.按功率区分有大功率管和小功率管。
4.按用途区分有普通管、整流管、稳压管、开关管等等。
三，二极管的特性1.正向特性，与PN结相同2.反向特性，与PN结相同3.击穿特性，与PN结相同4.温度特性，温度升高时，二极管的正反向特性曲线均向纵轴靠近，如图1-13所示。
四. 主要参数1.最大整流电流IF，又叫额定电流。
2.最大反向工作电压UR，又叫额定电压。
3.反向饱和电流IS。
4.反向电流IR，二极管未击穿时的电流值。
5.最高工作频率fM。
6.直流电阻RD ：RD=UD/IF，如图1-14所示。
7.交流电阻rd ：RD=ΔUD/ΔID=dud/did,如图1-15所示。
r d 系指某一工作点的动态电阻。
常温下，rd=UT/ID=26(mv)/IDQIDQ为直流工作点的电流，单位为mA1.2.4 稳压二极管一.结构结构与普通二极管相似，只是掺杂浓度比普通二极管大得多，通常为硅材料稳压二极管。
二.特性正向特性曲线与普通二极管的正向特性曲线相似；反响未击穿的特性曲线与普通二极管的反向击穿时的特性曲线相似。
但稳压二极管的反向击穿特性曲线很陡。
如图1-16所示。
三.参数1.稳定电压UZ2.稳定电流IZ3.额定功率PZ4.动态电阻rZ ，rZ=ΔUZ/ΔIZ，rZ很小。
5.电压温度系数α。
α=ΔUZ /Ut× 100%。
UZ>7V时，α为正温度系数；UZ<5V时，α为负温度系数；5V<UZ<7V时，α受温度的影响很小，α≈0.1.2.5特种二极管一. 发光二极管将电能转换为光能的半导体器件。
正偏时，有正向电流通过而发光，其正向通态管压降为1.8—2.2V.二. 光电二极管将光能转换为电能的半导体器件。
反向偏置下，当光线强弱改变时，光电二极管的反向电流随之改变。
三. 光电耦合器光电耦合器由光电二极管和发光二极管组合封装而成。
发光二极管为输入端，光电二极管输出端。
四. 变容二极管变容二极管的势垒电容随外加反向电压变化而变化。
小结1.PN结具有单向导电特性，用PN结可以制造成多种多样的半导体器件。
2.普通二极管、稳压二极管、特种二级管虽然都是由一个PN结构成的，但其内部结构并不完全相同，故其特性也不相同。
3.二极管的特性和参数与温度的关系非常密切，使用时应特别注意。
4.使用二极管时，不能超过其参数规定的额度。