MOSFET开关损耗的计算

MOSFET损耗的计算
颜色部分需要自己定义
1.定义已知量 驱动电压： 工作频率：
V := 12V cc
F := 330KHz sw
MOSFET开通时的电压：
V
:= 48V
ds_open
MOSFET关断时的电压： MOSFET开通时的电流： MOSFET关断时的电流： MOSFET驱动开通电阻： MOSFET驱动关断电阻：
F⋅ sw
(T1_close
+
T2_close)
= 1.097 W
2
3.7计算MOSFET的导通损耗
P := I
2⋅ R ⋅ 1.3 = 8.773 W
con ds_rms on
3.8计算mosfET的总损耗
P
:= P
+P
+ P = 12.412W
total sw_open sw_close con
V
:= 48V
ds_close
I
:= 17A
ds_open
I
:= 20A
ds_close
R := 14.7Ω open
R
:= 4.7Ω
close
驱动输出电流的能力： 驱动吸收电流的能力： 流过mosfET的有效值电流：
I
:= 3A
ic_open
I
:= 3A
ic_close
I
:= 14.3A
ds_rms
⋅
R⋅ on
1.3)
⋅
C rss
= 3.967 ⋅ ns
2_close
I
sp_close
3.6计算开通损耗和关断损耗
P
:=
sw_open
1
⋅
V ds_open
⋅I ds_open
⋅F ⋅ sw
(T1_open
+
T2_open)
=
2.543 W
2
P
:=
sw_close
1
⋅
V
⋅
ds_close
I
⋅
ds_close
2.选择MOSFET，定义MOSFET的参数
TK10A60D 驱动内阻： MOSFET导通电阻： MOSFET门极开启电压： MOSFET跨导： MOSFET的输入电容： MOSFET的输出电容： MOSET的米勒电容：
R := 0.54⋅ Ω g
R := 0.033Ω on
V := 3V th
g := 6S fs
C := 1220⋅ pF iss
C := 295pF oss
C := 100pF rss
3.MOSFET损耗计算 3.1计算开通和关断的米勒平台电压
I
V
:= V + ds_open = 5.833 V
sp_open th
g
fs
I
V
:= V + ds_close = 6.333 V
sp_close th
I
:= I = 0.405 A
sp_open open
I
:= I
= 1.209 A
sp_close close
3.5计算米勒平台维持时间T 2
T
:=
(Vds_open
−
I⋅ open
R⋅ on
1.3)
⋅
C rss
= 11.858⋅ ns
2_open
I
sp_open
T
:=
(Vds_close
−
I close
g
fs
3.2计算mosfET管开通到米勒平台的时间T 1
T 1_open
ห้องสมุดไป่ตู้
:=
(Ropen
+
Rg)
⋅
C iss
⋅
ln
1
− ln 1 = 7.029 ⋅ ns
1
−
V sp_open
V cc
1
−
V th
V cc
T 1_close
:=
(Rclose
+
Rg)
⋅
C iss
⋅
ln
1
− ln 1 = 2.957 ⋅ ns
1
−
V sp_close
V cc
1
−
V th
V cc
3.3计算mosfET米勒平台的驱动电流I th
V −V
I := cc open R
sp_open +R
= 0.405 A
open g
V
I
:=
close
sp_close
R
+R
= 1.209 A
close g
3.4 理论输出电流与驱动实际能力对比( 此时必须和芯片的驱动能力比较，取较小的值。)