HX207型七管半导体收音机课程设计
《高频电子线路》
课程设计报告
题目 HX207型七管半导体收音机
姓名
专业班级电子信息工程（2）班指导教师吴彬
日期2012年12月25日
目录
一、设计任务与要求 (3)
二、元器件清单及简介 (3)
三、设计原理分析 (4)
四、设计中的问题及改进 (6)
五、总结 (7)
六、参考文献
HX207 七管半导体收音机电路的设计
一、设计任务与要求
1.设计任务
（1）对已学过的模拟电子技术理论知识进行复习、总结；熟悉HX207七管半导体收音机的组成、工作原理；
（2）熟悉常用电子器件的类别、型号、规格、性能及其使用范围，能查阅有关的电子器件图书；
（3）掌握调幅接收系统的调试过程及故障排除。
（4）通过对收音机的安装、焊接及调试，了解电子产品的生产制作过程。；（5）培养学生分析问题、发现问题和解决问题的能力。
2.设计要求
（1）分析调幅接收系统各功能模块的工作原理。
（2）安装调试及测量结果。
（3）可在此基础上进行创新设计，如改善系统性能。
二、元器件清单及简介
序号名称型号规格位
号
数
量
序
号
名称型号规
格
位
号
数
量
1 三极
管9018 VT1 VT2
VT3 VT4
4
只
19 电解电容100μf C9 C11
C12
3
只
2 三极
管9014 VT5 1
只
20 瓷片电容103 C2 1
只
3 三极
管9013H VT6 VT7 2
只
21 瓷片电容223 C1 C4
C5
3
只
4 发光
二极
管Φ3红LED 1
只
22 瓷片电容223 C6 C7
C10
3
只
5 磁棒
线圈T1 1
套
23 双联电容C1 1
只
6 中周红黄白
绿T2 T3
T4 T5
4
个
24 收音机前
盖
1
个
7 输入
变压
器T6 1
个
25 收音机后
盖
1
个
8 扬声
器Φ58mm
8Ω
BL 1
个
26 频率刻度
板及指针
不干胶
各
1
快
9 电阻
器51ΩR8 1
只
27 双联及电
位器拨盘
各
1
个
10 电阻
器100ΩR3 R11
R13 R15
4
只
28 耳机插座1
个
11 电阻
器120ΩR12 R14 2
只
29 磁棒支架1
个
12 电阻
器330ΩR16 1
只
30 印刷电路
板
1
块
13 电阻
器680ΩR9 1
只
31 套件说明
书
1
份
14 电阻
器1K R6 1
只
32 电池极片三件1
套
15 电阻
器2K 20K
24K
R2 R4
R5
各
1
只
33 连接导线4
根
16 电阻
器51K 62K
100K
R1 R7
R10
各
1
只
34 双联及拨
盘螺丝
3
粒
17 电位
器5K RP 1
只
35 电位器及
拨盘螺丝
1
粒
18 电解
电容4.7μf C3 C8 2
只
36 自攻螺丝固定电
路板
1
粒
三、设计原理分析
本机电路图如图所示。由B1及C1-A组成的天线调谐回路感应出广播电台的调幅信号，选出我们所需的电台信号f1进入V1基极，本振信号调谐在高出f1
一个中频(465KHz)的f2进入V1发射极，由V1三极管进行变频(或称混频)，在V1集电极回路通过B3选取出f2与f1的差频(465KHz中频)信号；中频信号经V2和V3二级中频放大,进入V4检波管,检出音频信号经V5低频放大和由V6、V7组成变压器耦合功率放大器进行功率放大，推动扬声器发声。图中D1、D2组成1.3V±0.1V稳压，提供变频、一中放、二中放、低放的基极电压，稳定各级工作电流，保证整机灵敏度。V4发射结结用作检波。R1、R4、R6、R10分别为V1、V2、V3、V5的工作点调整电阻，R11为V6、V7功放级的工作点调整电阻，R8为中放的AGC电阻，B3、B4、B5为中周（内置谐振电容），既是放大器的交流负载又是中频选频器，该机的灵敏度、选择性等指标靠中频放大器保证。B6、B7为音频变压器，起交流负载及阻抗匹配的作用。本机由3V直流电压供电。为了提高功放的输出功率，因此，3V直流电压经滤波电容C15去耦滤波后，直接给低频功率放大器供电。而前面各级电路是用3V直流电压经过由R12、V D1、V D2组成的简单稳压电路稳压后（稳定电压约为1.4V）供电。目的是用来提高各级电路静态工作点的稳定性。（“×”为各级Ic工作电流测试点）
HX108-2 七管半导体收音机电原理图
输入回路：
由磁性天线感应得到的高频信号，实际上是高频载波信号（由于声波在空中传播速度很慢，衰减快。因此将音频信号加载到高频信号上去称为调制。调制方式有调频和调幅之分。我们装的收音机接收的是调幅高频信号）经过ＬＣ调谐回路加以选择到欲接收电台信号。（为使收音机获得较高选择性、灵敏度，应选合适Ｌ1与Ｌ2 匝数比。
变频电路：
由输入回路送来的高频信号是调幅波，本机振荡产生的本振频率信号是等幅波，混频后经选频得到465KHZ 中频信号。因此变频级主要作用：是将调幅的高频信号变为调幅的中频信号。变换前后仅是载波频率改变，而信号包络不变。本机用一只变频管来完成该机的振荡和混频作用。对混频来讲，要求工作在非线性区，电流不能太大，否则变频增益下降，但对本振来讲，电流大一点，变频增益高又容易起振，电池下降不易停振。但振荡也不能太强，否则波形失真引起“咯”、“咯”声，增益反而下降，一般选电流为0.4～0.6MA。
中频放大：
中放级的好坏对收音机灵敏度、选择性等等有决定性影响。中放级工作频率是465KHZ用并联的LC 谐振回路作负载，因此只有在信号频率为465KHZ时并联谐振回路电压最大，因此提高了整机选择性。本机采用一级中放（常用的为二级中放）单调谐中频放大器，选择性及灵敏度不一定十分理想，但回路损耗小，调整方便，因此袖珍机广泛采用此线路。
检波级：
中频信号仍旧是调幅信号，经过检波级，由二极管或三极管检波，从调幅波中取出音频信号。本机选用的是三极管利用其中一个PN结在非线性工作状态下起大信号检波作用，同时此管还进行来复低频电流放大。
低放和功率放大：
检波后的音频信号送到低放级进行音频放大，然后通过输入变压器送到推挽功率放大级进行功率放大，输出信号推动扬声器发出声音。
本机用推挽功放电路的管子工作在乙类状态。在无信号时截止，有信号时二管轮流工作，因此效率高，但乙类工作在小信号，在特性曲线弯曲部分产生失真。因此本机线路在无信号时基级也有一定的偏压，使之工作在甲乙类状态，这样效率高，输出功率大，而且省电。要求二只管子参数一致。凡一有一只管损坏，必须配对选管。
四、设计中的问题及改进
4.1元器件问题
(1)对照元件清单目录表检察元件是否齐全,并用万用表粗测元器件的质量好坏。
(2)把所有元器件分清，插到打印的元器件清单表对应的器件名位置，以便焊接
时准确快速的取到所用的原件。
4.2安装的步骤
先装低矮和耐热元件（如电阻），然后再装大元件（如中周，变压器），最后再装怕热元件（如二极管，三极管）。
①电阻的安装：先将阻值阻值选择好，然后根据两孔的距离弯曲电阻脚立式插装或卧式插装在电路板上进行安装，高度要求统一。我们要按R1—R16的顺序焊接，以免漏掉电阻。
②电容和三极管的安装：电容和三极管的脚剪得长度要适中，它们不要超中周的高度。焊电解电容时，特别要注意长脚是＂+＂极，短脚是＂-＂极。电解电容紧贴线路板立式安装焊接，太高会影响后盖的安装。
③磁棒线圈的四根引线头可以直接用电烙铁配合松香焊锡丝来回摩擦几次，既可以自动镶上焊锡丝，四个线头对应的焊在线路板上。
④由于调谐用的双连拨盘安装时离电路板很近，所以在它的圆周内的高出部分的元件脚在焊接前用斜口钳剪去，以免安装或调谐时有故障，影响拨盘调谐的元件有T2的引脚、双连的三个引脚、电位器的开关脚和一个引脚；
⑤喇叭安装挪位后用喇叭压板和螺丝固定；
⑥焊接要控制好焊锡的量，并且要防止虚焊。
4.3焊接工艺问题
(1)在焊接元器件之前，必须先检查元器件引脚是否有氧化现象，如果有，就必
须把氧化层去掉，然后上锡；对三极管、中周必须测量其是否完好；对印刷电路板也要检查，看看有无断裂，或铜铂没腐蚀干净造成两条线路连接，必须把有问题的印刷电路板处理后才能插件、焊接，避免装配焊接后造成不必要的故障.
(2)按照装配图，对照元件位置，以器件清单表为参考，以先小件，后大件的顺
序，逐个焊接，其高低、极向应符合图纸规定。
(3)注意二极管、三极管的极性以及色环电阻的识别。
(4)焊接时应选用尖烙铁头进行焊接，如果一次焊接不成功，应等冷却后再进行
下一次焊接，以免烫坏印刷电路板造成铜铂脱皮。焊完后应反复检查有无虚、假、漏、错焊，有无拖锡短路造成的故障。
(5)焊好大小件后再找到五个断点，经过测量电流值是不是在规定的范围后，就
可以用焊锡直接焊接连接，如果不在就必须得找出原因修改后再次测量，以确保在最佳的工作点。
4.4收音机的组装
(1)把天线用天线支架架好，并用双联螺钉固定到双联CBM-223P处。
(2)把喇叭用适当的方法压入收音机盒，再把电源正极片和负极簧装入收音机
盒相应位置，并装好另一端的连接片。
(3)将两个电位器拨盘用对应的螺钉固定，最后装上电池盖上后壳。
4.5收音机的测试和调试
(1)测试:在元器件装配焊接无误后，将机器接通电源，即可进行调试工作。用万用表分别对A.B.C.D.E的电流进行测试，如果在正常值范围内(小于10mA)即将它们焊接起来。
⑵调试:用万用表Ω×1档黑表棒接地，红表棒从后级往前级寻找，对照原理图，从喇叭开始，顺着信号传播方向逐级往前碰触，喇叭应发出“喀喀”声。当碰触到哪级无声时，则故障就在该级，可测量工作点是否正常，并检查有无接错、焊错、塔焊、虚焊等。一切成功后，即可调台收听广播。
4.6实验问题解决办法
要控制好焊接的时间，电烙铁停留的时间太短，焊锡不易完全熔化、接触好，形成“虚焊”，而焊接时间太长又容易损坏元器件，或使印刷电路板的
铜箔翘起。
五、总结
此次实训的乐趣，做起来并不乏味。此次实训除了焊接技术外还要注意组装这一块儿。我有一下想法：
1.焊接元件要紧凑，尽量贴近电路板。整体美观，舒适。
2.考虑到其他元器件安装的问题，此次试训中的很多电阻应采用立式插装，尽量将字符至于易观察的位置，便于呆呆地对电路原件进行检查。
3.注意有极性的原件安装，避免安反。带来不必要的麻烦。
4.采取从低到高的顺序安装，从小件到大件。
5.注意发光二极管的安装，高度应适中，否则后盖盖不上。
6.注意元件和导线的装配，否则焊接好了以后会影响盖后盖等。
总的来说，任何一次实训不是那么容易，总会有多多少少的问题，我们组装好了以后，接上电源。发现指示灯不亮，但又能收到几个台。所以，我根据电路原理图用万用表逐一检查指示电路，发现电路没有问题。在检查发光二极管本身，发现发光二极管本身是坏的。我把别人的发光二极管拿来换在我们的电路上，指示灯就亮了。音量还行，声音很清脆，整体效果很好。只要我们坚持不懈的去钻研去努力，当我们自己看到自己的成功的果实时，那种喜悦是无法取代的，所以相信自己，只要肯努力，不一定会成功。但不努力，一定不会成功。
六、参考文献
1. 谢嘉奎宣月清冯军，《电子线路》，高等教育出版社
2. 曾兴文刘乃安.《高频电子技术基础》.高等教育出版社
3. 童诗白华成英.《模拟电子技术基础》.高等教育出版社
4. 邱关源.《电路原理》.高等教育出版社
课程设计成绩评定单
题目：HX207型七管收音机组装实验
学生姓名指导教师吴彬指导教师评语：
指导教师（签章）：
指导教师评定
设计成绩等级
201 年月日
FM收音机的制作与设计--课程设计
╳╳╳╳学院 课程设计说明书题目FM收音机的制作与设计 姓名╳╳╳ 学号╳╳╳ 专业年级08级广播电视工程 指导教师╳╳╳ 2011年 6 月 10 日 目录
前言 (1) 一设计目的 (1) 二收音机的工作原理 (1) 1 概述 (3) 2 工作原理分析 (3) 三元件列表及HX108-2型收音机装配原理图 (4) 四性能指标 (5) １收音机的灵敏度 (5) 2 选择性 (6) 3象频干扰衰减 (6) ４第二象频干扰 (7) 5失真度 (7) 6 输出功率 (7) 7 接收信号的频率范围 (7) 8 工作稳定度 (7) 9 波段覆盖范围 (7) 五安装与调试 (7) 1 清点材料 (7) 2 二极管、电容、电阻的区分认识 (8) 3 焊接与安装 (8) 3.1 焊接步骤 (8) 3.2 安装步骤 (8) 3.3 操作要点（注意事项） (8) 六故障分析与处理 (9) 1 检查顺序 (9) 2 检测方法 (9) 3用万用表检查的方法 (10) 七设计总结与心得 (10) 参考文献 (12)
前言 随着科学技术的不断发展，新颖的调频收音机的不断出现，技术不断的提高，设计出来的收音机外型精致小巧。从分离元件到集成电路，这标志着收音机的内部电路简单。用一个集成块就能完成所有的工作。从早期的调幅收音机到现在的调频收音机，我们可以想象收音机的不断改进和不断创新，使收音机的发展空间越来越大。现在，出现了新一代高科技产品—数字调频收音机，功能强大，性能优良，设计精巧耐用。 调频收音机电路设计，主要采用两块集成块，这两块集成块分别是IC1 TA7335P 和IC2 FS2204。IC1集成块具有对调频广播信号进行放大、与本振信号差拍混频的功能；IC2集成块具有对调频中频信号进行放大、鉴频，对调幅信号进行高频放大、与本振信号差拍混频，对调幅中频信号进行放大、检波、低频放大的功能。两块集成块和一些分离元件组成了调频收音机。该电路即可以实现调幅也可以实现调频，具有两项功能。可以说这是高科技的产物。 一设计目的 （1）熟悉HX108-2七管半导体收音机的组成、工作原理；熟悉手工焊锡的常用工具的使用及其维护与修理； （2）基本掌握手工电烙铁的焊接技术，能够独立的完成简单电子产品的安装与焊接。（3）能够正确识别和选用常用的电子器件，并且能够熟练使用普通万用表和数字万用表； （4）掌握接收系统的调试，做到学以至用，逐步培养独立完成课题的动手能力。 二收音机的工作原理 HX108-2 型七管半导体收音机收音机的工作原理图如下所示：
电子技术基础课程设计题目
《电子技术基础》课程设计题目 一、脚步声控制照明灯 要求：1.白天光线较强，照明灯不会点亮； 2.晚上又脚步声照明灯被点亮，脚步声小时后灯亮延时十秒再自动熄灭； 3.元件：功率集成电路家分立元件; 二、报警声响发生器 要求：1.能发出消防车报警，救护车报警灯的报警声; 2.输出功率≥1W 要求：1.当池中水位低于设定点时水泵自动抽水；； 3.元件：NE555时基电路加分立元件； 三、水位控制器 2.当水位到达设定点时水泵自动停止； 3.元件：NE555电路加分立元件； 4.说明：水泵工作可用灯泡亮灭进行模拟； 四、金属探测器； 要求：1.能探测木材中≥5mm深处的残留铁钉； 2.当探测到金属物时能用声或光报警； 3.元件：与非们加分立元件，探头可用带铁芯线圈自制； 五、循环灯 要求：1.有四路输出，单循环； 2.能带动6V小灯泡四只； 3.元件：J-K触发器、555时基电路、分立元件； 六、数字水位探测器 要求：1.能测出水位的高度，精度韦1/16； 2.能输出数字形式（即二进制）； 3.能以模拟电压输出； 七、直流电压升压器 要求：1.输入电压30V；输出电压45V； 2.输出电流能达到0.5A； 八、上下课铃声识别系统 要求：1.设计一个开关电路仅对学校的上课、下课铃声敏感； 2.铃声来时输出高电平； 3.能识别出上课铃声和下课铃声； 九、厕所冲水控制器 要求：1.能识别有无人进出厕所； 2.当进出人数每达6人次时，电路输出一个脉冲； 十、步进电机及启动电路 要求：1.利用数电知识设计一个步进电机驱动电路； 2.能由两根线的输入电平组合使电机能向前进、后退、保持； 十一．教室用电节能控制电路
课程设计报告收音机报告
1 收音机课程设计报告 一、课程设计目的： 1．培养学生动手能力和思维能力。 2．丰富自身知识，增加学生专业知识的了解。 3．训练学生用实验方法分析。研究电子学问题。 4．培养学生养成工作品德和严肃的实验态度。 5．引导和启发学生将模拟电路、数学逻辑电路与科学研究和实践相结合，为今后的学习、工作打下良好的基础。 二、收音机的发展： 广播方式从调幅(AM)广播时代开始，经历了调频(FM)广播、调频立体声(FM STEREO)广播、数字音频广播(DAB)等阶段。目前，科学家正研究短波段的数字广播(DRM)。民用广播所使用的频率，经历了长波(LW)、中波(MW)、短波(SW)、超短波调频(FM)、卫星调频广播等阶段；广播的传播距离和覆盖范围也从近距离到利用人造地球卫星进行全球转播等；收音机从矿石收音机、电子管收音机、晶体管收音机、集成电路收音机，到使用微电脑处理器的数字调谐收音机；收音机的基本电路形式、也从直接放大式，到超外差式、多次变频式电路。收音机的体积也从笨重变小到微型，而音质却越来越好...... 20-60年代电子管电路/直放式，外差式长波/中波/短波 50-70年代晶体管电路/外差式，多次变频中波/短波/调频
70-80年代集成电路/外差式，多次变频，数字调谐中波/短波/调频90年代集成电路/外差式，多次变频，数字调谐中波/短波/调频/数字广播 三、超外差式收音机特点及工作原理： 最初的收音机属于直放式收音机，它的特点是：从天线上接收到的高频信号，在检波以前，一直不改变它原来的高频频率（即高频信号直接放大）。它的缺点是：在接收频段的高端和低段的放大不一样整个波段的灵敏度不均匀。如果是多波段收音机，这个矛盾更突出。其次，如果要提高灵敏度，必须增加高频放大的级数，由此带来各级之间的统一调谐的困难，而且高频放大器增益做不高，容易产生自激。 如果能够把收音机接收到的高频信号，都变换成固定的中频信号进行放大检波。由于中频频率比变换前的信号频率低，而且频率固定不变，所以任何电台的信号都能得到相等的放大量，同时总的放大量也可以较高。从而克服了上述矛盾。 振荡器产生一个始终比接收信号高一个中频频率的振荡信号，在混频器内利用晶体管的非线性将振荡信号与接收信号相减产生一个新的频率即中频，这就是"外差"。
半导体器件物理 试题库
半导体器件试题库 常用单位： 在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分 （一）名词解释题 杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度， 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。 晶向： 晶面： （二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为 杂质和 杂质两种。 3．点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4．线缺陷，也称位错，包括 、 两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向 弯曲，获得空穴时，能带 向 弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质；能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7．对于N 型半导体，根据导带低E C 和E F 的相对位置，半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。
9．在Si-SiO 2系统中，存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷4种基 本形式的电荷或能态。 10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向 移动；对于P 型半 导体，当温度升高时，费米能级向 移动。 （三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？ （四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？ 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？ （五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a ，计算晶面（100）、（110）的面间距和原子面密度。 2．掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ，已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ，而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3，由此计算： （a ）该样品的离化杂质浓度是多少？ （b ）该样品的少子浓度是多少？ （c ）未离化杂质浓度是多少？ （d ）施主杂质浓度是多少？ 3．室温下的Si ，实验测得430 4.510 cm n -=?，153510 cm D N -=?， （a ）该半导体是N 型还是P 型的？ （b ）分别求出其多子浓度和少子浓度。 （c ）样品的电导率是多少？ （d ）计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4．室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?，1931.110 cm v N -=?，0.026 eV B k T =，禁带 宽度 1.12 eV g E =，如果忽略禁带宽度随温度的变化
半导体器件与工艺课程设计
课程设计 课程名称微电子器件工艺课程设计 题目名称 PNP双极型晶体管的设计 学生学院___ 材料与能源学院___ _ 专业班级 08微电子学1班 学号 3108008033 学生姓名____ 张又文 __ _ 指导教师魏爱香、何玉定 ___ 2011 年 7 月 6 日
广东工业大学课程设计任务书 题目名称 pnp 双极型晶体管的设计 学生学院 材料与能源学院 专业班级 微电子学专业08级1班 姓 名 张又文 学 号 3108008033 一、课程设计的内容 设计一个均匀掺杂的pnp 型双极晶体管，使T=300K 时，β=120。V CEO =15V,V CBO =80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为I C =5mA 。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。 二、课程设计的要求与数据 1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则 2．根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度N E , N B ,和N C , 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。 3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度W c ，基本宽度W b ，发射区宽度W e 和扩散结深X jc , 发射结结深X je 等。 4．根据扩散结深X jc , 发射结结深X je 等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。 5．根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。 7．撰写设计报告 三、课程设计应完成的工作 1. 材料参数设计
超外差式收音机课程设计报告
收音机课程设计报告 姓名：学号：班级: 一、课程设计目的 1．培养学生动手能力和思维能力。 2．丰富自身知识，增加学生专业知识的了解。 3．训练学生用实验方法分析。研究电子学问题。 4．培养学生养成工作品德和严肃的实验态度。 5．引导和启发学生将模拟电路、数学逻辑电路与科学研究和实践相结合，为今后的学习、工作打下良好的基础。 二、收音机的发展 广播方式从调幅(AM)广播时代开始，经历了调频(FM)广播、调频立体声(FM STEREO)广播、数字音频广播(DAB)等阶段。目前，科学家正研究短波段的数字广播(DRM)。民用广播所使用的频率，经历了长波(LW)、中波(MW)、短波(SW)、超短波调频(FM)、卫星调频广播等阶段；广播的传播距离和覆盖范围也从近距离到利用人造地球卫星进行全球转播等；收音机从矿石收音机、电子管收音机、晶体管收音机、集成电路收音机，到使用微电脑处理器的数字调谐收音机；收音机的基本电路形式、也从直接放大式，到超外差式、多次变频式电路。收音机的体积也从笨重变小到微型，而音质却越来越好...... 20-60年代电子管电路/直放式，外差式长波/中波/短波 50-70年代晶体管电路/外差式，多次变频中波/短波/调频 70-80年代集成电路/外差式，多次变频，数字调谐中波/短波/调频 90年代集成电路/外差式，多次变频，数字调谐中波/短波/调频/数字广播 三、超外差式收音机特点及工作原理 1、特点 最初的收音机属于直放式收音机，它的特点是：从天线上接收到的高频信号，在检波以前，一直不改变它原来的高频频率（即高频信号直接放大）。它的缺点是：在接收频段的高端和低段的放大不一样整个波段的灵敏度不均匀。如果是多波段收音机，这个矛盾更突出。其次，如果要提高灵敏度，必须增加高频放大的级数，由此带来各级之间的统一调谐的困难，而且高频放大器增益做不高，容易产生自激。 如果能够把收音机接收到的高频信号，都变换成固定的中频信号进行放大检波。由于中频频率比变换前的信号频率低，而且频率固定不变，所以任何电台的信号都能得到相等的放大量，同时总的放大量也可以较高。从而克服了上述矛盾。 振荡器产生一个始终比接收信号高一个中频频率的振荡信号，在混频器内利用晶体管的非线性将振荡信号与接收信号相减产生一个新的频率即中频，这就是"外差"。
【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答案剖析
《半导体器件物理》试卷（二）标准答案及评分细则 一、填空（共24分，每空2分） 1、PN结电击穿的产生机构两种； 答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。 2、双极型晶体管中重掺杂发射区目的； 答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。 3、晶体管特征频率定义； β时答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数β下降为1 =所对应的频率 f，称作特征频率。 T 4、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号； 答案：0 V。 > T 5、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因； 答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。 6、BV CEO含义； 答案：基极开路时发射极与集电极之间的击穿电压。 7、MOSFET短沟道效应种类； 答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。 8、扩散电容与过渡区电容区别。 答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 二、简述（共20分，每小题5分） 1、内建电场； 答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，而在N区的施主正离子中心固定不动，出现净的正电荷，同样P区的受主负离子中心也固定不动，出现净的负电荷，于是就会产生空间电荷区。在空间电荷区内，电子和空穴又会发生漂移运动，它的方向正好与各自扩散运动的方向相反，在无外界干扰的情况下，最后将达到动态平衡，至此形成内建电场，方向由N区指向P区。 2、发射极电流集边效应； 答案：在大电流下，基极的串联电阻上产生一个大的压降，使得发射极由边缘到中心的电场减小，从而电流密度从中心到边缘逐步增大，出现了发射极电流在靠近基区的边缘逐渐增大，此现象称为发射极电流集边效应，或基区
NPN型双极晶体管(半导体器件课程设计)
微电子器件课程设计报告 题目： NPN型双极晶体管 班级：微电0802班 学号： 080803206 姓名：李子忠 指导老师：刘剑霜 2011 年6月6日
一、目标结构 NPN 型双极晶体管 二、目标参数 最终从IV曲线中提取出包括fT和 Gain在内的设计参数. 三、在该例中将使用: （1）多晶硅发射双极器件的工艺模拟； （2）在DEVEDIT中对结构网格重新划分； （3）提取fT和peak gain. ATLAS中的解过程: 1. 设置集电极偏压为2V. 2. 用 log语句用来定义Gummel plot数据集文件. 3.用extract语句提取BJT的最大增益"maxgain"以及最大ft,"maxft". Gummel plot:晶体管的集电极电流Ic、基极电流 Ib与基极-发射极电压 Vbe关系图(以半对数坐标的形式). 四、制造工艺设计 4.1.首先在ATHENA中定义0.8um*1.0um的硅区域作为基底，掺杂为均匀的砷杂质，浓度为2.0e16/cm3,然后在基底上注入能量为18ev，浓度为4.5e15/cm3的掺杂杂质硼，退火，淀积一层厚度为0.3um的多晶硅，淀积过后，马上进行多晶硅掺杂，掺杂为能量50ev，浓度7.5e15/cm3的砷杂质，接着进行多晶硅栅的刻蚀（刻蚀位置在0.2um 处）此时形成N++型杂质（发射区）。刻蚀后进行多晶氧化，由于氧化是在一个图形化（即非平面）以及没有损伤的多晶上进行的，所以使
用的模型将会是fermi以及compress，进行氧化工艺步骤时分别在干氧和氮的气氛下进行退火，接着进行离子注入，注入能量18ev，浓度2.5e13/cm3的杂质硼，随后进行侧墙氧化层淀积并进行刻蚀，再一次注入硼，能量30ev，浓度1.0e15/cm3，形成P+杂质（基区）并作一次镜像处理即可形成完整NPN结构,最后淀积铝电极。 4.2.三次注入硼的目的： 第一次硼注入形成本征基区;第二次硼注入自对准(self-aligned)于多晶硅发射区以形成一个连接本征基区和p+ 基极接触的connection.多晶发射极旁的侧墙(spacer-like)结构用来隔开 p+ 基极接触和提供自对准.在模拟过程中,relax 语句是用来减小结构深处的网格密度,从而只需模拟器件的一半；第三次硼注入,形成p+基区。 4.3.遇到的问题 经常遇到这样一种情况:一个网格可用于工艺模拟,但如果用于器件模拟效果却不甚理想.在这种情况下,可以用网格产生工具DEVEDIT 用来重建网格,从而以实现整个半导体区域内无钝角三角形. 五、原胞版图和工艺仿真结果： 用工艺软件ATHENA制作的NPN基本结构：
超外差式收音机课程设计报告
超外差式收音机课程设计报告 姓名：xx 学号：xx 人类自从发现能利用电波传递信息以来，就不断去研究出不同的方法来增加通信的可靠 性﹑通信的距离﹑设备的微型化、省电化、轻巧化等。接受信息所用的接收机，俗称为收音机。 一、课程设计目的 1．培养学生动手能力和思维能力。 2．丰富自身知识，增加学生专业知识的了解。 3．训练学生用实验方法分析。研究电子学问题。 4．培养学生养成工作品德和严肃的实验态度。 5．引导和启发学生将模拟电路、数学逻辑电路与科学研究和实践相结合，为今后的学习、工作打下良好的基础。 二、收音机的发展 广播方式从调幅(AM)广播时代开始，经历了调频(FM)广播、调频立体声(FM STEREO)广播、数字音频广播(DAB)等阶段。目前，科学家正研究短波段的数字广播(DRM)。 民用广播所使用的频率，经历了长波(LW)、中波(MW)、短波(SW)、超短波调频(FM)、卫星调频广播等阶段；广播的传播距离和覆盖范围也从近距离到利用人造地球卫星进行全球转播等；收音机从矿石收音机、电子管收音机、晶体管收音机、集成电路收音机，到使用微电脑处理器的数字调谐收音机；收音机的基本电路形式、也从直接放大式，到超外差式、多次变频式电路。收音机的体积也从笨重变小到微型，而音质却越来越好...... 20-60年代 电子管电路/直放式，外差式 长波/中波/短波 50-70年代 晶体管电路/外差式，多次变频 中波/短波/调频 70-80年代 集成电路/外差式，多次变频，数字调谐 中波/短波/调频 90年代 集成电路/外差式，多次变频，数字调谐 中波/短波/调频/数字广播 三、电磁波频率、周期与波长 在气温是15摄氏度的时候，声音在空气中传播的速度约是340米/秒，而电磁波的传播速度约为300,000,000米/秒。电磁波的频率、波长和周期是三个表达一个电磁波内在性质的重要单位： （1）频率（f ） 指的是电磁波在一秒钟内电磁波振动方向改变的次数； （2）波长（λ） 则是电磁波的另一个表达单位，指的是电磁波每个周期的相对距离，它可以通过电磁波的传输速度除以频率算出。低频率的电磁波有着较长的波长，较高频率的电磁波有着较短的波长。 （3）周期（T ） 与频率和波长之间的关系为T f /λ=。 四、超外差式收音机特点及工作原理 1、特点 最初的收音机属于直放式收音机，它的特点是：从天线上接收到的高频信号，在检波以前，一直不改变它原来的高频频率（即高频信号直接放大）。它的缺点是：在接收频段的高端和低段的放大不一样整个波段的灵敏度不均匀。如果是多波段收音机，这个矛盾更突出。其次，如果要提高灵敏度，必须增加高频放大的级数，由此带来各级之间的统一调谐的困难，而且高频放大器增益做不高，容易产生自激。 如果能够把收音机接收到的高频信号，都变换成固定的中频信号进行放大检波。由于中频频率比变换前的信号频率低，而且频率固定不变，所以任何电台的信号都能得到相等的放
收音机课设报告
摘要 在这里以超外差式调幅收音机为例，现在的S66E将原来的插座改为立体声耳机插座，电路原理图未变，步线有所调整。更改后的收音机灵敏度更高、声音更洪亮、用途更广泛，适合MP3、单放机等机型所使用的耳机。散件为3V 低压金硅管六管超外差式收音机，具有安装调试方便、工作稳定、声音洪亮、耗电省等优点。 关键词 S66E 超外差统调 设计的目的 1.收音机是最常用的家用电器之一，通过这次实习，我们应该在了解其基本工作原理的基 础上学会安装、调试、使用，并学会排除一些常见故障。 2.锡焊技术是电工、电子工艺的基本操作技能之一，通过实习要求大家在初步掌握这一技 术的同时，注意培养自己在工作中耐心细致，一丝不苟的工作作风。 用到的仪器和器件 三极管（9018、9014、9013H）、发光管、磁棒线圈、中周、输入变压器、扬声器、电阻器（100Ω、120Ω、330Ω、1.8k、30k、100k、120k、200k）、电位器、电解电容（0.47uF、10uF、100uF）、瓷片电容（682、103、223）、双联电容、拨盘、电池正负极片、耳机插座、电路板等。 电路基本原理 1.输入调谐电路 由双连可调电容器的CA和T1的初级线圈Lab组成，是一并联谐振电路，T1是磁性天线线圈，从天线接进来的高频信号，通过输入调谐的谐振选出需要的电台信号，电台信号频率以是f=1/2πLabCA，当改变CA时，就能收到不同电台信号。 2.变频电路 本机振荡和混合起来称为变频电路。变频电路是以VT1为中心，它的作用是通过输入调谐电路收到的不同频率电台（高频信号）变换固定的465KHZ中频信号。 3.混频回路 混频电路的负载是中频变压器，T3的初级线圈和内部电容级成的并联谐振电路，电的
09级半导体器件物理A卷答案
一、 选择题：（含多项选择， 共30分，每空1分，错选、漏选、多选均不得分） 1．半导体硅材料的晶格结构是（ A ） A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2．下列固体中，禁带宽度Eg 最大的是（ C ） Ａ 金属 Ｂ 半导体 Ｃ 绝缘体 3．硅单晶中的层错属于（ C ） Ａ 点缺陷 Ｂ 线缺陷 Ｃ 面缺陷 4．施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ A B ）。 A 空穴 B 电子 5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ） A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 6．衡量电子填充能级水平的是（ B ） Ａ 施主能级 Ｂ 费米能级 Ｃ 受主能级 D 缺陷能级 7．载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( B )的一个物理量。 A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢 8．室温下，半导体Si 中掺硼的浓度为1014cm －3，同时掺有浓度为1.1×1015cm － 3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升温至570K ，则多子浓度 约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。（已知：室温下，ni ≈1.5×1010cm － 3，570K 时，ni ≈2×1017cm － 3） A 1014cm －3 B 1015cm －3 C 1.1×1015cm － 3 D 2.25×105cm －3 E 1.2×1015cm －3 F 2×1017cm － 3 G 高于Ei H 低于Ei I 等于Ei 9．载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。 A 漂移 B 隧道 C 扩散 10．下列器件属于多子器件的是（ B D ） Ａ 稳压二极管 Ｂ 肖特基二极管 Ｃ 发光二极管 D 隧道二极管 11．平衡状态下半导体中载流子浓度n 0p 0=n i 2，载流子的产生率等于复合率，而当np 收音机课程设计报告 收音机是我们平常生活中随处可见的，但是制作起来才知道究竟里面的内容有多丰富。下面是收集的收音机课程设计报告，欢迎阅读参考！ 一、引言： 有时侯我们自以为简单的事情,当做起来时才知道并不是我们 想象的那么简单。但是当你做完这件事情后，你会发现这件事并没有想象中的那么难！！！任何一件事要做好都要掌握一定的技术，还必须具备一定的素质才能完成。要了解一项工种，掌握焊接和电子工艺的操作技术，光靠看书本和讲解是不行的。所谓实习就是要我们自己实际的去练习，去操作。要真正的把从书本的理论知识转到实际操作、实践中去。还有就是不能由着自己的性子来操作，一定要在老师的指导、讲解下进行操作，严格遵守操作规程，不可自己耍小聪明。 二、调幅中波收音机的电路方框图，电路图，信号的流程如下： 由于某种原因，其电路图没有上传，敬请谅解！！！ 收音机的基本工作原理： 天线收到电磁波信号，经过调谐器选频后，选出要接收的电台信号。同时，在收音机中，有一个本地振荡器，产生一个跟接收频率差不多的本振信号，它跟接收信号混频，产生差频，这个差频就是中频信号。中频信号再经过中频选频放大，然后再检波，就得到了原来的音频信号。音频信号通过功率放大之后，就可送至扬声器发声了。天线接收到的高频信号通过输入电路与收音机的本机振荡频率（其频 率较外来高频信号高一个固定中频，我国中频标准规定为465khz）一起送入变频管内混合——变频，在变频级的负载回路（选频）产生一个新频率即通过差频产生的中频，中频只改变了载波的频率，原来的音频包络线并没有改变，中频信号可以更好地得到放大，中频信号经检波并滤除高频信号。再经低放，功率放大后，推动扬声器发出声音。 三、安装前的准备工作： 所需的基本工具：电烙铁（焊枪）、烙铁架、松香、万用表、镊子、尖嘴钳、偏口钳、螺丝刀。 焊接工艺要求:1、在焊接之前要仔细的查看个元件的个数，以及用万能表测试个元件性能是否为良好的。2、要清楚的识别元件种类和作用。3、在焊接时要注意电烙铁的角度，要使电烙铁、焊锡丝与电路板三位一体，要注意焊锡丝的用量，如果多了可能会影响其它元件的焊接也不美观，少了也许会焊不牢固。4、在撤离电烙铁的同时要保证电路板不要晃动以免产生虚焊，在之后的调试过程中不容易找出错误的所在。5、在焊接三极管的时候要注意分清它的集电极、基础极和发射极。6、在总体的焊接中要服从后级向前级安装，先小后大的原则。 焊接工艺实训的体会：在电焊的收音机的时候，学会电焊应该是我最大的收获，下面简单介绍以下焊接的体会，焊接最需要注意的是焊接的温度和时间，焊接时要使电烙铁的温度高于焊锡，但是不能太高，以烙铁接头的松香刚刚冒烟为好，焊接的时间不能太短，因为 赣 南 师 范 学 院 2010–2011学年第一学期期末考试试卷（A 卷） 开课学院：物电学院 课程名称：半导体物理学 考试形式：闭卷，所需时间：120分钟 注意事项：1、教师出题时请勿超出边界虚线； 2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚，答题不得超出密封线； 3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。 一、填空题（共30分，每空1分） 1、半导体中有 电子 和 空穴 两种载流子，而金属中只有 电子 一种载流子。 2、杂质原子进入材料体内有很多情况，常见的有两种，它们是 替代式 杂质和间隙式 杂质。 1、 3、根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率，对于能量为E 的一个量子态，被一个电子占据的概率为()f E ，表达式为 ， ()f E 称为电子的费米分布函数，它是描写 在热平衡状态下，电子在允许 的量子态上如何分布 的一个统计分布函数。当0F E E k T ->>时，费米分布函数转化为 ()B f E ，表达式为 ，()B f E 称为电子的玻尔兹曼分布函数。在 0F E E k T ->>时，量子态被电子占据的概率很小，这正是玻尔兹曼分布函数适用的范 围。费米统计率与玻尔兹曼统计率的主要差别在于 前者受泡利不相容原理的限制 ，而在0F E E k T ->>的条件下，该原理失去作用，因而两种统计的 结果变成一样了。 4、在一定温度下，当没有光照时，一块n 型半导体中， 电子 为多数载流子， 空穴 是少数载流子，电子和空穴的浓度分别为0n 和0p ，则0n 和0p 的关系为 大于 ，当用g h E ν>>（该半导体禁带宽度）的光照射该半导体时，光子就能把价带电子激发到导带上去，此时会产生 电子空穴对 ，使导带比平衡时多出一部分电子n ，价带比平衡时多出一部分空穴p ，n 和p 的关系为 ， 这时把非平衡电子称为非平衡 多数 载流子，而把非平衡空穴称为非平衡 少数 载流子。在一般小注入情况下，在半导体材料中，非平衡 多数 载流子带来的影响可忽略，原因是 注入的非平衡多数载流子浓度比平衡时的多数 载流子浓度小得多 ，而非平衡 少数 载流子却往往起着重要作用，原因是 2、 注入的非平衡少数载流子浓度比平衡时的少数载流子浓度大得多 。 5、非平衡载流子的复合，就复合的微观机构讲，大致可分为两种，直接复合和间接复合， 直接复合是指 电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合 ，间接复合是指 电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合 。载流子在复合时，一定要释放出多余的能量，放出能量的方法有三种，分别为 、 、 3、 发射光子 发射声子 将能量给予其它载流子，增加它们的动能 。 6、在外加电场和光照作用下，使均匀掺杂的半导体中存在平衡载流子和非平衡载流子，由于 半导体表面非平衡载流子浓度比内部高 ，从而非平衡载流子在半导体中作 运动，从而形成 电流，另外，由于外加电场的作用，半导体中的所有载流子会作 运动，从而形成 电流。 二、选择题（共10分，每题2分） 1、本征半导体是指 的半导体。 A 、不含杂质和缺陷 B 、电子密度与空穴密度相等 C 、电阻率最高 D 、电子密度与本征载流子密度相等 2、在Si 材料中掺入P ，则引入的杂质能级 A 、在禁带中线处 B 、靠近导带底 C 、靠近价带顶 D 、以上都不是 3、以下说法不正确的是 A 、价带电子激发成为导带电子的过程，称为本征激发。 B 、本征激发后，形成了导带电子和价带空穴，在外电场作用下，它们都将参与导电。 C 、电子可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格释放能量。 D 、处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热载流子。 4、以下说法不正确的是 课程设计微电子器件与工艺课程设计报告 目录 1.设计任务及目标 (1) 2.课程设计的基本内容 (1) 2.1 pnp双极型晶体管的设计 (1) 2.2 设计的主要内容 (1) 3.晶体管工艺参数设计 (2) 3.1 晶体管的纵向结构参数设计 (2) 3.1.1 集电区杂质浓度的确定 (2) 3.1.2 基区及发射区杂质浓度 (3) 3.1.3 各区少子迁移率及扩散系数的确定 (3) 3.1.4 各区少子扩散长度的计算 (4) 3.1.5 集电区厚度的选择 (4) 3.1.6 基区宽度的计算 (4) 3.1.7 扩散结深 (6) 3.1.8 表面杂质浓度 (7) 3.2晶体管的横向设计 (8) 3.3工艺参数的计算 (8) 3.3.1 基区磷预扩时间 (8) 3.3.2基区磷再扩散时间计算 (8) 3.3.3 发射区硼预扩时间计算 (9) 3.3.4 发射区硼再扩散时间计算 (9) 3.3.5 基区磷扩散需要的氧化层厚度 (10) 3.3.6 发射区硼扩散需要的氧化层厚度 (11) 3.3.7 氧化时间的计算 (11) 3.3.8设计参数总结 (12) 4晶体管制造工艺流程 (13) 4.1硅片及清洗 (15) 4.2氧化工艺 (16) 4.3光刻工艺 (17) 4.3.1光刻原理 (17) 4.3.2具体工艺流程 (18) 4.3.3硼的扩散 (19) 4.3.4磷的扩散 (20) 5 版图 (20) 6总结 (23) 7参考文献 (23) 微电子器件与工艺课程设计报告 ——pnp 双极型晶体管的设计 1、课程设计目的与任务 《微电子器件与工艺课程设计》是继《微电子器件物理》、《微电子器件工艺》和《半导体物理》理论课之后开出的有关微电子器件和工艺知识的综合应用的课程，使我们系统的掌握半导体器件，集成电路，半导体材料及工艺的有关知识的必不可少的重要环节。 目的是使我们在熟悉晶体管基本理论和制造工艺的基础上，掌握晶体管的设计方法。要求我们根据给定的晶体管电学参数的设计指标，完成晶体管的纵向结构参数设计→晶体管的图形结构设计→材料参数的选取和设计→制定实施工艺方案 晶体管各参数的检测方法等设计过程的训练，为从事微电子器件设计、集成电路设计打下必要的基础。 2、课程设计的基本内容 2.1 pnp 双极型晶体管的设计 设计一个均匀掺杂的pnp 型双极晶体管，使T=300K 时，β=120。V CEO =15V,V CBO =80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为I C =5mA 。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。 2.2 设计的主要内容： （1）了解晶体管设计的一般步骤和设计原则。 （2）根据设计指标选取材料，确定材料参数，如发射区掺杂浓度N E ,，基区掺 杂浓度N B ，集电区掺杂浓度N C ，根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。 （3）根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，如集电区厚度W c ， 基区宽度W b ，发射极宽度W e 和扩散结深X jc ，发射结结深等。 （4）根据结深确定氧化层的厚度，氧化温度和氧化时间；杂质预扩散和再扩散 的扩散温度和扩散时间。 （5）根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、 发射区和金属接触孔的光刻版图。 高频电子线路 课程设计报告 系（部）：三系 专业：通信工程 班级： 11级（1）班 姓名：陈文卿 学号： 20110306119 成绩： 指导老师：陈飞李海霞 开课时间： 2012-2013 学年 2 学期 一、设计题目 HX108-2 AM收音机的组装与调试 二、主要内容 1、学习收音机原理 2、组装、焊接收音机 3、调试收音机 4、书写课程设计报告 三、具体要求 1、对照原理图讲述整机工作原理； 2、对照原理图看懂装配接线图； 3、了解图上符号，并与实物对照； 4、根据技术指标测试各元器件的主要参数； 5、认真细致地安装焊接，排除安装焊接过程中出现的故障。 6、书写一份完整的设计报告。报告包括设计题目、设计任务、详细的设计 过程、原理说明、各模块参数的说明、仿真波形、调试总结、心得体会、参考文献（在报告中参考文献要做标注，不少于4篇） 四、进度安排 第十七周： 周三，周四通过查阅书本，参考资料，网络等学习收音机工作原理。周五开始焊接收音机。 第十八周： 周一、周二焊接收音机 周三调试收音机 周四、周五书写课程设计报告 五、成绩评定 课程设计成绩按优、良、中、及格、不及格评定，最终考核成绩由四部分组成： 1、平时考勤占30% 2、组装的收音机质量占30% 3、答辩占20% 4、实验报告占20% 目录 1、收音机组装与调试的目的与意义 (1) 2、收音机的原理 (2) 2.2总体概述 (4) 2.3输入回路 (5) 2.4变频级 (5) 2.5中放级 (6) 2.6检波级 (7) 2.7 自动增益控制 (8) 3、收音机的组装 (8) 3.1元器件准备与检查 (8) 3.2.1焊接步骤 (8) 3.2.2注意事项 (9) 3.3组合件准备 (10) 3.4装大件 (10) 3.5开口检查与试听 (10) 3.6前框准备 (10) 4、收音机的调试 (11) 4.1收音机的调试步骤 (11) 4.2故障分析与处理 (11) 4.2.1检查顺序 (11) 4.2.2 万用表检查的方法 (11) 4.3.3焊接、组装、调试中易出现的问题以及解决方案 (12) 5、安全及注意事项 (12) 6、心得与体会 (13) 7、元件清单 (13) 8、参考文献 (15) 半导体期末复习补充材料 一、名词解释 １、准费米能级 费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态，而当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡载流子时，可以认为分就导带和价带中的电子来讲，它们各自处于平衡态，而导带和价带之间处于不平衡态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的能级，称为“准费米能级”，分别用E F n、E F p表示。 ２、直接复合、间接复合 直接复合—电子在导带和价带之间直接跃迁而引起电子和空穴的直接复合。 间接复合—电子和空穴通过禁带中的能级（复合中心）进行复合。 ３、扩散电容 PN结正向偏压时，有空穴从P区注入N区。当正向偏压增加时，由P区注入到N区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了N区的空穴积累，增加了载流子的浓度梯度。在外加电压变化时，N扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。这种由于扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为P-N结的扩散电容。用CD表示。 4、雪崩击穿 随着PN外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。 1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于 扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放 电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压V T产生影响，具体地，对 于短沟道器件对V T的影响为下降，对于窄沟道器件对V T的影响为上升。 3、在NPN型BJT中其集电极电流I C受V BE电压控制，其基极电流I B受V BE 电压控制。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是 寄生参数小，响应速度快等。 5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种，其中发 生雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。 6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因 有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。 二、简答题 1、发射区重掺杂效应及其原因。 答：发射区掺杂浓度过重时会引起发射区重掺杂效应，即过分加重发射区掺杂不但不能提高注入效率γ，反而会使其下降。 原因：发射区禁带宽度变窄和俄歇复合效应增强收音机课程设计报告
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