第4章 光电导器件
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
R2 R1 R1T2 T 1
其中R1、R2分别为与温度T1、T2 相对应的 亮电阻
请问随着温度的下降 光谱灵敏度的峰值将 向哪个方向移动?
将向长波方向移动 硫化镉光敏电阻在冷却情况下对光谱灵敏度得变化
4.3 光敏电阻的偏置电路和噪声
4.3.1 偏置电路
G GP Gd GP S g E
电路符号: R
文字符号: “RL”、“ RG”或“R”
光敏电阻是在一块均质光电导体两端加上电极, 贴在硬质玻璃、云母、高频瓷或其它绝缘材料基 板上,两端接有电极引线,封装在带有窗口的金 属或塑料外壳内而成的。
1)按制作材料分类:
多晶和单晶光敏电阻器,还可分为硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe) 、 硫化铅(PbS)、硒化铅(PbSe)、锑化铟(InSb) 光敏电阻器等。
A 暗电导: g d 0 L
亮电导: g
σ0为暗电导率
暗电流:I d 亮电流:
g dU
A L
I gU
P
光电导: g g g p d 定义光电导灵 敏度为Sg:
A L
光电流:I
g PU
g p S g
Sg
gp E
g p Sg E 或 Sg
gp
5、响应时间和频率特性
响应时间: 指光导材料从光照开始到获得稳定的光电流所需的时间
它反映了光敏电阻的惰性,响应时间越长说明光敏电阻的惰性也大? 光电导弛豫过程: 从光照开始到停止光照后光电流的变化的整个过程
t p p0 (1 exp( ))
p p0 exp( ) t
百度文库
受光照时 光生载流 子的浓度
停止光照
p
g 1 2 2
p 0 1 2 2
受正弦调 制光作用
上升时间和下降时间的含义?
光电导的频率特性 请问光电导的频率特 性具有什么特点?
具有低通的特性
几种光敏电阻的频率特性曲线
1—硒 3—硫化砣 2—硫化镉 4—硫化铅
请问哪种光敏电阻 的频率特性要好些?
或
GP S g
RP RL
Ub
1 1 1 或 R 1 RP P Sg E Sg GP G
1 Sg E RP
2
dRP S g dE 2 RP
2
当光照变化不大时: RP R S E 或 RP S g P g 电阻值随光照度的增大而减小
RP RP S g E 或
4.4.3 常见光敏电阻
1. 硫化镉(CdS)光敏电阻 峰值波长:0.52μm,掺入微量铜或氯可以峰值波长变长 亮暗电导比可达1011,一般为106 2. 硫化铅(PbS)光敏电阻 在近红外波段比较灵敏,响应波长可达3μm,峰值探测率 Dλ*=1.5*1011cm.Hz1/2/W, 但响应时间长,100~300 μs
I I P I d gU g PU g dU S g EU g dU
注意Sg这两种表达式的单位有什么不同?
2、光电导增益(M)
光电导增益M是光敏电阻的一个重要参数,它表示长度为L的光 导体两端加上电压后,由光照产生的光生载流子在电场的作用下 形成的外部光电流与光电子形成的内部电流qN之比值,则
的电流
6)时间常数(s):指光敏电阻器从光照跃变开始到稳定亮电流的63%时
所需的时间
7)电阻温度系数: 指光敏电阻器在环境温度改变1℃时,其电阻值的
相对变化 8)灵敏度: 指光敏电阻器在有光照射和无光照射时电阻值的相对变化
光敏电阻的主要的特性参数
光敏电阻的相关概念
暗电阻:光敏电阻在室温条件下,在全暗时的电阻值
无量纲它表示单位时间内 每入射一个光子所能引起 的载流子数
4、光谱响应率( ( ) )与光谱响应曲线
I p ( ) qNM q
s
( )
hv
M q
( )
hv t dr
输出光电流
q ( ) 1 q q q S ( ) M ( ) hv t dr ( ) hvtdr hC t dr hC
第4章 光电导器件
§4.1 光敏电阻的工作原理
§4.2 光敏电阻的主要特性参数 §4.3 光敏电阻的偏置电路和噪声 §4.4 光敏电阻的特点和应用
一、光敏电阻的结构和分类
1、结构及符号(电路符号和文字符号) 2、分类
二、光敏电阻的工作原理 三、光敏电阻的主要参数
结构:——光电导材料(光敏层)、
绝缘基板(玻璃或树枝防潮 膜)、电极(无极性)
光敏电阻的特点:(5点)—P83
①光谱响应范围宽,尤其是对红光和红外辐射有较高的 响就度 ②偏置电压低,工作电流大 ③动态范围宽,既可测强光,也可测弱光 ④光电导增益大,灵敏度高 ⑤光敏电阻无极性,使用方便
4.4.2 使用时的注意事项
①…… ②…… ③…… ④…… ⑤…… ⑥…… ⑦…… ——见教材P96
3. 锑化铟(InSb)光敏电阻
长波限可达7.5 μm ,峰值探测率Dλ*=1.2*109cm.Hz1/2/W,冷 却到零度时,还可提高2~3倍,时间常数2*10-2 μs 4. 碲镉汞(HgCdTe)系列光敏电阻 Hg1-xCdxTe系列光敏电阻是由CdTe和 HgTe两种材料按不同 的比例混合而成,不同的比例就有不同的光谱测量范围
1 1 tdr tn t p
M
tdr称为载流子通过极间距 离L所需要的有效渡越时间
如何提高光电导增益系数?
3、量子效率( ( ) )
光电导器件的量子效率 η,表示输出的光电流与入射光子流之比 假设入射的单色辐射功率Ф(λ)能产生N个光电子,则量子效率
N Nhv ( ) ( ) / hv ( )
噪声电流也有三种 :产生-复合噪声电流 ingr ,热噪声电流 int ,
1/f 噪声电流inf。
由于三种噪声互相 独立,所以光敏电 阻的总的噪声电流 的均方值为
i n i
2
2 ngr
i
2 nf
i
2 nt
频率低于100Hz时以l/f 噪声 为主,频率在100Hz和接近 1000Hz之间以产生-复合噪声 为主,频率在1000Hz以上以 热噪声为主
I I I
光敏电阻器的主要参数
1)亮电阻(kΩ): 指光敏电阻器受到光照射时的电阻值
2)暗电阻(MΩ): 指光敏电阻器在无光照射(黑暗环境)时的电阻值 3)最高工作电压(V): 指光敏电阻器在额定功率下所允许承受的最高电压 4)亮电流: 指光敏电阻器在规定的外加电压下受到光照射时所通过的电流 5)暗电流(mA): 指在无光照射时,光敏电阻器在规定的外加电压下通过
自动报警电路等)、家用电器(如电视机中的亮度自动
调节,照相机的自动曝光控制等)及各种测量仪器中。常
用来制作光控开关,如照相机自动曝光电路、公共场所
用灯的自动控制电路
多晶和单晶光敏电阻器,还可分为硫化镉 1)按制作材料分类: (CdS)、硒化镉(CdSe) 、硫化铅(PbS)、
Hg0.8 Cd0.2 Te:8~14 μm ,峰值波长10.6 μm
Hg0.72 Cd0.28 Te:3~5 μm 5. 碲锡铅(PbSnTe)系列光敏电阻 Pb1-xSnxTe: 光谱范围8~10 μm 响应率低,应用不广泛
4.4.4 光敏电阻的应用
广泛应用于各种自动控制电路(如自动照明灯控制电路、
2
RP S g
2
I
RP Ub U RL
I
Ub/RL IU=Pmax E3 Q3 E2 Q2 Q1 E1 E=0 Ub
禁区
输出电流变化:
Ub I I RL RP RP
Ub Ub I RL RP RP RL RP
U
U b R P Ub 2 E ( RP S g E ) 2 2 2 ( RL RP ) ( R L RP ) ( RL RP )
RP S gU b
2
输出电压变化:
RP S g U b ( RL RP )
2 2
U L I RL
E R L
RP S gU b ( RL RP )
2
2
RL E
4.3.2 噪声等效电路
光敏电阻产生噪声和相应的噪声电流。
噪声主要有三种:产生-复合噪声,热噪声和1/f 噪声;
4.4 光敏电阻的特点和应用
4.4.1 光敏电阻的特点——见教材P96
与结型光电器件相比,光敏电阻具有以下特点:(4点)
(1) 产生光电变换的部位不同。光敏电阻是任何部位均 可,位结 型光电器件是结区附近
(2)光敏电阻没极性 (3)光敏电阻时间常数大,频率相应较差 (4)有些结型光电器件可以有放大功能,所以输出较大,而 光敏电阻没有放大功能(哪种器件)
U U U M 2 (n n p p ) 2 n n 2 p p qN L L L
1 1 M M n M p ( ) tn t p tn t p
tdr
1
Ip
Mn
U 2 nn L
U M p p p L2
6、光电特性和γ值
指光敏电阻的光电流与入射光通量之间的 光电特性:
关系即
I
p
( ) q
( )
hv
t dr
I p ( ) S gUE 光电特性公式: I p ( ) S gU 或
式中 Sg是光电导灵敏度,它与光敏电阻材料有关;U为外加电源 电压;Ф为入射光通量;E为入射光照度;γ为照度指数。 在弱光照时,γ值为1,称线性光电导;在强光照时,γ值为0.5, 则为非线性光电导;(?)一般情况下γ值在0.5~l之间。 实验证明,当所 加电压一定时, 光电流和照度关 系曲线如右 请问该图中的 光电流Ip为什 么有趋于饱和 的趋势?
2)按制作材料类型分类:本征型光敏电阻和掺杂型光敏电阻
导带 Eg 价带 常温无光照时 导带
Ed
导带
本征半导体要发 生光电导效应, 必须满足:
价带 常温光照时 导带
Ea
hc h E g 0 Eg
价带 价带 低温无光照时 低温有光照时 低温无光照时 低温有光照时
光敏电阻分为两类--本征型光敏电阻和掺杂型光敏电阻。 从原理上说,P型、N型半导体均可制成光敏电阻,但 由于电子的迁移率比空穴大,而且用N型半导体材料制 成的光敏电阻性能较稳定,特性较好,故目前大都使 用N型半导体光敏电阻。
从上式可知道提高增益系数M可使光谱响应率很 高,但实际上小于1,为什么?
I p ( )
光谱响应率
光电导材料的光谱响应
理想情况下光电导材 料对各波长辐射的吸 收系数相同 实际情况下光电导材料 对各波长辐射的吸收系 数不同,随着波长的减 小吸收系数加大,那如 何解释(b)图的情况?
在可见光区和红外区灵敏的几种光敏电阻的光谱特性曲线
7、前历效应
前历效应是指光敏电阻的响应特性与工作前的“历史”有关的 一种现象。前历效应有暗态前历效应与亮态前历效应之分。
硫化镉光敏电阻的暗态前历效应曲线 1—黑暗放置3分钟后 2—黑暗放置60分钟后 3—黑暗放置24小时后
硫化镉光敏电阻的亮态前历效应曲线
8、温度特性
光敏电阻的温度特性很复杂,在一定的照度下,亮电阻的温度系 数α有正有负
暗电导:光敏电阻在室温条件下,在全暗时的电导
暗电流:此时电阻加上一定的电压所通过的电流为暗电流
亮电阻: 光敏电阻在一定光照时的电阻值 亮电导: 光敏电阻在一定光照时的电导值
亮电流:此时电阻加上一定的电压所通过的电流为亮电流 光电导: 光敏电阻由光照产生的电导
光电流:由光照产生的电流
1、 光电导灵敏度(Sg)
Id
0
L
有光照时,由于光激发产生载 流子,再外电场的作用下形成 光电流 UA
I
p
L
特性
光敏电阻器是利用半导体光电导效应制 则流过光敏电阻的电流为亮 : 电流 成的一种特殊电阻器,对光线十分敏感, 它的电阻值能随着外界光照强弱(明暗) d p 变化而变化。它在无光照射时,呈高阻 状态;当有光照射时,其电阻值迅速减 小。它与光电池的比较?
为了减少杂质能级上电 子 的 热 激 发 ,常 需 要 在 低温下工作
两种类型光敏 电阻能带图
光电导器件是利用半导体材料的光电导效应制成 工作原理: 的一种光电探测器,所谓光电导效应是当材料受 到光辐射后,材料的电导率发生变化的现象。
入射光
无光照时,由于热激发产生载 流子,在外电场的作用下形成 暗电流 U A