北方工业大学-数字集成电路期末试卷
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北方工业大学
《数字集成电路》课程补考试卷
A 卷
2014年春季学期
开课学院： 信息工程学院
考试方式：闭卷
考试时间：120 分钟
班级 姓名 学号 题 号 一 二 三 四 五 六 七 总 分 得 分 阅卷人
一、简答（共20分，每题10分）
（1）用AOI 逻辑实现()
D B C A Z +⋅=，给出详细电路图。
序号
订
线
装
（2）简述用NMOS、PMOS和CMOS做传输门的优缺点。
二、版图设计（共20分）
根据给出的设计规则找出图示版图中的错误，并画出双阱工艺中CMOS反相器的版图，图中每个点间距为1um。
Well Minimum Width 阱最小宽度4um
Active Minimum Width 有源区最小宽度5um
Poly Minimum Width 多晶硅最小宽度3um
Active to select Edge有源区与选择区边缘间距1um
Select to Well Edge 选择区与阱边缘间距1um
Gate Extension out of Active硅栅对有源区最小出头量2um
Metal1 Minimum Width 金属最小宽度3um
ActiveContact exact Size 有源区最小接触孔尺寸2umx2um
Metal1 Overlap of ActiveContact 金属对有源接触的最小覆盖2um
ActCnt to ActCnt Spacing 有源区接触孔间距2um
三、网表分析题（共20分，每小题10分）
（1）. 画出下面T-spice网表对应的电路图，解释要完成的模拟并给出示意性的输出波形。
*
* Example 2: DC Transfer Analysis
* Circuit: invert_dc.cir
*
.include ml2_125.md
m1n out in GND GND nmos l=5u w=8u
m1p out in vdd vdd pmos l=5u w=12u
c2 out GND 800ff
vdd vdd GND 3.0
vin in GND 1.0
.dc vin 0 3 0.02
.print dc in out
（2）、完成用CMOS与非门的T-spice网表，仿真时间600ns。
V
5V
0 40ns 80ns t
*
* Example : tran Analysis
*
.include ml2_125.md
四、分析题（共20分，每小题10分）
（1）、由MOSFET的简化数字模型，推导CMOS反相器转换电压。
（2）、根据以上结果推导N输入与非门转换电压的表达式。
五、给出下面两图的逻辑符号（与非门、或非门）和详细电路图，并说明多晶硅弯曲摆放部分的意义（共20分，每小题10分）。