2.中国半导体硅(多晶、单晶)材料发展60年
中国半导体的发展历史
中国半导体的发展历史中国半导体发展可以大致分成四个阶段：萌芽期（1956 - 1965），稳步发展期（1966 - 1978），缓滞-复苏期（1978 - 2000）以及大发展时期（2000 –至今）。
萌芽期阶段（1956 - 1965）：1956年中央提出了“向科学进军”的口号，周总理亲自制定了1956 –1967年这12年的科学技术发展远景规划，把半导体、计算机、自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为四大紧急措施。
在此背景下，中科院半导体于1957年11月成功拉制成第一根锗单晶，并与1958年成功研制第一只锗晶体管。
锗晶体管半导体晶体管的成功研制，促成了我国晶体管计算机和晶体管收音机的诞生，在国内产生了很大的影响，那时候的收音机被叫做半导体的原因就在这里。
1958年，中国第一个半导体器件生产厂诞生，代号“109”，它就是后来中科院微电子研究所的前身。
同样是1958年，天津109厂的科研人员借助研制锗单晶的经验，自行研制了硅单晶并进行了设备调试，经过反复试验，并在7月，成功拉制成我国第一根硅单晶，成为当时继美苏之后第三个拉制出单晶硅的国家。
在此基础上，研究人员提高材料质量和改进技术工艺，并于1959年实现了硅单晶的实用化。
单晶硅随着研究的深入，我国逐步在外延工艺，光刻技术等领域取得了进展，并于1963年制造出国产硅平面型晶体管。
这些技术的成功，打下了我国硅集成电路研究的基础。
稳步发展期（1966 - 1978）到了1966年，10年风波开始。
我国工农业发展陷入大规模停滞，但我国半导体工业建设并未停下脚步。
1968年，北京组建国营东光电工厂（878厂），上海组建无线电十九厂，形成当时中国集成电路产业中的南北两强格局。
1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，现中电24所），是中国唯一的模拟集成电路研究所。
同年，上海无线电十四厂首次制成PMOS电路。
中国 半导体发展史
中国半导体的发展史可以大致划分为以下几个阶段：
20世纪50年代：中国开始自主培养半导体科技人才，创办了第一个五校联合半导体专业，并在1957年拉出了锗单晶，研制出锗晶体管。
20世纪60年代：中国研制出硅外延工艺、硅基晶体管和TTL电路产品，这标志着中国已经能够制作小规模集成电路。
20世纪70年代：中国开始建设集成电路工厂，并研制成功1000万次大型电子计算机。
20世纪80年代中期：中国制定了“531战略”，即“普及5微米技术，研发3微米技术，攻关1微米技术”，诞生了无锡华晶等半导体企业。
1990年9月：电子工业部决定启动“908工程”，目标是建成一条6英寸、0.8~1.2微米的芯片生产线。
但由于国外已沿着摩尔定律的路径实现了好几代的进步，所以华晶项目一投产即落后，产量也仅有800片，亏损相当严重。
1995年：提出以100亿元实施“909工程”，建设一条8英寸晶圆、0.5微米制程工艺的集成电路生产线，但面临国外的技术封锁。
1997年7月：华虹集团与NEC合资组建了上海华虹NEC电子有限公司，负责承担“909工程”的项目建设。
以上是中国半导体的发展史的一些重要事件和阶段。
总的来说，中国半导体产业经历了从自主培养科技人才、研制晶体管到建设集成电路工厂、启动芯片生产线等阶段，不断推动着中国半导体产业的发展。
中国半导体发展历史
中国半导体发展历史半导体是现代电子技术的基础，而中国的半导体产业也经历了一段波澜壮阔的发展历程。
从20世纪50年代开始，中国就开始了半导体的研究和生产，经过多年的努力，中国的半导体产业已经成为世界上最重要的产业之一。
早期的半导体研究和生产主要集中在中国的科研机构和国有企业中。
20世纪50年代，中国科学院物理研究所开始了半导体的研究工作，1956年，中国第一颗晶体管诞生。
此后，中国的半导体产业逐渐发展起来，1960年代初期，中国开始了半导体的批量生产，生产的产品主要是二极管和晶体管。
然而，由于历史原因和技术水平的限制，中国的半导体产业在20世纪70年代和80年代处于低谷期。
直到20世纪90年代初期，中国的半导体产业才开始逐渐复苏。
1991年，中国成立了第一家半导体企业——中芯国际，这标志着中国半导体产业进入了一个新的发展阶段。
在1990年代后期和21世纪初期，中国的半导体产业经历了快速发展的阶段。
中国政府出台了一系列扶持政策，吸引了大量的国内外投资。
同时，中国的半导体企业也开始了技术创新和自主研发，逐渐实现了从跟随者到领先者的转变。
2000年，中国的半导体产业产值达到了100亿美元，成为世界上第三大半导体生产国。
近年来，中国的半导体产业发展更加迅猛。
中国政府提出了“中国制造2025”和“半导体产业发展规划”，明确了发展半导体产业的战略目标和重点领域。
中国的半导体企业也在不断加强技术创新和自主研发，逐渐实现了从低端到高端的跨越。
2019年，中国的半导体产业产值已经达到了800亿美元，成为世界上最大的半导体市场之一。
总的来说，中国的半导体产业经历了一个从小到大、从弱到强的发展历程。
中国的半导体企业已经成为世界上最重要的企业之一，中国的半导体产业也已经成为世界上最重要的产业之一。
未来，中国的半导体产业将继续发展壮大，为中国的经济发展和科技进步做出更大的贡献。
单晶硅和多晶硅发展现状和趋势
二 单晶硅和多晶硅的现状
• 1 单晶硅的现状 • 单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。 在地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产 提供了取之不尽的源泉。近年来，各种晶体材料， 特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相 关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支 柱，并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的 先导产业。单晶硅作为一种极具潜能，亟待开发利 用的高科技资源，正引起越来越多的关注和重视。
• 单晶硅为灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。 沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝 酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时 易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显 变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温 熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料 作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料， 但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用 于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、 电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体 在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。 • 多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差 异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性 质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电 学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著， 甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极 小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别 须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
• 多晶硅产业发展预测 • 高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的 基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材 料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原 材料。 • 随着信息技术和太阳能产业的飞速发展，全 球对多晶硅的需求增长迅猛，市场供不应求。世 界多晶硅的产量2005年为28750吨，其中半导体 级为20250吨，太阳能级为8500吨。半导体级需 20250 8500 求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求 量为15600吨，供不应求。近年来，全球太阳能 电池产量快速增加，直接拉动了多晶硅需求的迅 猛增长。全球多晶硅由供过于求转向供不应求。 受此影响，作为太阳能电池主要原料的多晶硅价 格快速上涨。
全球晶硅光伏发展历史
全球晶硅光伏发展历史
全球晶硅光伏的发展历史可以追溯到1839年，当时法国科学家贝克雷尔发现了光生伏特效应，即光照能够使得半导体材料的不同部位之间产生电位差。
1954年，美国科学家恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳电池，标志着光伏发电技术的诞生。
在接下来的几十年中，晶硅光伏技术得到了广泛的研究和应用。
1968年至1969年底，中国半导体所承担了为“实践1号卫星”研制和生产硅太阳能电池板的任务，并成功完成了NP结硅太阳电池的研制和生产任务。
进入21世纪，随着国际光伏市场的爆发，晶硅光伏产业链得到了快速发展。
多晶硅产品作为光伏产业链内技术和资金壁垒最高的环节之一，其生产工艺技术在行业发轫早期被海外产业巨头封锁。
然而，随着中国硅材料产业的发展，中国成功拉制出硅单晶，并在2005年实现了全国多晶硅产量仅有60吨的突破。
为了扭转受制于人的局面，国内一些企业开始着手多晶硅核心工艺开发。
随着多晶硅产品的供需出现缺口，其价格大幅上涨，这促使更多企业加入到多晶硅的研发和生产中。
总之，晶硅光伏技术是全球能源领域的重要发展方向之一，其发展历程经历了多个阶段，并推动了全球能源结构的转变和升级。
单晶硅片发展史
单晶硅片发展史1. 起源和发展初期单晶硅片是指由纯硅材料制成的晶体片，具有高纯度、均匀性好和电学性能优越等特点，广泛应用于电子器件中。
其历史可以追溯到20世纪60年代初期。
当时，电子行业正迅速发展，对于新型材料及其制备方法的研究需求逐渐增加。
纯度较高的硅材料被发现在半导体领域有巨大潜力，因为硅具有较好的导电和绝缘特性。
为了实现可控的硅片制备，科研人员开始对硅材料进行纯化、晶体生长以及切割处理等工艺的研究。
2. Czochralski法20世纪60年代中叶，波兰科学家托德罗斯·科赫拉尔斯基（Jan Czochralski）发明了一种新的硅片制备方法，这就是著名的Czochralski法（CZ法）。
CZ法是通过将一根种子晶体浸入炉中的熔融硅中，然后慢慢上拉出来，使熔融硅凝固形成硅单晶。
这种方法有效解决了硅片制备过程中晶体纯化和生长问题，大大提高了硅片的制备效率和品质。
随着CZ法的出现，单晶硅片的生产量得以大幅度增加，使得半导体产业出现了快速发展的良好基础。
3. 其他发展尽管CZ法成为了主流的硅片制备方法，但随着电子行业的不断发展，人们对更高纯度和更完美晶体结构的单晶硅片需求日益增加，科研人员纷纷探索新的制备方法。
在20世纪80年代后期，由于化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）技术的突破，形成了向多晶硅制备方法迁移的新趋势。
CVD技术通过气相反应将硅腊沉积在制备衬底上，然后以适当的工艺条件在高温下熔化使其形成单晶结构。
此外，还有其他一些方法如分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，MBE）等被应用于制备高质量的单晶硅片。
4. 现代应用和进展如今，单晶硅片已经成为电子行业和太阳能光伏领域中最重要的材料之一。
在电子行业中，单晶硅片广泛用于制造半导体器件，如晶体管、光电池、LED 等。
其高纯度和均匀性使得电子器件的性能得以有效提升。
而在太阳能光伏领域，单晶硅片通过切割成薄片并组合成太阳能电池板，能够将太阳能直接转化为电能。
专题报告-半导体器件的发展历程及其展望
半导体器件的发展历程及其展望摘要：1947年12月23日第一块晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。
在晶体管技术日新月异的60年里，有太多的技术发明与突破，也有太多为之作出重要贡献的人，更有半导体产业分分合合、聚聚散散的恩怨情仇，当然其中还记载了众多半导体公司的浮浮沉沉。
半导体器件发明之后，人类的历史正式进入了一个新的时代，也就是硅的时代。
硅所代表的正是半导体元件，包括记忆元件、微处理机、逻辑元件、光电元件与侦测器等等在内，举凡电视、电话、电脑、电冰箱、汽车，这些半导体元件无时无刻都在为我们服务。
纵观半导体器件的发展历程,半导体器件对人类社会发展所产生了深刻影响。
探讨了半导体器件所取得的最新研究成果以及它今天面临的挑战及未来发展趋势。
最后阐述了世界半导体产业重心的转移及其给中国半导体产业发展带来的机遇与挑战。
关键词：半导体晶体管微电子技术积体电路半导体产业一、半导体概述半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，例如：锗、硅、砷化镓等。
半导体材料具有三大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性。
具体解释如下：①掺杂性在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质，其导电能力将会成百万倍地增加，如半导体二极管、三极管等。
②热敏性在一些情况下温度变化20倍，电阻率变化可达百万倍以上。
利用这一特性可制成自动控制用的热敏元件，如热敏电阻等。
③光敏性在光的照射下，电路中产生电流或电流变化。
半导体光电效应分为两类，一种光照改变电阻值，称为内光电效应，一种光照下产生一定的电动势，称为阻挡层光电效应。
利用半导体材料的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，如光电池、光电管和光敏电阻等。
另外，半导体还具有负电阻率温度特性（半导体材料在受热后电阻率随温度升高而迅速减小，这与金属材料相反），压阻效应（半导体在受到压力后除发生相应的形变外，能带结构发生相应变化，从而电阻发生变化），磁敏感特性（半导体在磁场中会产生霍尔效应、磁阻效应等，热电效应(是指把热能转变为电能的过程，其中最重要的是温差电现象），导电特性（半导体的导电，同时具有两种载流子，即电子和空穴）等其他特性。
单晶硅片发展史
单晶硅片发展史摘要：I.引言- 介绍单晶硅片的背景和重要性II.单晶硅片的定义和特点- 解释单晶硅片的定义- 描述单晶硅片的特点III.单晶硅片的发展史- 介绍单晶硅片的发展史- 阐述单晶硅片在不同阶段的发展情况IV.单晶硅片在中国的应用和发展- 介绍单晶硅片在中国的应用情况- 分析中国单晶硅片行业的发展状况V.单晶硅片的发展趋势和挑战- 预测单晶硅片的发展趋势- 讨论单晶硅片面临的挑战和解决方案VI.结论- 总结单晶硅片的发展史和现状- 提出对未来单晶硅片发展的期望正文：单晶硅片发展史单晶硅片是一种重要的半导体材料，被广泛应用于电子、光电子和光伏等领域。
作为一种高纯度、高导电性、高平整度的材料，单晶硅片在现代科技和工业中扮演着举足轻重的角色。
本文将介绍单晶硅片的定义、特点，以及其发展史、在中国的应用和发展情况，并探讨单晶硅片的发展趋势和挑战。
单晶硅片是由单晶硅制成的，具有高纯度、高导电性、高平整度等特点。
它是一种重要的半导体材料，被广泛应用于电子、光电子和光伏等领域。
单晶硅片的发展历程可以追溯到20 世纪50 年代。
当时，由于半导体技术的快速发展，单晶硅片成为了研究和应用的热点。
随着技术的不断进步，单晶硅片在各个领域中的应用也日益广泛。
在中国，单晶硅片行业的发展始于20 世纪70 年代。
经过几十年的发展，中国单晶硅片行业已经取得了显著的成绩。
目前，中国已经成为全球最大的单晶硅片生产国和消费国。
在中国，单晶硅片被广泛应用于光伏、电子和光电子等领域。
随着中国政府对新能源产业的支持，单晶硅片在中国的应用和发展前景十分广阔。
然而，单晶硅片的发展也面临着一些挑战。
首先，单晶硅片的生产过程需要大量的能源和资源。
其次，随着市场需求的不断增长，单晶硅片的生产成本也在不断上升。
此外，单晶硅片行业也面临着技术研发和创新方面的挑战。
为了应对这些挑战，单晶硅片行业需要加大技术研发力度，提高生产效率，降低生产成本，并寻求新的应用领域。
半导体的发展历程
半导体的发展历程
半导体的发展历程可以概括为以下几个阶段：
1. 1947年：第一个晶体管问世。
这是使用固态材料制造的第一种电子器件，并被认为是现代电子技术的里程碑之一。
2. 1950年代：半导体材料的研究和发展进入快速发展期。
砷化镓（GaAs）和硅（Si）成为主要的半导体材料，同时晶体管逐渐取代真空管成为主流电子器件。
3. 1960年代：单片集成电路的问世。
这种技术可以将成千上万的晶体管等元件集成到一块芯片上，大大提高了集成度，实现了电子器件的微型化。
4. 1970年代：大规模集成电路的问世。
这种技术可以将数十万甚至数百万的晶体管等元件集成到一块芯片上，进一步提高了集成度和性能，让电子器件的功能更加丰富。
5. 1980年代至今：半导体材料、制造工艺和设计技术不断进步，使集成电路的性能愈发出色。
同时，出现了很多新的应用领域，如数字化、通信、计算机、消费电子、医疗设备等，这些领域对集成电路的需求也不断增加。
中国半导体行业发展历程
中国半导体行业发展历程近年来，中国半导体行业取得了长足的发展，成为全球最具潜力和竞争力的行业之一。
本文将为您介绍中国半导体行业的发展历程。
第一阶段：起步期（1950年代-1970年代）中国半导体行业的起步可以追溯到上世纪50年代。
当时，中国面临着技术和经济的困境，需要发展自己的半导体产业来满足国内需求。
于是，中国政府成立了多家研究机构和实验室，开始进行半导体技术的研究和开发。
然而，在起步期，中国的半导体行业仍然面临着巨大的挑战。
由于技术水平和设备条件的限制，中国的半导体产品主要依赖进口。
尽管如此，这一时期为后来的发展奠定了基础，为中国半导体行业的蓬勃发展创造了条件。
第二阶段：培育期（1980年代-1990年代）改革开放以后，中国的半导体行业迎来了新的发展机遇。
政府开始大力支持半导体产业的发展，引进国外先进的技术和设备，并鼓励国内企业进行技术创新和自主研发。
同时，政府还出台了一系列的政策，为半导体企业提供贷款和税收优惠，吸引了大量的国内外资本投入。
在培育期，中国半导体行业取得了长足的进步。
中国的半导体企业开始生产一些基础的电子元件和芯片，并逐渐实现了产品的本土化。
同时，中国还积极培养半导体专业人才，建立了一批具有国际竞争力的研发团队。
第三阶段：崛起期（2000年代-2010年代）进入21世纪，中国半导体行业迎来了快速发展的机遇。
随着中国经济的快速增长和科技实力的提升，中国成为全球最大的半导体市场之一。
政府继续加大对半导体产业的支持力度，鼓励本土企业进行技术创新和自主研发。
在崛起期，中国半导体行业取得了令人瞩目的成就。
一批国内企业在存储器、集成电路和传感器等领域实现了技术突破和产品创新，有些企业甚至成为全球知名的半导体巨头。
同时，中国还积极引进外国企业和专业团队，加强国际合作和技术交流。
第四阶段：创新驱动期（2020年至今）当前，中国半导体行业正进入创新驱动的新阶段。
随着技术的不断进步和市场的不断扩大，中国的半导体企业面临着更大的机遇和挑战。
中国多晶硅的发展回顾
中国多晶硅的发展回顾早在二十世纪五十年代，中国就开始了多晶硅的研究，最早的是洛阳半导体厂和峨嵋半导体厂。
随后，伴随着半导体技术的发展，中国又陆续在陕西、河北等地设立了多个多晶硅厂，或者在一些化工厂内设立了多晶硅车间。
六十年代，“文化大革命”的十年浩劫中断了中国多晶硅的研发进展。
改革开放后，由于我国电子工业的主体思路是重整机而轻器件，作为器件上游的多晶硅就更加被轻视，导致中国的多晶硅的研究继续停滞，技术远远落后于欧美。
2005年，德国可再生能源法的通过引发了光伏产业的发展热潮。
由于光伏电池对于多晶硅的需求量要远远大于半导体行业对硅的需求，因此，多晶硅的需求量随之猛涨，多晶硅的价格也从稳定了二三十年之久的每公斤二十多美元的水平一路飙升。
2005年，每公斤多晶硅的价格达到50美元，2006年底超过100美元，2007年底，则超过了300美元，到了2008年8月，多晶硅价格达到顶点，每公斤的市场现货价最高曾达到480美元。
“拥硅者为王”，成为当时光伏界的信条。
价格的飙升吸引了大量的投资。
相比之下，中国的投资者比国外的投资者要疯狂得多。
在2006年，洛阳半导体厂成立了洛阳中硅，峨嵋半导体厂分出了四川新光，开始从事多晶硅的大规模生产。
后来，峨嵋半导体厂又与东方汽轮机厂合资成立东汽峨半，继续从事多晶硅的生产。
但是，一开始，这些公司的进展都不顺利，直到2008年，整个中国才生产了几百吨。
但是，高额的利润继续吸引着大量的投资。
四川永祥、万州大全、青海亚洲硅业、宁夏阳光、扬州顺大、鄂尔多斯等等，仿佛在一夜之间，全国树立了大大小小近百家多晶硅企业。
据估计，全国范围内，多晶硅企业的投资高达1400亿元人民币。
2008年9月开始的金融海啸使得多晶硅的价格在半年内从480美元跌到了50美元以下，众多的多晶硅企业戛然停产。
但是，2009年，光伏产业成为众多行业中复苏最早的行业，多晶硅的价格从50美元开始上升，到了2010年，回到了90美元以上。
半导体硅材料
半导体硅材料一、半导体及硅材料的发展硅材料是重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。
硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。
在介绍硅材料之前先简单地介绍一下半导体材料的发展历程。
半导体材料经历了几代的发展：第一代半导体是“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体。
其中以硅基半导体技术较成熟，应用也较广，一般用硅基半导体来代替元素半导体的名称。
硅基半导体器件的频率只能做到10GHz，硅基半导体集成电路芯片最小设计线宽己经达到0.13μm，到2015年，最小线宽将达到0.07μm。
第二代半导体材料是化合物半导体。
化合物半导体是以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和氮化镓(GaN)等为代表，包括许多其它III-V族化合物半导体。
化合物半导体的电子迁移率与硅半导体材料相比要快很多，因而被广泛应用于高频传输领域。
带三代半导体材料是宽禁带半导体材料，如SiC、GaN、ZnSe、金刚石以及SOI 等新型硅基材料等。
自1958年集成电路发明以来，半导体单晶硅材料以其丰富的资源，优良的物理和化学性能成为生产规模最大、生产工艺最完善和成熟的半导体材料。
由于大规模工业生产高品质单晶硅对于计算机通讯系统、传感器、医疗设备、光伏器件、卫星、宇宙飞船等都有重大影响，美国的贝尔实验室、德州仪器公司、欧洲的菲利普、西门子和瓦克等全球大公司抓住了机遇成为初期的硅生产厂家。
20世纪50年代开发的西门子c制程包括有高品质的单晶硅、多熔区区域提纯硅和悬浮区熔硅（FZ）等关键技术，这些技术后被瓦克公司采用，FZ硅片最初主要是用于功率器件。
切克劳斯基直拉工艺是另一种硅生产技术，CZ硅片用于德州仪器和仙童公司设计的集成电路。
1970年前后，多晶硅在MOS工艺中的首次应用是MOS技术的一次关键突破，因为他利用了多晶硅的主要优势，从那时起，由于多晶硅的诸多性质如雨硅技术中所使用的其他材料的兼容性，超过1000度的温度稳定性，易于掺杂和氧化以及能够产生等角台阶覆盖，多晶硅已被用于各种类型器件的制作中。
半导体材料的历史现状及研究进展(精)
半导体材料的历史现状及研究进展(精)半导体材料的研究进展摘要:随着全球科技的快速发展,当今世界已经进入了信息时代,作为信息领域的命脉,光电子技术和微电子技术无疑成为了科技发展的焦点。
半导体材料凭借着自身的性能特点也在迅速地扩大着它的使用领域。
本文重点对半导体材料的发展历程、性能、种类和主要的半导体材料进行了讨论,并对半导体硅材料应用概况及其发展趋势作了概述。
关键词:半导体材料、性能、种类、应用概况、发展趋势一、半导体材料的发展历程半导体材料从发现到发展,从使用到创新,拥有这一段长久的历史。
宰二十世纪初,就曾出现过点接触矿石检波器。
1930年,氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用,是半导体材料开始受到重视。
1947年锗点接触三极管制成,成为半导体的研究成果的重大突破。
50年代末,薄膜生长激素的开发和集成电路的发明,是的微电子技术得到进一步发展。
60年代,砷化镓材料制成半导体激光器,固溶体半导体此阿里奥在红外线方面的研究发展,半导体材料的应用得到扩展。
1969年超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功,是的半导体器件的设计与制造从杂志工程发展到能带工程,将半导体材料的研究和应用推向了一个新的领域。
90年代以来随着移动通信技术的飞速发展,砷化镓和磷化烟等半导体材料成为焦点,用于制作高速高频大功率激发光电子器件等;近些年,新型半导体材料的研究得到突破,以氮化镓为代表的先进半导体材料开始体现出超强优越性,被称为IT产业的新发动机。
新型半导体材料的研究和突破,常常导致新的技术革命和新兴产业的发展.以氮化镓为代表的第三代半导体材料,是继第一代半导体材料(以硅基半导体为代表和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表之后,在近10年发展起来的新型宽带半导体材料.作为第一代半导体材料,硅基半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个计算机产业的飞跃,并广泛应用于信息处理、自动控制等领域,对人类社会的发展起了极大的促进作用.硅基半导体材料虽然在微电子领域得到广泛应用,但硅材料本身间接能带结构的特点限制了其在光电子领域的应用.随着以光通状态所需的能量。
(整理)半导体材料发展简史
半导体材料的发展简史半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体工业的发展具有极大的影响。
如果按化学成分及内部结构，半导体材料大致可以分为以下几类：一是元素半导体材料，包括锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)、硼(B)等。
20世纪50年代，锗在半导体工业中占主导地位，但锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到20世纪60年代后期逐渐被硅材料取代。
用硅制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件。
因此，硅已成为应用最多的一种半导体材料，目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。
二是化合物半导体，它是由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。
它的种类很多，重要的有砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化铟(InSb)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硫化镉(CdS)等。
其中砷化镓是除硅之外研究最深入、应用最广泛的半导体材料。
由于砷化镓是一种直接带隙的半导体材料，并且具有禁带宽度宽、电子迁移率高的优点，因而砷化镓材料不仅可直接研制光电子器件，如发光二极管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器、红外探测器和高效太阳能电池等，而且在微电子方面，以半绝缘砷化镓(Si-GaAs)为基体，用直接离子注入自对准平面工艺研制的砷化镓高速数字电路、微波单片电路、光电集成电路、低噪声及大功率场效应晶体管，具有速度快、频率高、低功耗和抗辐射等特点。
碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。
氮化镓材料是近十年才成为研究热点，它是一种宽禁带半导体材料（Eg＝3.4eV），具有纤锌矿结构的氮化镓属于直接跃迁型半导体，是制作绿光、蓝光、紫光乃至紫外发光二极管、探测器和激光器的材料。
氮化镓可以与氮化铟（Eg＝1.9eV）、氮化铝（Eg＝6.2eV）形成合金InGaN、AlGaN，这样可以调制禁带宽度，进而调节发光管、激光管等的波长。
三是非晶半导体。
上面介绍的都是具有确定晶格结构的半导体材料，在这些材料中原子排列具有对称性和周期性。
半导体材料报告【范本模板】
半导体材料-硅摘要半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础.利用半导体材料制作的各种各样的半导体器件和集成电路，促进了现代信息社会的飞速发展。
本文就半导体硅材料作了简单介绍。
引言能源、信息、材料是人类社会的三大支柱.半导体硅材料则是电子信息产业(尤其是集成电路产业）和新能源、绿色能源硅光伏产业的主体功能材料,硅材料的使用量至今仍然占全球半导体材料的95%以上，是第一大电子功能材料，且早已是一种战略性的物资和产业。
［1]20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命，随着科技的发展，半导体材料越来越多。
[2]半导体材料是一类具有半导体性能、可用于制作半导体器件和集成电路的电子材料．硅材料是当今产量最大、应用最广的半导体材料，是集成电路产业和光伏产业的基础。
硅材料的发展对推动我国相关产业实现技术跨越、增强国际竞争力、保持社会经济可持续发展和保障国家安全均起着重要作用。
［3］1、硅的分类硅也是极为常见的一种元素，属于元素周期表上第三周期,IVA族的类金属元素。
然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式,广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。
硅在宇宙中的储量排在第八位。
在地壳中，它是第二丰富的元素，构成地壳总质量的26.4%,仅次于第一位的氧。
硅根据物理性质分为无定形硅和晶体硅两种。
1.1无定型硅无定型硅又称非晶硅，非晶硅是一种直接能带半导体，它的结构内部有许多所谓的“悬键”，也就是没有和周围的硅原子成键的电子,这些电子在电场作用下就可以产生电流，并不需要声子的帮助,因而非晶硅可以做得很薄，还有制作成本低的优点。
在70年代确实有过制备非晶硅的沸沸扬扬的高潮。
事实上，非晶硅光电池已经广为使用，例如许多太阳能计算器、太阳能手表、园林路灯和汽车太阳能顶罩等就是用非晶硅作为光电池的基本材料的。
非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。
晶体硅(多晶、单晶)
3、东汽峨嵋半导体材料厂(所)
• 该厂是我国半导体材料行业第一家集生产、 科研、试制于一体的产研结合的国有科技 型企业。该厂多晶硅项目分为两部分：第 一部分，投入4.9亿元建设现有峨眉厂区内 年产500吨电路级多晶硅生产线，已于2008 年3月底投入运行；第二部分，投入36亿元， 在乐山市五通桥区西坝镇设1500吨多晶 硅项目及峨眉山市光伏产业项目。目前第 二部分一期工程已奠基动工。
10、宜昌南玻硅材料有限公司
• 该公司于2006年8月注册成立，由南玻集团、 香港华仪有限公司、宜昌力源科技开发有 限责任公司共同投资建设，隶属于南玻集 团太阳能事业部。项目总投资约60亿元， 总规模为年产5000吨高纯多晶硅、450兆瓦 太阳能电池组件。其中一期建设1500吨/年 规模的高纯多晶硅于2006年10月开工建设， 2008年底第一炉多晶硅棒顺利出炉，经检 测，其产品纯度及各项物理性能指标达到 国家电子级多晶硅标准。
16、宁夏银星能源多晶硅有限公司
• 该公司由宁夏发电集团与宁夏银星能源股 份有限公司合资组建，投资兴建一条1000 吨/年的太阳能级多晶硅生产线，厂址位于 吴忠仪表二分厂内。项目已于2007年建成 投产。其制成的太阳能电池组件已安装在 宁夏发电集团银川太阳能光伏电站运行， 并于2008年9月并网发电。
4、江西赛维LDK太阳能高科技有限 公司
• 2008年2月9日开工建设，2009年1月16日正 式投产。赛维LDK建立了国际最先进的全闭 环循环系统，生产线的控制全部采用先进 的分散控制系统实时监测、控制，所有的 工艺成分及废弃物将全部进行回收。因受 金融危机影响，原定2009年年初投产的多 晶硅生产项目进程被推迟，其总计6000吨 的多晶硅投产时间延期半年，将在2009年 年中实现产能。
211240759_林兰英：中国半导体材料科学先驱
1918年2月，林兰英在福建莆田出生。
幼年的她勤劳敏学，心灵手巧。
在林兰英6岁时，受封建思想影响的母亲不允许她去学校读书。
为了获得上学的机会，她把自主持：乐羊羊林兰英（1918—2003），我国半导体材料学家、物理学家，中国科学院院士，曾任中国科协副主席。
林兰英成功研制出我国第一根硅、锑化铟、砷化镓、磷化镓等单晶，为我国微电子和光电子学的发展奠定了基础。
她曾两次荣获国家科技进步奖。
己反锁在房间，近三天不吃不喝，以绝食明志，才获得了和家里男孩一样的受教育机会。
林兰英深知学习机会来之不易，平日学习非常刻苦，从初中到高中，她每个学期的总成绩都是年级第一。
1936年，林兰英以优异的成绩考入福建协和大学（是今福建大学和福建农林大学的主要前身）。
毕业后，林兰英留校任教。
1948年，她以留学生身份前往美国迪金森学院数学系留学。
1949年，林兰英顺利获得该学院的数学学士学位。
当时，她的导师推荐她到芝加哥大学数学系继续学习，但林兰英怀着“一切都应该服从祖国建设事业的迫切需要”的想法，果断改学固体物理专业。
当时，国内对这一领域的研究还是一片空白。
同年秋，林兰英进入美国宾夕法尼亚大学研究生院学习固体物理。
获得博士学位时的林兰英5BCopyright ©博看网. All Rights Reserved.1955年，林兰英成为宾夕法尼亚大学第一位中国博士，也是该校第一位女博士。
博士毕业后，林兰英受聘于索菲尼亚公司，负责半导体科研工作。
在她的指导下，该公司成功造出第一根硅单晶……公司连续三次提高她的年薪，各种奖励也接踵而来，但林兰英却一刻也没有放下回国建设新中国的念头。
1957年春天，林兰英冲破层层阻碍，回到了阔别数载的祖国，进入中国科学院应用物理所工作，并马上着手开展半导体研究工作。
当时，我国的半导体事业十分落后，林兰英仅用半年时间，就研制出了我国第一根锗单晶。
接着，她仅用一个月的时间，就研制出n型和p型的锗单晶各1公斤。
中国硅片发展历史
中国硅片发展历史
中国硅片的发展历史可以追溯到上世纪50年代末期。
1. 1955年，中国开始进行硅材料的研究和开发，建立了硅材料的基础研究和生产实验室，开始了中国硅片技术的起步阶段。
2. 1960年代，中国开始进行硅片的试制和生产。
在上海、北京、西安等地建立了硅片生产线，初步实现了硅片的国产化。
3. 1970年代，中国进一步推进硅片技术的发展，开始自主研制和生产硅单晶材料。
随着技术的进步，硅单晶的质量和纯度得到提高，逐渐可用于集成电路制造。
4. 1980年代，中国硅片技术取得了重要突破。
在中国科学院、灵动等科研机构和高校，开始开展硅片的相关研究，并获得了一些关键技术的突破。
5. 1990年代，中国硅片产业进一步发展。
国内企业开始涉足硅片生产领域，建立了一批硅片生产线，提高了硅片的生产能力和质量水平。
6. 2000年代至今，中国硅片产业持续发展，逐步形成了完整的硅片产业链。
中国的硅片生产规模不断扩大，技术水平和产品质量也取得了显著提升。
目前，中国已成为全球最大的硅片生产国之一，硅片产能和质量已经达到国际先进水平。
中国的硅片广泛应用于集成电路、太阳能电池、LED等领域，为国家经济的发展和技术的进步做出了重要贡献。
中国半导体产业发展历程
中国半导体产业发展历程随着信息技术的快速发展，半导体产业成为了全球科技竞争的焦点之一。
作为全球最大的电子消费市场，中国在半导体产业发展方面逐渐崭露头角。
本文将以中国半导体产业发展历程为主题，探讨中国半导体产业的发展过程和取得的成就。
一、起步阶段（1950年-1970年）中国半导体产业的起步可以追溯到上世纪50年代。
当时，中国正面临科技产业化的初期，国内的半导体技术几乎为零。
为了满足国内需求，中国开始引进半导体技术和设备。
在政府的大力支持下，中国建设了第一家半导体设备厂和半导体研究机构，开始了半导体产业的发展之路。
二、起步阶段（1970年-1990年）在上世纪70年代至80年代，中国半导体产业进入了快速发展阶段。
中国国内出现了一些半导体企业，开始生产一些简单的半导体产品。
然而，由于技术水平和设备条件的限制，中国半导体产业仍然落后于发达国家。
三、快速发展阶段（1990年-2000年）上世纪90年代，中国进行了一系列改革开放的措施，对半导体产业的发展起到了积极的推动作用。
中国加大了对半导体产业的投资，引进了大量的先进技术和设备。
在政府政策的支持下，一批半导体企业相继成立，开始了规模化的生产。
中国的半导体产业逐渐走上了快速发展的轨道。
四、自主创新阶段（2000年-至今）进入21世纪，中国半导体产业开始迈向自主创新的阶段。
中国政府提出了“产业强基工程”和“国家大基金”等政策，支持半导体产业的研发和创新。
中国的半导体企业开始加大自主研发力度，不断推出具有自主知识产权的芯片产品。
在国内市场和国际市场上，中国的半导体产品逐渐受到认可和青睐。
五、成就与挑战经过几十年的发展，中国半导体产业取得了显著的成就。
中国已经成为全球最大的半导体消费市场之一，半导体产业的规模和水平也大幅提升。
中国的半导体企业在技术创新、产品质量和市场竞争力等方面取得了重要突破。
然而，中国的半导体产业仍然面临着一些挑战。
与发达国家相比，中国的半导体技术水平仍有差距，核心技术和关键设备还依赖进口。
求助：中国建国60年,集成电子行业发展历史？
求助：中国建国60年,集成电子行业发展历史？我国集成电路的发展历史我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。
在信息技术系统中，微电子技术可称为信息技术的核心。
它的发展进程体现了信息技术的发展过程。
从微电子技术看，自从1948年晶体管被发明以后，1958年第一块集成电路问世，引发了一场微电子革命，微电子技术使得越来越复杂的电子系统可以集成在一小块硅片上，使电子设备和系统的微型化、低能耗成为可能。
集成电路从中小规模集成电路逐步发展到大规模集成电路，超大规模集成电路，并实现了平均每18个月集成电路芯片上集成的电子器件数翻一番，而价格却保持不变甚至下降，这就带动了以集成电路为基础的信息技术迅速发展，创造了信息技术产品性能不断提高，而价格不断下降的奇迹。
从通信技术和计算机技术看，从19世纪上半叶莫尔斯发明电报至20世纪下半叶初第一部程控交换机的诞生和数字程控交换机的应用，使通信技术开始向数字化发展。
卫星通信、称动通信和通信技术的发展，更是开拓了通信手段，进一步扩展了通信技术的应用领域。
而从1946年世界上第一台笨重的庞大的、高电能耗的计算机问世以后，随着集成电路和软件技术的发展，计算机的运算速度、存储容量和能力不断提高，其功能也从单一的计算功能发展成能处理数字、语言、图象等多种信息，其应用的领域也覆盖了社会各个方面。
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ｌ互口ＩＮＳＩＧＨＴ
中国半导体硅（多晶◆．单晶）材料发展６０年
一文／朱黎辉
中国电子材料行业协会半导体材料分会秘书长
能源、信息、材料是人类社会的三大支柱。
半导体硅（多晶、单晶）材料则是电子信息产业（尤其是集成电路产业）和新能源、绿色能源硅光伏产业的主体功能材料，硅材料的使用量至今仍然占全球半导体材料的９５％以上，是第一大电子功能材料，且早已是一种战略性的物资和产业。
半个世纪以来，美、日、德等国的ｌＯ大公司一直垄断着半导体硅材料的技术、市场及售价，对我国进行封锁，严重地制约着我国现代化的进程。
硅占地壳的１／４，是地球上丰度最高的元素之一。
我国已发现了高品位的硅矿（水晶、Ｓｉｏ：）ｌ删乙ｔ以上，一万年也用不完。
国际半导体硅材料的研发几乎
与新中国的诞生同步，２０世纪５０年代
初开始了高纯多晶硅生产技术的研
发，此后，逐步成熟的是“改良西门子
法（三氯氢硅氢还原法，约占全球多晶
硅总产量的８０％）”与“新硅烷法（硅烷
热分解法，约占全球多晶硅总产量的
２０％）”。
为了降低成本、适应硅太阳能
电池的需要，国内外正在探索其它高
纯硅生产的低成本工艺。
１９４７年，俄国人切克劳尔斯基发
明了拉制金属单晶的直拉ＣＺ法工艺。
１９５１年，美国人蒂尔和利特把ＣＺ法
移植到硅单晶生长工艺上来，拉出了
①ｌｏｏｍｍ的单晶。
１９５２年，美国人普
凡采用高频感应加热发明了硅单晶
生长的无坩埚悬浮区域熔炼ＦＺ法。
此后，ＣＺ法和ＦＺ法的工艺与设备不
断发展，使之成为现代硅单晶生产的
主要技术。
硅单晶加工的后道硅片切、
磨，抛、清洗等工艺也在不断向大尺
寸、高精度迈进：微米技术、亚微米技术、
深亚微米技术、甚至纳米级加工技术的进
步；硅外延片、ＳＯＩ片、ＳＧＯＩ片、ＭＥＭＳ、
ＮＥＭＳ等材料与工艺不断涌现，满足了
微电子技术、微纳电子技术及半导体纳
米电ｌ子技术等发展的要求。
万方数据
万方数据
ｌ互妇ＩＮＳＩＧＨＴ
耗、综合电耗及硅粉、液氯、氢气等物料单耗水平上均已基本达到或已接近国际先进水平，已能做到闭路循环，不污染环境。
应特别指出的是：２０００年国务院办公厅发布的关于“集成电路和软件产业若干政策”１８号文中关于硅单晶生产可以享受的增值税从１７％降至６％（以后又降至３％）的政策，在当时我国硅材料行业由极度困难转而高速发展的过程中，所起的巨大作用真是雪中送炭。
７．在国务院各部委相关政策、有限科技攻关资金（约５０００万元）及产业化资金（约２．５亿元）的引导下，全国各地民营资本（包括少量港资与台资）对半导体硅材料产业的投入巨大。
目前，我国有近４０家多晶硅企业在启动，其中１０００ｔ／ａ级至１００００ｔ／ａ级多晶硅厂约１５家（相当于投资近６００亿元），集成电路用硅单晶抛光片厂近１０家，太阳能电池用硅片厂近１００家，拥有拉制６英寸以上硅单晶的直拉硅单晶炉６０００多台（相当于投资６０亿元以上），定向结晶铸硅炉１０００多台（相当于投资６亿美元）和进口硅多线切方、切片机近６０００台（相当于投资４０亿美元）。
我国已是世界上硅单晶炉、定向结晶铸硅炉和多线切方、切片机最多的国家。
我国的高纯多晶硅年产量从２００４年的６０ｔ（正品约４０ｔ）增至２００８年的４５００ｔ，短短４年间增加了近１００倍；而且，２００９年我国多晶硅的产量将会超过ｌ万ｔ，２０１０年将会超过３万ｔ，我国到２０１０年将会建成年产６万ｔ的多晶硅产能。
我国的单晶硅年产量从１９９４年的４０ｔ增至２００７年的单晶硅和铸硅（片）总产量约１００００ｔ，２００８年的单晶硅和铸硅（片）总产量约２００００ｔ（１５年间增长了５００倍），支撑着我国晶硅太
阳能电池的总产量连续两年达到世
界第一（２００７年全球太阳能电池的总
产量为４０００．５ＭＷ，我国的总产量是
１０８８．６ＭＷｌ２００８年全球太阳能电池
总产量为６０００ＭＷ，我国的总产量是
２５７０ＭＷ），超过了日本、美国、德国
等发达国家。
我国多晶硅产业的高速
发展促使国际、国内的太阳能电池级
多晶硅售价在８个月内从每千克售价
３０００元以上迅速降到５００元左右，回
归了理性。
而且可以肯定：我国硅太
阳能电池总产量跃居世界第一的态势
仍将继续保持下去，这种大好局面是
与我国硅材料的高速发展分不开的，
两者相辅相成、共同发展。
８．为了应对国际金融危机的冲击
和挑战，促进我国多晶硅产业理性，持
续、健康发展，避免国内各企业间的恶
性压价竞争，在国家科技部高新司和
工业与信息化部电子信息司的直接指
导下，２００９年２月，由中国电子材料行
业协会组织国内年产ｌ０００ｔ
级以上６家多晶硅企业进行
了彼此零距离的参观与技
术交流，并于２００９年７月在
徐州组建了由我国主要多
晶硅大型企业组成的“多
晶硅科技创新产业联盟”，
“联盟”的建立将会有力地
促进我国多晶硅产业做大
做强，提高国际竞争实力。
９．我国半导体硅材
料在“改革开放”的大局势
下，近年来虽有着超速的
迅猛发展，但仍然是一个
新兴产业：某些地方多晶
硅产能的盲目扩张必须得
到理性控制，必须把多晶
硅的质量提高，循环、闭环
控制、综合利用，节能降耗，进一步保
护环境、优化工艺、降低成本等目标继
续予以重点关注，加强对集成电路级
多晶硅和电力电子级区熔用高档多晶
硅的研发，加速超大规模集成电路用
８英寸、１２英寸高质量硅单晶抛光片、
外延片、ＳＯＩ片、ＳＧＯＩ片的研发，缩短
与国际跨国公司的差距，赶上国际先
进水平。
并且在国际经济危机不断蔓
延的形势下，我国应尽快制定“上网电
价法”等政策法规，尽速拉动内需，尽
速推动硅光伏产业在国内的应用与推
广，让新能源硅太阳能电池尽速进入
千家万户。
二、我国各典型半导体硅材料企
业范倒——硅材料∞年成果
１．我国具有自主知识产权，并
承担多晶硅生产线４大技术攻关
（１００００ｔ／ａ级多晶硅的“合成精馏”、
“大型节能型还原炉”、“还原尾气干法
回收”和“四氯化硅低温加压氢化”）的
图１洛阳中硅高科技有限公司
图２四川新光硅业科技有限公司
万方数据
“洛阳中硅高科技有限公司”，见图ｌ。
２．我国的第一条多晶硅引进生产线并承担１０００ｔ／ａ级多晶硅生产线“还原尾气干法回收”和“四氯化硅高温氢化”科技攻关的“四川新光硅业科技有限公司”，见图２。
３．具有四氯化硅全氢化并闭环控制全套引进的多晶硅生产线（３３００ｔ／ａ）的“重庆万州大全新能源有限公司”，见图３。
嘲３重庆万州大全新能源有限公司
阉４江西赛维ＬＤｌ（太阳能高科技有限公司图５江阴海润光伏科技股份有限公司
图６洛阳单晶硅有限责任公司
图７北京有研硅材料股份有限公司
４．正在不断扩产建设中的国内最大，也将是网际上最大的太阳能电池用（多晶硅、单晶硅、铸硅、切片）硅片企业的“江西赛维ＬＤＫ太阳能高科技有限公司”，见图４。
５．国内生产链（硅单晶生长、定向结晶铸硅一切片一硅太阳能电池片一组件一发电装置）最长企业之一的‘‘江阴海润光伏科技股份有限公司”，见图５。
６．国内引进的第一条硅单晶生产线并多次与外资合作的“洛阳单晶硅有限责任公司”，见图６。
７．我国承担集成电路用８英寸、１２英寸硅单晶抛光
片科技攻关的“北京有研硅材料股份有限公司”，见图７。
万方数据
圈８宁波赢立电子股份有限公司图９天津环欧半导体材料技术有限公司图１０西安理工晶体科技有限公司
圈１１北京京运通真空设备厂
图１２倍怠产业电子第十一设计研究院有限公司
８．我国承担集成电路用８英寸、１２英寸硅外延片科技攻关的“宁波立立电子股份有限公司”，见图８。
９．我国最大且居世界第三位的区熔硅单晶生产企业“天津环欧半导体材料技术有限公司”见图９。
１０．我国第一家也是承担国家科技攻关的硅单晶等晶体生长设备制造企业“西安理工晶体科技有限公司”，见图ｌＯ。
１１．国内最大的硅晶体（直拉单晶炉、区熔单晶炉、定向结晶铸硅炉、还原炉）生长设备制造企业“北京京运通真空设备厂”见图１ｌ。
１２．国内最大的综合性（从多晶硅一单晶硅（片）一硅太阳能电池—４５ｎｍ的１２英寸集成电路）生产链全程设计单位“信
息产业电子第十一设计研究院有限公司”，见图１２。
＿·曩万方数据
中国半导体硅(多晶、单晶)材料发展60年
作者：朱黎辉
作者单位：中国电子材料行业协会半导体材料分会
刊名：
新材料产业
英文刊名：ADVANCED MATERIALS INDUSTRY
年，卷(期)：2009(12)
1.刘松林陕西半导体硅产业发展思考[期刊论文]-新西部（下半月）2010(9)
2.马春.Ma Chun世界半导体硅材料发展现状[期刊论文]-上海有色金属2005,26(3)本文链接：/Periodical_xclcy200912007.aspx。