三极管的应用概况

U SB U BE 2 0.7 IB 0.019mA RB 70 I C I B 50 0.019mA 0.95mA
IC< ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。
第2章 半导体三极管及其应用
例3： =50， USC =12V，
RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时，
IC(mA )
此区域满 4 足IC=IB 3 称为线性 区（放大 区）。 2
B常数
当UCE大于一 定的数值时， IC只与IB有关， 100A IC=IB。 80A 60A 40A
1 3
6 9
20A IB=0 12 UCE(V)
第2章 半导体三极管及其应用
4
3
2
Байду номын сангаас
IC(mA ) 此区域中UCE U BE 100 A, 集电结正偏， IB>IC，UCE 0.3V 80 A 称为饱和区。 60A
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即 iC iB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即： iC iB 临界饱和时： uCE = uBE 饱和时： u <uBE 0.3 V (硅管) UCE(sat)= 0.1 V (锗管)
CE
(3) 截止区：发射结反偏或零偏，
三、温度对特性曲线的影响
1. 温度升高，输入特性曲线向左移。
iB 0, iC 0
第2章 半导体三极管及其应用
例3： =50， USC =12V，
RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时，
IB B UBE C E
IC
RC UCE USC
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？
RB
USB
当USB =-2V时：
IB=0 ， IC=0 Q位于截止区 IC最大饱和电流：
第2章 半导体三极管及其应用
2.1.2 晶体管的伏安特性曲线 一、输入特性
iB f (uBE ) u
CE常数
uCE 0 与二极管特性相似
iB
VBB
RB + + uBE

B + RC + 输出 RB E uCE + 输入 回路 u + BE VCC 回路 VBB IE

iB
C
iC
第2章 半导体三极管及其应用
二、电流放大原理 1. 三极管放大的条件 发射区掺杂浓度高 内部 外部 基区薄且掺杂浓度低 条件 条件 集电结面积大
发射结正偏 集电结反偏
2. 满足放大条件的三种电路
E ui B 共基极
C
uo ui
B E 共发射极
C uo ui B
E uo C 共集电极
第2章 半导体三极管及其应用
3. 电流放大作用
IE = IC + IB
IC IB
IC IB
第2章 半导体三极管及其应用
例1：在某放大电路中， 测量三极管各管脚电流如 图所示，判别各管脚名称， NPN型还是PNP型，求 的大小？
解：放大状态 IE=IB+IC 所以：① 脚是基极 ② 脚是集电极 ③ 脚是发射极 且为PNP管。 =（6.1-0.1）/0.1=60

第2章 半导体三极管及其应用
例2：用万用表测得处在放大状态的晶体三极 管三个电极的对地电位是U1=3V，U2=12V， U3=3.7V试据此判断晶体三极管的管脚、材料 与类型。
根据发射结在放大时是正向压降， U1、U3两极电 压差为0.7 V，可判断此为硅管; 12V电压的管脚为集 电极; 集电极电位VC是最大值，故为NPN型; 由NPN管放大时要求VC〉VB〉VE知，第1脚是发射 极，第3脚是基极
I Cmax
U SC 12 2mA RC 6
第2章 半导体三极管及其应用
例3： =50， USC =12V，
RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时，
IB B UBE C E
IC
RC UCE USC
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？
RB
USB
USB =2V时：
RB +
iB

VBB

uCE 0 特性右移 uCE 1 V 特性基本重合 硅管： (0.6 0.8) V 取 0.7 V 导通电压 UBE(on) 锗管： (0.2 0.3) V 取 0.2 V
O
uCE 0 uCE 1 V uBE
第2章 半导体三极管及其应用
二、输出特性
iC f (uCE ) i
IB B UBE
IC RC
C
E UCE
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？
RB
USB
USC
USB =5V时: U SB U BE 5 0.7 IB 0.061 mA RB 70
I c I cmax 2mA
Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 倍的关系。
第2章 半导体三极管及其应用
掌握晶体管的管脚识别方法
第2章 半导体三极管及其应用
晶体管外形
C EBC
E
C B
C
E
B
E
B
第2章 半导体三极管及其应用
2.1.1 晶体管结构与电流放大(Semiconductor Transistor) 一、结构、类型 collector 分类： 集电极 C C — 集电区 按材料分： N P 集电结 硅管、锗管 — 基区 B 基极 B P N 按结构分： 发射结 N P base NPN、 PNP — 发射区 按使用频率分： E 发射极 E emitter 低频管、高频管 C C 按功率分： 小功率管 < 500 mW B B NPN 型 E E 中功率管 0.5 1 W PNP 型 大功率管 > 1 W
40A 20A IB=0 12 UCE(V)
1 3
6 9
第2章 半导体三极管及其应用
IC(mA ) 4
3
2
100A : 此区域中 IB=0,IC=ICEO 80 A ,UBE < 死区 电压，称为 60A 截止区。 40A
1 3
6 9
20A IB=0 12 UCE(V)
第2章 半导体三极管及其应用
第2章 半导体三极管及其应用
第2章
半导体三极管及其应用
2.1 晶体管的结构、特性和参数
2.1.1 晶体管的结构与电流放大作用 2.1.2 晶体管的伏安特性曲线 2.1.3 晶体管的主要参数
2.1.3 晶体管的使用常识
第2章 半导体三极管及其应用
教学目标 了解 晶体管的结构 理解晶体管特性及主要参数