晶体二极管及应用电路作业答案
(完整版)2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案,推荐文档
《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间：60分钟总分：分班级：班命题人：一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。
（错误）2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（正确）3. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（正确）4. P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错误）5. PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错误）6. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（正确）7. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（正确）8. 二极管具有单向导电性。
（正确）9. 二极管是线性器件。
（错误）10. 二极管和三极管都是非线性器件。
（正确）11. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（错误）12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（错误）13. 二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。
（正确）14. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（错误）15. 二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（正确）16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。
（正确）17. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（错误）18. 点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
（正确）19. 整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。
（正确）20. 整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。
（错误）21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。
（错误）22. 制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。
（正确）23. 半导体二极管按结构的不同，可分为点接触型和面接触型，各自能承受的正向电流值有较大区别。
第1章__半导体二极管及其应用习题解答
第1章半导体二极管及其基本电路自测题判断下列说法是否正确，用“√”和“?”表示判断结果填入空内1. 半导体中的空穴是带正电的离子。
（?）2. 温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。
（√）3. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（?）4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（√）5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（√）选择填空1. N型半导体中多数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是B。
A．自由电子 B．空穴2. N型半导体C；P型半导体C。
A．带正电 B．带负电 C．呈电中性3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于B，而少子的浓度则受 A 的影响很大。
A．温度 B．掺杂浓度 C．掺杂工艺 D．晶体缺陷4. PN结中扩散电流方向是A；漂移电流方向是B。
A．从P区到N区 B．从N区到P区5. 当PN结未加外部电压时，扩散电流C飘移电流。
A．大于 B．小于 C．等于6. 当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E；当PN结外加反向电压时，扩散电流B漂移电流，耗尽层D。
A．大于 B．小于 C．等于D．变宽 E．变窄 F．不变7. 二极管的正向电阻B，反向电阻A。
A．大 B．小8. 当温度升高时，二极管的正向电压B，反向电流A。
A．增大 B．减小 C．基本不变9. 稳压管的稳压区是其工作在C状态。
A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿有A、B、C三个二极管，测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A；在外加相同的正向电压时，电流分别为10mA、 30mA、15mA。
比较而言，哪个管子的性能最好【解】：二极管在外加相同的正向电压下电流越大，其正向电阻越小；反向电流越小，其单向导电性越好。
所以B管的性能最好。
题习题1试求图所示各电路的输出电压值U O，设二极管的性能理想。
5VVD+-3k ΩU OVD7V5V +-3k ΩU O5V1VVD +-3k ΩU O（a ） （b ） （c ）10V5VVD3k Ω+._O U 2k Ω6V9VVD VD +-123k ΩU OVD VD 5V7V+-123k ΩU O（d ） （e ） （f ）图【解】：二极管电路，通过比较二极管两个电极的电位高低判断二极管工作在导通还是截止状态。
§2.2 晶体二极管习题2与答案---2018-4-18
第2章§2.2 晶体二极管习题2与参考答案【考核内容】1、二极管工作状态的判断。
2.2 半导体二级管 2.2.4 二极管的用途2.2.4.1二极管恒压模型：考虑二极管正向导通两端电压恒压二极管电路习题【分析方法】1、判断二极管两端正极对负极的电位差，即二极管正负极电压：（1）若二极管两端正极电位大于负极电位，0>PN U ，N P V V >则二极管正向导通。
二极管处于正向导通状态，此时管子两端电压降变化不大，利用此特性，可将二极管看成电压源，一般电路判断为硅管，典型值V 7.0D =V 。
对于锗二极管，取V 3.0D =V 。
【注意】：硅二极管处于正向导通，P 区接正极，N 区接负极。
硅二极管导通等效电路（2）若二极管两端正极电位小于负极电位，0<PN U ，N P V V <，则二极管反向截止，二极管视为断路。
2、回路的“绕行方向”一般以二极管正极开始绕行，绕行到负极，在判断二极管两端正极对负极的电位差时，要写出正极对负极的所有电源的代数和，遇正为正，遇负为负。
习题 1--恒压二极管【例题1】如图所示电路，判断二极管的工作状态，写出电路的输出电压值。
设二极管为硅二极管硅二极管导通压降取0.7v 。
（1）解：分析：以二极管开始正极绕行，v E U AB 7.02>=≈，则二极管正向导通，U D ＝0.7V ，视为0.7V 电压源。
【注意】P 区接正极，N 区接负极。
电阻不标出阻值，并联两端电压相等，列出电源一端电压。
所以， V O1= -0.7+2=1.3V 。
简写：二极管正向导通，V O1= -0.7+2=1.3V 。
【例题2】如图所示电路，判断二极管的工作状态，写出电路的输出电压值。
设二极管为硅二极管硅二极管导通压降取0.7v 。
（2）解：以二极管开始正极绕行，v E U 7.012<-=-≈，则二极管反向截止，视为断路。
电阻R 无电流，所以， V O1=0V 。
二极管电路习题及答案
二极管电路习题及答案二极管是一种只允许电流单向流动的半导体器件，广泛应用于整流、稳压、信号调制等领域。
下面将介绍一些常见的二极管电路习题及其解答方法。
# 习题一：整流电路题目：一个半波整流电路中，输入电压为正弦波，峰值是20V，求输出电压的峰值。
解答：半波整流电路只允许电流在一个方向上流动，因此只有正半周期的电压能够通过二极管。
输出电压的峰值等于输入电压的峰值，即20V。
# 习题二：稳压二极管电路题目：一个稳压二极管电路，稳压二极管的稳压值为6.8V，电路中的负载电阻为1000Ω，求电路中的电流。
解答：稳压二极管工作在反向击穿区，其电压几乎不变。
根据欧姆定律，电流 \( I = \frac{V}{R} \)，其中 \( V \) 是稳压值，\( R \) 是电阻值。
所以电流 \( I = \frac{6.8V}{1000\Omega} = 6.8mA \)。
# 习题三：二极管限幅电路题目：设计一个二极管限幅电路，要求将输入信号的电压限制在±5V范围内。
解答：为了实现±5V的限幅，可以在电路中使用两个二极管，一个正向连接，一个反向连接。
正向二极管的稳压值为5V，反向二极管的稳压值也为5V。
当输入信号超过5V时，正向二极管导通，限制电压不超过5V；当输入信号低于-5V时，反向二极管导通，限制电压不低于-5V。
# 习题四：二极管桥式整流电路题目：一个桥式整流电路，输入电压为正弦波，峰值是10V，求输出直流电压的平均值。
解答：桥式整流电路能够将交流电压转换为直流电压。
对于正弦波输入，输出直流电压的平均值可以通过以下公式计算：\[ V_{DC} = \frac{2V_{M}}{\pi} \]其中 \( V_{M} \) 是输入电压的峰值。
代入数值，\( V_{DC} =\frac{2 \times 10V}{\pi} \approx 6.366V \)。
# 结语二极管电路在电子工程中扮演着非常重要的角色。
§2.2 晶体二极管习题1与答案---2018-4-16
第2章§2.2 晶体二极管习题1与参考答案【考核内容】1、二极管工作状态的判断。
2.2 半导体二级管*【模拟实验1】引入如图所示，直流电源E为6v，小灯电压6v,电阻900Ω；二极管的正向压降0.7v；R1=100Ω。
实验结果：开关在1位置，二极管D1导通，小灯亮。
实验结果：开关在2位置，二极管D1截止，小灯不亮。
实验结论：二极管是具有单向导电性的两极器件。
2.2.1 晶体二极管的结构和分类1.二极管结构半导体二极管又称晶体二极管，它由管芯(主要是PN结)，从P区和N区分别焊出的两根金属引线正负极，P区引出为正极，或阳极，用“+”表示；N区引出为负极，或负极，用“-”表示。
以及用塑料、玻璃或金属封装的外壳组成，如图所示二极管的结构。
二极管的核心部分是PN 结，二极管是具有单向导电性的两极器件，这也是二极管的主要特性。
二极管符号：diode [daɪəʊd]2. 二极管分类(1)按半导体材料划分有硅二极管、锗二极管、砷化镓二极管等。
(2)按PN结结构划分有点接触型二极管、面接触型二极管、平面型二极管。
(3)按用途划分有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。
点接触型：结面积小，结电容小，允许电流小，最高工作频率高，用于检波和变频等高频电路。
面接触型：结面积大，结电容大，允许电流大，最高工作频率低，用于工频大电流整流电路。
*平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。
3、半导体器件型号命名方法半导体器件的型号命名，表2-1给出了各种型号的半导体二极管、三极管的符号、构成材料、名称性能以及表达这些意义的符号。
表2-1-型号组成部分的符号及意义【举例】：2CZ3 ：硅整流二极管，序号3 2CP11：硅普通二极管，序号112.2.2 二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性：二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
描述了二极管两端电压与流过二极管的电流之间的关系。
二极管电路习题及答案
二极管电路习题及答案二极管是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在学习电子技术的过程中，掌握二极管电路的基本原理和解题方法是非常重要的。
本文将介绍一些常见的二极管电路习题及其答案，帮助读者加深对二极管电路的理解。
1. 单级整流电路单级整流电路是最简单的二极管电路之一，它可以将交流电信号转换为直流电信号。
下面是一个典型的单级整流电路：[图1：单级整流电路示意图]问题：请计算图中二极管的导通时间和截止时间。
答案：在正半周期中，当输入电压大于二极管的正向压降时，二极管导通，此时导通时间为整个正半周期。
而在负半周期中，二极管处于截止状态，导通时间为零。
因此，导通时间为正半周期，截止时间为零。
2. 二极管放大电路二极管放大电路是利用二极管的非线性特性来放大电信号的一种电路。
下面是一个常见的二极管放大电路：[图2：二极管放大电路示意图]问题：请计算图中输出电压的峰值和平均值。
答案：在正半周期中，当输入电压大于二极管的正向压降时，二极管导通，输出电压等于输入电压减去二极管的正向压降。
而在负半周期中，二极管处于截止状态，输出电压等于零。
因此，输出电压的峰值等于输入电压的峰值减去二极管的正向压降，输出电压的平均值等于输入电压的平均值减去二极管的正向压降。
3. 二极管限幅电路二极管限幅电路可以将输入信号限制在一定的范围内，避免过大或过小的信号对后续电路的影响。
下面是一个典型的二极管限幅电路：[图3：二极管限幅电路示意图]问题：请计算图中输出电压的范围。
答案：当输入电压大于二极管的正向压降时，二极管导通，输出电压等于输入电压减去二极管的正向压降。
而当输入电压小于二极管的反向击穿电压时，二极管处于截止状态，输出电压等于零。
因此，输出电压的范围为零到输入电压减去二极管的正向压降。
通过以上几个习题，我们可以了解到二极管电路的一些基本特性和解题方法。
当然，实际的二极管电路问题可能更为复杂，需要结合具体的电路图和参数来进行分析和计算。
半导体二极管及其应用习题解答
半导体二极管及其应用习题解答Document number：NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT第1章半导体二极管及其基本电路教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。
教学内容与教学要求如表所示。
要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。
主要掌握半导体二极管在电路中的应用。
表第1章教学内容与要求内容提要1.2.1半导体的基础知识1．本征半导体高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。
常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。
本征半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。
自由电子和空穴是成对出现的，称为电子空穴对，它们的浓度相等。
本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大，随着温度的升高，载流子的浓度基本按指数规律增加。
但本征半导体中载流子的浓度很低，导电能力仍然很差，2．杂质半导体(1) N 型半导体 本征半导体中，掺入微量的五价元素构成N 型半导体，N 型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴。
N 型半导体呈电中性。
(2) P 型半导体 本征半导体中，掺入微量的三价元素构成P 型半导体。
P 型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
P 型半导体呈电中性。
在杂质半导体中，多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度，掺入杂质越多，多子浓度就越大。
而少子由本征激发产生，其浓度主要取决于温度，温度越高，少子浓度越大。
1.2.2 PN 结及其特性1．PN 结的形成在一块本征半导体上，通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体，另一边形成P 型半导体，在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层，称为PN 结。
PN 结是构成其它半导体器件的基础。
2．PN 结的单向导电性PN 结具有单向导电性。
外加正向电压时，电阻很小，正向电流是多子的扩散电流，数值很大，PN 结导通；外加反向电压时，电阻很大，反向电流是少子的漂移电流，数值很小，PN 结几乎截止。
2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案
2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案第一篇：2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案允许的值。
：级班：号考：名姓《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间：60分钟总分：分班级：班命题人：一、判断题1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。
（错误）2.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（正确）3.N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（正确）4.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错误）5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错误）6.晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（正确）7.半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（正确）8.二极管具有单向导电性。
9.二极管是线性器件。
（错误）10.二极管和三极管都是非线性器件。
（正确）11.二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（错误）12.二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（错误）13.二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。
（正确）14.PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（错误）15.二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（正确）16.二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。
（正确）17.二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（错误）18.点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
（正确）19.整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。
（正确）20.整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。
21.点接触型二极管只能使用于大电流和整流。
（错误）22.制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。
电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为，流过V2的电流为 ,输出电压U0为 +5V。
第一章 晶体二极管及应用电路
第一章晶体二极管及应用电路§1.1 知识点归纳一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。
前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料）。
·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高，本征激发越强。
+载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格·空穴是半导体中的一种等效q+电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
中的空位，使局部显示q·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。
·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子>>少子（图1-7）。
多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN 结（图1-8）。
§2.2 晶体二极管习题与答案--2015-9-18
第2章§2.2 晶体二极管习题与参考答案2。
2 半导体二级管2.2。
1 半导体二极管的结构和分类1。
结构半导体二极管又称晶体二极管，它由管芯（主要是PN结），从P区和N区分别焊出的两根金属引线正负极，P区引出为正极,N区引出为负极，以及用塑料、玻璃或金属封装的外壳组成，如图7。
2.4所示。
，二极管符号:点接触型二极管，PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。
面接触型二极管，PN结面积大，用于工频大电流整流电路.2.分类（1）按半导体材料划分有硅二极管、锗二极管、砷化镓二极管等。
（2)按PN结结构划分有点接触型二极管、面接触型二极管、平面型二极管。
(3）按用途划分有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。
2.2。
2 二极管的伏安特性曲线二极管的核心部分是PN结，PN结具有单向导电性,这也是二极管的主要特性. 二极管的伏安特性,描述了二极管两端电压与流过二极管的电流之间的关系。
典型的二极管伏安特性曲线如图7。
2。
5所示。
)1e(S-=T UuIi1. 正向特性如图7.2。
5所示，当二极管两端所加的正向电压由零开始增大时,在正向电压比较小的范围内，正向电流很小,二极管呈现很大的电阻，如图中OA段，通常把这个范围称为死区,相应的电压叫死区电压。
也称开启电压。
硅二极管的开启电压为0.5 V左右，锗二极管的开启电压约为0。
1V。
外加电压超过死区电压以后，正向电流迅速增加,这时二极管处于正向导通状态,如图中AB 段,此时管子两端电压降变化不大，硅管约为0。
6 ～ 0。
7V ，锗管约为0。
2 ~ 0。
3V 。
当给二极管加反向电压时，所形成的反向电流是很小的,而且在很大范围内基本不随反向电压的变化而变化,即保持恒定.当反向电压大到一定数值时，反向电流会突然增大，如图中CD 段,这种现象称为反向击穿，相应的电压叫反向击穿电压.正常使用二极管时，是不允许出现这种现象的.不同的材料、结构和工艺制成的二极管,其伏安特性有一定差别，但伏安特性曲线的形状基本相似。
13级《计算机电路基础》半导体 晶体二极管习题一答案2021 10 2
13级《计算机电路基础》半导体晶体二极管习题一答案2021 10213级《计算机电路基础》半导体晶体二极管习题一答案2021-10-213级“计算机电路基础”练习1的答案§2.1半导体的基本知识§2.2晶体二极管一、填空（1）二极管按所用材料可分为硅和锗两类；按pn结的结构特点可分为点接触和面接触两种。
（2）pn结的正向接法是p型区接电路源的正极，n型区接电源的负极。
（3）二极管的电压-电流关系可以简单地理解为正偏压（二极管两端的正电压）开启和反向偏压（二极管两端的反向电压）关闭的特性。
导通后，硅管压降约为0.6~0.7V，锗管压降约为0.2~0.3V。
（4）在判别锗硅二极管时，当测出正向压降为0.2～0.3v，此二极管为锗二极管；当测出正向压降为0.6～0.7v，此二极管为硅二极管。
（5）当施加在二极管上的反向电压增加到一定值时，反向电流将突然增加。
这种现象被称为反向击穿现象。
（6）理想二极管正向导通时，管压降为0V。
反向截止时，其电流为0μa7半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”，称为载流子8载流子包括自由电子和空穴二极管的导电性由施加在二极管两端的电压和流过二极管的电流决定。
两者之间的关系称为二极管的伏安特性10自然界的物质，就其导电性能，大致分为三类：一类是导电性能良好的物质叫导体，如银、铜、铝、铁等金属；另一类是在一般条件下不能导电的物质叫绝缘体，如陶瓷、塑料、橡胶、玻璃等；还有一类物质，其导电性能介于导体和绝缘体之间称之为半导体，如硅、锗、砷化镓等。
11没有任何杂质的单晶半导体称为本征半导体。
本征半导体被加热或获得其他能量以激发电子-空穴对的现象称为本征激发。
在本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为电子空穴对。
12在本征半导体硅或锗的晶体内掺入微量的五价元素杂质，如磷或锑等，就形成了n型半导体。
经过特殊处理后，如果p型半导体和n型半导体紧密结合，在两个半导体的界面上将出现一个具有特殊物理现象的极薄区域，称为PN结14当p型半导体与n型半导体结合在一起时，由于p型半导体中空穴为多子，n型半导体中空穴为少子，这样就形成了一个空穴浓度差。
电子技术基础与技能辅导与练习参考答案重大版
电子技术基础与技能辅导与练习参考答案第一章晶体二极管及其基本应用一、课堂练习题（一）填空题1. 半导体2. 热敏特性、光敏特性、掺杂特性3. 热敏、光敏、掺杂4. 不含杂质的纯净P N PN5. PN6. 单向导电性正极负极截止7. 硅锗硅锗8. 正向反向9. 截止导通电流10. 整流整流电路11. 二极管正向偏置时两端电压与流过电流二极管反向偏置时两端电压与流过电流长时间最大正向最高反向峰值电压12. 非线性13. 半波整流全波整流桥式整流14.U2U2/R L 15. 0.9U20.9U2/R L 16. 滤波17. 充、放电缩短18. 限流电阻19. 1A 20. 略21. AC50V DC50V A B（二）单项选择CADBB DBBBA ADBDA BBD（三）判断题√××××√×√××√×√√√（四）作图题1. 2.3. 4.（五）简答题1.见教材。
2.见教材。
3.见教材。
4.负载RL1和RL2两端是直流电压，RL1两端为上‘+’下‘-’；RL2两端为上‘-’下‘+’。
当变压器输出为正半周时，VD1导通，VD2截止，负载RL1中有至而下的电流流过，负载RL2中没有电流。
当变压器输出为负半周时，VD2导通，VD1截止，负载RL2中有至而下的电流流过，负载RL1中没有电流。
这个电路实际上是两个半波整流组合在一起，可以输出对称的正负双电源。
5.见教材。
6.这个现象是正常的，因为二极管是非线性元件，它的阻值会随着两端电压和流过电流的不同而不同，而指针式万用表电阻档的各个档位的输出电压和电流均不相同（Ｒ×1档的电流最大），所以指针式万用表测二极管，各个档位测试出二极管的阻值不相同。
而普通电阻是线性元件，其阻值不会受两端电压和流过电流的影响，所以各个档位测出电阻的值是一样的。
（六）计算题1.V Uo2.16= 二极管V U RM 5.25≥ mA I F 81≥2.提示：首先判断稳压二极管能否反向击穿，方法是与本书例题1中判断二极管是否导通的方法一样；其次若稳压二极管能反向击穿，就要判断稳压二极管能否正常工作，就要考虑在电路中的实际功耗会不会大于稳压二极管的额定功耗。
电子(填空、选择、判断、简答)
第一章二极管及其应用一.填空题（共20道）1.利用半导体的特性，可制成和半导体。
2.PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。
3.半导体最主要的导电特性是、和。
4.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为__________，常用的半导体材料有________和__________等。
5.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为__________、________和______________三类。
6. PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位_____。
7. PN结正偏时，P区接电源的____极，N区接电源的____极；PN结反偏时，P区接电源的_____极，N区接电源的____极。
8.硅二极管的死区电压为V，锗二极管的为 V；导通管压降，硅管为V，锗管为V。
9.当电压时，反向电流会急剧增大，这种现象称为""。
10.发光二极管和光敏二极管也是常用的二极管，其中_________________是用来将光信号变成电信号的，_________________是作为显示器件用的。
11.晶体二极管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本的性质是______________，用伏安特性来描述。
硅管的死区电压和正向压降比锗管的_____________，而反向饱和电流比锗管的______________得多。
12.发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。
13.有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_____________；有一硅二极管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已_______________。
14.2CW是____________材料的__________二极管；2AP是__________材料的____________二极管；2DZ是____________材料的__________二极管；2AK是___________材料的___________二极管。
(完整版)模拟电路部分习题答案
1．放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ计算如下。
根据题3-9图所示电路列写直流负载线方程如下：
分别令IC=0，UCE=0，代入直流负载线方程，得到负载线上两个坐标点，M（3，0），N（0，1），连接M、N得到直流负载线。
根据直流通路，得基极静态工作电流为
直流负载线MN与iB=IB=15.3μA的输出特性曲线的交点Q就是静态工作点。Q点坐标为
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？
2．RL=∞时，输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。
若RL=∞，交流负载线斜率与直流负载线斜率相同，为
如题3-9图b所示。
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3．若RL=7kΩ，交流负载线斜率为
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3-6如题3-12图所示放大电路中，已知晶体管的β=100，UBE=－0.3V。
3．输入电阻和输出电阻。
解：
1．静态工作点计算
2．电压增益AU。
本题目电路中，有旁路电容C，此时放大电路的电压增益为，
3．输入电阻和输出电阻的计算。
解：
a不能。没有直流偏置，不能提供合适的静态工作点。
§2.2 晶体二极管习题4与答案---2018-4-24
1第2章§2.2 晶体二极管习题4与参考答案【考核内容】1、二极管工作状态的判断。
二极管电路习题【分析方法】:直接判断二极管两端正极对负极的电位差。
若题已经给出二极管两端的电位，可以直接判断二极管两端正极对负极的电位差。
（1）若二极管两端正极电位大于负极电位，0>PN U ，则二极管正向导通。
（1）若二极管两端正极电位小于负极电位，0<PN U ，则二极管反向截止。
【电路变型】电路如图所示，试判断电路中二极管的通断情况及输出电压。
V DD =10V （1）理想模型， V 0D =V （2）恒压模型，V 7.0D =V 硅二极管二极管习题4【例题1】电路如图所示，试判断电路中二极管的通断情况及A 点对地电压。
(设二极管均为硅管，其正向导通电压为0.7V)。
解答： 判断正极对负极的电位差，v U PN 7.0606<-=--=,二极管VD 反偏截止，-6V =U A【例题2】电路如图所示，试判断电路中各二极管的通断情况及A 点对地电压。
(设二极管均为硅管，其正向导通电压为0.7V)。
解答： V A ＝V B ， AB 短路，V AB ＝0，D 1反偏截止。
【例题3】、电路如图所示，已知输入10sin i u t ω=(V ) 波形，试画出o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
二极管正向输入电压导通，二极管反向输入电压截止。
ttuu OOi o/V/V 10102晶体二极管自测题41、电路如图所示，试判断电路中二极管的通断情况及A 点对地电压。
(设二极管均为硅管，其正向导通电压为0.7V)。
解答： 判断正极对负极的电位差，v U PN 7.0505<-=--=,二极管VD 反偏截止，-5V =U A2、电路如图所示，试判断电路中各二极管的通断情况及A 点对地电压。
(设二极管均为硅管，其正向导通电压为0.7V)。
解答： V A ＝V B ， AB 短路，V AB ＝0，D 1反偏截止。
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1 图（a ）和图（b ）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v 的波形。
[解]
图P1-8 输入正半周时，D 1导通，D 2截止。
输入正半周时，D 1D 3导通，D 2D 4截止。
输入负半周时，D 2导通，D 1截止。
输入负半周时，D 2D 4导通，D 1D 3截止。
（a ）（b ）两整流电路0v 波形相同（图P1-8-1）：
2 在T=300K 时，某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。
两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA 。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。
[解]
S I I >>，两管已充分导通，故V A 关系为
/T V V S I I e =，由此 ln T S I
V V I =，取26T V =mV （T=300K ）
∴ 10000.026ln 0.181Ge V ==V 图P1-2
9
100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。
图P1-8-1
3 在T=300K 时，利用PN 结伏安方程作以下的估算：
（1）若反向饱和电流10S I =μA ，求正向电压为0.1V ，0.2V 和0.3V 时的电流。
（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？
（3）若正反向电压均为0.05V ，求正向电流与反向电流比值的绝对值。
[解]
（1）V =0.1伏时，0.1/0.026110(1)458I e μ=-=A ；
V =0.2伏时，
0.2/0.026210(1)21.9I e =-=mA ； V =0.3伏时，0.3/0.026310(1) 1.026I e
=-=A ； （2）按题意/0.0260.9(1)V S S I I e
-=-
由上式解出0.026ln0.10.06V ==-（V
） （3）0.05/0.0260.05/0.0261 5.84 6.8410.54I e I e +---===- 1-4 试分析图示电路中的二极管2AP15的状态（导通还是截止）。
[解]
去掉2AP15，以O 点为参考点，则
251015 3.5182255AO V =⨯+⨯=++V
10
15114010BO V =⨯=+V
BO AO V V <，∴二极管反偏，2AP15截止。
图P1-4。