模拟电子技术基础-童诗白-第三章.
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2.如何将多个单级放大电路连接成多级放大电路？ 各种连接方式有和特点？
3.直接耦合放大电路的特殊问题是什么？如何解决？
第
4.差分放大电路与其它基本放大电路有什么区别？
三
为什么它能抑制零点漂移？
版
童
5.直接耦合放大电路输出级的特点是什么？如何根据
诗
要求组成多级放大电路？
白
改进电路—(c2) 可降低第二级的 集电极电位，又不损 失放大倍数。但稳压 管噪声较大。
差模信号作用下的等效电路
Rb1
+ i B1
i 1 B1
+
R L
2
u Id
i
-
B2
u Od
R L 2-
动态参数
u u u
A=
0
o1
o2
d u
u u
id
i1
i2
2u o1
(R c
//
1 2
R) L
2u
R r
i1
b
be
Rid=2(Rb +rbe;)
Rb2
i 2 B2
图3.3.5差分放大电路加差模信号（b)
电路以两只管子集电极电位 差为输出，可克服温度漂移。
差分放大电路也称为 差动放大电路
动画avi\6-2.avi
差分放大电路的改进图
典型差分放大电路
Rb1
Rb2
Rb1
Rb2
+
uI1
-
Re
-+
-
uI2 uI1
uI2
+-
Re
+
VBB -VEE
图 3.3.2差分放大电路的组成(d)
模拟电子技术-童诗白版
详细描述
电感的基本单位是亨利（H），由导线绕成线圈或空心线圈制成。电感在电路中的作用是储存磁场能量， 实现电流的延迟和过滤，从而控制交流信号的相位和频率。电感在滤波、振荡、调谐等电路中广泛应用。
二极管
总结词
二极管是电子电路中常用的半导体器件，具有单向导电性。
详细描述
二极管是由一个PN结半导体材料制成的器件，具有正向导通、反向截止的特性。二极管在电路中主要用于整流、 检波、开关等作用，能够实现电流的单向流动控制。不同类型的二极管还有稳压、光电等特殊功能。
模拟电子技术-童诗白版
• 绪论 • 电子器件基础 • 放大电路 • 集成运算放大器 • 反馈放大电路 • 振荡电路与调制解调电路
01
绪论
模拟电子技术的定义与重要性
模拟电子技术是研究模拟电路及其应用的科学技术，它通过 处理连续变化的电压或电流信号来模拟现实世界中的各种物 理量，如声音、温度、压力等。
调制解调电路的应用
调制解调电路在通信、广播、电视等领域有着广泛的 应用。例如，在无线电广播中，音频信号通过调制解 调电路调制到高频载波上，然后通过天线发射出去， 听众可以使用收音机接收并解调出音频信号。在电视 广播中，视频和音频信号也是通过调制解调电路调制 到高频载波上，然后传输到各个电视接收终端，观众 可以使用电视机接收并解调出视频和音频信号。
用于电压、电流、电阻 等的测量，实现模拟量
的测量和转换。
05
反馈放大电路
反馈放大电路的基本概念
反馈放大电路
通过引入反馈网络，将输 出信号的一部分或全部反 馈到输入端，从而改变放 大电路的性能。
反馈的作用
改善放大电路的性能，如 提高稳定性、减小失真、 扩展带宽等。
反馈的分类
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章
第3章 多级放大电路自测题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路 E 。
共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用（ A )，第二级应采用( A ）。
(2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用（ D ），第二级应采用( A )。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 ， 第一级应采用( B ），第二级应采用（ A ）。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。
(5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000oui iU A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。
二、选择合适答案填入空内.（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ C 、D ）。
A ．电阻阻值有误差B ．晶体管参数的分散性C ．晶体管参数受温度影响D ．电源电压不稳 (2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ C ）。
A ．便于设计B ．放大交流信号C ．不易制作大容量电容 （3)选用差动放大电路的原因是( A )。
A ．克服温漂B ．提高输入电阻C ．稳定放大倍数 （4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A ），共模信号是两个输入端信号的（ C )。
A 。
差 B.和 C 。
平均值（5）用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的（ B )。
A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6）互补输出级采用共集形式是为了使（ C ).A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时0.7BEQ U V ≈。
模拟电子技术电子书课件
• 画出放大电路的微变等效电路如图2.3.19所示。
I i
I b
I c
Rs V V s
i
Rb
I b Rc
RL VO
Ri
图2.3.19 微变等效电路 Ro
Ri
V i I i
R b // r be
AV
VO Vi
Ic
(Rc // Ib rbe
RL )
Ib (Rc Ib rbe
//
RL )
RL'
直流量 Q 电量{
交流量 性能
ui≠0:
PPT学习交流
15
2.2.2 设置静态工作点的必要性
一.静态工作点
ui=0 IB,UBE,IC,UCE 记为 IBQ,UBEQ,ICQ,UCEQ
输入特性曲线上的点（UBEQ,IBQ) 和输出特性曲线上的点
（UCEQ,ICQ)，称之为静态工作点Q。
IBQ
VBBUBEQ Rb
61
方法二：
VBBRb1Rb1Rb2 VCC
PPT学习交流
≈rbe
-2 ＜10
≈1/rce
50
3） 简化的h参数等效模型
忽略h12e,h22e
得：
U I
be c
h 11 e I b h 21 e I b
U be I c
r be I b I b
PPT学习交流
51
4）rbe的近似表达式 U be IbrbbIerbe
rb e
UT I EQ
输入回路的直流负载线
IBQ 、UBEQ
31
图解法 静态工作点的分析
输出回路的直流负载线
输出特性曲线
输 出 回 路 方 程 ： uCE=VCC- PPT学习交流
童诗白《模拟电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题考研真题
童诗白《模拟电子技术基础》（第5版）笔记和课后习题考研真题完整版>精研学习䋞>无偿试用20％资料
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第1章常用半导体器件
1.1复习笔记
1.2课后习题详解
1.3名校考研真题详解
第2章基本放大电路
2.1复习笔记
2.2课后习题详解
2.3名校考研真题详解
第3章多级放大电路
3.1复习笔记
3.2课后习题详解
3.3名校考研真题详解
第4章放大电路的频率响应
4.1复习笔记
4.2课后习题详解
4.3名校考研真题详解
第5章放大电路中的反馈
5.1复习笔记
5.2课后习题详解
5.3名校考研真题详解
第6章信号的运算和处理
6.1复习笔记
6.2课后习题详解
6.3名校考研真题详解
第7章波形的发生和信号的转换
7.1复习笔记
7.2课后习题详解
7.3名校考研真题详解
第8章功率放大电路
8.1复习笔记
8.2课后习题详解
8.3名校考研真题详解
第9章直流电源
9.1复习笔记
9.2课后习题详解
9.3名校考研真题详解第10章模拟电子电路读图10.1复习笔记
10.2课后习题详解10.3名校考研真题详解。
童诗白《模拟电子技术基础》第5版教材复习试题
童诗白《模拟电子技术基础》第5版教材复习试题童诗白《模拟电子技术基础》（第5版）配套题库【考研真题精选＋章节题库】目录第一部分考研真题精选一、选择题二、填空题三、分析计算题第二部分章节题库第1章常用半导体器件第2章基本放大电路第3章集成运算放大电路第4章放大电路的频率响应第5章放大电路的反馈第6章信号的运算和处理第7章波形的发生器和信号的转换第8章功率放大电路第9章直流电源第10章模拟电子电路读图•试看部分内容考研真题精选一、选择题1以下说法正确的是（）。
[中山大学2018研]A．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体B．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电C．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的D．若耗尽型N沟道MOS管的u G S大于零，则其输入电阻会明显变小【答案】A查看答案【解析】B项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；C项，放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，而非多子；D项，若耗尽型N沟道MOS管的u G S大于零，其输入电阻并不会有明显变化。
2当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将（）。
[中山大学2018研]A．增大B．不变C．变小【答案】A查看答案【解析】低频跨导g m为ΔI D与Δu G S之比，当漏极直流电流I D从2mA变为4m A时，显然g m增大。
3PN结加正向电压，空间电荷区将（）。
[中山大学2017研] A．变窄B．基本不变C．变宽【答案】A查看答案【解析】PN结外加正向电压，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，中和了其中部分负、正离子，结果使得PN结变窄。
4二极管的电流方程为（）。
[中山大学2017研]A．I s e UB．C．【答案】C查看答案【解析】二极管的I－V特性方程为其中，n为发射系数，其值在1～2之间，通常取1，则5U G S＝0时，能够工作在恒流区的场效应管有（）和（）。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础(第四版)完整 童诗白ppt课件
4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动 会达到平衡，载流子的浓度就一定了。
5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加。
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3. 空间电荷区产生内电场
空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒； —— 内电场；内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。
4. 漂移运动 内电场有利 于少子运动—漂 移。
少子的运动 与多子运动方向 相反
阻挡层
P
空间电荷区
N
内电场
Uho
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第一章 常用半导体器件
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.43×1010/cm3
本征锗的电子和空穴浓度:
n = p =2.38×1013/cm3 10
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第一章 常用半导体器件
小结
带负电的自由电子
1. 半导体中两种载流子
带正电的空穴
2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为 电子 - 空穴对。
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体 称为本征半导体
+4
+4
+4
将硅或锗材料提
纯便形成单晶体，
共 价
它的原子结构为 键
+4
+4
价 电 子
+4
共价键结构。
+4
当温度 T = 0 K 时，半导 体不导电，如同绝缘体。 图 1.1.1
模拟电子技术第三章
2. 输入电阻 3. 输出电阻
Ri = Ri1
Ro = Ron
对电压放大电路的要求： 对电压放大电路的要求：Ri大， Ro小，Au的数值 最大不失真输出电压大。 大，最大不失真输出电压大。
第三章 多级放大电路
分析举例
= β ( R3 ∥ Ri2 ) Au1 rbe1 (1＋β 2 ) ( R6 ∥ RL ) Au 2 = rbe2 + (1＋β 2 ) ( R6 ∥ RL ) A = A A
第三章 多级放大电路
3.1 多级放大电路的耦合方式
将多个单级基本放大电路合理联接， 将多个单级基本放大电路合理联接，构成多级放大电路
组成多级放大电路的每一个基本电路称为一级 一级， 组成多级放大电路的每一个基本电路称为一级， 级间耦合。 级与级之间的连接称为级间耦合 级与级之间的连接称为级间耦合。 四种常见的耦合方式：
R1 R + uI
iC1 T1 Re
Rc
+VCC + uO
uB1 T2 R2
利用热敏三极管补偿零漂
(3) 采用差分放大电路。 ) 采用差分放大电路。
第三章 多级放大电路
3.3.2
差分放大电路
差分放大电路是构成多级直接耦合放大电路的基本单元电路 一、电路的组成
uO T
Re Re
T
V
差分放大电路的组成(a) 图 3.3.2差分放大电路的组成 差分放大电路的组成
选择恰当的变比，可在负载上得到尽可能大的输出功率。 选择恰当的变比，可在负载上得到尽可能大的输出功率。
第三章 多级放大电路
四
光电耦合
光电耦合是以光信号为媒介来实现电信号的耦合和 传递的，因而其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。 传递的，因而其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。
《模拟电子技术基础》课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)3章 多级放大电路题解
基础课程教学资料第三章多级放大电路自测题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( )（5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用，第二级应采用。
（2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用，第二级应采用。
（3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用，第二级应采用。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
模拟电子技术基础(第四版)课程资料 童诗白
课程目录结构
• 第一章：绪论 • 第二章：半导体器件 • 第三章：放大电路基础 • 第四章：放大电路的频率响应 • 第五章：功率放大电路 • 第六章：集成运算放大电路 • 第七章：反馈放大电路 • 第八章：模拟信号运算电路 • 第九章：信号处理电路 • 第十章：波形发生电路 • 第十一章：模拟电子电路的计算机辅助分析与设计
实验操作指南
实验目的：掌握模拟电子技术的基本实验方法和技能 实验设备：示波器、信号发生器、稳压电源等
实验步骤：按照实验指导书进行操作，包括电路搭建、参数测量、数据记录等
实验注意事项：注意安全，遵守实验规则，正确使用实验设备
习题集锦
模拟电子技术基础课程习题 模拟电子技术基础课程答案 模拟电子技术基础课程习题解析 模拟电子技术基础课程习题答案解析
重点知识点
模拟电子技术 的基本概念和 原理
放大电路的基 本原理和分析 方法
滤波电路的基 本原理和应用
振荡电路的基 本原理和分析 方法
稳压电源的基 本原理和应用
难点解析
模拟电路的基本 概念与原理
放大电路的分析 与设计
滤波电路与振荡 电路的原理及应 用
模拟电路中的噪 声与失真现象
实验项目介绍
实验项目名称：模拟电子技术基础实验 实验目的：通过实际操作，加深对模拟电子技术基础理论知识的理解和掌握 实验内容：包括电路搭建、电路调试、数据记录与分析等 实验步骤：介绍实验的具体操作流程和注意事项 实验结果：展示实验数据和结果分析，以及实验结论
汇报人：
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课程资料来源
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《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社
1第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
uu ouu o图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为 5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V，6V ，9V和14V几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V 。
uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？3图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模电-童诗白课后题全解
当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2） 29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
（1）S闭合。
（2）
波形如图所示。
60℃时ICBO≈32μA。
选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。
晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表
(a) (b) (c) (d)
(e) (f) (g)
图
解：(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
(d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
解：由于 ，所以 。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故
时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故
电路如图所示，晶体管β=100， =100Ω。
(1)求电路的Q点、 、 和 ；
(2)若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？
(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
ID＝（V－UD）/R＝，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
（1）两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。
IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝～Ω。
（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
RL=∞时； 图
RL=3kΩ时；
输出电阻：
电路如图所示，晶体管的β=60 , 。
(1)求解Q点、 、 和
模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技能技术总结基础第四版(童诗白)课后答案第三章
精心整理第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用(A)，第二级应采用(A)。
(2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用(D)，第二级应采用(A)。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100,第一级应采用(B)，第二级应采用(A)。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用(D)，第二级应采用(B)。
(5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000oui iU A I =>，输出电阻R o ＜100，第一级应采用采用(C)，第二级应(B)。
二、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是(C 、D)。
A ．电阻阻值有误差B ．晶体管参数的分散性C ．晶体管参数受温度影响D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是(C)。
A ．便于设计B ．放大交流信号C ．不易制作大容量电容(3)选用差动放大电路的原因是(A)。
A ．克服温漂B ．提高输入电阻C ．稳定放大倍数(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的(A)，共模信号是两个输入端信号的(C)。
A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的(B)。
A ．差模放大倍数数值增大B ．抑制共模信号能力增强C ．差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使(C)。
A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时0.7BEQ U V ≈。
模拟电子技术基础(第四版)课件 童诗白
向特性将下移。
I / mA
15
温度增加
10
5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 U / V
–0.02
二极管的特性对温度很敏感。
1.2.3 二极管的参数
(1) 最大整流电流IF
(2) 反向击穿电压U（BR）和最高反向工作电压URM
(3) 反向电流IR (4) 最高工作频率fM
(5) 极间电容Cj
即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。
P
N
二、 PN 结的单向导电性 空间电荷区变窄，有利
1. PN结 外加正向电压时处于导通于状扩态散运动，电路中有
较大的正向电流。
又称正向偏置，简称正偏。
P
耗尽层
N
I 内电场方向
外电场方向
V
R
图 1.1.6
在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的 正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。
在实际应用中，应根据管子 所用的场合，按其所承受的 最高反向电压、最大正向平 均电流、工作频率、环境温 度等条件，选择满足要求的 二极管。
1.2.4 二极管等效电路
一、由伏安特性折线化得到的等效电路
1. 理想模型
2. 恒压降模型
3. 折线模型
二、二极管的微变等效电路
二极管工作在正向特性的某一小范围内时， 其正向特性可以等效成一个微变电阻。
2. PN 结外加反向电压时处于截止状态(反偏) 反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内 电场的作用；
外电场使空间电荷区变宽；
不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩 散电流，电路中产生反向电流 I ；
由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。
《模拟电子技术(童诗白)》课件
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二、杂质半导体
掺入微量杂质，可使半导体导电性能大大增强。按
掺入杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。
1、N型半导体 在本征半导体中掺入微量五价元素。
动态平衡：在一定温度下，本征激发产生的“电
子空穴对”，与复合的“电子空穴对”数目相等，达
到动态平衡。在一定温度下，载流子的浓度一定。
《模拟电子技术(童诗白)》
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本征半导体载流子浓度为：
n i p i K 1 T 3 /2 e E G O /(2 k T ) 其中ni和 ：pi分别是自由电 的子 浓和 度 cm 空 3（ ）穴
+4
+4 +4
3、本征半导体中的两种载流子
载流子：能够自由移动的带电粒子。
载流子
自由电子 空穴
《模拟电子技术(童诗白)》
4、本征半导体中载流子的浓度
+4
+4
+4
本征激发：半导体在受热
或光照下产生“电子空穴对”
+4
+4
+4
的
现象称为本征激发。
+4
+4 +4
复合：自由电子填补空穴，使两者消失的现象称
为复合。
《模拟电子技术(童诗白)》
晶体结构是指晶体的周期
§1.1 半导体基础知识
性结构。即晶体以其内部 原子、离子、分子在空间
一、本征半导体
作三维周期性的规则排列 为其最基本的结构特征
童诗白模电第三章
RB1 1M C1 + T1
RB1
82k
C2 +
RC2 10k T2
C3 + +
+
Ui
–
RE1 27k
RB2
43k 7.5k
RE1 510 . Uo + RE2 C
E
–
模
拟
电
子
技
术
解:
两级放大电路的静态值可分别计算。
第二级是分压式偏置电路
+24V RB1 1M C1 + T1 RE1 27k RC2 82k 10k C2 +
模
拟
电
子
技
术
3.1.2多级放大电路的分析
1. 两级之间的相互影响
Ro1 + Vi1 + Ri1 Ro2 + VO1 + AVo2Vi2 + VO -
AVo1Vi 1
Ri2
RL
• 后级的输入阻抗是前级的负载 • 前级的输出阻抗是后级的信号源阻抗
2. 电压放大倍数
Vo Vo1 Vo2 Vo3 Von A A A AV V1 V2 Vn Vi Vi Vo1 Vo2 Vo(n -1)
+
. Ui
rbe1 RB1 RE1
rbe2
+ RC2
Uo
.
+
U o1 _
.
_
RB1 RB 2
RE 2
_
RL1 RE1 // RL RE1 // ri 2 ri 2 RB1 // RB2 //rbe2 (1 ) RE2 14 kΩ
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3.1 多级放大电路的耦合方式
第 3.2 多级放大电路的动态分析
三
版
童 诗
3.3 直接耦合放大电路
白
本章重点和考点：
1、掌握多级放大电路的耦合方式，为集成电路 的学习打好基础
2、掌握直接耦合放大电路中差分放大电路的组态 及动态参数的计算
第
三
3、了解多级放大电路中的互补输出级
版
童 诗
改进电路—(b) 电路中接入 Re2， 保证第一级集电极有 较高的静态电位，但 第二级放大倍数严重 下降。
Rb1
+
Ui
Rc1
Rc2+VCC
+
T1
T2 UO
Re2
(b)
改进电路—(c1)
稳压管动态电阻
Rb1
很小，可以使第二级
的放大倍数损失小。 +
但集电极电压变化范 Ui
围减小。
Rc1 R Rc2+VCC
本章教学时数： 4学时
白
本章讨论的问题：
1.单管放大电路为什么不能满足多方面性能的要求？
2.如何将多个单级放大电路连接成多级放大电路？ 各种连接方式有和特点？
3.直接耦合放大电路的特殊问题是什么？如何解决？
第
4.差分放大电路与其它基本放大电路有什么区别？
三
为什么它能抑制零点漂移？
版
童
5.直接耦合放大电路输出级的特点是什么？如何根据
第 二 级 VT2、 VT3 组 成推 挽 式放大电路， 信号正负半周 VT2、VT3 轮 流导电。
变压器耦合放大电路
第三章 多级放大电路
3.1.4 光电耦合
光电耦合是以光信号为媒介来实现电信号的耦合和传递 的，因而其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。 一、光电耦合
发光元件
光敏元件
图3.1.5光电耦合器及其传输特性
诗
要求组成多级放大电路？
白
3.1 多级放大电路的耦合方式
将多个单级基本放大电路合理联接，构成多级放大电路
组成多级放大电路的每一个基本电路称为一级， 级与级之间的连接称为级间耦合。 四种常见的耦合方式：
直接耦合 阻容耦合 变压器耦合 光电耦合
第三章 多级放大电路
3.1.1 直接耦合
Rb1
+
Ui
Rc1
第三章 多级放大电路
Ic1
Ib2
Ic2
+
rbe1
.
Ui
RB1
+
.
_
RE1 U_o1
+ rbe2
RB 1
R
B
2
RC2
RE 2
.
Uo
_
ri ri1
ri 2 小信号等效电路
由等效电路可知，放大电路的输入电阻 ri 等于第一级的 输入电阻ri1。 第一级是射极输出器，它的输入电阻ri1与负载有关，而 射极输出器的负载即是第二级输入电阻 ri2。
第三章 多级放大电路
二、光电耦合放大电路
图3.1.6光电耦合放大电路
目前市场上已有集成光电耦合放大电路， 具有较强的放大能力。
第三章 多级放大电路
3.2多级放大电路的动态分析
一、电压放大倍数
总电压放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积，即
A uA u 1A u 2 A un
其中， n 为多级放大电路的级数。
二、 输入电阻和输出电阻
通常，多级放大电路的输入电阻就是输入级的输入电 阻；输出电阻就是输出级的输出电阻。
具体计算时，有时它们不仅仅决定于本级参数，也与 后级或前级的参数有关。
第三章 多级放大电路
例:1 如图所示的两级电压放大电路，
已知β1= β2 =50, T1和T2均为3DG8D。
计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V)
I E ( 1 1 ) I B ( 1 5 1 0 . 0 0m ) 0 0 9 . 4 A m 8 9 A
U C U E C I C E R E 1 2 1 0 .4 2 9 V 7 1 .7 V 0 7
第三章 多级放大电路
第二级是分压式偏置电路
V B 2R B U C 1R B CR 2B 282 2 4 4 3 43 8 V .2V 6
在集成电路中无法制造大容量电容，不便于 集成化，尽量不用。
第三章 多级放大电路
3.1.3 变压器耦合
(a)电路
(b)交流等效电路
图 3.1.3 变压器耦合共射放大电路
以前功率放大电路广泛采用此耦合方式。 目前基本不用。
第三章 多级放大电路
变压器耦合放大电路
选择恰当的变比，可在负载上得到尽可能大的输出 功率。
T1
Rb2
Rc2 +VCC
+
T2
UO
图 3.1.1（a) 两个单管放大电路简单的直接耦合
特点：
(1) 可以放大交流和 缓慢变化及直流信号；
(2) 便于集成化。
(3)各级静态工作点互相影 响；基极和集电极电位会随着 级数增加而上升；
(4)零点漂移（如何克服）。
第三章 多级放大电路
一、 直接耦合放大电路静态工作点的设置
及电路的动态参数。
+24V
+
. Ui
–
RB1 1M
C1
+
T1
RE1 27k
RB 1
82k
RC2 10k
+C3
+C2
RB 2
43k
T2
+
RE1
RE2
7.5k
510.Uo Nhomakorabea+
CE –
第三章 多级放大电路
解: 两级放大电路的静态值可分别计算。
+24V
+
. Ui
–
RB1 1M
C1
+
T1
RE1 27k
RB 1
IC 2U R B E － 2 2U R B E E 2 2 0 8..5 2 1 6 7 0..5 6m A 0.9m 6 A
U CE U 2C C IC(R 2C 2R E 2R E )2 2 4 0.9(1 6 0 0.5 1 7.5 )V 6.7V 1
计算 r i和 r 0 Ib1
82k
RC2 10k
+C3
+C2
T2
RE1 510
RB 2 RE2
43k 7.5k
+ CE
+
.
Uo
–
第三章 多级放大电路
第一级是射极输出器:
IB 1 R B U C 1 ( 1 C U β B )R E E 1 10 2 ( 0 1 0 4 50 .0 2 6 m ) 7 9 .A 8 μ A
+
T1
T2 UO
DZ
(c)
第三章 多级放大电路
改进电路—(c2) 可降低第二级的 集电极电位，又不损 失放大倍数。但稳压 管噪声较大。
Rb1
+
Ui
Rc1 Dz
T1
Rc2+VCC
T2
Rb2
+
UO
(c)
改进电路—(d) NPN管和PNP管 混合使用，可获得合 适的工作点。为经常 采用的方式。
Rb1
+
Ui
Rc1
T1
Re2
T2
Rc2
+VCC
+
UO
(d)
图 3.1.1 直接耦合放大电路静态工作点的设置
第三章 多级放大电路
3.1.2 阻容耦合
第一级
Rb1
C1+
+
Ui
RC1
C2
+
T1
Rb2 Rc2 C3 +VCC
+
+
T2
RL Uo
第二级
图 3.1.2 阻容耦合放大电路 特点：静态工作点相互独立，在分立元件电路中广 泛使用。