二极管、三极管、场效应管的学习
二极管、三极管和MOS管
一、二极管三极管MOS器件基本原理P-N结及其电流电压特性晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
当不存在外加电压时,由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流:。
当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0 。
当外加的反向电压高到一定程度时, p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。
正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流 IC 。
在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
首页[1][2][3]下一页尾页由于 VBE 很小,所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,现了双极晶实体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅 G 电压 VG 增大时, p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。
(二极管、三极管)
P型半导体
硅原子 空穴
Si B
Si
Si
硼原子
P型硅表示
空穴被认为带一个单位的正电荷,并且 可以移动
杂质半导体的示意表示法
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
P型半导体
N型半导体
§2 PN结及半导体二极管
2.1 PN 结的形成
在同一片半导体基片上,分别制造P型 半导体和N型半导体,经过载流子的扩散, 在它们的交界面处就形成了PN结。
内电场越强,就使漂移运动 越强,而漂移使空间电荷区 变薄。 P型半导体 少数载流 子(少子) 在内电场 作用下, 有规则的 运动称为 漂移运动; 形成漂移 电流。
EC
RB EB
IEP E
IEN
IE
发射结正偏, 发射区电子 不断向基区 扩散,形成 发射极电流 IEN。
PN 结反向偏置
PN 结 处于截 止状态
反向电流极小,称 反向截止。
PN 结反向偏置的意思是: P 区加负、N 区加正电压。
空间电荷区 变厚 - - + + + +
内电场被加强,多子的扩 散受抑制。少子漂移加强, 但少子数量有限,只能形 成较小的反向电流。
(2)伏安特性 I
I
U
+
反向击穿电 压U(BR)
导通压降: 硅 管0.6~0.7V,锗 管0.2~0.3V。
第1章 常用半导体器件(1)
(a)
空间电荷区
N区
移到P型区的空穴填补了原来交界
面上P型区所失去的空穴, 从P型区
漂移到N型区的自由电子填补了原 来交界面上N型区所失去的自由电 子,漂移运动的结果是使空间电荷
内电场 Uho
区变窄。空间电荷区称为阻挡层。
第第1章1章常晶用体半二导极体管器与件三极管
1. PN结的形成
当多子的扩散运动和少子 的漂移运动达到动态平衡时,空 间电荷区的宽度一定,PN结电 流为零。在动态平衡时,由内电 场产生的电位差称为内建电位差 Uho, 如图(b)所示。处于室温 时 , 锗 的 Uho≈0.2~0.3 V , 硅 的 Uho≈0.5~0.7 V。
多子扩散运动使空间电荷区加宽。
第第1章1章常晶用体半二导极体管器与件三极管
1. PN结的形成
空穴 负离子 正离子 自由电子
内电场:在空间电荷区里,由带正 P区
N区
电的N型区指向带负电的P型区的电 场。 内电场阻止多子的扩散运动、
内电场推动少数载流子产生漂移运 动(载流子从浓度低的区域向浓度 高的区域的运动。) 。从N型区漂 P 区
第第1章1章常晶用体半二导极体管器与件三极管
2. P型半导体
因三价杂质原子 在与硅原子形成共价 键时,缺少一个价电 子而在共价键中留下 一个空穴。
空穴很容易俘获电子,使杂质原子成为负离子。 三价杂质 因而也称为受主原子。
在P型半导体中空穴是多数载流子,它主要由掺杂 形成;自由电子是少数载流子, 由热激发形成。
第第1章1章常晶用体半二导极体管器与件三极管
第1章 常用半导体器件
1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 半导体场效应管
半导体二极管和三极管 PPT课件
Si
Si
空穴
BS–i
Si
硼原子 接受一个 电子变为 负离子
P型半导体的形成过程动画演示
1.1.3 PN结的形成及特性
1. PN结的形成 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气
体、液体、固体均有扩散运动。
1.1.3 PN结的形成及特性 1. PN结的形成
浓度差
多子扩散运动 动
空间电荷区
态
内电场
1.1.3 PN结的形成及特性
2. PN结的单向导电性
(3)PN结的i−u特性
uD
iD IS (enUT 1)
反向偏 置特性
iD/mA 1.0
0.5
正向偏 置特性
其中
iD = -IS
-1.0 -0.5
0.5 1.0 uD/V
IS ——反向饱和电流
PN结单向导电性的I−U特性曲线
n——发射系数,其值1-2。
平
衡
少子漂移运动
PN结:空间电荷区、耗尽层
电子扩散
N ++ + + +
++++
- - -----
P
++++ - - - -
++++ - - - -
空穴扩散
空间电 荷区
++++ -- - ++++ -- - ++++ -- - ++++ -- - -
内电场
1.1.3 PN结的形成及特性 1. PN结的形成
Si
二极管 三极管 mos管
二极管三极管 mos管二极管、三极管和MOS管是现代电子技术中常用的三种元件。
它们分别具有不同的特性和应用范围,为电子设备的设计和制造提供了重要的支持和便利。
我们来探讨一下二极管。
二极管是一种具有两个电极的电子元件,由P型半导体和N型半导体组成。
二极管具有单向导电特性,即只允许电流在一个方向上通过。
当二极管的正端施加正电压,负端施加负电压时,电流可以顺利通过;而当施加的电压方向相反时,电流则无法通过。
这一特性使得二极管可以用于电路的整流、开关和保护等方面。
接下来,我们来探讨一下三极管。
三极管是一种具有三个电极的半导体器件,分别为发射极、基极和集电极。
三极管可以通过控制基极电流的大小来控制集电极电流的变化。
三极管有两种工作模式,分别为放大模式和开关模式。
在放大模式下,三极管可以将微弱的输入信号放大成较大的输出信号,常用于放大电路中。
而在开关模式下,三极管可以根据基极电流的变化来控制集电极电流的开关,常用于逻辑电路和开关电源等方面。
我们来探讨一下MOS管。
MOS管是金属氧化物半导体场效应管的简称,由金属栅极、绝缘氧化层和半导体基底构成。
MOS管具有高输入阻抗和低功耗的特点,常用于集成电路中。
MOS管有两种类型,分别为N沟道MOS管和P沟道MOS管,根据其导电性质的不同有所区别。
MOS管可以通过控制栅极电压来改变导电性能,实现电流的放大和开关控制。
MOS管广泛应用于数字电路、模拟电路和功率电子等领域。
总结起来,二极管、三极管和MOS管分别具有不同的特性和应用范围。
二极管可以实现单向导电,用于整流、开关和保护等方面;三极管可以放大和开关控制电流,用于放大电路、逻辑电路和开关电源等方面;MOS管具有高输入阻抗和低功耗,用于集成电路、数字电路、模拟电路和功率电子等领域。
这些电子元件的发展和应用,为现代电子技术的发展和进步提供了重要的支持和推动力。
随着科技的不断创新和发展,相信二极管、三极管和MOS管的应用将会更加广泛和深入。
场效应管与三极管基础知识讲解
mos管分四种,N沟道增强型和耗尽型,P沟道增强型和耗尽型。
箭头指向g 的且带虚线的为N增强,没有虚线的为N耗尽。
箭头背向g端的且带虚线的为P增强,不带虚线则为P耗尽。
希望说的你能明白,小妹新手,多多关照!有没说清楚的继续,呵呵···场效应管三极管开关电路基础发布时间:2008-12-08 23:08:32三极管简介:三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。
三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
图1双极面结型晶体管有两个类型:npn和pnp。
npn类型包含两个n 型区域和一个分隔它们的p型区域;pnp类型则包含两个p型区域和一个分隔它们的n型区域,图2和图3分别是它们的电路符号。
以下的说明将集中在npn BJT。
图2: npn BJT 的电路符号图3: pnp BJT 的电路符号BJT工作于三种不同模式:截止模式、线性放大模式及饱和模式,见图4。
图4 四种工作模式BJT在电子学中是非常重要的元件。
它们被广泛应用在其他展品中,特别是模拟电路里的放大器和数码电路里的电子开关。
开关电路原则a. BJT三极管Transistors只要发射极e 对电源短路就是电子开关用法N管发射极E 对电源负极短路. 低边开关;b-e 正向电流饱和导通P管发射极E 对电源正极短路. 高边开关 ;b-e 反向电流饱和导通b. FET场效应管MOSFET只要源极S 对电源短路就是电子开关用法N管源极S 对电源负极短路. 低边开关;栅-源正向电压导通P管源极S 对电源正极短路. 高边开关;栅-源反向电压导通总结:低边开关用 NPN 管高边开关用 PNP 管三极管b-e 必须有大于C-E 饱和导通的电流场效应管理论上栅-源有大于漏-源导通条件的电压就就OK假如原来用NPN 三极管作ECU 氧传感器加热电源控制低边开关则直接用N-Channel 场效应管代换;或看情况修改下拉或上拉电阻基极--栅极集电极--漏极发射极--源极NPN和PNP 开关三极管(1)我把NPN三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的.继电器的信号吧集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流入了基极的话那么集电极和发射极就会通.(2)PNP三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的继电器信号集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流出了基极的话,那么集电极和发射极就会通.三极管VS场效应管三极管BJT--------TRANSISTORS ----------- 电流驱动场效应管----- FET ------------------------- 电压驱动MOS场效应管MOSFET ................ 电压驱动2N70022n7002 IC产品型号的一种描述:晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:280mA电压, Vds 最大:60V开态电阻, Rds(on):5ohm电压@ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:2.1V功耗:0.2W工作温度范围:-55to 150封装类型:SOT-23针脚数:3SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SMD标号:702功率, Pd:0.2W外宽:3.05mm外部深度:2.5mm外部长度/高度:1.12mm封装类型:SOT-23带子宽度:8mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度@ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:60V电流, Id 连续:0.115A电流, Idm 脉冲:0.8A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V阈值电压, Vgs th 最高:2.5VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)MOS管的基本知识(转载)2011-05-07 06:39:32| 分类:电路硬件设计| 标签:|字号大中小订阅现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外,在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS 管取代过去的大功率晶体三极管,使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。
二极管、三极管与场效应管
电子元器件知识:二极管、三极管与场效应管。
一、半导体二极管2、半导体二极管的分类分类:a 按材质分:硅二极管和锗二极管;b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。
3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的半导体二极管。
4、半导体二极管的导通电压是:a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.5、半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。
7、半导体二极管的识别方法:a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.c;测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
8、变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。
变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。
在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
常用电子器件
常用电子器件电子器件是当今现代工业中不可或缺的一部分。
随着科技的发展和进步,电子器件得到了充分应用和发展。
其中一些被广泛使用的电子器件包括半导体器件、电容器、电感器、二极管和晶体管等。
一、半导体器件半导体器件是现代电子学的基础之一。
半导体器件包括二极管、三极管、场效应晶体管(FET)、可控硅等。
二极管是最简单的半导体器件,它具有整流和波形截取功能。
三极管具有放大作用,它可放大电压和电流。
场效应晶体管是一个高阻器件,它在电子电路中常用来放大和调整电压信号。
可控硅是一种带有控制端的半导体器件,它可以通过施加一个触发脉冲来进行开关操作。
二、电容器电容器由两个电极和一个介质组成,它可以存储电荷并且能够在电路中储存电能,以及对电路的频率响应起着很大的影响。
电容器在各种电子器件中被广泛应用,包括滤波器、信号发生器、功率电子设备和放大器等。
电容器的容量和介质类型对电子电路的性能有很大的影响。
三、电感器电感器是一种两端带有线圈的器件,它可以储存电流并且可以作为变压器、滤波器、放大器和发生器的元件。
电感器的工作原理是通过在线圈内产生磁场来储存电能。
电感器的一般作用是在电路中阻止低频信号,它经常用于成阻抗元件,它能提高电路的频率选通性能,使电路成为带通滤波器或谐振回路等。
四、二极管二极管是一种既能导电又能负担反向电路的器件。
它能够把从电源或信号源来的动态信号转化成稳定的信号输出,广泛应用于整流、电源电路、自动控制、信号检测等领域。
二极管在LED、太阳能电池等领域中也有着广泛的应用。
五、晶体管晶体管是一种电子控制元器件。
它是由半导体材料制成的三极管,在电子电路中具有放大电流和电压的功能。
晶体管种类很多,如小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、双极型晶体管等。
晶体管在各种行业中都有着广泛的应用,如电源供电、振荡电路、放大器电路、计算机和通讯等。
电子器件是现代工业的重要组成部分,它们的应用范围很广,可以应用于电源供应、通信、汽车工业、电子家电、航空航天等。
半导体基本器件
半导体基本器件引言半导体是一种具有特定电子行为的材料,既不完全是导体,也不是绝缘体。
半导体在现代电子设备中起到至关重要的作用,因为它们可以用来制造各种各样的基本器件。
这些基本器件在电路中起到关键的作用,如放大信号、控制电流等。
本文将学习和讨论一些常见的半导体基本器件,包括二极管、三极管和场效应管。
二极管二极管是一种最简单的半导体器件。
它由两个相反类型的半导体材料(P型和N型)组成,其中P区具有多余的正电荷,N区具有多余的负电荷。
这种差异导致了一个电势能壕,使得电子很难穿过二极管。
当正向电压施加在二极管上时,电子可以通过二极管流动,形成一个电流。
而在反向电压下,电子无法通过二极管,形成一个开路。
二极管被广泛用于整流电路中。
整流电路可以将交流信号转换为直流信号,通过使用二极管的开关特性来选择正向电流流向。
在直流电源中,二极管还可以作为保护器件,防止电流逆向流动。
三极管三极管是一种用来放大电流的半导体器件。
它由三个区域组成:发射极(E)、基极(B)和集电极(C)。
发射极和基极之间是一个PN 结,称为发射结,而基极和集电极之间是另一个PN结,称为集电结。
三极管的放大作用是通过输入信号在基极端产生的小电流来控制集电极端的电流增益。
当输入信号为正向偏置时,基极电流增加,从而导致集电极电流增加。
因此,三极管可以被用作电流放大器。
此外,三极管还可以作为开关使用,当输入信号为正时,三极管工作在饱和区,导通集电极电流;当输入信号为负时,三极管工作在截止区,阻断集电极电流。
场效应管场效应管(FET)是一种用于放大和控制电流的半导体器件。
它由源极(S)、栅极(G)和漏极(D)组成。
在场效应管中,控制电流通过控制栅极电压来实现。
场效应管有两种主要类型:增强型和耗尽型。
增强型FET的栅极电压增加时,漏极电流也增加。
耗尽型FET的栅极电压增加时,漏极电流减小。
场效应管与三极管的一个重要区别是它的输入电阻更高,这使得场效应管在某些应用中更具优势。
二极管,三级管基础知识培训教材
PN结及其单向导电性
• PN结的形成 • PN结的单向导电性
PN结的形成
• 在一块晶凡两边分别形成P型和N型半导 体。 图中 代表得到一个电子的三价杂质(例如硼) 离子,带负电; 代表失去一个电子的五价杂 质(例如磷)离入带正电。由于P区有大量空穴 (浓度大),而N区的空穴极少(浓度小),因此空 穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散。 P
在一定范围内,外电场愈强,正向电 流(由P区流向N区的电流)愈大,这时PN 结呈现的电阻很低。正向电流包括空穴电 流和电子电流两部分。空穴和电子虽然带 有不同极性的电荷,但由于它们的运动方 向相反,所以电流方向一致。外电源不断 地向半导体提供电荷,使电流得以维持。
PN结的单向导电性
• 若给PN结加反向电压,即外电源的正端接N区, 负端接P区,则外电场与内电场方向一致,也 破坏了扩散与漂移运动的平衡。 • 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子 移走,使得空间电荷增加,空间电荷区变宽, 内电场增强,使多数载流子的扩散运动难以进 行。但另一方面,内电场的增强也加强了少数 裁流于的漂移运动,在外电场的作用下,N区 中的空穴越过PN结进入P区, P区中的自由电 子越过PN结进入N区,在电路中形成了反向电 流(由N区访向P区的电流)。
半导体二极管
• • • • • 二极管的基本结构和类型 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 二极管的应用 常用二极管类型
二极管的基本结构和类型
• 将PN结加上相应的电极引线和管壳,就成为半 导体二极管。 从P区引出的电极称为阳极(正 极),从N区引出的电极称为阴极(负极)。 • 按结构分二极管有点接触型和面接触型两类。
D
(c)符号
在使用二极管时,必须注意极性不能接错,否则 电路非但不能正常工作,还有毁坏管子和其他元件的 可能。
半导体器件基础
半导体器件基础半导体器件是由半导体材料制成的电子元件,用于控制和放大电流和电压。
常见的半导体器件有二极管、晶体管、场效应管、双极型晶体管、光电二极管等。
半导体器件的基础知识包括以下几个方面:1. 半导体材料:半导体器件主要使用硅(Si)和砷化镓(GaAs)等半导体材料。
半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导特性,可以通过控制材料的掺杂来调节其导电性。
2. PN结:PN结是半导体器件中最基本的结构,由P型和N型半导体材料直接接触而成。
在PN结中,P型半导体中的空穴与N型半导体中的电子发生复合,形成一个电子云区,这称为耗尽区。
耗尽区的存在使得PN结具有正向导通和反向截止的特性。
3. 二极管:二极管是一种最简单的半导体器件,由PN结构成。
在正向偏置(即P端连接正电压)时,二极管导通,允许电流通过;在反向偏置(即N端连接正电压)时,二极管截止,电流无法通过。
二极管广泛用于整流和保护电路中。
4. 晶体管:晶体管是一种三层构造的半导体器件,通常分为NPN和PNP两种类型。
晶体管可以作为开关或放大器使用,可以控制一个输入电流或电压来控制另一个输出电流或电压。
晶体管的放大性能使得它在电子设备中有广泛的应用。
5. 场效应管:场效应管是一种基于电场效应的半导体器件,包括MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应管)和JFET (结型场效应管)两种。
场效应管具有高输入电阻、低输入电流、低噪声等特点,常用于放大和开关电路中。
6. 光电器件:光电器件包括光电二极管和光电三极管,它们能够将光信号转换为电信号。
光电器件广泛应用于光通信、光电传感、光能转换等领域。
以上是半导体器件基础的概述,深入了解半导体器件还需要学习更多的电子物理和电路理论知识。
半导体器件的基本知识
半导体器件的基本知识在现代科技的高速发展中,半导体器件扮演着至关重要的角色。
从我们日常使用的智能手机、电脑,到各种智能家电、汽车电子,乃至医疗设备和航空航天领域,半导体器件无处不在。
那么,什么是半导体器件?它们又是如何工作的呢?让我们一起来揭开半导体器件的神秘面纱。
半导体,顾名思义,其导电性能介于导体和绝缘体之间。
常见的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)等。
这些材料的原子结构和特性使得它们在特定条件下能够实现对电流的控制和调节。
半导体器件的种类繁多,其中最基本的包括二极管、三极管和场效应管等。
二极管是一种最简单的半导体器件。
它具有单向导电性,也就是说电流只能从一个方向通过。
二极管的结构就像是一个 PN 结,P 型半导体和 N 型半导体结合在一起。
当在二极管上施加正向电压时,电流可以顺利通过;而施加反向电压时,电流几乎无法通过,只有极小的反向漏电流。
二极管在电路中常用于整流、稳压、检波等功能。
比如,在电源适配器中,二极管就被用来将交流电转换为直流电。
三极管则比二极管复杂一些,它有三个电极,分别是基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。
根据结构的不同,三极管分为 NPN 型和PNP 型。
三极管的主要作用是放大电流信号。
当基极输入一个较小的电流变化时,会引起集电极和发射极之间较大的电流变化,从而实现信号的放大。
此外,三极管还可以用作开关,控制电路的通断。
场效应管也是一种重要的半导体器件。
它是利用电场来控制电流的。
场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。
绝缘栅型场效应管中的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)在现代集成电路中应用广泛。
它具有输入电阻高、噪声低、功耗小等优点,常用于数字电路和模拟电路中。
半导体器件的制造工艺非常复杂和精细。
首先,需要通过一系列的化学和物理过程,将半导体材料提纯并制备成晶圆。
然后,在晶圆上通过光刻、蚀刻、掺杂等工艺制作出各种半导体器件的结构。
这些工艺要求极高的精度和纯度,以确保半导体器件的性能和可靠性。
(完整word版)半导体器件基础教案
第一章半导体器件基础【学习目标】1.了解PN结的单向导电性。
2.熟悉二极管的伏安特性3.了解开关二极管、整流二极管、稳压二极管的基本用途。
4.掌握三极管输出特性曲线中的截止区、放大区和饱和区等概念.5.熟悉三极管共发射极电流放大系数β的含义。
6.熟悉对三极管开关电路工作状态的分析方法.7.熟悉三极管的主要参数。
8.熟悉MOS场效应管的分类及符号.9.熟悉增强型NMOS管的特性曲线.10.了解MOS场效应管的主要参数。
【内容提要】本章介绍三种常用的半导体器件,即半导体二极管、三极管及MOS场效应管。
重点介绍这些器件的外部特性曲线、主要参数及电路实例。
一、教学内容(一)半导体二极管1.PN 结的伏安特性PN 结的伏安特性描述了PN 结两端电压u 和流过PN 结电流i 之间的关系。
图是PN 结的伏—安特性曲线。
可以看出:(1)当外加正向电压较小(u I <U ON )时,外电场不足以克服PN 结内电场对多子扩散所造成的阻力,电流i 几乎为0,PN 结处于截止状态;(2)当外加正向电压u I 大于U ON 时,正向电流i 随u 的增加按指数规律上升且i 曲线很陡 。
(3)当外加反向电压(u<0)时,反向电流很小, 几乎为0,用I R 表示;(4)当u £ U (BR ) 时,二极管发生电击穿,|u| 稍有增加,|i |急剧增大, u » U BR 。
把PN 结外加正向电压导通、外加反向电压截止的性能称作单向导电特性。
U ON 称作导通电压,也叫开启电压, U (BR) 称作反向击穿电压,I R 称作反向电流。
2.半导体二极管应用举例半导体二极管是将PN 结用外壳封装、加上电极引线构成。
可以用作限幅电路、开关电路等。
(1)用作限幅电路图2.2(a)是二极管电路。
假设输入电压u I 是一周期性矩形脉冲,输入高电平U IH =+5V 、低电平U IL =-5V ,见图(b )。
电子技术模拟电路知识点总结
电子技术模拟电路知识点总结一、模拟电路基础概念模拟电路处理的是连续变化的信号,与数字电路处理的离散信号不同。
在模拟电路中,电压和电流可以在一定范围内取任意值。
这是理解模拟电路的关键起点。
二、半导体器件1、二极管二极管是最简单的半导体器件之一,具有单向导电性。
当正向偏置时,电流容易通过;反向偏置时,电流极小。
二极管常用于整流电路,将交流转换为直流。
2、三极管三极管分为 NPN 型和 PNP 型。
它具有放大电流的作用,通过控制基极电流,可以实现对集电极电流的控制。
三极管在放大电路中应用广泛。
3、场效应管场效应管分为结型和绝缘栅型。
它是电压控制型器件,输入电阻高,噪声小,常用于集成电路中。
三、基本放大电路1、共射放大电路共射放大电路具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数,但输入电阻较小,输出电阻较大。
2、共集放大电路共集放大电路又称射极跟随器,电压放大倍数接近 1,但输入电阻高,输出电阻小,具有良好的跟随特性。
3、共基放大电路共基放大电路具有较高的频率响应和较好的高频特性。
四、集成运算放大器集成运算放大器是一种高增益、高输入电阻、低输出电阻的直接耦合放大器。
1、理想运算放大器特性具有“虚短”和“虚断”的特点。
“虚短”指两输入端电位近似相等,“虚断”指两输入端电流近似为零。
2、运算放大器的应用包括比例运算电路、加法运算电路、减法运算电路、积分运算电路和微分运算电路等。
五、反馈电路反馈可以改善放大器的性能。
1、正反馈和负反馈正反馈会使系统不稳定,但在某些特定情况下,如正弦波振荡器中会用到。
负反馈能稳定放大倍数、改善频率特性等。
2、四种反馈组态电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈和电流并联负反馈,它们对电路性能的影响各不相同。
六、功率放大电路功率放大电路的主要任务是向负载提供足够大的功率。
1、甲类、乙类和甲乙类功率放大电路甲类功放效率低,但失真小;乙类功放效率高,但存在交越失真;甲乙类功放则是介于两者之间。
半导体物理基础学习知识
半导体物理基础知识一、半导体导电特点电子线路中的要点器件如二极管、三极管、场效应管、集成电路等都是由半导体资料制成的,要解析上述器件的工作原理,必定对半导体资料的导电特点应有所认识。
1、什么是半导体物质如按导电性能分可分为(1)导体:电阻率ρ很小;(2)绝缘体:电阻率ρ很大;(3)半导体:电阻率ρ不大不小, 10-3~109Ω ?cm 。
常有的有:硅( Si)、锗( Ge)、砷化镓( GaAs)等。
2、半导体独到的导电特点(1)受温度( T )的影响大; T ↑→ ρ ↓,热牢固性差,但也可做热敏元件(2)受光照的影响大;(3)混淆对导电性能影响大。
例:室温,纯净的硅,ρ = 2*103Ω?cm ,如掺百万分之一(10-6)的磷( P),纯度还有99.9999%(6 个 9),则ρ = 4*10 -3Ω ?cm 。
二、本征半导体1、什么是本征半导体:纯净的(9 个 9 以上 ) ,晶格整齐无弊端的单晶半导体。
2、本征半导体晶格结构(1)半导体原子结构+4惯性核价电子(2)晶格结构p3 图 1-1-2每个价电子与相邻原子的价电子组成共价键。
经过共价键使所有的原子结合成一个晶体。
+4+4+4价电子共+4+4+4价键+4+4+43、本征激发(1)当 T=0K (绝对零度)时,所有价电子都拘束在共价键中,不能够成为自由电子,晶体相当绝缘体。
(2)当 T>0K 或光照时,部分价电子获得额外能量,摆脱共价键拘束变为自由电子,并在共价键中留下一个缺少负电荷的空位(空穴)。
这过程就叫本征激发。
+4+4+4自由空穴电子+4+4+4+4+4+4(a)本征激发时,自由电子和空穴是成对出现,叫自由电子空穴对;(b)空穴是带正电的,由于原子是电中性的;(c)空穴能够运动:周边共价键中的价电子填补空穴。
(d)温度越高,产生的自由电子空穴对就越多。
4、载流子:能够运动的带电粒子。
半导体中自由电子和空穴都是载流子。
5、复合:自由电子填补空穴。
初学者电子元件基础知识
初学者电子元件基础知识电子元件是电子技术领域的重要组成部分,是电子设备和电路设计不可或缺的组成部分。
对于初学者来说,电子元件基础知识是入门的必备知识。
本文就为初学者讲解电子元件基础知识,以期帮助大家更快更好地入门。
1. 电子元件的分类电子元件可以分为两大类:被动元件和主动元件。
被动元件是指没有放大、切换等主动功能的元件。
常见的被动元件有电阻、电容、电感、电位器、电子滤波器等。
主动元件则是指具有放大、切换等主动功能的元件,主要包括二极管、三极管、场效应管、集成电路、晶体管、可编程逻辑器件等。
2. 电阻电阻是电路中最基本的被动元件之一,它能够限制电流的流动,是电子电路中调节电流和电压的重要元件。
通常情况下,电阻可以用符号R表示。
电阻的单位是欧姆(Ω)。
电阻有固定电阻和可变电阻两种。
其中,固定电阻的电阻值是固定的,不能进行调节。
可变电阻的电阻值可以通过旋转电位器等手段进行调节,适合对电子电路中的电流或电压进行微调。
3. 电容电容是电子电路中常用的被动元件,可以存储电荷并限制电流变化的速度。
常用的电容的符号是C,单位是法拉(F)。
电容的质量通常由介质材料和电容器的结构等因素决定。
常见的电容类型有电介质电容、电解电容、陶瓷电容等。
电容的能量存储与电荷量和电势差成正比,反比于电容值。
在电子电路中经常用电容作为低通滤波器或振荡电路元件,可调谐(固定或可调)电容是调频广播、电视和无线电接收器中的关键元件。
4. 电感电感是存储磁场能量的电子元件,通常由包绕线圈制成。
电感的常见符号为L,单位是亨利(H)。
电感的电磁能量存储量取决于其电感值和电流的变化率。
在电子电路中,使用电感器可制作延迟线、交流电源、电压变换和滤波器。
5. 二极管二极管是一种常见的主动元件,可将电流限制在某一方向。
通常情况下,二极管由两个掺杂不同材料的半导体材料制成。
二极管的两个端子包括正极和负极,正极是由P型半导体电极组成,负极则由N型半导体电极组成。
电子基础第13章二极管三极管场效应管
画直流通路: 电容看成开路 电感看成短路 电源不计内阻 计算IB以及IC值,根据输出特征曲线确
定Q点
动态分析
画交流微变等效通路: 电容看成短路 直流电源短路 将三极管等效成由基极电流控制的集
电极和发射极受控电流源 计算Au=-βR’L/rbe、ri ≈rbe和ro≈Rc 计算Aus=[ri/ (Rs+ ri) ]Au
二极管的应用
二极管使用在限幅、开关、低电压稳压等电路中,起整流、检波、限 幅、箝位、开关、 元器件保护、温度补偿等作用。
※二极管的整流
大多数电器设备无法直接使用交流电,必须把交流电转换成直流电以 后才能加以利用。把交流电转换成直流电的过程叫做“整流”。
三极管
三极管概述:
半导体三极管有两种类型: 一种是双极型半导体三极管(BJT Bipolar Junction transistor),常称为晶体 管,在电路中常用“Q”加数字表示 ,有两种 载流子参与导电(多数载流子和少数载流子) ,被称之为双极型器件。晶体管是电流控制元 件,由两个PN结组合而成
为正、N为负)很小时(锗管小于0.1 伏,硅管小于0.5伏),管子不导通 处于“死区”状态,当正向电压起过 一定数值后,管子才导通,电压再稍 微增大,电流急剧暗加(见曲线I段 )。不同材料的二极管,起始电压不 同,硅管为0.5-0.7伏左右,锗管为 0.1-0.3左右。
2)、反向特性 二极管两端加上反向电压时,反向
另一种是场效应半导体三极管,仅由一种载流子(多数)参与导电, 所以称之为单极型器件。场效应管是电压控制元件,由电场效应来控制其 电流大小, 分为两大类:结型场效应管(JFET Junction type Field Effect Transistor)和金属氧化物半导体场效应管(MOSFET Metal- Oxide-Semiconductor type Field Effect Transistor )
常见半导体器件
常见半导体器件一、二极管(Diode)二极管是一种常见的半导体器件,具有只允许电流在一个方向通过的特性。
它由P型半导体和N型半导体组成,通过P-N结的形成来实现电流的单向导通。
二极管在电子电路中有着广泛的应用,如整流器、稳压器、放大器等。
二、三极管(Transistor)三极管是一种具有放大作用的半导体器件,由P型半导体和N型半导体构成。
它有三个电极,分别是发射极、基极和集电极。
通过控制基极电流,可以调节集电极电流的大小,实现信号的放大功能。
三极管被广泛应用于放大器、开关、振荡器等电子设备中。
三、场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)场效应晶体管是一种常见的半导体器件,与三极管类似,也具有放大作用。
它由栅极、源极和漏极组成。
场效应晶体管通过栅极电压的变化来控制源漏极之间的电流。
与三极管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、功耗低、噪声小等特点,被广泛应用于放大器、开关、模拟电路等领域。
四、集成电路(Integrated Circuit,IC)集成电路是将大量的电子器件集成在一个芯片上的器件。
它由高度集成的晶体管、二极管、电阻、电容等元件组成,通过不同的连接方式实现各种电路功能。
集成电路具有体积小、功耗低、性能稳定等优点,被广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。
五、光电二极管(Photodiode)光电二极管是一种具有光电转换功能的半导体器件。
它具有二极管的结构,在光照条件下产生电流。
光电二极管常用于光电传感、光通信、光电测量等领域。
通过控制光照强度,可以实现对光信号的检测和转换。
六、发光二极管(Light Emitting Diode,LED)发光二极管是一种能够发出可见光的半导体器件。
它具有二极管的结构,在正向偏置电压下,通过复合效应产生光。
发光二极管具有发光效率高、寿命长、功耗低等特点,被广泛应用于照明、显示、指示等领域。
七、太阳能电池(Solar Cell)太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的半导体器件。
电路与电子学第四章
二极管例题
5K
1V
D1
Ua
D1截止, D2导通, Ua= -5V
求电路中的UO:
D3导通,UO=6V D2导通,UO= -6V, D3截止。 D1截止,UO= 6V
D2
D1 UO
D1截止, D2导通, D3截止, UO= - 6V
复习
+ ui (a) u01 t D R + u01 +
如图已知输入电压 ui=30sinωt ,
二极管的应用 t
输入电压小于5V:
+ ui D 5V
输入电压大于5V: + D 5V +
t
小于5V后
ui
-
u02
-
演示二极管2
●二极管整流电路 整流
半波整流电路
利用二极管的单向导电性,将双向变化的交流电转换为 单向脉动的直流电。 ui ①半波整流电路 D t + + ui RL u0 -
-
u0
t 脉动直流电
ui<0:上负下正,D2D4导通D1D3截止 。
0
π
2π
3π
全波整流电路输出电压平均值:
单向桥式整流电路
U0
1
o
( U m sin t )d ( t )
2 2
U 0.9U
i i t π 2π 3π
U U 负载中通过电流的平均值:I 0 0 0.9 RL RL
截止时二极管所承受的最大反向电压为峰值Um。 承担全波整流电路中二极管的参数为: 最大整流电流: I I 0.45 U F D + ui -
零偏,不通,ID=0 反偏,不通,ID=0
常用电路元件的分类与特性解析
常用电路元件的分类与特性解析电子技术的发展离不开电路元件的支持,常用的电路元件种类繁多,每种元件都有其特定的分类和特性。
本文将对常用电路元件进行分类与特性解析,以便读者更好地了解电子元器件的应用。
一、被动元件被动元件是指不具有放大、控制或者存储功能的电子元件,常见的有电阻器、电容器和电感器。
它们一般用于调整电路的电阻、电容和电感,起到限制电流、储存电荷、传输信号等作用。
1. 电阻器电阻器是调节电路电阻值的元件。
根据材料和制作工艺的不同,可分为碳膜电阻、金属膜电阻、金属氧化物电阻等。
其中碳膜电阻具有价格低廉、稳定性好等特点;金属膜电阻则具有温度系数小、频率特性好等优点。
2. 电容器电容器是储存电荷的元件,根据结构形式可分为固定电容器和可变电容器。
固定电容器按介质材料类别又可分为陶瓷电容器、铝电解电容器、钽电解电容器等。
陶瓷电容器体积小、温度系数小,适用于高频电路;铝电解电容器容量大,适用于直流电源滤波;钽电解电容器体积小、电容量大,适用于微型电子器件。
3. 电感器电感器是储存电场能量的元件,根据材料和结构分为铁氧体电感器、空心电感器等。
铁氧体电感器具有体积小、频率范围广等特点,适用于高频电路。
二、半导体器件半导体器件是电子技术中不可或缺的一类元件,常见的有二极管、三极管、场效应管和集成电路等。
1. 二极管二极管是一种具有两个电极的器件,可将电流限制在一个方向上流动。
根据特性可分为正向导通二极管和反向截止二极管。
常见的二极管有硅二极管和锗二极管,硅二极管具有承受大功率、温度稳定性好等优点,广泛应用于各种电子设备中。
2. 三极管三极管是一种具有三个电极的半导体器件,可放大和开关电流。
根据构造不同,可分为NPN型和PNP型三极管。
三极管广泛应用于放大电路、振荡电路和开关电路中。
3. 场效应管场效应管主要由栅极、漏极和源极组成,根据材料和工艺又分为MOSFET和JFET。
场效应管具有体积小、输入电流低等特点,适用于高频放大和开关电路。
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二极管5.1.5 半导体二极管的型号命名1.国产半导体器件的命名方法二极管的型号命名通常根据国家标准GB-249-74规定,由五部分组成。
第一部分用数字表示器件电极的数目;第二部分用汉语拼音字母表示器件材料和极性;第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型;第四部分用数字表示器件序号;第五部分用汉语拼音字母表示规格号。
如表5.1所示。
2.日本半导体器件的命名方法日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分用数字表示半导体器件有效数目和类型。
1表示二极管,2表示三极管;第二部分用S表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件;第三部分用字母表示该器件使用材料、极性和类型;第四部分表示该器件在日本电子工业协会的登记号;第五部分表示同一型号的改进型产品。
具体符号意义如表5.2所示。
美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
第一部分为前缀;第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分;第五部分为后缀;这五部分符号及意义如表5.3所示。
5.1.6二极管的伏安特性实际的二极管伏安特性曲线如图5.5所示,实线对应硅材料二极管,虚线对应锗材料二极管。
图5.5 二极管的伏安特性曲线1.正向特性当二极管承受正向电压小于某一数值(称为死区电压)时,还不足以克服PN结内电场对多数载流子运动的阻挡作用,这一区段二极管正向电流I F很小,称为死区。
死区电压的大小与二极管的材料有关,并受环境温度影响。
通常,硅材料二极管的死区电压约为0.5V,锗材料二极管的死区电压约为0.1V。
当正向电压超过死区电压值时,外电场抵消了内电场,正向电流随外加电压的增加而明显增大,二极管正向电阻变得很小。
当二极管完全导通后,正向压降基本维持不变,称为二极管正向导通压降U F。
一般硅管的U F为0.7V,锗管的U F为0.3V。
以上是二极管的正向特性。
2.反向特性当二极管承受反向电压时,外电场与内电场方向一致,只有少数载流子的漂移运动,形成的漏电流I R极小,一般硅管的I R为几微安以下,锗管I R较大,为几十到几百微安。
这时二极管反向截止。
当反向电压增大到某一数值时,反向电流将随反向电压的增加而急剧增大,这种现象称二极管反向击穿。
击穿时对应的电压称为反向击穿电压。
普通二极管发生反向击穿后,造成二极管的永久性损坏,失去单向导电性。
以上是二极管的反向特性。
5.2 晶体二极管的主要参数描述二极管特性的物理量称为二极管的参数,它是反映二极管电性能的质量指标,是合理选择和使用二极管的主要依据。
在半导体器件手册或生产厂家的产品目录中,对各种型号的二极管均用表格列出其参数。
二极管的主要参数有以下几种:1.最大平均整流电流I F(A V)I F(A V)是指二极管长期工作时,允许通过的最大正向平均电流。
它与PN结的面积、材料及散热条件有关。
实际应用时,工作电流应小于I F(A V),否则,可能导致结温过高而烧毁PN结。
2.最高反向工作电压V RMV RM是指二极管反向运用时,所允许加的最大反向电压。
实际应用时,当反向电压增加到击穿电压V BR时,二极管可能被击穿损坏,因而,V RM通常取为(1/2~2/3)V BR。
3.反向电流I RI R 是指二极管未被反向击穿时的反向电流。
理论上I R =I R (sat ),但考虑表面漏电等因素,实际上I R 稍大一些。
I R 愈小,表明二极管的单向导电性能愈好。
另外,I R 与温度密切相关,使用时应注意。
4.最高工作频率f Mf M 是指二极管正常工作时,允许通过交流信号的最高频率。
实际应用时,不要超过此值,否则二极管的单向导电性将显著退化。
f M 的大小主要由二极管的电容效应来决定。
5.二极管的电阻就二极管在电路中电流与电压的关系而言,可以把它看成一个等效电阻,且有直流电阻与交流电阻之别。
(1)直流等效电阻R D直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比,即R D 的大小与二极管的工作点有关。
通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。
不过应注意的是,使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。
其原因是二极管工作点的位置不同。
一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间,反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。
正反向直流电阻差距越大,二极管的单向导电性能越好。
(2)交流等效电阻r diu r d ∆∆=r d 亦随工作点而变化,是非线性电阻。
通常,二极管的交流正向电阻在几~几十欧姆之间。
需要指出的是,由于制造工艺的限制,即使是同类型号的二极管,其参数的分散性很大。
通常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的,使用时应注意条件。
5.3 晶体二极管的分类二极管按材料分有:硅二极管、锗二极管、砷二极管等。
按结构不同有点接触二极管、面接触二极管,外形如图5.6所示。
(a )接触二极管 (b)面接触二极管图5.6 二极管外形按用途分有:整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。
无论构成二极管的材料如何、结构如何、特性如何,二极管均具有单向导电性和非线性的特点。
1.整流二极管整流二极管的主要功能是将交流电转换成脉动直流电。
整流二极管除有硅管和锗管之分外,还可分为高频整流二极管、低频整流二极管、大功率整流二极管及中、小功率整流二极管。
整流二极管具有金属封装、塑料封装、玻璃封装及表面封装等多种形式。
应用较多的有2CZ、4001等系列,其外形如图5.7所示。
(a)2CZ系列(b)4001系列图5.7 整流二极管外形通常可以采用流过负载的电流和加在负载两端的电压只有半个周期的正弦波的半波整流。
电路图和波形图分别如图5.8(a)和5.8(b)所示。
(a)电路图(b)波形图图5.8 单相半波整流电路及波形图2.检波二极管检波(也称解调)二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来。
检波二极管广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中,其工作频率较高,处理信号幅度较弱。
常用的国产检波二极管有2AP系列锗玻璃封装二极管,其外形如图5.9所示。
图5.9 检波二极管外形3.稳压二极管硅稳压二极管简称稳压管,是一种特殊的二极管,它与电阻配合具有稳定电压的特点。
1)稳压管的伏安特性通过实验测得稳压管伏安特性曲线、符号与典型实物如图5.10所示。
(a)伏安特性曲线(b)符号(c)典型实物图5.10 稳压管伏安特性曲线、符号与典型实物从特性曲线可以看到,稳压管正向偏压时,其特性和普通二极管一样;反向偏压时,开始一段和二极管一样,当反向电压达到一定数值以后,反向电流突然上升,而且电流在一定范围内增长时,管两端电压只有少许增加,变化很小,具有稳压性能。
这种―反向击穿‖是可恢复的,只要外电路限流电阻保障电流在限定范围内,就不致引起热击穿而损坏稳压管。
2)稳压管的主要参数稳压二极管的主要参数有:(1)稳定电压U Z稳定电压实际上就是稳压二极管的击穿电压。
通常是指管子电流为规定值时,管子的两端的电压值,不同型号管子有不同的稳定电压值,以适应各种不同的使用要求。
即使同一型号管子,由于工艺分散性也不尽相同,使用时要挑选。
(2)稳定电流I Z它通常是指稳压二极管工作于击穿区的最小工作电流,在使用时工作电流应大于此值,这样才能具有较好的稳压作用。
(3) 额定功耗P Z它是由管子温度所限定的参数,与PN结的材料、结构及工艺有关。
为保证管子不致因过热而损坏,使用中不允许超过此值。
3)稳压二极管的应用稳压二极管用来构成的稳压电路,如图5.11所示。
U I是不稳定的可变直流电压,希望得到稳定的电压U O ,故在两者之间加稳压电路。
它由限流电阻R和稳压管V DZ构成,RL是负载电阻。
图5.11 稳压管稳压电路4.发光二极管发光二极管是一种将电能直接转换成光能的固体器件,简称LED(Light Emitting Diode)。
发光二极管和普通二极管相似,也由一个PN结组成。
发光二极管在正向导通时,由于空穴和电子的复合而发出能量,发出一定波长的可见光。
光的波长不同,颜色也不同。
常见的LED有红、绿、黄等颜色。
发光二极管的驱动电压低、工作电流小,具有很强的抗振动和抗冲击能力。
由于发光二极管体积小、可靠性高、耗电省、寿命长,被广泛用于信号指示等电路中。
发光二极管通常有以下几种:(1)普通发光二极管普通发光二极管工作在正偏状态。
检测发光二极管,一般用万用表R×10k(Ω)挡,方法和普通二极管一样,一般正向电阻15kΩ左右,反向电阻为无穷大。
(2)红外线发光二极管红外线发光二极管工作在正偏状态。
用万用表R×1k(Ω)挡检测,若正向阻值在30kΩ左右,反向为无穷大,则表明正常,否则红外线发光二极管性能变差或损坏。
(3)激光二极管根据内部构造和原理,判断激光二极管好坏的方法是通过测试激光二极管的正、反向电阻来确定好坏。
若正向电阻为20~30kΩ,反向电阻为无穷大,说明正常,否则,要么激光二极管老化,要么损坏。
1)发光二极管的伏安特性发光二极管的伏安特性、符号与典型实物如图5.12所示。
它和普通二极管的伏安特性相似,只是在开启电压和正向特性的上升速率上略有差异。
当所施加正向电压UF未达到开启电压时,正向电流几乎为零,但电压一旦超过开启电压时,电流急剧上升。
发光二极管的开启电压通常称做正向电压,它取决于制作材料的禁带宽度。
例如GaAsP红色LED约为1.7V,而GaP绿色的LED则约为2.3V。
LED的反向击穿电压一般大于5V,但为使器件长时间稳定而可靠的工作,安全使用电压选择在5 V以下。
(a)伏安特性(b)符号(c)典型实物图5.12 发光二极管的伏安特性曲线、符号与典型实物2)发光二极管的应用(1)电源通断指示发光二极管作为电源通断指示电路,如图5.13所示,通常称为指示灯,在实际应用中给人提供很大的方便。
发光二极管的供电电源既可以是直流的也可以是交流的,但必须注意的是,发光二极管是一种电流控制器件,应用中只要保证发光二极管的正向工作电流在所规定的范围之内,它就可以正常发光。
具体的工作电流可查阅有关资料。
图5.13 发光二极管作为电源通断指示电路(2)电平表目前,在音响设备中大量使用LED电平表。
它是利用多只发光管指示输出信号电平的,即发光的LED数目不同,则表示输出电平的变化。
电路如图5.14所示。
由5只发光二极管构成的电平表。
当输入信号电平很低时,全不发光。
输入信号电平增大时,首先LED1亮,再增大LED2亮。
图5.14电平表电路(3)数码管数码管是电子技术中应用的主要显示器件,其就是用发光二极管经过一定的排列组成的,如图5.15(a)所示。
这是最常用的七段数码显示。
要使它显示0~9的一系列数字只要点亮其内部相应的显示段即可。