10现代电力电子器件题目

2011.1.12 Guo Qian EE109

2010~2011电力电子器件

一、MOSFET的Ron和下列哪些因素有关。说明原因。（最多选4个。错选扣分。）（24分）雪崩倍增因子、少子浓度、掺杂浓度、注入水平、多子浓度、迁移率、栅极电位、复合中心

二、（20分）（a）MOSFET正向导通时，是多子还是少子导电？

（b）MOSFET反向导通时，是单极性还是双极性？

（c）MOSFET的反并二极管对性能的正、负影响。

（d）MOSFET应用过程中是否会出现双极性工作状态。

三、（20分）（a）IGBT的分立器件模型。为什么不能由分立GTO和MOSFET获得IGBT 性能

（b）IGBT的半导体物理模型。如何实现MOSFET和GTO的优势互补。

（c）IGBT可以使用MOSFET的驱动电路，但驱动差别。

（d）IGBT、MOSFET分别的应用场合。

四、（16分）二极管（普通整流、快恢复、肖特基）

（a）220V市电整流电路中，使用哪种二极管？

（b）高频整流电路，直流输出200V，使用哪种二极管？

（c）高频整流电路，直流输出5V，使用哪种二极管？

（d）都有电导调制效应吗？哪个最显著？

五、题目给定一个Boost电路，输入200V，输出800V，50A，占空比约3/4。列表给出5种IGBT的Vce(sat)和（Eon+Eoff），根据损耗最小（导通+开关）原则选择合适IGBT

（a）开关频率8k

（b）开关频率50k

注：每一题都要说明原因