场效应管N沟道和P沟道判断方法
n沟道 mosfet符号
n沟道 mosfet符号MOSFET，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常见的半导体器件，用于放大和开关电路。
下面是MOSFET符号的相关参考内容。
MOSFET符号是一种标准化的图示方法，可以简洁明了地表示MOSFET器件的类型和性质。
MOSFET符号通常由三个部分组成：源极、栅极和漏极。
下面是三种常见类型的MOSFET符号及其相关特征。
1. N沟道MOSFET（NMOS）N沟道MOSFET是一种使用n型半导体材料制造的器件。
它的符号通常由一个带有箭头的水平线段和一个垂直于其连接的直线组成。
箭头表示电流流动的方向，直线表示n型半导体材料。
在NMOS符号中，水平线段表示MOSFET的漏极，垂直线表示源极，而连接两者的直线表示栅极。
NMOS器件在栅极和源极之间形成一个n沟道，控制栅极电压可以改变沟道上的电流。
2. P沟道MOSFET（PMOS）P沟道MOSFET是一种使用p型半导体材料制造的器件。
它的符号与NMOS类似，但是箭头的方向相反。
在PMOS符号中，箭头指向水平线段，表示电流的流动方向。
垂直线段仍然表示源极，而栅极仍然是与源极连接的直线。
PMOS器件在栅极和源极之间形成一个p沟道，栅极电压的变化可以改变沟道上的电流。
3. 绝缘栅MOSFET（IGBT）绝缘栅MOSFET是一种集成了MOSFET和双极晶体管（BJT）的双向开关。
它的符号由一个与源极和漏极连接的箭头和一个位于其下方的三角形组成。
箭头表示电流流动的方向，三角形表示绝缘栅。
IGBT在高电压和高电流应用中具有较低的导通电阻，并结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的放大特性。
除了这些常见的MOSFET符号，还存在许多其他类型的MOSFET，如增强型MOSFET（Enhancement Mode MOSFET）和耗尽型MOSFET（Depletion Mode MOSFET）。
场效应管N沟道和P沟道判断方法
1．场效应管N沟道和P沟道判断方法（1）场效应管的极性判断，管型判断（如图）G极与D极和S极正反向均为∞（2）场效应管的好坏判断把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。
如果在最终测量结果中测得只有一次有读数，并且为“0”时，须用表笔短接场效应管识引脚，然后再测量一次，若又测得一组为500左右读数时，此管也为好管。
不符合以上规律的场效应管均为坏管。
场效应管的代换原则（注：只适合主板上场效应管的代换）一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。
2．如果要问更简单的测试方法，就是：找一块有R*10K挡的指针表，将表打在R*10K挡，把管子放在绝缘好的板上，（因为场效应管的输入阻抗非常高），如万用表的玻璃上，先用镊子短路一下管脚，用黑笔定住D极，红笔定住S极，用一个手指摸G极，另一手指摸黑笔，这时候表针大幅度偏转，摸着G极的手指不放，摸着黑笔的手指放开黑笔，去摸红笔，这时表针反偏，再摸黑笔正偏，又摸红笔又反偏，正常的管子偏转脚度非常大，接近0欧姆，坏的管子不偏转，（不包括击穿），性能变坏的偏转小。
由于管子结构不同，在正偏时手指放开黑笔后表针反不反偏都为正常。
（就是有的还是保持在0欧姆左右，有的手指放开黑表笔后表针就回到无穷大）。
原理就是给控制栅极（G）加个高或低的电位，使其导通或截止。
3．部分供电MOS管电压计算方法电路如图，这里常见MOS的S极输出电压计算与输入电压没有关系，和431上端的电阻也无关系，与图中的VCC也无关系(R1/R2的VCC有效，除外）Vout＝Vref X （Ra＋Rb）/Ra而Vref仅由R1、R2决定R1 R2 Ra Rb 四个电阻的人为修改，均可直接改变MOS输出电压其实1117 1084等器件内部也就是这样的新手知识：MOS管原理双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
检测MOS管五种方法
检测MOS管五种⽅法MOS管是⾦属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是⾦属—绝缘体—半导体。
MOS管因导通压降下，导通电阻⼩，栅极驱动不需要电流，损耗⼩，价格便宜等优点在电⼦⾏业深受⼈们的喜爱与追捧。
但是⼀些⼚商的技术不成熟导致MOS管市场良莠不齐。
那么如何对MOS 管进⾏检测呢？华碧实验室为⼤家分享检测MOS管的5种⽅法。
⼀、⽤测电阻法判别MOS管的电极根据MOS管的PN结正、反向电阻值不⼀样的现象，可以判别出MOS管的三个电极。
具体⽅法：将万⽤表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为⼏千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对MOS管⽽⾔，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万⽤表的⿊表笔(红表笔也⾏)任意接触⼀个电极，另⼀只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则⿊表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很⼤，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且⿊表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很⼩，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，⿊表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换⿊、红表笔按上述⽅法进⾏测试，直到判别出栅极为⽌。
⼆、⽤测电阻法判别MOS管的好坏测电阻法检测MOS管是⽤万⽤表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管⼿册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体⽅法：⾸先将万⽤表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在⼏⼗欧到⼏千欧范围(在⼿册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值⼤于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是⽆穷⼤，可能是内部断极。
然后把万⽤表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为⽆穷⼤，则说明管是正常的;若测得上述各阻值太⼩或为通路，则说明管是坏的。
N沟道和P沟道场效应管应该如何选择
N沟道和P沟道场效应管应该如何选择
由于场效应管是电气系统中最基本的部件之一，选择正确的场效应管对整个设计是否成功起着关键的作用。
只有了解场效应管的类型及了解决定它们的重要性能特点，设计人员才能针对特定设计选择正确的场效应管。
场效应管有两大类型：N沟道和P沟道。
在功率系统中，场效应管可被看成电气开关。
当在N沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。
导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。
必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。
如果栅极为悬空，
器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。
当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。
虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
选用N沟道还是P沟道？为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道场效应管。
在典型的功率应用中，当一个场效应管接地，而负载连接到干线电压上时，该场效应管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道场效应管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当场效应管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P沟道场效应管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
场效应管。
场效应管的极性和好坏判断
Q1：高压稳场管；Q2：低压稳场管Q2的S极接地；测量方法：红表笔接地，黑表笔接场管S极，如数值小于10，则说明当前所测场管Q2，Q2的D极连接Q1的S极。
判断Q1是否击穿：红表笔接D极，黑表笔接S极，数值小于10，证明击穿。
场管的代换原则（只适合主板）场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可功率大的可以代换功率小的技嘉主板的场管最好原值代换一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，场效应管N沟道和P沟道判断方法（1）场效应管的极性判断，管型判断（如图）G极与D极和S极正反向均为∞（2）场效应管的好坏判断把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。
如果在最终测量结果中测得只有一次有读数，并且为“0”时，须用表笔短接场效应管识引脚，然后再测量一次，若又测得一组为500左右读数时，此管也为好管。
不符合以上规律的场效应管均为坏管。
场效应管的代换原则（注：只适合主板上场效应管的代换）一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。
用万用表测量场效应管极性及好坏判断来源:互联网作者:电子电路图网【大中小】1、测量极性及管型判断红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准2、好坏判断测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。
N沟道JFET与P沟道JFET
=(1-/Vp)的平方。 （当Vp≤≤0时）
Ⅱ区称为饱和区或恒流区。FET用作放大电路时，一般就工作在这个区域。所以又称此区为线性放大区。
Ⅲ区的特点是：当增至一定的数值后，由于加到沟道中耗尽层的电压太高，电场很强，致使栅漏间的PN结发生雪崩击穿，迅速上升，因此称它为击穿区。
进入雪崩击穿后，管子不能正常工作，甚至很快烧毁。所以，FET不允许工作在这个区域。
P沟道JFET工作时，其电源极性与N沟道JFET的电源极性相反。
4、JFET的特性曲线及参数
输出特性：JFET的输出特性是指在栅源电压一定的情况下，漏极电流与漏源电压之间的关系。管子的工作情况可分为三个区域，
在Ⅰ区内，栅源电压愈负，输出特性愈倾斜，漏源间的等效电阻愈大。因此，在此区内，FET可看作一个受栅源电压控制的可变电阻。故得名为可变电阻区。
讨论JFET的工作原理就是讨论对的控制作用和对的影响。
分析如下：
（1）对的控制作用：。。。
（2）对的影响：。。。
综上分析，可得下述结论：
①JFET栅极、沟道之间的PN结是反向偏置的，因此，其≈0，输入电阻很高。
②JFET是电压控制电流器件，受控制。
③预夹断前，与呈近似线性关系；预夹断后，趋于饱和。
结型场效应管（JFET）
2009-12-22 15:05:54| 分类： 电子元器件 |举报|字号 订阅
1、定义：JFET（Junction type Field Effect Transistor）是利用半导体内的电场效应进行工作的，也称为体内场效应器件。
2、分类：按结构分：N型沟道JT为例：
N沟道JFET工作时，在栅极与源极间需加一负电压（<0）,使栅极、沟道间的PN结反偏，栅极电流≈0，场效应管呈现高达10的7次欧姆以上的输入电阻。
31.简单学会认识场效应管
31.简单学会认识场效应管
场效应管是我们在分析电子电路和电器维修中经常碰到的一种易损坏的元器件。
场效应管的分类有很多，看资料的话，很容易看晕。
视频中我只是讲了我们做维修经常碰到的场效应管（MOS管）。
掌握这些，一般就可以了。
碰到不懂的再查资料也不迟！
学习场效应管，这个N沟道和P沟道的电路符号一定要记住它，而且会区分它，看到符号就要知道是N沟道的场效应管，还是P沟道的场效应管，掌握了这个分析电路才能、才会得心应手。
毕竟N沟道G极要比S极电压高；P沟道的G极要比S极电压低。
假如分不清，你说电路你怎么分析吧！
场效应管的三个电极也要记住它，每个电极的作用可以和三极管对比着理解：
•G 极是栅极、对应三极管的基极 B
•D 极是漏极、对应三极管的集电极 C
•S 极是源极、对应三极管的发射极 E
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N沟道和P沟道MOS管工作原理
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。
我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
2.MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
这两种办法都可以减小开关损失。
3.MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。
这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。
场效应管(建议看)
0V –1V –2V uGS = – 3 V
uDS
IDSS
可 变 电 阻 区
预夹断轨迹，uGD＝UGS（off）
恒 流 区
击 穿 区
i D gm U GS
夹断电压
夹断区（截止区）
夹断电压为负
∴栅源电压越负，电流iD越小。
①夹断区： i D 0 UGS<UGS(off) ②可变电阻区(预夹断轨迹左边区域）：
之间的函数关系，即
iD f (uGS ) |U DS 常数
N沟道结型场效应管UGS=0时，存在导电沟道，电流最大；
栅源之间加负向电压UGS＜0直至沟道消失，电流为零。
UGS=0V -1V -2V -3V 夹断电压
U GS ( off ) 0
栅源电压越负，电流越小 恒流区条件：
U GS U GS (off )
3、特性曲线与电流方程
转移特性 输出特性曲线
N沟道增强型MOS管在UGS=0时，无导电沟道，电流为零。
UGS加正向电压至开启电压后，电流随UGS的增大而增大。
VDS 为正的
6V 5V 4V 3V 开启电压
U GS ( th ) 0
栅源电压越正，电流越大 恒流区条件：
U GS U GS (th )
增强型N沟道
耗尽型N沟道
增强型P沟道 耗尽型P沟道
说明：
1、栅极用短线和沟道隔开，表示绝缘栅； 2、箭头：由P区指向N区； 3、虚线：增强型MOS管； 实线：耗尽型MOS管。
二、N沟道增强型MOS管的工作原理
在通常情况下，源极一般都与衬底相连，即UBS=0。 为保证N沟道增强型MOS管正常工作，应保证： ① UGS=0时，漏源之间是两只背向的PN结，不管UDS 极性 如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电 沟道。UGS必须大于0（UGS>0）管子才能工作。 ②漏极对源极的电压UDS必须为正值(UDS>0)。这样在漏 极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产 生自漏极流向源极的电流。
N沟道和P沟道MOS管工作原理
N沟道和P沟道MOS管工作原理MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常用的半导体器件，由金属-氧化物-半导体结构组成。
其中，N沟道MOS管和P沟道MOS管是两种常用的MOS管类型。
它们的工作原理略有不同，下面将详细介绍。
一、N沟道MOS管（N-Channel MOSFET）工作原理：N沟道MOS管的基本结构由N型衬底、P型衬底上的N型沟道、P型栅极和绝缘层（通常为氧化硅SiO2）组成。
当沟道中间层没有加电压时，P型沟道区域导电能力强于N型衬底区域，因此MOS管处于截止状态。
当P型栅极施加正向电压时，沟道区域下方的内电场将使P型区域带有正电荷，形成沟道通过，MOS管进入导通状态。
这种情况下，栅极-源极之间的电压被称为V_DS，栅极-沟道之间的电压被称为V_GS。
N沟道MOS管的工作原理是基于场效应。
当栅极-沟道电压(V_GS)增大时，场效应电压将增大，导致沟道区域的电荷密度增加，电流也会随之增加。
当V_GS增大到一定值时，沟道的电阻下降到很小，电流将接近饱和状态。
因此，N沟道MOS管可以被视为可以控制电流的开关。
二、P沟道MOS管（P-Channel MOSFET）工作原理：P沟道MOS管的基本结构与N沟道MOS管类似，但其沟道区域是P型半导体，而栅极是N型半导体。
与N沟道MOS管相比，P沟道MOS管的工作原理相反。
当P沟道MOS管的栅极电压为零时，由于N型沟道和P型衬底之间的PN结的反向偏置，形成一个截止区。
当P型栅极施加负向电压时，沟道区域的电荷会被压缩，在栅极电压达到一定值时，PN结会被反向击穿，沟道将打开，P沟道MOS管进入导通状态。
与N沟道MOS管类似，P沟道MOS管也是基于场效应工作的。
当栅极-沟道电压(V_GS)减小时，沟道中的电荷密度减小，导致电流减小。
当V_GS减小到一定值时，沟道关闭，电流为零。
因此，P沟道MOS管可以被视为可以控制电流的开关。
常用场效应管型参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
p沟道mos管和n沟道mos管应用电路
p沟道mos管和n沟道mos管应用电路
摘要：
1.MOS 管的基本概念
2.P 沟道MOS 管和N 沟道MOS 管的区别
3.P 沟道MOS 管和N 沟道MOS 管的应用电路
4.结论
正文：
一、MOS 管的基本概念
MOS 管，全称为金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管，是一种半导体器件，广泛应用于集成电路和电力电子设备中。
根据沟道类型的不同，MOS 管可以分为P 沟道MOS 管和N 沟道MOS 管。
二、P 沟道MOS 管和N 沟道MOS 管的区别
1.结构区别：P 沟道MOS 管的沟道由P 型半导体形成，而N 沟道MOS 管的沟道由N 型半导体形成。
2.工作原理区别：P 沟道MOS 管在正向电压作用下导通，而N 沟道MOS 管在负向电压作用下导通。
3.应用领域区别：P 沟道MOS 管主要应用于电源管理、模拟电路等，而N 沟道MOS 管主要应用于数字电路、功率放大器等。
三、P 沟道MOS 管和N 沟道MOS 管的应用电路
1.P 沟道MOS 管应用电路：例如，P 沟道MOS 管可以用作开关，控制电路的通断；还可以用作电压调整器，调整电源电压的大小。
2.N 沟道MOS 管应用电路：例如，N 沟道MOS 管可以用作开关，控制电路的通断；还可以用作电流放大器，放大电流信号。
四、结论
总的来说，P 沟道MOS 管和N 沟道MOS 管都具有广泛的应用，具体应用要根据电路的需求和MOS 管的特性来选择。
N沟道和P沟道MOS管
N沟道和P沟道M O S管 Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。
我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS 管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
这两种办法都可以减小开关损失。
管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。
这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。
MOS管如何判别管脚及检测好坏
MOS管如何判别管脚及检测好坏双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。
另一种晶体管，叫做场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。
FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，以下为N沟道和P沟道符号。
用指针式万用表对MOS管进行判别~01用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
02用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
详解场效应管管脚图接线图、引脚、检测方法、注意事项等
详解场效应管管脚图接线图、引脚、检测⽅法、注意事项等mos管三个引脚怎么区分G极，不⽤说⽐较好认。
S极，不论是p沟道还是N沟道，两根线相交的就是；D极，不论是p沟道还是N沟道，是单独引线的那边。
判定栅极G：场效应管管脚图接线图将万⽤表拨⾄R&TImes;1k档，⽤万⽤表的负极任意接⼀电极，另⼀只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻。
若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极。
漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很⼤，则为N沟道；若两次测得的阻值都很⼩，则为P沟道。
判定源极S、漏极D：在源-漏之间有⼀个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
⽤交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（⼀般为⼏千欧⾄⼗⼏千欧）的⼀次为正向电阻，此时⿊表笔的是S极，红表笔接D极。
MOS管脚测定⽅法①栅极G的测定：⽤万⽤表R×100 档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω)，该两脚是D、S，第三脚为G。
②漏极D、源极S及类型判定：⽤万⽤表 R ×10kΩ档测 D、S问正反向电阻，正向电阻约为0.2×10kΩ，反向电阻（5⼀∞）X100kΩ。
在测反向电阻时，红表笔不动，⿊表笔脱离引脚后，与G碰⼀下，然后回去再接原引脚，出现两种情况：a．若读数由原来较⼤值变为0(0×10kΩ)，则红表笔所接为S，⿊表笔为D。
⽤⿊表笔接触G有效，使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω，还可证明该管为N沟道。
b．若读数仍为较⼤值，⿊表笔不动，改⽤红表笔接触G，碰⼀下之后⽴即回到原脚，此时若读数为0Ω，则⿊表笔接的是S极、红表笔为D极，⽤红表笔接触G极有效，该MOS管为P沟道。
场效应管的检测和使⽤⼀、⽤指针式万⽤表对场效应管进⾏判别（1）⽤测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不⼀样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
场效应管(MOSFET)N、P沟道区分及导通条件
怎么样区别场效力管是N沟讲仍旧P沟讲？之阳早格格创做
问：正在电路图中N沟讲的MOS管箭头是背内侧指背，P沟讲的箭头是背中侧指背的.
N沟讲的丈量要领是:万用表挨到二极管档，白表笔交S 极，乌表笔交D极，测到400到800的阻值便不妨推断那个MOS管是N沟讲的.P沟讲的丈量要领是:万用表挨到二极管档，白表笔交D极，乌表笔交S极，测到400-800的阻值不妨推断那个MOS管是P沟讲的.（用表笔二极管档测s极战D极的一组数值（600-800）白S乌D是N沟讲乌S白D是P沟讲）.
场效力管分为N沟讲战P沟讲，它的导通条件分别是什么？
问：皆是靠正在G极上加一个触收电压，使N极取D极导通.对付N沟讲G极电压为+极性.对付P沟讲的G极电压为-极性.
（搀纯面的瞅下文）
场效力管的导通取截行由栅源电压去统造，对付于巩固型场效力管去道，N沟讲的管子加正背电压即导通，P沟讲的管子则加反背电压.普遍2V～4V便不妨了.
然而是，场效力管分为巩固型（常启型）战耗尽型（常关型），巩固型的管子是需要加电压才搞导通的，而耗尽型管
子本本便处于导通状态，加栅源电压是为了使其截行.启关惟有二种状态通战断，三极管战场效力管处事有三种状态，1、截行，2、线性搁大，3、鼓战（基极电流继承减少而集电极电流没有再减少）.使晶体管只处事正在1战3状态的电路称之为启关电路，普遍以晶体管截行，集电极没有吸支电流表示关；以晶体管鼓战，收射极战集电极之间的电压好交近于0V时表示启.启关电路用于数字电路时，输出电位交近0V时表示0，输出电位交近电源电压时表示1.所以数字集成电路里面的晶体管皆处事正在启关状态.。
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管是一种常用的电子器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。
场效应管的参数包括管子类型、三极管参数、特性参数等。
本文将介绍常用场效应管的参数及其代换关系。
1.场效应管的类型场效应管分为两种类型：N 沟道型（N-Channel）和 P 沟道型（P-Channel）。
N 沟道型的导电介质是负载，而 P 沟道型则是正载。
2.场效应管的三极管参数（1）漏源电流（ID）：场效应管导通时的电流。
（2）漏源电压（VD）：场效应管导通时的电压。
（3）栅极电压（VG）：用于控制场效应管导通和截止的电压。
（4）漏极电压（VDS）：场效应管导通时的漏极电压。
（5）栅源电压（VGS）：场效应管导通时的栅源电压。
3.场效应管的特性参数（1）漏源电流增益（gm）：当栅源电压变化时，漏源电流的变化率。
（2）输出电导（gds）：当栅源电压变化时，输出端漏源电流的变化率。
（3）输出电导增益（gm/gds）：输出电导与漏源电流的比值，表示场效应管的放大性能。
（4）输入电阻（Rin）：场效应管的输入端电阻，用于表示对输入信号的接受能力。
（5）输出电阻（Rout）：场效应管的输出端电阻，用于表示对输出信号的驱动能力。
（6）跨导电导增益（gm/rd）：跨导电导与输出电阻的比值，表示场效应管的放大性能。
（7）截止电压（VGSoff）：当栅源电压较低时，导通电流减小到很小的值。
4.场效应管的代换场效应管的代换常用于简化电路分析和设计。
常用的场效应管代换模型有三种：电流源代换、跨导电源代换和电阻代换。
（1）电流源代换：当场效应管工作在饱和区时，可以将电流源与场效应管并联，电流源的电流值等于场效应管漏源电流（ID），电压值等于场效应管的漏源电压（VD）。
（2）跨导电源代换：当场效应管工作在正常放大区时，可以将跨导电源与场效应管串联，跨导电源的电流值等于场效应管输电导（gm），电压值等于场效应管的栅源电压（VGS）。
（3）电阻代换：当输入电阻（Rin）和输出电阻（Rout）较大时，可以用电阻代替场效应管。
n沟道和p沟道mos管的使用
n沟道和p沟道mos管的使用说到电子电路中的MOS管，咱们常听到两个词儿——n沟道MOS管和p沟道MOS管。
其实它们俩，像两个调皮的小伙伴，虽然看起来是同一个“家族”里的，但它们的脾气、性格可是大不相同！咱们不妨一起来好好聊聊，这两位“亲戚”是怎么在电路里各显神通的。
首先啊，n沟道MOS管就像是电路中的“老司机”。
它有一个特别的特点——你给它一点儿“阳光”（也就是正电压），它就开始乖乖地带电流走。
所以说，n沟道MOS管要用一个正电压来让它工作。
简单点儿说，它就像是个“顺风车”，电流可以很容易地通过它。
所以如果你用它来接负载，电流流得顺畅得很。
你看，如果电流是水，那么n 沟道MOS管就是那个接水管的“水闸”，你轻轻一开，水就哗哗流出来了。
不过话说回来，p沟道MOS管呢，跟它可就不一样了。
这个小家伙喜欢反其道而行，电流流的方向跟n沟道正好相反。
你得给它一个“逆风”的力量（也就是负电压），它才会开始让电流通过，简直就像是一个逆风飞行的小鸟，非得要有点儿负压，它才能飞起来！所以，你想让电流通过p沟道MOS管，得先给它一个“反向”的刺激，不然它就死死地“堵住”电流。
这俩小家伙，一个是迎风而行，一个是逆风飞行，真是各有千秋，各有特色。
说到这里，咱们就不能不提到它们俩是怎么配合工作的了。
你想啊，n沟道和p沟道的搭配，就像是两位超级英雄联手拯救世界。
一个在正电压下“开门”，一个在负电压下“关门”，合起来，就能实现电流的精确控制。
比如在常见的CMOS电路中，它们两个就肩并肩站在一起，协作无间。
n沟道负责“拉电流”，p沟道负责“推电流”，大家互相配合，电流流动得既平稳又有序，简直是电路里的黄金搭档。
话说回来，你要真想掌握这两个家伙的使用诀窍，得从它们的“控制”电压说起。
你可能会想，电压到底有多重要啊？这个问题有点儿复杂，但是我给你简单说一下。
n沟道MOS管，它的“控制”电压得大于某个临界值（也就是叫阈值电压），当它达到这个电压的时候，电流才会从源极流向漏极。
用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏场效应管的识别方法及.
用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。
给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。
再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。
若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。
欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。
若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。
如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。
反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。
但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。
注意事项：（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。
但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。
其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。
（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。
三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。
现在锗合金管已经少见了。
这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。
场效应管(MOSFET)N、P沟道区分及导通条件
如何区分场效应管是N沟道还是P沟道？之杨若古兰创作
答：在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向，P 沟道的箭头是向外侧指向的.
N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接S 极，黑表笔接D极，测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的.P沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接D极，黑表笔接S极，测到400-800的阻值可以判断这个MOS管是P沟道的.（用表笔二极管档测s极和D极的一组数值（600-800）红S黑D是N沟道黑S红D是P沟道）.
场效应管分为N沟道和P沟道，它的导通条件分别是什么？
答：都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通.对N沟道G极电压为+极性.对P沟道的G极电压为-极性.
（复杂点的看下文）
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于加强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压.普通2V～4V就可以了.
但是，场效应管分为加强型（常开型）和耗尽型（常闭型），加强型的管子是须要加电压才干导通的，而耗尽型管子本来就处于导通形态，加栅源电压是为了使其截止.开关只要两种
形态通和断，三极管和场效应管工作有三种形态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续添加而集电极电流不再添加）.使晶体管只工作在1和3形态的电路称之为开关电路，普通以晶体管截止，集电极不接收电流暗示关；以晶体管饱和，发射极和集电极之间的电压差接近于0V时暗示开.开关电路用于数字电路时，输出电位接近0V时暗示0，输出电位接近电源电压时暗示1.所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关形态.。
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1．场效应管N沟道和P沟道判断方法
（1）场效应管的极性判断，管型判断（如图）
G极与D极和S极正反向均为∞
（2）场效应管的好坏判断
把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。
如果在最终测量结果中测得只有一次有读数，并且为“0”时，须用表笔短接场效应管识引脚，然后再测量一次，若又测得一组为500左右读数时，此管也为好管。
不符合以上规律的场效应管均为坏管。
场效应管的代换原则（注：只适合主板上场效应管的代换）
一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。
2．如果要问更简单的测试方法，就是：找一块有R*10K挡的指针表，将表打在R*10K挡，把管子放在绝缘好的板上，（因为场效应管的输入阻抗非常高），如万用表的玻璃上，先用镊子短路一下管脚，用黑笔定住D极，红笔定住S极，用一个手指摸G极，另一手指摸黑笔，这时候表针大幅度偏转，摸着G极的手指不放，摸着黑笔的手指放开黑笔，去摸红笔，这时表针反偏，再摸黑笔正偏，又摸红笔又反偏，正常的管子偏转脚度非常大，接近0欧姆，坏的管子不偏转，（不包括击穿），性能变坏的偏转小。
由于管子结构不同，在正偏时手指放开黑笔后表针反不反偏都为正常。
（就是有的还是保持在0欧姆左右，有的手指放开黑表笔后表针就回到无穷大）。
原理就是给控制栅极（G）加个高或低的电位，使其导通或截止。
3．部分供电MOS管电压计算方法
电路如图，这里常见MOS的S极输出电压计算与输入电压没有关系，和431上端的电阻也无关系，与图中的VCC也无关系(R1/R2的VCC有效，除外）
Vout＝Vref X （Ra＋Rb）/Ra
而Vref仅由R1、R2决定
R1 R2 Ra Rb 四个电阻的人为修改，均可直接改变MOS输出电压
其实1117 1084等器件内部也就是这样的
新手知识：MOS管原理
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。
另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把
输入电压的变化转化为输出电流的变化。
FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。
事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GA TE极下的绝缘体。
这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。
因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
首先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管。
这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开（图1.22A）。
金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。
他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。
图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。
这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。
图1.22A中的MOS电容的GATE电位是0V。
金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。
图示的器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。
这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。
这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。
图1.22B中是当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。
穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。
同时，空穴被排斥出表面。
随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。
由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。
掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。
随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。
Channel形成时的电
压被称为阈值电压Vt。
当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成
channel。
当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。
图1.22 MOS电容：（A）未偏置（VBG＝0V），（B）反转（VBG＝3V），（C）积累（VBG ＝-3V）。
图1.22C中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。
电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。
硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation 状态了。
MOS电容的特性能被用来形成MOS管。
图1.23A是最终器件的截面图。
Gate，电介质和backgate保持原样。
在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。
其中一个称为source，另一个称为drain。
假设source 和backgate都接地，drain接正电压。
只要GATE对BACKGATE 的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。
Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。
如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。
这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。
由电子组成的电流从source通过channel流到drain。
总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。
MOSFET晶体管的截面图：NMOS（A）和PMOS（B）。
在图中，S＝Source，G=Gate,D=Drain。
虽然backgate图上也有，但没有说明
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。
这样的器件被认为是对称的。
在对称的MOS管中，对soure和drain的标注有一点任意性。
定义上，载流子流出source，流入drain。
因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。
有时晶
体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。
这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。
Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。
制造非对称晶体管有很多理由，但所有的最终结果都是一样的。
一个引线端被优化作为drain，另一个被优化作为source。
如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。
5 i8 m$ K; H) N+ y$ T 图1.23A中的晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS 管，或NMOS。
P-channel MOS（PMOS）管也存在。
图1.23B中就是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE 正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。
硅的表面就积累，没有channel形成。
如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。
因此PMOS 管的阈值电压是负值。
由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。
一个工程师可能说，“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”，实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。
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