三极管伏安特性
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3、温度对β的影响：晶体管的电流放大系数β 温度对β的影响：晶体管的电流放大系数β 随温度升高而增大，变化规律是：每升高1℃ 1℃， 随温度升高而增大，变化规律是：每升高1℃，β 值增大0.5 1%。 0.5～ 值增大0.5～1%。 在输出特性曲线上，曲线间的距离随温度升 在输出特性曲线上， 高而增大。 高而增大。 总之： 温度对U 总之： 温度对UBE、ICBO和 β的影响反映在管 Ic上 Ic随温度升 子上的集电极电流 Ic上，它们都是使 Ic随温度升 高而增大，这样造成的后果将在后面的放大电路 高而增大， 的稳定及反馈中详细讨论。 的稳定及反馈中详细讨论。
此区域中 : 100µA µ IB=0,IC=ICEO 80µ,UBE< 死区 µA 60µ电压，称为 A µ电压， 截止区。 截止区。 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
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输出特性曲线簇
11
输出特性三个区域的特点: 输出特性三个区域的特点
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=βIB , 且 ∆IC = β ∆ IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE<UBE ， βIB>IC，UCE≈0.3V (3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ≈0 截止区： 死区电压，
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结论： 结论： 在放大区， 0.7V， 0，Je正偏 正偏， 在放大区，UBE> 0.7V，UBC< 0，Je正偏， Jc反偏，Ic随IB变化而变化，但与UCE的大小基 反偏， 变化而变化，但与U 本无关。 本无关。 具有很强的电流放大作用！ ΔIc>>ΔIB，具有很强的电流放大作用！
15
3、饱和区： 饱和区：
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（3）即使三极管工作在放大区，由于其输入，输 即使三极管工作在放大区，由于其输入， 出特性并不完全理想（表现为曲线而非直线）， 出特性并不完全理想（表现为曲线而非直线）， 因此放大后的波形仍有一定程度的非线性失真。 因此放大后的波形仍有一定程度的非线性失真。 （4）由于三极管是一个非线性元件，其各项参数 由于三极管是一个非线性元件， 都不是常数， （如β、rbe等）都不是常数，因此在分析三极管组 成的放大电路时， 成的放大电路时，不能简单地采用线性电路的分 析方法。 析方法。而放大电路的基本分析方法是图解法和 微变等效电路（小信号电路分析） 微变等效电路（小信号电路分析）法。
8
4 3 2 1
IC(mA ) 此区域中U 100µA 此区域中 CE<UBE, µ 集电结正偏， 集电结正偏， βIB>IC，UCE≈0.3V 80µA µ ， 称为饱和区。 称为饱和区。 60µA µ 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
9
3
6
9
IC(mA ) 4 3 2 1 3 6 9
4
1.3.4 特性曲线
IB mA
IC
µA
RB V UBE V UCE
EC
EB
实验线路
5
一、输入特性
UCE =0.5V UCE=0V
IB(µA) µ
80 60 死区电 压，硅管 0.5V，锗 ， 管0.2V。 。 40 20 0.4 0.8
UCE ≥1V 工作压降： 工作压降： 硅管 UBE≈0.6~0.7V,锗 锗 管UBE≈0.2~0.3V。 。
1
一、输入特性曲线 输入特性是指三极管输入回路中， 输入特性是指三极管输入回路中，加在基 极和发射极的电压U 极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电 之间的关系。 流IB之间的关系。 （1）UCE = 0时相当于集电极与发射极短路， 0时相当于集电极与发射极短路 时相当于集电极与发射极短路， 此时，IB和UBE的关系就是发射结和集电结两个 此时， 正向二极管并联的伏安特性。 正向二极管并联的伏安特性。 因为此时J 均正偏， 因为此时JE和JC均正偏，IB是发射区和集电 区分别向基区扩散的电子电流之和。 区分别向基区扩散的电子电流之和。
2、放大区
晶体管工作在放大模式下 : 0， UBE > 0.7V, UBC < 0，此时特性曲线表现为 近似水平的部分，而且变化均匀， 近似水平的部分，而且变化均匀，它有两个 特点： 特点： 的大小受I 的控制； ① Ic的大小受IB的控制；ΔIc>>ΔIB； 随着U 的增加，曲线有些上翘。 ② 随着UCE的增加，曲线有些上翘。 此时 : ΔIc>>ΔIB，管子在放大区具有很强的 电流放大作用。 电流放大作用。
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5、晶体管三极管的工作特点如下： 晶体管三极管的工作特点如下：
（1）为了在放大模式信号时不产生明显的失真， 为了在放大模式信号时不产生明显的失真， 三极管应该工作在输入特性的线性部分， 三极管应该工作在输入特性的线性部分，而且始 终工作在输出特性的放大区， 终工作在输出特性的放大区，任何时候都不能工 作在截止区和饱和区。 作在截止区和饱和区。 （2）为了保证三极管工作在放大区，在组成放大 为了保证三极管工作在放大区， 电路时， 电路时，外加的电源的极性应使三有管的发射结 处于正向偏置状态，集电结则处于反向偏置状态。 处于正向偏置状态，集电结则处于反向偏置状态。
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二、输出特性 IC(mA ) 此区域满 4 足IC=βIB β 3 称为线性 区（放大 区）。 2 1 3 6 9
当UCE大于一 定的数值时， 定的数值时，IC 100µA µ 只与I 有关， 只与 B有关， IC=βIB。A β80µ µ
60µA µ 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
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三、温度对晶体管特性的影响
由于三极管也是由半导体材料构成，和二极管一样， 由于三极管也是由半导体材料构成，和二极管一样， 温度对晶体管的特性有着不容忽视的影响。 温度对晶体管的特性有着不容忽视的影响。表现在以下 三个方面： 三个方面： 1、温度对UBE的影响：输入特性曲线随温度升高向左 温度对U 的影响：输入特性曲线随温度升高向左 这样在I 不变时， 将减小。 移，这样在IB不变时，UBE将减小。UBE随温度变化的规 律与二极管正向导通电压一样， 温度每升高1℃ 1℃， 律与二极管正向导通电压一样，即：温度每升高1℃， 减小2 2.5mV。 UBE减小2～2.5mV。 是集电结的反向饱和电流， 2、温度对ICBO的影响：ICBO是集电结的反向饱和电流， 温度对I 的影响： 它随温度变化的规律是：温度每升高10℃ 10℃， 它随温度变化的规律是：温度每升高10℃，ICBO约增大 一倍。 一倍。
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1、截止区： 截止区：
晶体管工作在截止模式下， 晶体管工作在截止模式下，有： <0.7V， UBE<0.7V，UBC<0 所以： 0， 所以： IB ≤ 0，IE = IC = 0 结论： 结论： 发射结Je反向偏置时，晶体管是截止的。 Je反向偏置时 发射结Je反向偏置时，晶体管是截止的。
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4、击穿区
随着U 增大，加在J 上的反向偏置电压U 相应增大。 随着UCE增大，加在JE上的反向偏置电压UCB相应增大。 增大到一定值时，集电结就会发生反向击穿， 当UCE增大到一定值时，集电结就会发生反向击穿，造成集电极电 流Ic剧增，这一特性表现在输出特性图上则为击穿区域。 Ic剧增，这一特性表现在输出特性图上则为击穿区域。 剧增 造成击穿的原因： 造成击穿的原因： 由于集电结是轻掺杂的，产生的反向击穿主要是雪崩击穿，击穿 由于集电结是轻掺杂的，产生的反向击穿主要是雪崩击穿， 电压较大。除此之外，在基区宽度很小的三极管中，还会发生特有 电压较大。除此之外，在基区宽度很小的三极管中， 的穿通击穿， 增大时， 相应增大，导致集电结Jc Jc的阻 的穿通击穿，即：当UCE增大时，UCB相应增大，导致集电结Jc的阻 挡层宽度增宽，直到集电结与发射结相遇，基区消失， 挡层宽度增宽，直到集电结与发射结相遇，基区消失，这时发射区 的多子电子将直接受集电结电场的作用，引起集电极电流迅速增大， 的多子电子将直接受集电结电场的作用，引起集电极电流迅速增大， 呈现类似击穿的现象。 呈现类似击穿的现象。 三极管的反向击穿主要表现为集电结的雪崩击穿。 三极管的反向击穿主要表现为集电结的雪崩击穿。
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四、三极管的开关工作特性： 三极管的开关工作特性：
（轮流工作在饱和模式和截止模式下） 轮流工作在饱和模式和截止模式下） 三极管的开关特性在数字电路中用得非常广 是数电路中最基本的开关元件， 泛，是数电路中最基本的开关元件，通常不是 工作在饱和区就是工作在截止区， 工作在饱和和的过渡过程中，是瞬间即逝的， 为饱和的过渡过程中，是瞬间即逝的， 因此对开关管， 因此对开关管，我们要特别注意其开关条件 和它在开关状态下的工作特点。（重点在结论） 。（重点在结论 和它在开关状态下的工作特点。（重点在结论）
2
输入特性 曲线簇
3
（2）UCE≥1V 即：给集电结加上固定的反向 电压，集电结的吸引力加强！ 电压，集电结的吸引力加强！使得从发射区进入 基区的电子绝大部分流向集电极形成I 基区的电子绝大部分流向集电极形成Ic。 同时，在相同的UBE值条件下，流向基极的 同时，在相同的U 值条件下， 电流IB减小，即特性曲线右移， 电流I 减小，即特性曲线右移， 总之， 总之，晶体管的输入特性曲线与二极管的正 向特性相似，因为b 间是正向偏置的PN PN结 向特性相似，因为b、e间是正向偏置的PN结 放大模式下） （放大模式下）
晶体管工作在饱和模式下： 晶体管工作在饱和模式下： >0.7V， >0， Je、Jc均正偏 均正偏。 UBE>0.7V，UBC>0，即：Je、Jc均正偏。 特点：曲线簇靠近纵轴附近， 特点：曲线簇靠近纵轴附近，各条曲线的上升 部分十分密集，几乎重叠在一起，可以看出： 部分十分密集，几乎重叠在一起，可以看出： 改变时， 基本上不会随之而改变。 当 IB 改变时，Ic 基本上不会随之而改变。 晶体管饱和的程度将因I Ic的数值不同而改变 的数值不同而改变， 晶体管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同而改变，
§1-5-3 晶体三极管的伏安特性曲线
晶体管的伏安特性曲线是描述三极管的各端电流与 PN结外加电压之间的关系的一种形式 两个PN结外加电压之间的关系的一种形式， 两个PN结外加电压之间的关系的一种形式，其特点是能 直观，全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。 直观，全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。 晶体管的特性曲线一般用实验方法描绘或专用仪器 如晶体管图示仪）测量得到。 （如晶体管图示仪）测量得到。 晶体三极管为三端器件，在电路中要构成四端网络， 晶体三极管为三端器件，在电路中要构成四端网络， 它的每对端子均有两个变量（端口电压和电流）， ），因此 它的每对端子均有两个变量（端口电压和电流），因此 要在平面坐标上表示晶体三极管的伏安特性， 要在平面坐标上表示晶体三极管的伏安特性，就必须采 用两组曲线簇，我们最常采用的是输入特性曲线簇 输入特性曲线簇和 用两组曲线簇，我们最常采用的是输入特性曲线簇和输 出特性曲线簇。 出特性曲线簇。
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一般规定： 一般规定： 时的状态为临界饱和 临界饱和（ =0） 当 UCE=UBE 时的状态为临界饱和（VCB=0） 时的状态为过饱和 过饱和； 当 UCE＜UBE 时的状态为过饱和； 饱和时的UCE用UCES表示，三极管深度饱和时 饱和时的U 表示， 很小，一般小功率管的U 0.3V， UCES很小，一般小功率管的UCES＜ 0.3V，而锗管的 0.1V，比硅管还要小。 UCES＜ 0.1V，比硅管还要小。
UBE(V)
6
二、输出特性曲线
输出特性通常是指在一定的基极电流I 输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制 三极管的集电极与发射极之间的电压U 下，三极管的集电极与发射极之间的电压UCE同 集电极电流I 的关系。 集电极电流Ic的关系。 现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以 IB为参变量时，Ic和UCE间的关系： 为参变量时， 间的关系： 即 Ic= f(UCE)|IB = 常数 实测的输出特性曲线如图所示： 实测的输出特性曲线如图所示：根据外加电 压的不同，整个曲线可划分为四个区： 压的不同，整个曲线可划分为四个区： 放大区、截止区、饱和区、击穿区 放大区、截止区、饱和区、
3、温度对β的影响：晶体管的电流放大系数β 温度对β的影响：晶体管的电流放大系数β 随温度升高而增大，变化规律是：每升高1℃ 1℃， 随温度升高而增大，变化规律是：每升高1℃，β 值增大0.5 1%。 0.5～ 值增大0.5～1%。 在输出特性曲线上，曲线间的距离随温度升 在输出特性曲线上， 高而增大。 高而增大。 总之： 温度对U 总之： 温度对UBE、ICBO和 β的影响反映在管 Ic上 Ic随温度升 子上的集电极电流 Ic上，它们都是使 Ic随温度升 高而增大，这样造成的后果将在后面的放大电路 高而增大， 的稳定及反馈中详细讨论。 的稳定及反馈中详细讨论。
此区域中 : 100µA µ IB=0,IC=ICEO 80µ,UBE< 死区 µA 60µ电压，称为 A µ电压， 截止区。 截止区。 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
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输出特性曲线簇
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输出特性三个区域的特点: 输出特性三个区域的特点
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=βIB , 且 ∆IC = β ∆ IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE<UBE ， βIB>IC，UCE≈0.3V (3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ≈0 截止区： 死区电压，
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结论： 结论： 在放大区， 0.7V， 0，Je正偏 正偏， 在放大区，UBE> 0.7V，UBC< 0，Je正偏， Jc反偏，Ic随IB变化而变化，但与UCE的大小基 反偏， 变化而变化，但与U 本无关。 本无关。 具有很强的电流放大作用！ ΔIc>>ΔIB，具有很强的电流放大作用！
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3、饱和区： 饱和区：
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（3）即使三极管工作在放大区，由于其输入，输 即使三极管工作在放大区，由于其输入， 出特性并不完全理想（表现为曲线而非直线）， 出特性并不完全理想（表现为曲线而非直线）， 因此放大后的波形仍有一定程度的非线性失真。 因此放大后的波形仍有一定程度的非线性失真。 （4）由于三极管是一个非线性元件，其各项参数 由于三极管是一个非线性元件， 都不是常数， （如β、rbe等）都不是常数，因此在分析三极管组 成的放大电路时， 成的放大电路时，不能简单地采用线性电路的分 析方法。 析方法。而放大电路的基本分析方法是图解法和 微变等效电路（小信号电路分析） 微变等效电路（小信号电路分析）法。
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IC(mA ) 此区域中U 100µA 此区域中 CE<UBE, µ 集电结正偏， 集电结正偏， βIB>IC，UCE≈0.3V 80µA µ ， 称为饱和区。 称为饱和区。 60µA µ 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
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IC(mA ) 4 3 2 1 3 6 9
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1.3.4 特性曲线
IB mA
IC
µA
RB V UBE V UCE
EC
EB
实验线路
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一、输入特性
UCE =0.5V UCE=0V
IB(µA) µ
80 60 死区电 压，硅管 0.5V，锗 ， 管0.2V。 。 40 20 0.4 0.8
UCE ≥1V 工作压降： 工作压降： 硅管 UBE≈0.6~0.7V,锗 锗 管UBE≈0.2~0.3V。 。
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一、输入特性曲线 输入特性是指三极管输入回路中， 输入特性是指三极管输入回路中，加在基 极和发射极的电压U 极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电 之间的关系。 流IB之间的关系。 （1）UCE = 0时相当于集电极与发射极短路， 0时相当于集电极与发射极短路 时相当于集电极与发射极短路， 此时，IB和UBE的关系就是发射结和集电结两个 此时， 正向二极管并联的伏安特性。 正向二极管并联的伏安特性。 因为此时J 均正偏， 因为此时JE和JC均正偏，IB是发射区和集电 区分别向基区扩散的电子电流之和。 区分别向基区扩散的电子电流之和。
2、放大区
晶体管工作在放大模式下 : 0， UBE > 0.7V, UBC < 0，此时特性曲线表现为 近似水平的部分，而且变化均匀， 近似水平的部分，而且变化均匀，它有两个 特点： 特点： 的大小受I 的控制； ① Ic的大小受IB的控制；ΔIc>>ΔIB； 随着U 的增加，曲线有些上翘。 ② 随着UCE的增加，曲线有些上翘。 此时 : ΔIc>>ΔIB，管子在放大区具有很强的 电流放大作用。 电流放大作用。
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5、晶体管三极管的工作特点如下： 晶体管三极管的工作特点如下：
（1）为了在放大模式信号时不产生明显的失真， 为了在放大模式信号时不产生明显的失真， 三极管应该工作在输入特性的线性部分， 三极管应该工作在输入特性的线性部分，而且始 终工作在输出特性的放大区， 终工作在输出特性的放大区，任何时候都不能工 作在截止区和饱和区。 作在截止区和饱和区。 （2）为了保证三极管工作在放大区，在组成放大 为了保证三极管工作在放大区， 电路时， 电路时，外加的电源的极性应使三有管的发射结 处于正向偏置状态，集电结则处于反向偏置状态。 处于正向偏置状态，集电结则处于反向偏置状态。
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二、输出特性 IC(mA ) 此区域满 4 足IC=βIB β 3 称为线性 区（放大 区）。 2 1 3 6 9
当UCE大于一 定的数值时， 定的数值时，IC 100µA µ 只与I 有关， 只与 B有关， IC=βIB。A β80µ µ
60µA µ 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
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三、温度对晶体管特性的影响
由于三极管也是由半导体材料构成，和二极管一样， 由于三极管也是由半导体材料构成，和二极管一样， 温度对晶体管的特性有着不容忽视的影响。 温度对晶体管的特性有着不容忽视的影响。表现在以下 三个方面： 三个方面： 1、温度对UBE的影响：输入特性曲线随温度升高向左 温度对U 的影响：输入特性曲线随温度升高向左 这样在I 不变时， 将减小。 移，这样在IB不变时，UBE将减小。UBE随温度变化的规 律与二极管正向导通电压一样， 温度每升高1℃ 1℃， 律与二极管正向导通电压一样，即：温度每升高1℃， 减小2 2.5mV。 UBE减小2～2.5mV。 是集电结的反向饱和电流， 2、温度对ICBO的影响：ICBO是集电结的反向饱和电流， 温度对I 的影响： 它随温度变化的规律是：温度每升高10℃ 10℃， 它随温度变化的规律是：温度每升高10℃，ICBO约增大 一倍。 一倍。
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1、截止区： 截止区：
晶体管工作在截止模式下， 晶体管工作在截止模式下，有： <0.7V， UBE<0.7V，UBC<0 所以： 0， 所以： IB ≤ 0，IE = IC = 0 结论： 结论： 发射结Je反向偏置时，晶体管是截止的。 Je反向偏置时 发射结Je反向偏置时，晶体管是截止的。
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4、击穿区
随着U 增大，加在J 上的反向偏置电压U 相应增大。 随着UCE增大，加在JE上的反向偏置电压UCB相应增大。 增大到一定值时，集电结就会发生反向击穿， 当UCE增大到一定值时，集电结就会发生反向击穿，造成集电极电 流Ic剧增，这一特性表现在输出特性图上则为击穿区域。 Ic剧增，这一特性表现在输出特性图上则为击穿区域。 剧增 造成击穿的原因： 造成击穿的原因： 由于集电结是轻掺杂的，产生的反向击穿主要是雪崩击穿，击穿 由于集电结是轻掺杂的，产生的反向击穿主要是雪崩击穿， 电压较大。除此之外，在基区宽度很小的三极管中，还会发生特有 电压较大。除此之外，在基区宽度很小的三极管中， 的穿通击穿， 增大时， 相应增大，导致集电结Jc Jc的阻 的穿通击穿，即：当UCE增大时，UCB相应增大，导致集电结Jc的阻 挡层宽度增宽，直到集电结与发射结相遇，基区消失， 挡层宽度增宽，直到集电结与发射结相遇，基区消失，这时发射区 的多子电子将直接受集电结电场的作用，引起集电极电流迅速增大， 的多子电子将直接受集电结电场的作用，引起集电极电流迅速增大， 呈现类似击穿的现象。 呈现类似击穿的现象。 三极管的反向击穿主要表现为集电结的雪崩击穿。 三极管的反向击穿主要表现为集电结的雪崩击穿。
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四、三极管的开关工作特性： 三极管的开关工作特性：
（轮流工作在饱和模式和截止模式下） 轮流工作在饱和模式和截止模式下） 三极管的开关特性在数字电路中用得非常广 是数电路中最基本的开关元件， 泛，是数电路中最基本的开关元件，通常不是 工作在饱和区就是工作在截止区， 工作在饱和和的过渡过程中，是瞬间即逝的， 为饱和的过渡过程中，是瞬间即逝的， 因此对开关管， 因此对开关管，我们要特别注意其开关条件 和它在开关状态下的工作特点。（重点在结论） 。（重点在结论 和它在开关状态下的工作特点。（重点在结论）
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输入特性 曲线簇
3
（2）UCE≥1V 即：给集电结加上固定的反向 电压，集电结的吸引力加强！ 电压，集电结的吸引力加强！使得从发射区进入 基区的电子绝大部分流向集电极形成I 基区的电子绝大部分流向集电极形成Ic。 同时，在相同的UBE值条件下，流向基极的 同时，在相同的U 值条件下， 电流IB减小，即特性曲线右移， 电流I 减小，即特性曲线右移， 总之， 总之，晶体管的输入特性曲线与二极管的正 向特性相似，因为b 间是正向偏置的PN PN结 向特性相似，因为b、e间是正向偏置的PN结 放大模式下） （放大模式下）
晶体管工作在饱和模式下： 晶体管工作在饱和模式下： >0.7V， >0， Je、Jc均正偏 均正偏。 UBE>0.7V，UBC>0，即：Je、Jc均正偏。 特点：曲线簇靠近纵轴附近， 特点：曲线簇靠近纵轴附近，各条曲线的上升 部分十分密集，几乎重叠在一起，可以看出： 部分十分密集，几乎重叠在一起，可以看出： 改变时， 基本上不会随之而改变。 当 IB 改变时，Ic 基本上不会随之而改变。 晶体管饱和的程度将因I Ic的数值不同而改变 的数值不同而改变， 晶体管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同而改变，
§1-5-3 晶体三极管的伏安特性曲线
晶体管的伏安特性曲线是描述三极管的各端电流与 PN结外加电压之间的关系的一种形式 两个PN结外加电压之间的关系的一种形式， 两个PN结外加电压之间的关系的一种形式，其特点是能 直观，全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。 直观，全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。 晶体管的特性曲线一般用实验方法描绘或专用仪器 如晶体管图示仪）测量得到。 （如晶体管图示仪）测量得到。 晶体三极管为三端器件，在电路中要构成四端网络， 晶体三极管为三端器件，在电路中要构成四端网络， 它的每对端子均有两个变量（端口电压和电流）， ），因此 它的每对端子均有两个变量（端口电压和电流），因此 要在平面坐标上表示晶体三极管的伏安特性， 要在平面坐标上表示晶体三极管的伏安特性，就必须采 用两组曲线簇，我们最常采用的是输入特性曲线簇 输入特性曲线簇和 用两组曲线簇，我们最常采用的是输入特性曲线簇和输 出特性曲线簇。 出特性曲线簇。
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一般规定： 一般规定： 时的状态为临界饱和 临界饱和（ =0） 当 UCE=UBE 时的状态为临界饱和（VCB=0） 时的状态为过饱和 过饱和； 当 UCE＜UBE 时的状态为过饱和； 饱和时的UCE用UCES表示，三极管深度饱和时 饱和时的U 表示， 很小，一般小功率管的U 0.3V， UCES很小，一般小功率管的UCES＜ 0.3V，而锗管的 0.1V，比硅管还要小。 UCES＜ 0.1V，比硅管还要小。
UBE(V)
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二、输出特性曲线
输出特性通常是指在一定的基极电流I 输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制 三极管的集电极与发射极之间的电压U 下，三极管的集电极与发射极之间的电压UCE同 集电极电流I 的关系。 集电极电流Ic的关系。 现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以 IB为参变量时，Ic和UCE间的关系： 为参变量时， 间的关系： 即 Ic= f(UCE)|IB = 常数 实测的输出特性曲线如图所示： 实测的输出特性曲线如图所示：根据外加电 压的不同，整个曲线可划分为四个区： 压的不同，整个曲线可划分为四个区： 放大区、截止区、饱和区、击穿区 放大区、截止区、饱和区、