电机驱动入门简述与应用电路

V1.0

目录

一、电机 (2)

二、PWM (2)

三、电机驱动 (3)

1、原理介绍 (3)

2、H桥 (3)

3、电机驱动保护 (4)

四、场效应管 (4)

五、集成驱动芯片及应用电路 (5)

1、L298 (5)

2、MC33886 (6)

3、BTS/BTN系列 (6)

4、集成驱动芯片的问题 (7)

六、分立元件驱动电路 (8)

1、2PMOS+2NMOS (8)

2、4NMOS (9)

七、PCB注意事项 (11)

一、电机

电机（马达）是指依据电磁感应定律实现电能转换或传递的一种电磁装置（电能转化为机械能）。在电路中用字母M表示。按工作电源种类划分可分为直流电机和交流电机。直流电动机按结构及工作原理可划分无刷直流电动机和有刷直流电动机……等等。分类巨多，用处各不同。智能车用的电机是比较简单的永磁直流电机。对于这样的电机，给其正负端加上正电压，向前转，加上负电压，向后转。

这就像从前玩过的四驱车，打开开关，车就开了，但是问题是这样没法实现调速。智能车控制中加速减速是必须的，所以我们需要一个模块对电机进行加减速甚至正反转的控制，这个模块就是电机驱动。

二、PWM

可以想象，用表1三种方波控制开关闭合时间的效果必定不同，电机速度依次增加。

1、原理介绍(本文档原理全部为帮助理解，并不是准确的电路理论)

由以上的说明我们可以得到这样一个直观认识：电机驱动可以视为一个可以由电路控制的开关。所以理论上一切有开关特性的电子元器件皆可用来构成电机驱动（但是要考虑功率等的问题）。比如继电器、三极管、场效应管等。但其中继电器的控制频率受很大限制，一般三极管的功率达不到要求，所以现在的智能车电机驱动多采用场效应管（不管是分立元件还是集成芯片）。

再回到电机操作上，你可以发现，有一个可控开关（现在姑且这么称呼）的电机驱动的却可以实现对电机速度的控制，但是有时候在急弯前需要刹车，即给车一个反向加速度，制动力让车迅速减速，这时候上述方案就不行了，因为上面的电路电机对车的力反向只是从0到最大，而如果希望倒转，则需要从负值最大到正值最大。实现这个想法的电路叫做H桥，又称为全桥驱动。

2、H桥

状态1 状态2 桥是如何实现控制电机的正转倒转调速的请看表2的状态1与状态2

中，左上角和右下角的可控开关导通，左下角和右上角的开关断开，此时电机正端（规定此图中左端为正）加上正电压，负端接地，电流正向流过，电机正转。

中，左下角和右上角的可控开关导通，左上角和右下角

此时电机正端接地，负端加上正电压，电流负向流过，

这样就实现了控制电机正转倒转。调速的方式和之前一样，输

信号，使之每周期导通的时间受控，实现速度调节。

桥的四个控制臂可以输入多种状态的信号，状态1和状态2

只是其中两种，而有一种特殊的状态需要特别注意：某一边的控制

端同时让开关导通（右图）。这时，很明显，相当于正负极短路了，

正如上文所述，在驱动电路中，由于它有上下二只可控开关：一只一端直接电源（上）和一只一端直接地（下），正常时这上下二只开关不应该同时导通，因在这种种情况时就相把电源和地短路了，可实际中多半由于电路设计或器件原因，这种现象出现了，只是时间很短没造成大故障，这种现象我们就称为共态导通，它的坏处会多耗很多功率，并让开关（场效应管等）很快发热导致损坏。所以一定要注意避免这种情况的发生。现在的驱动芯片多集成了共态导通保护功能，有死区时间和欠压保护等。

死区时间是PWM输出时，为了使H桥或半H桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段。通常也指PWM响应时间。

欠压保护是防止供电电压不足时产生意想不到的情况（共态导通、电流回灌等）驱动芯片控制开关断开的保护方式。

除此之外还有过流保护、过压保护、过热保护等，可以查阅相关资料了解。

四、场效应管

上文中我们一直在用可控开关来代替真实的电子元件，而我们也提到了现在的智能车电机驱动多采用场效应管。场效应管是魔电的内容，这里仅讲其应用。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、可驱动高功率器件、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

我们这里使用的是增强型MOS管（如表三）。

表三

导通的意思是作为开关相当于开关闭合。

NMOS的特性V GS（栅源电压）大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况。低端驱动只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性V GS小于一定的值就会导通适（适用于源极接VCC时的情况）。虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动。但由于导通电阻大、价格贵替换种类少等原因在高端驱动中通常还是使用NMOS。

导通电阻R DS(on)可以在Datasheet上查到。所以我们就可以把NMOS等效成一个高控制电压控制其导通的开关，把PMOS等效成一个低控制电压导通的开关。栅极相当于控制端。但是要注意的是这里的“导通”，并不是一达到某一个值就立即R DS降到最低，而是一个连续的过程，所以中间肯定会出现“不完全导通”的情况，也就是控制电压不够高或者不够低，这时，驱动会发热，甚至烧毁驱动（不完全断开亦然）。所以为防止这种情况，最好能给控制电压升压。最好能达到栅源电压甚至更高。

我们可以得到的驱动方式是4NMOS驱动（常用，效果最好，导通电阻最低但是容易出现共态导通，需要专门芯片控制），2PMOS+2NMOS（常用，效果较好，导通电阻不高，不容易出现共态导通），4PMOS（不常用，效果最差，导通电阻最高，容易出现共态导通，这个方案直接淘汰）。

最后的两个方案是4NMOS和2PMOS+2NMOS，这些方案的电路在之后分立元件驱动电路中进行展示。

五、集成驱动芯片及应用电路

电机驱动如此常用，当然会有厂家推出集成芯片供使用，常用的集成驱动芯片有：L298、MC33886、BTS(BTN)7960/7970/7971（BTS/BTN这些芯片同属一个系列大同小异）。

L298

L298是双全桥（两个H桥）集成电路，可以驱动两个电机。既可以驱动直流电机也可以驱动步进电机，每路的最大电流是2A。

实际使用中，如果驱动一个电机，可以将两路并联已获得最大4A的驱动能力。

应用电路如下：IN1-4对应OUT1-4的电平状态，一般用来控制正转倒转。ENA和ENB 是使能端，一般用来输入PWM。