第4讲 场效应管

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场效应管的结构及工作原理(教案)

场效应管的结构及工作原理(教案)

场效应管的结构及工作原理(教案)第一章:引言1.1 课程背景本课程旨在帮助学生了解和掌握场效应管的结构及工作原理。

场效应管作为一种重要的半导体器件,在电子电路中具有广泛的应用。

1.2 学习目标了解场效应管的基本结构理解场效应管的工作原理第二章:场效应管的基本结构2.1 结型场效应管(JFET)2.1.1 N沟道JFET2.1.2 P沟道JFET2.2 金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)2.2.1 N型MOSFET2.2.2 P型MOSFET2.3 场效应管的封装与引脚第三章:场效应管的工作原理3.1 JFET的工作原理3.1.1 导电通道的形成3.1.2 栅极电压对导电通道的控制3.2 MOSFET的工作原理3.2.1 导电通道的形成3.2.2 栅极电压对导电通道的控制3.3 场效应管的导通与截止条件第四章:场效应管的特性4.1 静态特性4.1.1 输入特性4.1.2 输出特性4.2 动态特性4.2.1 过渡时间4.2.2 开关速度4.3 场效应管的参数第五章:场效应管的应用5.1 放大器应用5.1.1 放大器的基本原理5.1.2 放大器的设计与实现5.2 开关应用5.2.1 开关的基本原理5.2.2 开关的设计与实现5.3 其他应用场效应管的结构及工作原理(教案)第六章:结型场效应管(JFET)的特性6.1 输出特性6.1.1 电流-电压关系6.1.2 输出特性曲线6.2 输入特性6.2.1 输入阻抗6.2.2 输入特性曲线6.3 传输特性6.3.1 传输特性曲线6.3.2 转移特性分析第七章:金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的特性7.1 MOSFET的输出特性7.1.1 电流-电压关系7.1.2 输出特性曲线7.2 MOSFET的输入特性7.2.1 输入阻抗7.2.2 输入特性曲线7.3 MOSFET的传输特性7.3.1 传输特性曲线7.3.2 转移特性分析第八章:场效应管的驱动电路8.1 驱动电路的作用8.1.1 驱动场效应管的需求8.1.2 驱动电路的设计原则8.2 驱动电路的设计8.2.1 电压驱动电路8.2.2 电流驱动电路8.3 驱动电路的稳定性与保护第九章:场效应管的电路应用实例9.1 放大器应用实例9.1.1 单级JFET放大器9.1.2 多级MOSFET放大器9.2 开关应用实例9.2.1 数字开关9.2.2 模拟开关9.3 其他应用实例9.3.1 电压控制放大器9.3.2 功率放大器第十章:总结与展望10.1 课程总结10.1.1 场效应管的结构特点10.1.2 场效应管的工作原理与特性10.2 场效应管的应用领域10.2.1 电子设备中的应用10.2.2 未来发展趋势10.3 练习与思考题10.3.1 填空题10.3.2 选择题10.3.3 简答题10.3.4 设计题场效应管的结构及工作原理(教案)第十一章:场效应管的测试与故障诊断11.1 测试仪器与设备11.1.1 直流参数测试仪11.1.2 交流参数测试仪11.2 场效应管的测试项目11.2.1 栅极电阻测试11.2.2 漏极电流测试11.2.3 源极电阻测试11.3 故障诊断与分析11.3.1 故障类型及原因11.3.2 故障诊断流程第十二章:场效应管的可靠性与寿命12.1 可靠性基本概念12.1.1 可靠性的定义12.1.2 可靠性参数12.2 影响场效应管可靠性的因素12.2.1 材料与工艺因素12.2.2 环境因素12.3 提高场效应管可靠性的措施12.3.1 设计优化12.3.2 生产工艺控制第十三章:场效应管的节能与环保13.1 节能的重要性13.1.1 电子设备的能耗问题13.1.2 场效应管在节能中的作用13.2 环保意识与场效应管13.2.1 电子废弃物问题13.2.2 场效应管的环保优势13.3 节能与环保技术的应用13.3.1 高效能场效应管设计13.3.2 绿色制造与回收技术第十四章:场效应管的最新发展动态14.1 新型场效应管的研究方向14.1.1 纳米场效应管14.1.2 宽禁带场效应管14.2 场效应管技术的创新应用14.2.1 物联网中的应用14.2.2 中的应用14.3 未来场效应管的发展趋势14.3.1 性能提升14.3.2 成本降低第十五章:课程复习与拓展学习15.1 复习重点与难点15.1.1 场效应管的基本结构15.1.2 场效应管的工作原理与特性15.2 拓展学习资源15.2.1 学术期刊与论文15.2.2 在线课程与论坛15.3 实践项目与研究建议15.3.1 实验室实践项目15.3.2 研究课题建议重点和难点解析本文档涵盖了场效应管的结构、工作原理、特性、应用、测试、可靠性、节能环保以及最新发展动态等方面的内容。

场效应管工作原理与应用通用课件

场效应管工作原理与应用通用课件
总结词
增强型场效应管是在正常工作状态下需要加正向栅极电压才能导通,而耗尽型场效应管则是加反向电 压导通。
详细描述
增强型场效应管在无电压时,半导体中没有导电沟道,需要加正向栅极电压后才会形成导电沟道;而 耗尽型场效应管在无电压时,半导体中已经存在导电沟道,加反向电压后可调节导电沟道的宽度。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
1 2
根据电路需求选择合适的类型
根据电路的电压、电流和频率要求,选择合适的 场效应管类型,如N沟道或P沟道。
考虑导通电阻和开关性能
选择导通电阻较小、开关速度较快的场效应管, 以提高电路性能。
3
考虑最大工作电压和电流
根据电路的最大电压和电流,选择能够承受的场 效应管。
场效应管使用注意事项
正确连接电源和信号线
效应管。
导通不良
02
如果场效应管导通不良,会影响电路性能,需要检查驱动信号
是否正常,以及场效应管本身是否有问题。
噪声干扰
03
如果电路中存在噪声干扰,会影响场效应管的正常工作,需要
采取措施降低噪声干扰。
05
场效应管封装与测试
场效应管封装形式
金属封装
采用金属外壳作为场效应管的封装,具有良好的 散热性能和电气性能。
场效应管工作原理与应用通 用课件
contents
目录
• 场效应管简介 • 场效应管工作原理 • 场效应管应用 • 场效应管选型与使用注意事项 • 场效应管封装与测试
01
场效应管简介
场效应管定义
场效应管(Field-Effect Transistor ,FET):是一种利用电场效应控制 电流的半导体器件。
电场效应:是指外加电场对导体内部 的电荷分布和运动状态产生影响的现 象。

各种场效应管的原理和特性曲线讲解

各种场效应管的原理和特性曲线讲解
VDS /V
0
VDS = VGS –VGS(th)
VGS =5V
3.5V
4V
4.5V
沟道未形成时的工作区
条件:
VGS < VGS(th)
ID=0以下的工作区域。
IG≈0,ID≈0
击穿区
VDS增大到一定值时漏衬PN结雪崩击穿 ID剧增。
VDS沟道 l 对于l 较小的MOS管穿通击穿。
截止区
D
场效应管的电路符号
S
G
D
S
G
D
S
G
U
D
ID
S
G
U
D
ID
U
S
G
D
ID
S
G
U
D
ID
NEMOS
NDMOS
PDMOS
PEMOS
MOS场效应管MOSFET
结型场效应管JFET
第三章 场效应管
总结:
场效应管的电路符号可知:无论是JFET或是MOSFET,它都有三个电极:栅极G、源极S、漏极D。它们与三极管的三个电极一一对应(其实它们之间的对应关系除了电极有对应关系外,由它们构成的电路的特性也有对应关系,这些我们在第四再给大家讲) : G---B S---E D----C N沟道管子箭头是指向沟道的,而P沟道管子的箭头是背离沟道的。
3.0 概述
主要内容
3.1 场效应管的工作原理
3.2 场效应管特性曲线
3.3 场效应管的使用注意事项
3.4 场效应管的等效电路
3.5 场效应管电路的分析方法
第三章 场效应管
场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件,也是一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。

第4章 场效应管及其放大电路讲解

第4章 场效应管及其放大电路讲解
漏极电流 iD 随 uDS 几乎成正比地增大。
6/19/2019 12:06:17 AM
当 uDS 继续增大到 uDS uGS UGS(off) ,即 uGD uGS uDS UGS(off)时,靠
近漏极端的耗尽层在 A 点合拢,如图 4-3c 所示,称为预夹断。此时,
A 点耗尽层两边的电位差用夹断电压UGS(off)表示。预夹断处 A 点的电
到漏极端的不同位置上,栅极与导电沟道之间的电位差在逐渐变化, 即距离源极越远电位差越大,施加到 PN 结的反偏压也越大,耗尽层 越向沟道中心扩展,使导电沟道形成楔形,如图 4-3b 所示。
增大 uDS 靠近漏极的沟道变窄,沟道电阻增大,产生了阻碍漏极
电流 iD 增大的因素。但在 uDS 较小时靠近漏极的沟道还没有被夹断,
第4章 场效应管 放大电路
6/19/2019 12:06:17 AM
基本要求
• 了解场效应管的分类、结型场效应管 (JFET)和金属-氧化物-半导体场效 应管(MOSFET)的结构、工作原理;
• 熟悉输出特性曲线和转移特性曲线,以 及场效应管的主要参数;
• 掌握场效应管放大电路的组成、分析方 法和应用。
6/19/2019 12:06:17 AM
4.1.2.1 uGS对导电沟道和 iD 的控制作用
d
d
d
g
g
U GG
g
U GG
s
uGS
s
(a)
(b)
uGS
s
(c)
图4-2 uDS 0时uGS 对沟道的控制作用
(a) uGS 0 (b) uGS 0 (c) uGS UGS(off)
导电沟道
增加(负数减小)近似按平方律上升,即

《场效应管》课件

《场效应管》课件

场效应管的主要参数和特性曲 线
了解场效应管的主要参数和特性曲线对于正确应用和设计电路非常重要。我 们将深入研究栅极阈值电压,沟道电阻,最大电流等参数,并讨论它们的影 响和相互关系。
场效应管应用领域和发展趋势
场效应管在现代电子领域中有广泛的应用,从放大器到开关电路,再到模拟 和数字电路。本节将探索场效应管在不同领域中的应用和未来发展的趋势。
《场效应管》PPT课件
在这个PPT课件中,我们将深入探讨场效应管的基本概念和分类,工作原理和 特性,构造和制造工艺,主要参数和特性曲线,应用领域和发展趋势等方面。 让我们一起来了解这个重要的电子元件!
场效应管的基本概念和分类
场效应管是一种重要的半导体器件,通过控制电场来控制电流的流动。它根据不同的工作方式和结构特 点可以分为多种类型,如增强型,耗尽型和绝缘栅型场效应管等。
场效应管的工作原理和特性
这里将详细介绍场效应管的工作原理,包括栅极电压对电流的控制、沟道导 电机制和输出特性等内容。我们将深入探讨它在电路中的重要作用和特点。
场效应管的构造和制造工艺
场效应管的构造和制造工艺对其性能和可靠性有重要影响。本节将介绍不同类型场效应管的构造和制管的比较
场效应管与普通晶体管各有优点和特点。我们将对它们的工作原理,输入输 出特性和应用进行比较和分析,帮助您选择最合适的器件。
场效应管的输入输出特性
场效应管的输入输出特性直接影响电路的性能和工作稳定性。本节将重点讨 论输入输出电阻,增益,线性范围等关键特性,并介绍如何优化设计。

8元器件的认知与测量-场效应管(4)

8元器件的认知与测量-场效应管(4)

教学内容:
一、复习提问
1.三极管在电路中常有那些作用?
2.怎样利用万用表去识别三极管的极性?
3.晶体三极管有那几种工作状态?
二、场效应管的分类N沟通
结型(JFET)
P沟通P沟通
场效应管增强型
绝缘栅型N沟通
P沟通
耗尽型
N沟通
三、场效应管的符号
注:箭头指向里的N沟,指向外是P沟通。

绝缘栅型场效应管具有原始导电沟通。

N沟通的V DS加正电压;P沟通V DS加负电压;
四、场效应管的用途:同三极管用途很广,用于调制、放大、阻抗变换、倒相、开关等
五、场效应管的主要技术参数
(一)耗尽型场效应管:
1.夹断电压(VP):在规定的温度下VDS不变下,当漏电流ID趋向于零时的栅源电压反
偏电压称为夹断电压。

N沟通,VP为负值;P沟通,VP为正值。

2.漏极饱和电流(I DSS):
3.跨导:在VDS为规定的条件下,漏极电流变化量和栅源电压变化量之比,称为跨导。

反映栅源电压对漏极电流的控制能力。

注:耗尽型MOSFET,只要VDS存在电压,即使VGS为零,漏源极之间存在电流。

(二)增强型场效应管:
1.门槛电压(V TH):开门电压。

《场效应管》课件

《场效应管》课件
场效应管广泛应用于数字电路、模拟电路、放大器和开关电路等领域,晶体管则广泛应 用于放大器、振荡器、开关电路和电源电路等领域。
场效应管在集成电路中应用广泛,因为其体积小、集成度高、功耗低等特点,晶体管在 音频放大器和功率放大器等大电流、高电压应用领域中应用较多。
优缺点比较
优点
场效应管具有低噪声、高输入阻抗、 低功耗等特点,晶体管具有输出功率 大、响应速度快、线性度好等特点。
开关电路
总结词
场效应管在开关电路中作为开关元件,能够控制电路的通断 状态。
详细描述
场效应管具有快速开关速度和低驱动电流的优点,适用于各 种数字和模拟电路中的开关控制。在开关电路中,场效应管 工作在饱和区和截止区,通过控制栅极电压来控制电路的导 通和截止状态。
振荡电路
总结词
场效应管在振荡电路中作为振荡元件,能够产生一定频率的振荡信号。
详细描述
场效应管具有高频率响应和低噪声的优点,适用于产生高频、低噪声的振荡信号 。在振荡电路中,场效应管工作在放大区或截止区,通过反馈网络控制振荡频率 和幅度。
调制解调电路
总结词
场效应管在调制解调电路中作为调制 和解调元件,能够实现信号的调制和 解调功能。
详细描述
场效应管具有高频率响应和低噪声的 优点,适用于各种通信系统中的调制 解调应用。在调制解调电路中,场效 应管用于信号的调制和解调过程,实 现信号的传输和处理。
行业标准与规范不断完善
03
为了规范市场和推动行业健康发展,未来场效应管行业标准与
规范将不断完善。
THANKS
感谢您的观看
功能。
种类与分类
总结词
场效应管有多种类型和分类方式,按结构可分为结型 和绝缘栅型,按导电沟道可分为N沟道和P沟道。

场效应管详解课件

场效应管详解课件

SUMMAR Y
03
场效应管的应用
在数字电路中的应用
总结词
场效应管在数字电路中主要用作开关控制,具有低导通电阻、高速开关特性和 低静态功耗等优点。
详细描述
在数字电路中,场效应管常用于逻辑门电路、触发器、寄存器等数字逻辑电路 中,作为开关元件控制信号的通断。由于其低导通电阻和高开关速度,场效应 管能够实现高速、低功耗的数字逻辑功能。
噪声系数
场效应管在工作过程中产生的噪声与输入 信号的比值,表示场效应管的噪声水平。 噪声系数越低,信号质量越好。
失真系数
场效应管在工作过程中产生的非线性失真 与输入信号的比值,表示场效应管的失真 水平。失真系数越低,信号质量越好。
极限参数
01
02
03
04
最大漏极电流
场效应管能够承受的最大漏极 电流。超过该电流值可能会损
焊接操作
在焊接场效应管时应使用适当的焊接温度和时间,避免过热或时间 过长导致性能下降或损坏。
电源开关
在开关电源时应先关闭电源开关,避免瞬间电流过大对场效应管造 成损坏。
REPORT
CATALOG
DATE
ANALYSIS
SUMMAR Y
06
场效应管的发展趋势与 展望
当前发展状况
场效应管在电子设备 中广泛应用,如放大 器、振荡器、开关等 。
的能量损耗和电磁干扰,提高电源的整体性能。
REPORT
CATALOG
DATE
ANALYSIS
SUMMAR Y
04
场效应管的检测与代换
检测方法
1 2 3
判断电极
通过测量电极间的电阻来判断场效应管的电极, 通常G极与D极之间的电阻较小,S极与D极之间 的电阻较大。

电子设计工程师认证综合知识辅导讲座(8):第四讲 半导体器件(下)

电子设计工程师认证综合知识辅导讲座(8):第四讲 半导体器件(下)
1、 J B T三 极 管 有 几 个 工 作 区域 ?各 0
有何特点?
图 2
1 、如 何 在 B T三 极 管 的 输 出 特 性 1 J
曲线上 求管子 的交流 P 和直 流 , 二者
是否相等?何时相等?
2 、1 说 明 H参数的意义及应用。 1 )
2) 明 H参数 等效 电路 中各参 指 量与图 1混合 T r型等效 电路中各参量之
间的关系。
1 、画出 B T三极管 的传输特 性( 2 J 即 转移特性 ) 曲线 , 并作简单解说 。
1 、B T三 极 管 既 然 为 非 线 性 器 件 , 3 J 为什 么还 能作 不 失 真 的 线 性 放 大 ?
2 、已知 B T三极 管共 发 射极 接法 2 J
的 电路 如图 2所 示 , 其输 入 、 出端 F的 输 I
2 、 谓场 效应管( E ? 它有何特 4 何 F T)
点?
3 、画 出 场 效 应 管 小 信 号 的 等 效 电 电容 , 5 它是 形 成 —
路, 并对各参量作简单说明。
3 、画 出场效 应 管低 频小 信 号 的等 6
效 电路 。
造 成 管 内 反 馈 的 主 要 途 径 , 其 值 约 为
1 、已知 B T三 极 管 的 混 合 丌 型 等 9 J 效 电路 ( 物理 模 型 ) 图 1所 示 , 工 作 频 如 若
物理 模 型 ) 图 1 示 , 回 答 : 如 所 请 P NP型 半 导体 三 极 管 ? 它 们 的 导 电载 流 效 电路 (
子 有何 区别 ?
1 r, )b b是什么 电阻?其值 大致 是多少? 率很高 ( 高频输 入 )各 电容 的容抗较 小 , ,

各种场效应管的原理和特性曲线讲解课件

各种场效应管的原理和特性曲线讲解课件

01
02
03
04
阈值电压
使半导体表面附近的自由电子 浓度增加到开始导电所需的栅
极电压。
漏极电流Ids
在一定栅极电压下流过漏极的 电流。
跨导gm
描述栅极电压变化对漏极电流 的影响程度,表示为Ids/Vgs

直流电阻rd
漏源之间的直流电阻,表示为 Vds/Ids。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
03
N沟道耗尽型场效应管
工作原理
01
因此不导电。
特性曲线
转移特性曲线
描述栅极电压与漏极电流之间的关系。随着栅极电压的增加,漏 极电流增大。
输出特性曲线
描述漏极电流与漏极电压之间的关系。在一定的栅极电压下,漏极 电流随着漏极电压的增加而增大。
特性曲线的特点
在负栅极电压下,P沟道耗尽型场效应管不导通;在正栅极电压下 ,随着电压的增加,漏极电流逐渐增大。
02
N沟道增强型场效应管
工作原理
增强型N沟道场效应管是在一定 条件下,通过改变半导体表面附 近的电场来控制其导电性能的一
种电子器件。
当栅极电压为零时,半导体表面 附近的自由电子浓度较低,电阻 较大,相当于一个较大的电阻器

当栅极电压大于阈值电压时,半 导体表面附近的自由电子浓度增
加,电阻减小,开始导电。
02
03
栅极控制
N沟道耗尽型场效应管通 过栅极电压来控制源极和 漏极之间的导电沟道。
导电沟道形成
当栅极电压大于阈值电压 时,半导体材料内的电子 聚集形成导电沟道。
电流传输
导电沟道的形成使得源极 和漏极之间可以传输电流 。
特性曲线
转移特性曲线
描述栅极电压与漏极电流之间的 关系。随着栅极电压的增加,漏 极电流也增加。

第四章:场效应管及放大电路讲解

第四章:场效应管及放大电路讲解

iD
vGS 0 VT
(1-34)
模拟电子
输出特性曲线 iD
vGS>0
0
v DS
(1-35)
耗尽型N沟道MOS管的特性曲线
模拟电子
耗尽型的MOS管VGS=0时就有导电沟道, 加反向电压才能夹断。
iD
转移特性曲线
vGS VT 0
(1-36)
模拟电子
输出特性曲线 iD
vGS>0
vGS=0
vGS<0
P NN
P沟道结型场效应管 D
G
S源极
S
(1-6)
模拟电子
(2)工作原理(以P沟道为例) VDS=0时
PN结反偏,
VGS越大则耗
D
尽区越宽,导 电沟道越窄。G
P
VDS
NN
VGS S
(1-7)
VGS越大耗尽区越 宽,沟道越窄, 电阻越大。
G
但 尽区当宽VG度S较有V小限DS时=,0,时模存耗拟电子 在导电沟道。DS间 D 相当于线性电阻。
Vgs
-
gmVgs
s
+
Rg2
R RL Vo -
(1-56)
中频电压增益
模拟电子
Vo gmVgs (R // RL )
Vgs Vi Vo
Vo gm (Vi Vo )( R // RL )
A Vm

Vo Vi

gm (R // RL ) 1 gm (R // RL )


Rg2 47k
Rg1 2M
Rd 30k
d
g
Rg3
s
10M

R
2k

第4讲晶体三极管及场效应管

第4讲晶体三极管及场效应管

2. 绝缘栅型场效应管
增强型管
大到一定 值才开启
高掺杂 耗尽层 空穴
衬底 SiO2绝缘层
反型层
uGS增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。当 反型层将两个N区相接时,形成导电沟道。
动画演示
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
iD随uDS的增 大而增大,可
uGD=UGS(th), 预夹断
变电阻区
夹断 电压
在恒流区iD时 ID, O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
3. 场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟 沟道 道((uuGGS> S<00, ,uuDDS< S>00)) 场效应管 绝缘栅型 耗 增尽 强型 型 PPN N沟 沟 沟 沟道 道 道 道((((uuuuG GG GSS< 极 SS> 极00, 性 , 性uu任 D任 DS< S> 意 意 00)u)u, , DDS< S>00))


低频跨导:
夹断区(截止区)
iD几乎仅决 定于uGS
击 穿 区
夹断电压
gm
iD uGS
UDS常量
不同型号的管子UGS(off)、IDSS 将不同。
动画演示Байду номын сангаас
(1)可变电阻区
i
是uDS较小,管子尚未预夹断时
的工作区域。虚线为不同uGS是预夹
断点的轨迹,故虚线上各点
uGD=UGS(off),则虚线上各点对应的 uDS=uGS-UGS(off)。
uDS的增大几乎全部用 来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅 受控于uGS,恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么?

场效应管PPT课件

场效应管PPT课件

但当UGS较小时,耗尽 区宽度有限,存在导
电沟道。DS间相当于
线ID性电阻。
P
UDS
G NP NP
UGS S
UGS达到一定值时 (夹断电压VP),耗 尽区碰到一起,DS
间被夹断,这时,漏 D 极电流ID=0A。
ID
P
G PP
RD
UDS
UGS S
当UGS发生变化时,导电沟道的宽 度就发生变化,沟道电阻就发生
VT称为阈值电压
UGS UDS S GD
UGS较小时,导 电沟道相当于电
阻将D-S连接起
来,UGS越大此 电阻越小。
N
N
P
UGS UDS S GD
当UDS不太大 时,导电沟 道在两个N区 间是均匀的。
N
N 当UDS较大
时,靠近D
P
区的导电沟
道变窄。
UGS UDS
UDS增加,UGD=VT 时, 靠近D端的沟道被夹断, 称为予夹断。
1.4 场效应管
三极管是电流控制元件,多数载流子和少数载流 子都参与运行,所以被称为双极型器件。
场效应管是电压控制元件,多子导电,输入阻抗高, 温度稳定性好。
场效应管
绝缘栅场效应管 结型场效应管
增强型
耗尽型 N沟道 P沟道
N沟道 P沟道
N沟道 P沟道
1
1.4.1 结型场效应管:
一、结构
基底 :N型半导体
N沟道结型场效应管的特性曲线
输出特性曲线
ID 可变电阻区
UGS=0V
恒流区
-1V
-3V
夹断区 -4V
-5V
0
U DS
结型场效应管的缺点:
1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上,但在 某些场合仍嫌不够高。

04.场效应管放大电路

04.场效应管放大电路

返回>>第四章场效应管放大电路由于半导体三极管工作在放大状态时,必须保证发射结正偏,故输入端始终存在输入电流。

改变输入电流就可改变输出电流,所以三极管是电流控制器件,因而三极管组成的放大器,其输入电阻不高。

场效应管是通过改变输入电压(即利用电场效应)来控制输出电流的,属于电压控制器件,它不吸收信号源电流,不消耗信号源功率,因此输入电阻十分高,可高达上百兆欧。

除此之外,场效应管还具有温度稳定性好,抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点,所得到广泛的应用。

场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(IGFET),目前最常用的MOS管。

由于半导体三极管参与导电的两种极性的载流子,电子和空穴,所以又称为半导体三极管双极性三极管。

场效应管仅依靠一种极性的载流子导电,所以又称为单极性三极管。

FET-Field Effect transistorJFET-Junction Field Effect transistorIGFET-Insulated Gate Field Effect TransistorMOS-Metal-Oxide-Semiconductor§1 结型场效应管一、结构结型场效应管有两种结构形式。

N型沟道结型场效应管和P型沟道结型场效应管。

以N沟道为例。

在一块N型硅半导体材料的的两边,利用合金法、扩散法或其它工艺做成高浓度的P+型区,使之形成两个PN结,然后将两边的P+型区连在一起,引出一个电极,称为栅极G。

在N型半导体两端各引出一个电极,分别作为源极S和漏极D。

夹在两个PN结中间的N型区是源极与漏极之间的电流通道,称为导电沟道。

由于N型半导体多数载流子是电子,故此沟道称为N 型沟道。

同理,P型沟道结型场效应管中,沟道是P型区,称为P型沟道,栅极与N型区相连。

电路符号如图所示,箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。

二、工作原理从结型场效应管的结构可看出,我们在D、S间加上电压U DS,则在源极和漏极之间形成电流I D。

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MOS管分为四种类型:N沟道耗尽型管、N沟道增强型管、 P沟道耗尽型管和P沟道增强型管。 MOS管的特点 输入阻抗高、栅源电压可正可负、 耐高温、易集成。
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1 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 (1)结构与符号
绝缘栅
B端为衬底,与源极短接在一起。
N沟道耗尽型MOS管的结构与符号
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哈尔滨工程大学P· Leabharlann FETP· JFET的特性曲线
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N沟道结型场效应管的结构示意图
结型场效应管的符号
(a)N沟道管
(b) P沟道管
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二、绝缘栅场效应管(MOS管)
绝缘栅型场效应管的栅极 与源极、栅极与漏极之间均 采用SiO2绝缘层隔离,栅极为 金属铝,故又称为MOS管。
U GS I D I D0 ( 1)2 U GS (th )
ID0是UGS 2UGS th 时的ID值。
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增强型NMOS管的特性曲线
(a)转移特性
(b)输出特性;
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*3 P沟道绝缘栅场效应管(PMOS管) 增强型PMOS管的结构示意图
UGS off UGS 0
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四、场效应管和双极型三极管的比较
1 场效应管是电压控制元件,而双极型三极管则是电流 控制元件。 2 场效应管是利用多数载流子导电(例如N型硅中的自由 电子),而双极型三极管既利用多数载流子又利用少数载流 子。
3 场效应管的噪声系数比三极管要小。 4 有些场效应管的源极和漏极可以互换。
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三、场效应管的主要参数
1 直流参数 (1)夹断电压 UGS off 是指当ID≈0时对应的UGS值。适 用于J型管及耗尽型的MOS管。约有几伏数量级。 (2)开启电压 UGS th 指当UDS=C时,使D—S极连接起 来所需要的最小UGS值。适用于增强型MOS管。对耗 尽型管,其夹断电压就是它的开启电压。 (3)饱和漏电流 I DSS 指UGS=0,UDS>UGS(off)时的沟道 电流。适用于耗尽型管。 (4)直流输入电阻 RGS 指当UDS=0时,UGS与栅极电流 的比值。对于J型管,在107Ω至109Ω;对MOS管一 般可达1012Ω至1015Ω。 (5)击穿电压 ①U(BR)DS指在漏极特性中使ID开始剧增的UDS值; ②U(BR)GS对J型管,使反向饱和电流开始剧增时所对应 的UGS值。对MOS管,使SiO2绝缘层击穿的UGS值。
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(2)N沟道的形成 N沟道的形成与外电场对N沟道的影响
控制原理分四种情况讨论: ① uGS 0 时,N沟道已经存在,因此 i D 不为零, 仍记以IDSS,但不是最大值。(耗尽型原因)
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(2)N沟道的形成 N沟道的形成与外电场对N沟道的影响
② uGS 0 时,来源于外电场UGS正极的正电荷使SiO2中原有 的正电荷数目增加,由于静电感应,N沟道中的电子随之作 同等数量的增加,沟道变宽,沟道电阻减小,漏电流成指数 规律的增加。
U DS C
②在转移特性上求gm
gm I D U GS tan
U DS C
③用计算法求gm
gm UGS 2 dI D d [ I DSS (1 ) ] dU GS dU GS U GS (off )

2I DSS UGS [1 ] UGS ( off ) UGS ( off )
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(3)特性曲线及工作原理
①转移特性 (a) uGS 0 时 (b) uGS 0 时 (c) uGS 0 时 (d) uGS UGS off ②漏极特性
(a)转移特性; (b)漏极特性
u DS 对N沟道也有楔形影 MOS管的漏极特性与J型管类似。
响。 u DS 越大,N沟道的楔形程度越严重。 u DS 一定,楔形一定。
I D I DSS (1 U GS ( off ) )
UGS off UGS 0V
③当 UGS UGS off 时,N沟道被夹断,ID≈0,管子截止。
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N· JFET的特性曲线
(2)漏极特性
I D f U DS
U GS C
漏极特性与BJT管的输出特性相仿,也分为三个区 可变电阻区、 饱和区、 击穿区
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第四节
场效应晶体管(FET) 单极型晶体管
场效应管(FET)是利用电场效应来控制电流的一种半 导体器件,属于压控器件。由于它仅靠多子参加导电,又 称单极型晶体管。 场效应管的特点: 输入阻抗高、温度稳定性好、低噪声、易集成化 分类:结型(JFET)和绝缘栅型(MOS)
一、结型场效应管(JFET)
uGS 从正到负,即漏极特 改变 uGS 大小可改变N沟道的宽窄度,
性曲线由上而下,反映 uGS 对 i D的控制作用。
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*2 N沟道增强型绝缘栅场效应管 (1)结构与符号 增强型的特点 在N沟道的形成上有所不同,增强型管子的N沟道只当外 加电场uGS>0时才能存在,而当uGS=0时,N沟道就不存在了。
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练习:
绝缘栅型场效应管漏极特性曲线如图题115(a)~(d)所示。 P55 1-15 (1)说明图(a)~(d)曲线对应何种类型的场效 应管。 (2)根据图中曲线标定值确定UGS(th)、UGS(off) 和IDSS数值。
增强型NMOS
耗尽型PMOS
5 场效应管能在很小的电流、很低的电压条件下工作。 6 场效应管的工作频率较低,不适合高频运用。
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练习: P56 1-19
测得半导体三极管及场效应管三个电极对地的电 位如图题1-19所示,试判断下列器件的工作状 态。
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练习:
1-7 回答问题 (1)与BJT相比,FET具有哪些基本特点? P53 1-7 (3)图题1-7(a)、(b)、(c)分别为三只场效应 管的特性曲线,指出它们各属于哪种类型的 管子(结型、绝缘栅型;增强型、耗尽型;N 沟道、P沟道)。
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(2)工作原理 N沟道增强型MOS管导电沟道的形成
(a) 0<UGS<UGS(th)出现耗尽层
(b) UGS>UGS(th)出现N型沟道
开启电压 UGS th 是指在 U DS 为常量情况下,使 i D大于零所需要的最小 uGS 值。
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(3)特性曲线 输出特性上也分为可变电阻区、饱和区、夹断区和击穿区。 ID与UGS之间的关系:
1 结构与工作原理 (1)构成 结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。
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(2)工作原理 N· JFET的结构及符号 在同一块N型半导体上制 作两个高掺杂的P区,并 将它们连接在一起,引出 的电极称为栅极G,N型 半导体的两端引出两个电 极,一个称为漏极D,一 个称为源极S。P区与N区 交界面形成耗尽层,漏极 和源极间的非耗尽层区域 称为导电沟道。
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u DS 决定耗尽层的楔形程度。 ②当uGS固定时, 若 uDS 0,电流 i D 从漏极流向源极,从而使沟道中各点与 栅极间的电压不再相等,而是沿沟道从源极到漏极逐渐增大, 造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边宽,沟道呈楔形。
UGS (off ) uGS 0且 uDS 0
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③UDS、UGS同时作用
两个电场同时作用时,N沟道在耗尽层楔形基础 上,随UGS作宽窄度变化,从而控制ID的大小。
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2
结型场效应管的特性曲线
I D f U GS
(1)转移特性及特征方程
U DS C
①当UGS=0时,N沟道最宽,ID最大,记作IDSS,称最大 饱和漏电流。 ②当UGS<0时,两个耗尽层加厚,ID成指数规律下降, 其特征方程为 U GS 2
两个PN结之间的N沟道
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工作原理
①UDS决定耗尽层的楔形程度 ②UGS决定沟道的宽窄度 ③UDS、UGS同时作用
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结型场效应管的工作原理
u GS 控制导电沟道的宽窄。 ①当 uDS 0 (即 d、s 短路)时,
uDS 0
时, uGS 对导电沟道的控制作用
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③ uGS 0 时,来源于外电场负极上的负电荷抵消一部分 SiO2中原有的正电荷,使其数目减少,沟道变窄,沟道电 阻增加,从而漏电流ID成指数规律减小。
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④ uGS UGS (off ) 时,SiO2层中的正电荷全部被负电源中和, N沟道中电子全部消失,也就是说N沟道不存在了,沟道电 阻为无穷大,漏电流iD 0,管子截止(夹断)。 综上所述,MOS管与J型管的导电机理不同。J型管 iD 利用耗尽区的宽窄度控制漏流 ;而MOS管是利用感应电 荷的多少改变导电沟道的性质,从而达到控制i D的目的。
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(a)当uDS 0 且uGS 0 时,耗尽层很窄,导电沟道最宽。 (b)当 uGS 增大时,耗尽层加宽,导电沟道变窄,沟道电阻增大。 (c)当 uGS 增大到某一数值时,耗尽层闭合,沟道消失,沟道 电阻趋于无穷大,此时u GS 值为夹断电压 U GS (off ) 。
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