光电激发三步模型

等离激元振荡频 率主要由金属中 自由电子的密度 决定，不同金属 大致相同。
逃逸过程

逃逸函数可表为阶跃函数 Ｄ＝１ Ｄ＝０ （ｈｖ＞Ｅｆ－Ｅｉ＋ѱ） （ｈｖ＜Ｅｆ－Ｅｉ＋ѱ）

Ｄ也不会对光电子能谱ＩＰ引入特殊结构

由于决定ＩＰ的三个函数中的Ｔ，Ｄ对光电子能谱的结构影响 不大，故ＥＤＣ结构主要由原始激发过程Ｐ决定的


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平均自由程
其一：主要由两种作用使光电子传输过程受到散射影响其 逃逸深度 １.电子与电子相互作用
２．受晶格振动影响产生电子－声子散射（电子能量较低）
其二：与电子能量有关，总体有一个随着电子能量增加平 均自由程先减小后增大的形式 原因：光电子会引起等离子激元的激发而损失能量
平均自由程普适曲线

光电激发简述
光电子能谱（ＥＤＣ）

发射光电子能量分部曲线 Ｉ＝Ip+Is Ip ：未受到非弹性散射的电子 Is ：受到散射作用的二次电子

Ip=P*T*D P:原始激发光电子 T：传输函数 D：逃逸函数
三步模型

1.光电子激发：将电子从初 态激发到非占据的终态 2.传输过程：被激发光电子 从终态传输到样品表面 3.逃离过程：穿过表面势垒


光电子能谱是以光电发射的 基本原理作为基础的。

光电子能谱研究的主要是那 些未发生非弹性碰撞的光电 子。收集出射电子
得到光电子能谱。利用能量 守恒关系式通过末态电子能 量可得 知初态电子信息



影响能谱结构因素 １.电子初态结构 电子各个占据态在受激发后到达真空被收集，在能谱中表现出 不同的能谱结构。 ２.入射光子能量 入射光子能量较小时，价带中只有部分能态电子能直接跃迁出。 入射光子能量较大时，结构中的任一初态电子均能有足够能量 跃迁到末态，可将末态电子看成近自由电子近似。 光电子能谱曲线在一定程度上能够反映占有态的态密度


光激ห้องสมุดไป่ตู้过程P
Ｅｋ＝ｈｖ－Ｅ

Ｅｋ被激发光子动能 ｈｖ入射光子能量 ∆Ｅ为费米能级与电子 初态能级差 此过程对电子能谱的Ip 结构起主要决定作用

传输过程

定义定义 为电子的平均自由程或逃逸深度， 衰减长度L：光线性吸收系数的倒数 光的传输函数 ： T~（电子平均自由程/衰减长度） 在光激发深度为L的范围内，只有离表面距离小于 时才能 无碰撞达到固体表面 T不对光电子的能量分部曲线的表达式Ｉｐ引入特殊结构