硅片技术标准
硅片接触角测量标准___概述及解释说明
硅片接触角测量标准概述及解释说明1. 引言1.1 概述硅片是一种广泛应用于电子、光电和半导体领域的重要材料，其表面特性对于材料性能和生产工艺具有重要的影响。
而接触角测量作为表征硅片表面润湿性质的方法，成为研究和评估硅片界面特性的重要手段。
1.2 文章结构本文旨在概述并解释硅片接触角测量标准，从而帮助读者更好地理解该标准的意义、需求以及相关规范。
文章将分为五个部分进行讨论。
首先，在引言部分我们将介绍本文的目的和结构，以便读者了解全文内容安排。
其次，在第二部分中，我们将概述硅片接触角测量标准，包括定义、意义以及应用领域等方面内容。
此外，还会对接触角测量方法的发展历程进行回顾，从而对该标准的背景进行阐述。
然后，在第三部分中，我们将详细探讨接触角测量标准的重要性，并解释目前缺乏统一标准化的原因。
同时，也会说明建立硅片接触角测量标准的必要性和重要性，以推动相关研究和应用的发展。
接下来，第四部分将对硅片接触角测量标准进行规范解读，包括测试设备和条件的规范要求说明、测试样品制备和处理的规范说明，以及测试步骤和数据处理的规范解释说明等内容。
通过清晰地阐述这些规范，我们希望为硅片接触角测量提供统一的准则。
最后，在结论与展望部分中，我们将总结文章主要研究发现，并展望未来硅片接触角测量标准研究的方向，从而为相关领域的学者和从业人员提供参考依据。
1.3 目的本文旨在介绍并解释硅片接触角测量标准的概述，并探讨其重要性及需求。
通过详细解读相关标准规范，我们目标是促进硅片接触角测量领域的研究与应用发展，并为该行业制定统一的评估与交流准则。
相信本文内容对于理解和推动硅片表面特性研究具有积极意义。
2. 硅片接触角测量标准概述：2.1 接触角测量的定义和意义：接触角是表征液滴在固体表面上接触形态的物理量，是指液体与固体界面处的夹角。
它可以用来描述液体在固体表面上的展开能力和渗透性，进而反映出固体表面的亲水性或疏水性。
硅片接触角测量标准旨在规定一种统一而可信的测量方法，以确保接触角数据具有可比性、可重复性和准确性。
多晶8寸硅片出厂标准、参数、不良品图面、测量图、太阳能行业
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中卫市银阳新能源有限公司
版本 Rev.No.
日期 Date
Rev.1 2011.10.15
描述 Description 初次发布 Initial release
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项目 Items
形状 Shape
厚度 Thickness 总厚度变化
TTV
对边距 Dimension
对角线 diagonal Length
倒角长 Bevel edge Length
倒角角度 Bevel edge Angle
直角度 Right Angle
弯曲度 Bow
翘曲度 Warpage
线痕 Saw Marks
1. 基本参数 Basic Parameters
项目 Items
生长方法 Growth Method
型号 Conductance Type
掺杂剂 Donor Type
规格 Spec.
ZD
P
B
中卫市银阳新能源有限公司
检测标准 Inspection Standard
GB/T 1550-1997
2. 电化学性能 Electrochemical Performance
线痕 Saw Marks
≤15μm
ATM 分选机 WIS AL3000 AS
孔洞 Pin holes
无 None
ATM 分选机 WIS AL3000 AS
V 型缺口 V-Chips
无 None
ATM 分选机 WIS AL3000 AS
n型580wp双面双玻单晶硅组件相关技术要求
一、背景介绍随着全球对清洁能源的需求不断增加，太阳能光伏发电技术受到了广泛关注。
而n型580wp双面双玻单晶硅组件作为太阳能光伏发电领域中的一种先进的技术产品，其相关技术要求备受关注。
本文将围绕n型580wp双面双玻单晶硅组件的相关技术要求展开讨论。
二、技术要求1. 单晶硅材料选择：对于n型580wp双面双玻单晶硅组件而言，选择高品质的单晶硅材料至关重要。
单晶硅材料的质量直接影响到组件的发电效率和使用寿命，因此需要选用具有高纯度和良好结晶性能的单晶硅材料。
2. 硅片加工工艺：在制造n型580wp双面双玻单晶硅组件过程中，硅片的加工工艺也是至关重要的。
其中包括硅片的切割、清洗、扩散、沉积膜、光刻、腐蚀、离子注入、金属化等步骤。
合理优化硅片加工工艺，可以提高硅片的转换效率和光电性能。
3. 双面太阳能电池片隔离：n型580wp双面双玻单晶硅组件是双面太阳能电池片的组合，因此需要对双面太阳能电池片进行有效的隔离。
这就要求制造工艺中，轻量、高强度、耐腐蚀的材料用于太阳能电池片隔离层的制备，以确保双面电池片的稳定性和安全性。
4. 双玻封装工艺：n型580wp双面双玻单晶硅组件采用双玻封装工艺，因此对于双玻封装工艺的要求也是非常严格的。
厚度均匀、透光性好、保温隔热、抗风压、抗压弯疲劳等性能是双玻封装材料必须具备的特性，以确保组件在各种环境条件下都能保持稳定的发电性能。
5. 组件性能测试标准：对于n型580wp双面双玻单晶硅组件产品，其性能测试标准也是至关重要的。
需要严格制定各项性能测试指标和标准，包括转换效率、温度系数、光电性能、耐腐蚀性能、承载力等各项指标，以确保生产的每一只组件都符合标准要求。
三、技术应用前景n型580wp双面双玻单晶硅组件作为太阳能光伏发电领域中的一项先进技术，具有高转换效率、强耐候性、长使用寿命等优点。
其双面发光设计也能有效提高电能利用率，适用于各种地形和环境条件，具有广阔的应用前景。
单晶硅片成品检验规范
4.3检测硅片的外观：
4.3.1目测硅片无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤0.5mm，深度≤0.3mm，每片崩边数量≤2个；
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修改履历
页码
内容
状态
Hale Waihona Puke 备注4.3.2目测硅片表面无异常斑点、玷污；
4.3.3目测表面无凹坑，使硅片表面局部凹凸不平≤20μm；
4.3.4目测表面无明显的切割线，切割刀痕深度≤20μm。
6、验收规则
抽样频率为500PCS为一个单位即20%，每25PCS为一篮，每一篮抽5PCS,记录在《线切割硅片返工卡》、《#机硅片检验记录表》中，电阻率、少子寿命及尺寸全检记录在表单编号：TNGWQ-OO1-01《圆棒检验记录》、表单编号：TNGWQ-OO2-01《方棒检验记录》中。
附表三 《退片检验反馈单》表单编号：TNGWQ-005-03
附表四《单晶硅片电阻率抽测记录》表单编号：TNGWQ-005-04
附表五 《厚度抽测简易图》表单编号：TNGWQ-005-05
7.5检验工序必须保证及时正确的检验校验的成品几半成品及原料，防止因产品积压影响上下工序的正常生产。
7.6对已经检验完成的成品、废品，要及时办理入库手续，不得随意阻滞交验的物品，必须及时反馈检验信息给相关人员检验结果。
8、相关记录
附表一《线切割返工卡》表单编号：TNGWQ-005-01
附表二 《#机检验记录表》表单编号：TNGWQ-005-02
3.4.1无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤0.5mm，深度≤0.3mm，每片崩边数量≤2个；
3.4.2表面无异常斑点、玷污；
1单晶硅片 (企业标准)
太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
光伏组件晶硅标准
光伏组件晶硅标准
光伏组件晶硅标准涉及到多个方面，如尺寸、电气性能、安全性能等。
尺寸方面，光伏硅片的尺寸通常按照其直径进行分类，例如156mm、
165mm、210mm等。
这些尺寸的标准是根据生产工艺和设备能力制定的，以保证在制造过程中能够实现高效的生产和良品率。
除了直径之外，硅片的厚度和重量等因素也需满足一定标准，硅片的厚度一般在200μm左右。
电气性能方面，光伏组件的电气性能主要涉及到开路电压、短路电流、最大功率点电压、最大功率点电流等参数。
这些参数是衡量光伏组件性能的重要指标，必须符合相关标准要求。
此外，光伏组件还需要满足一定的安全性能标准，如抗风、抗震、防水等性能要求。
这些标准是为了保证光伏组件在各种恶劣环境下能够安全稳定地运行，并保证人员的安全。
总之，光伏组件晶硅标准是一个复杂而全面的体系，涉及到多个方面的要求和指标。
这些标准的制定和实施，是为了保证光伏组件的质量和性能，促进光伏产业的发展和推广应用。
300mm硅单晶及抛光片标准
一、300 mm硅单晶及抛光片现状
300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。 而在我国起步较晚，还处于试验阶段。
因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、 金属污染和缺陷控制、表面形态与质量、成本等都面临着新 的挑战。硅材料的生产工艺、技术、检测方法已成为今后研 究的主要内容，同时也是推动产业发展的关键所在。
二、 国外涉及300mm产品标准的现状
SEMI的硅单晶的产品标准主要是抛光片规范SEMI M1。 它由一系列直径从2英寸、100mm，直到300mm，及直径 350mm和400mm硅单晶抛光片规格组成，其中只涉及了 最基本的尺寸指标：直径、厚度、晶向、切口或参考面尺 寸极其公差；弯曲度、翘曲度、总厚度变化的最大允许 值，以及轮廓的要求。并且参数都是最宽泛的。SEMI M1.15直径300mm硅单晶抛光片规格（切口）见下表所示。
0.5~50.0 ohm-cm 无 无 无
≤32ppma（旧版ASTMF121－79） 不规定
4.0 结构特性 4.1 位错蚀坑密度 4.2 滑移 4.3 系属结构 4.4 孪晶 4.5 漩涡 4.6 浅蚀坑 4.7 氧化层错（OISF） 4.8 氧化物沉淀 4.9 硅片制备特性 5.0 晶片ID标志 5.0 正表面薄膜 5.2 洁净区 5.3 非本征吸除 5.5 背封
SEMI M8是针对半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅 单晶抛光试验片。对2英寸到300mm的试验片的订货项目及要求。 以及0.13μm线宽的300mm试验片规范指南。
SEMI M24《优质硅单晶抛光片规范》是针对150-300mm直 径， 用于颗粒检测、金属沾污监控、和光刻工艺图形测量的硅单 晶抛光片。针对0.25-0.13μm不同线宽的要求的抛光片规格，给 出了三种不同用途硅片的项目要求。
单晶硅片的技术标准
单晶硅片的技术标准1范围本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件ASTM F42-02半导体材料导电率类型的测试方法ASTM F26半导体材料晶向测试方法F84直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法ASTM F1391-93太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法ASTM F121-83太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mm处4点和中心点）；位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；位错密度：单位体积内位错线的总长度(cm/cm3)，通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125′125Ⅰ(mm)、125′125Ⅱ(mm)、156′156(mm)。
5 技术要求外观见附录表格中检验要求。
外形尺寸方片TV为200±20 um,测试点为中心点；方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点；硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%；相邻C段的垂直度：90o±；其他尺寸要求见表1。
表1单晶硅片尺寸要求图1硅单晶片尺寸示意图材料性质导电类型：硅片电阻率：见下表；硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mm样片钝化后的少子寿命）；晶向：表面晶向<100>+/°；位错密度≤3000pcs/cm2；氧碳含量：氧含量≤20ppma，碳含量≤。
硅片清洗工艺参数标准
第一次换75kg(3桶）脱80刀，再加半桶脱40刀，到120刀
再加半桶脱30刀，到150刀全换。
插片
隔板放置间距 脱胶后拿片数
脱胶后硅片放置
拿片数量 水浸硅片程度
插片要领
各清洗槽水温
40±5 mm/片 ≤20mm（长度计） 轻放物料周转箱内，箱底和侧壁接触硅片的位置要垫上泡 沫垫，水溢过硅片表面.
≤25pcs/次 硅片完全浸泡在水中，硅片顶端勿露出水面。 必须带手套/轻拿轻放，尽量减少崩边/破片。 全自动7槽：1# 设定45℃，2#0℃，3#50℃、4#、5#设定 60℃，6#设定55℃,7#设定50℃，在线槽设定40℃。
5.1 硅片清洗工艺标准
管制项目
管制标准
管制数据文件/表单
预清洗 脱胶
预冲洗时间 预冲洗水温 第三、四槽超声 第五槽脱胶 第六槽脱胶
药剂更换
第一槽：400s,第二槽：400s
0.80-1.0 mpa ; 25℃（常温）Leabharlann 温度35℃时间
400S
温度
70℃
时间
500s
温度
70℃
时间
500s
药剂使用量为---乳酸：水=1:1
清洗时间
第一至第四槽各300秒，第五、六槽300秒，七槽和在线槽 各300秒。
甩干
甩干机碎片清理 每天早上接班后 甩干时间及温度 甩干时间：300s,转速：500rph。
6、检验要求及方法
1.清洗机每次更换药剂后先空跑3个篮子再清洗硅片。 2.脱胶机喷淋槽底部导向条/碎硅片等杂物每天清理，保持喷淋槽无堵塞现象。 3.脱胶机/清洗机时间和温度设定如有变更见《脱胶机药剂更换标准表》、《清洗机药剂更换标准表》
《硅片清洗作业 指导书》
DB13_T1314-2010太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片
ICS01.040.27F 12 DB13 河北省地方标准DB13/T 1314—2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片2010-11-15发布2010-11-25实施前言本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
本标准由邢台市质量技术监督局提出。
本标准起草单位：晶龙实业集团有限公司、宁晋县质量技术监督局。
本标准主要起草人员：任丙彦、安增现、柳志强、颜志峰、刘彦朋。
太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级硅单晶方棒、单晶硅片的术语和定义、产品分类、原料要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等。
本标准适用于制造太阳能电池基片的单晶硅方棒、单晶硅片。
2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第一部分：按接受质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 191 包装储运图示标志3 术语和定义3.1缺口 indent指贯穿单晶硅片边缘的缺损。
3.2亮边 bright Point Edge指单晶硅片侧棱上的连续缺损区域。
3.3崩边 edge crack指单晶硅片边缘或表面未贯穿单晶硅片的局部缺损区域，当崩边在单晶硅片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出。
3.4裂纹 crack指延伸到单晶硅片表面，贯穿或不贯穿单晶硅片厚度的解理或裂痕。
3.5划痕 scratch指单晶硅片在白炽灯或荧光灯下，肉眼明显可见的凹陷状划伤。
3.6线痕 saw mark指切割时在单晶硅片表面留下的轻微不规则凹凸直线状痕迹。
矩形硅片尺寸标准化
矩形硅片尺寸标准化
矩形硅片的尺寸标准化是一个重要的议题，因为这涉及到组件的兼容性和互换性。
对于矩形硅片的尺寸标准化，有以下几个关键的方面需要注意：
1.尺寸规格：目前，矩形硅片的主流尺寸包括1722mm、2278mm、2382mm、2384mm、2465mm等。
这些尺寸的确定主要遵循中国光伏行业协会标准《T/CPIA0003-2022地面用晶体硅光伏组件外形尺寸及安装孔技术要求》以及行业现有的尺寸。
2.组件尺寸：组件尺寸的设计和生产应遵循行业标准，以确保不同企业的产品能够兼容和互换。
目前，组件的尺寸如2382mm*1134mm已经达成了行业共识。
3.孔位距离：组件长边纵向孔位距有不同的规格，如400mm、790mm、1400mm等。
这些规格的确定也是为了满足行业标准。
4.创新与发展：随着技术的进步和市场需求的变化，矩形硅片的尺寸标准化也需要不断地更新和发展。
例如，新的组件尺寸规格如1762mm、2333mm和2384mm等已经开始出现并逐渐得到应用。
总的来说，矩形硅片的尺寸标准化需要行业内的企业和组织共同努力，以实现兼容性、互换性以及可持续发展的目标。
单多晶硅片检验标准(新版)
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单多晶硅片检验标准1．目的规范马鞍山中弘光伏有限公司的硅片检验流程，保证和持续产品质量。
2．范围用于马鞍山中弘光伏有限公司硅片的来料检验过程。
3．职责质量部负责按照本标准严格执行硅片的来料检验工作。
4．内容4.1．硅片中金属杂质和碳氧含量标准，见表1.表1 硅片中的金属杂质浓度和氧、碳含量4.2硅片检验方法：4.3 P型单晶硅片检验标准，见表2表2 P型单晶硅片检验标准4.4 P型多晶硅片检验标准，见表3表3 P型多晶硅片检验标准4.5 P型多晶硅片检验标准，见表4表4 P型多晶硅片检验标准备注：检验过程中若发现以下异常现场处理：1. 少片：在检验过程中单盒少片随时记录盒号、箱号、晶体编号、并拍取照片。
单箱少片不得超过50片，超出50片马上单独隔离该箱并马上告知采购部，有采购部通知供应商，待供应商回复后继续检验该箱。
2. 碎片：在检验过程中允许出现缺角、裂纹，来料缺角、裂纹在千分之三之内视为正常范围，超出千分之三IQC停止检验并告知采购部通知供货商，得到供货商认可后方可继续检验。
国家标准硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质
国家标准《硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》（预审稿）编制说明一、工作简况1、立项目的和意义硅片是半导体制造业的基础材料，由于硅片表面极其少量的金属污染都有可能导致器件功能失效或可靠性变差，硅片在制作使用过程中的金属杂质控制极为重要，硅片表面污染测试既是硅片制造过程中必不可少的监控手段，也是提升后道器件性能的重要方法与指标。
电感耦合等离子体质谱分析法通过不断革新，已具备出的超痕量级检测性能和多元素同时快速分析能力，已被成熟使用多年，亟需制定相关产品标准。
2、任务来源根据《国家标准委关于下达2017年第四批国家标准制修订计划的通知》(国标委综合[2017]128号)的要求，半材标委[2018]1号转发2018年第一批半导体材料国家标准制(修)订项目计划，通知由南京国盛电子有限公司负责牵头编制，北京有研股份有限公司等公司参与，计划号：20141871-T-469，计划于2019年完成3、项目承担单位概况南京国盛电子有限公司，是中国电子科技集团公司第五十五研究所全资子公司,专业从事半导体硅外延材料以及第三代半导体外延材料的研发与生产近30年。
公司拥有世界一流的半导体外延工艺平台，其中硅外延片、碳化硅外延片、氮化镓外延片的销售与产能能力，连续多年国内第一。
公司技术力量雄厚，测试分析手段丰富，拥有多台套、国际先进、全系列的半导体外延材料测试设备。
2013年引进的安捷伦7700S电感耦合等离子体质谱仪，长期被用于4”~8”硅外延片产品、外延炉炉况、硅外延片清洗等重要工艺生产过程的质量监控，以及各个厂家硅抛光单晶片表面金属杂质的来料抽检，具有丰富的使用技术与经验。
并且公司于2012年成立了江苏省半导体硅外延材料工程技术研究中心，致力于半导体外延材料的测试分析与工艺技术创新研发。
因此南京国盛电子有限公司具备该标准起草、制定和相关试验条件与分析能力。
4、主要工作过程2018年初《硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》国家标准正式下达计划。
semi pv22-0817硅片标准
《semi pv22-0817硅片标准：为光伏产业提供的质量保障》一、导言光伏产业一直是全球清洁能源产业的热点之一，而硅片作为光伏组件的关键材料，在光伏产业中发挥着重要作用。
而针对硅片生产和质量管理的标准一直备受关注。
在这种情况下，SEMI组织发布的pv22-0817硅片标准为光伏产业提供了质量保障。
二、pv22-0817硅片标准的背景1. SEMI组织介绍SEMI是一个国际性的半导体产业协会，为半导体和与之相关的产业提供标准制定和资源支持。
而光伏产业作为半导体产业的延伸，在SEMI 组织的支持下逐渐成为了SEMI标准的关注对象。
2. 光伏产业的发展现状随着清洁能源的需求增加，光伏产业迅速发展。
然而，随之而来的是光伏组件质量的问题，其中硅片作为光伏组件的核心材料，其质量直接影响到光伏组件的性能和寿命。
制定并执行硅片的标准尤为重要。
3. SEMI发布的pv22-0817硅片标准为了提高硅片质量，并为光伏产业提供可靠的质量保障，SEMI组织发布了pv22-0817硅片标准。
该标准涵盖了硅片的尺寸、结构、表面特性、缺陷、杂质等多个方面的内容，为硅片的生产、质量控制提供了明确的指导。
三、pv22-0817硅片标准的内容介绍1. 硅片尺寸标准硅片的尺寸直接关系到其在光伏组件中的使用效果。
pv22-0817标准对硅片的尺寸范围、公差、平整度等进行了详细的规定，确保了硅片在生产过程中的尺寸稳定性和准确性。
2. 硅片结构要求硅片的结构对其性能和稳定性有很大影响。
标准规定了硅片的结晶结构、晶粒尺寸、晶界密度等要求，以确保硅片的结构完整和稳定。
3. 硅片表面特性标准硅片的表面特性对其光电转化效率和稳定性有重要影响。
标准详细规定了硅片表面的粗糙度、抛光度、氧化层等要求，以确保硅片表面的光学性能和稳定性。
4. 硅片缺陷和杂质规范硅片的缺陷和杂质是影响其性能和寿命的关键因素。
标准对硅片中可能存在的缺陷和杂质进行了分类和规范，以明确生产过程中的控制要求和质量检验标准。
硅片等级分类及标准
硅片等级分类及标准硅片是集成电路的基础材料，是制造半导体器件的重要材料之一。
硅片的等级分类及标准是半导体制造过程中非常关键和重要的一环，直接关系到半导体产品的质量和成本。
硅片等级分类硅片的等级主要通过各种标准来进行分类。
当前国际上应用的硅片等级分类主要有以下几种：1.根据表面洁净度分为：A级、B级、C级、D级、E级等五个等级。
其中，A级由于表面完全无污染，且基材完全无任何缺陷，成本最高；B级、C级和D级等级的硅片表面存在一定程度的杂质、缺陷和污染，成本逐步降低；E级硅片则为工作功能不完全的次品，成本最低。
2.根据晶体结构和纯度分为：单晶硅、多晶硅、低纯度硅、镁掺杂硅、磷掺杂硅等多个等级。
其中，单晶硅与多晶硅是半导体器件的主要基材，生产难度和成本都比较高；而低纯度硅、镁掺杂硅、磷掺杂硅等则是用于低端产品的制作，成本相对较低。
3.根据尺寸来分为：50~150mm低压硅片、200mm高压硅片、300mm超大硅片等。
随着制造工艺的不断进步和提升，硅片的尺寸也在不断规模化，浇铸技术不断推陈出新，硅片的尺寸也越来越大。
硅片标准硅片的等级分类通常是基于性能和价格的总体平衡，硅片标准则是要确保每一块硅片都符合严格的技术要求，以保证半导体器件的正常工作。
1.物理特性标准：硅片的物理外观符合一定规范，例如：表面平整度误差不超过±0.2毫米、表面质量达到一定标准、边缘息缺口宽度不超过0.5毫米等。
2.电学特性标准：硅片的电性能符合一定范围，例如：电阻、电容、漏电流、介电常数等都符合一定要求。
3.晶体学特性标准：硅片的晶体结构特性符合一定标准，例如：杂质杂交浓度、半径波动、晶粒尺寸、晶胞堆叠差等。
4.化学特性标准：硅片的元素杂质浓度、Cu杂质浓度、水分、Na浓度等也需要符合一些规定标准。
综上所述，硅片等级分类及标准是半导体制造中非常重要的环节。
通过严格的硅片等级分类，我们可以根据不同的性能和价格，选择不同等级的硅片用于生产。
国家标准硅抛光片表面颗粒测试方法中国有色金属标准质量信息网
国家标准《硅抛光片表面颗粒测试方法》（讨论稿）编制说明一、工作简况1. 标准简况：近年来，随着大规模集成电路使用硅片直径的增大和品质的极大提升，衬底片表面的纳米级颗粒和微小缺陷（像COP）严重影响器件的质量，直接影响着供需双方的成品率。
因此，抛光片、外延片等镜面表面的颗粒要求已成为关键参数，也是出厂和进货检验的主要参数。
由于国内外硅抛光片外延片直径越来越多，而要求的颗粒直径越来越小，一般都要求对0.10 到0.5 微米直径的颗粒进行探测和计数。
这已经远远超过了人的肉眼可以辨别的极限，因此各企业对抛光片表面颗粒、COP等众多缺陷的检验基本上都依赖硅片表面检查系统（简称SSIS）。
在修订后的标准中体现如何正确使用该方法和设备设置，并正确评价测量结果。
使标准修订后具有更普遍的实用性。
由于颗粒的测量的主要原理是利用SSIS 产生的激光束在待测镜面晶片表面进行扫描，并收集和确定来自晶片表面的局部散射光（LLSs）的强度和位置，与事先设置的一组已知尺寸的聚苯乙烯乳胶球等效的散射光（LSE）的强度进行比较，得到晶片表面的一系列不同直径尺寸的LLS 的总数和分布，将其作为晶片表面的颗粒尺寸和数量。
换句话说，从一个未知的LLS 收到的信号相当于从一个已知尺寸的聚苯乙烯胶乳（PSL）获得的信号。
除此之外，扫描仪对散射光与反射光的区分收集和处理，也可得到晶片表面的划伤、桔皮、抛光液残留；外延片表面划伤、棱锥、乳突等大面积缺陷。
通过对晶片表面小的凸起和凹陷的辨别及其在片子上位置的分布特征，可以探测分辨出COP。
通过对检测背景信号中低频信号的处理，得到晶片表面微粗糙度的参数Haze（雾）。
因此现在的SSIS 已经可以探测镜面晶片上几乎所有类型的缺陷。
随着硅片抛光和外延工艺的不断进步，晶片表面其他大面积缺陷，像划伤、桔皮、波纹、棱锥、堆垛层错等等数量上也越来越少了。
更多的还是颗粒或者COP。
习惯上我们所有这些表面缺陷粗略的统称为颗粒。
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单晶硅片技术标准
1范围
1.1本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等
1.2本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2规范性引用文件
2.1 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法
2.2 ASTM F26 半导体材料晶向测试方法
2.3 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法
2.4 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法
2.5 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法
2.6 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法
3术语和定义
3.1 TV :硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；
3.2 TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右
6mm处4点和中心点）；
3.3位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；
3.4位错密度：单位体积内位错线的总长度（cm/cm 3），通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；3.5崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给岀；
3.6裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；
3.7四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
3.8密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条
4分类
单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125' 125 I （mm）、125' 125 n （mm）> 156 '156（mm）。
5技术要求
5.1外观
见附录表格中检验要求。
5.2外形尺寸
5.2.1方片TV为200 ±20 um,测试点为中心点；
5.2.2方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点；
5.2.3硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15% ；
5.2.4相邻C段的垂直度：90 °±0.3°；
5.2.5其他尺寸要求见表1。
表1 单晶硅片尺寸要求
注1：A、B、C、D分别参见图1
图1 硅单晶片尺寸示意图
5.3材料性质
5.3.2硅片电阻率：见下表；
5.3.3硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mm样片钝化后的少子寿命）；
5.3.4晶向：表面晶向<100>+/-3.0 °
5.3.5 位错密度w 3000pcs/cm2；
5.3.6 氧碳含量：氧含量w 20ppma,碳含量w l.0ppma。
6检测环境、检测设备和检测方法
6.1检测环境：室温，有良好照明（光照度> 1000LUX）。
6.2检测设备：游标卡尺（0.01mm ）、厚度测试仪/千分表（0.001mm ）、水平测试台面、四探针测试仪、少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。
6.3检测项目：导电类型、氧碳含量、单晶晶向、单晶位错密度、电阻率、少子寿命、外形尺寸。
6.4检测
方案：外观和尺寸进行全检，材料的性能和性质以单晶铸锭头尾部参数为参考，并提供每个批次硅片的检测报告。
6.5检验结果的判定
检验项目的合格质量水平详见附录表A《检验项目、检验方法及检验规则对照表》。
7包装、储存和运输要求
7.1每包400枚，每箱6包共2400枚。
需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应，每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。
7.2产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度：10'C〜40 C ;湿度：w 60%避免酸碱腐蚀性气氛；避免
油污、灰尘颗粒气氛。
多晶硅片技术标准
1范围
1.1本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等
1.2本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。
2规范性引用文件
2.1 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法
22 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法
2.3 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法
2.4 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法
2.5 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法
3术语和定义
3.1 TV :硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；
3.2 TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右4
点和中心点）；
3.3崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给岀；
3.4裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；
3.5四角同心度：多晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
3.6密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条
4分类
多晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：156mm' 156mm。
5技术要求
5.1外观
见附录表格中检验要求。
5.2外形尺寸
5.2.1方片TV为200 ±20 um,测试点为中心点；
5.2.2方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点；
5.2.3硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15% ；
5.2.4相邻C段的垂直度：90 0±0.3°。
5.2.5其他尺寸要求见表1。
表1 多晶硅片尺寸要求
注1: A、B、C、D分别参见图1
5.3材料性质
5.3.1导电类型：P型，掺杂剂：B,硼（Boron）;
5.3.2硅片电阻率：掺硼多晶片：电阻率为1Q・cim3Q・cm
5.3.3多晶硅少子寿命＞2us
5.3.4 氧碳含量：氧含量＜12ppma,碳含量＜12ppma。
6检测环境、检测设备和检测方法
6.1检测环境：室温，有良好照明（光照度＞1000LUX）。
6.2检测设备：游标卡尺（0.01mm ）、厚度测试仪/千分表（0.001mm ）、水平测试台面、四探针测试仪、少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。
6.3检测项目：导电类型、氧碳含量、电阻率、少子寿命、外形尺寸。
6.4检测方案：
外观和尺寸进行全检，材料的性能和性质以多晶铸锭头尾部参数为参考，并提供每个批次硅片的检测报告。
6.5检验结果的判定
7包装、储存和运输要求
7.1每包400枚，每箱6包共2400枚。
需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应，每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。
7.2产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度：10'C〜40 C ;湿度：＜60%避免酸碱腐蚀性气氛；避免
油污、灰尘颗粒气氛。
7.3产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。
8 •附录A 《多晶硅片检验项目、检验方法及检验规则对照表》。
注：本《多晶硅片技术标准》中未明示事项或对产品检验标准存在异议，均以附件《太阳能级多晶硅片国家标准》为准。
外观可以见FTS限度样本。