Flash存储器概述与编程模式.

D7～D4位：未定义。 D3 — HVEN位：高压允许位（High-Voltage Enable Bit）。 D2 — MASS位：整体擦除控制位（Mass Erase Control Bit）。 D1 — ERASE位：擦除控制位（Erase Control Bit）。 D0 — PGM位：编程（写入）控制位（Program Control Bit）。
11.1.1 Flash存储器的ห้องสมุดไป่ตู้本特点与编程模式
（1）Flash存储器的基本特点
① 固有不挥发性
② 易更新性 ③ 成本低、密度高、可靠性好
（2）Flash存储器的两种编程模式
①监控模式（Monitor Mode）或写入器模式
②用户模式（User Mode）或在线编程模式
11.1 Flash存储器概述与编程模式
11.2 GP32 Flash存储器编程方法
（2）Flash片内单位：页（Page）和行（Row）
页和行的大小（字节数）随整个Flash存储器的大小变化而变化， 但页的大小始终为行的两倍。例如MC68HC908GP32内含32K的Flash 存储器（地址为$8000～$FDFF），每页的大小为128字节，每行的大 小为64字节；而MC68HC908JL3片内Flash存储器仅有4K，每页和每 行的大小也分别变为64字节和32字节。
11.2.1 Flash存储器编程的基本概念
（1）对Flash编程的两种基本操作：擦除（Erase）和写入 （Program） 擦除操作的含义是将存储单元的内容由二进制的0变成1， 写入操作的含义是将存储单元的内容由二进制的1变成0。
擦除及写入操作都是通过设置或清除Flash存储器的控制寄存器
（FLCR）中的某个或某些位来完成的。
第十一章 Flash存储器的在线编程
主要内容

Flash存储器概述与编程模式


MC68HC908GP32单片机Flash存储器编程方法
GP32单片机Flash在线编程汇编语言实例 GP32单片机Flash在线编程C语言实例 HCS08系列单片机Flash编程方法
11.1 Flash 存储器概述与编程模式
11.1.2 M68HC08系列单片机Flash存储器的特点 与编程模式
（1）M68HC08系列单片机Flash存储器的特点
第一，编程速度快及可靠性高。 第二，单一电源电压供电。 第三，支持在线编程。
11.1 Flash存储器概述与编程模式
（2）M68HC08系列单片机Flash存储器的编程模式
（3）Flash的整体擦除和页擦除
对于GP32单片机来说，对Flash存储器的擦除操作可以进行整体擦 除也可以仅擦除某一起始地址开始的一页（128字节）。也就是说，不 能仅擦除某一字节或一次擦除小于128字节。注意这一特点，在数据安 排时尤为重要。GP32单片机的写入操作以行（64字节）为基础，一次 连续写入数据个数只能在一行之内。当然，不经过擦除的区域，不能 进行写入，这一点需特别注意。
11.2 GP32 Flash存储器编程方法
（ 2 ） Flash 块 保 护 寄 存 器 （ Flash Block Protect Register — FLBPR）
FLBPR 的地址： $FF7E ，它的内容为 Flash 保护区域的起始地址的 14～7位,保护区域的起始地址的最高位始终为 1，而保护区域的起始地址 的低7位(位6～0)始终为0。对FLBPR写入，可以设定被保护的Flash区域， 它本身也是一个Flash字节。当Flash处于保护状态时，擦除和写入操作都 是受限制的，HVEN将无法被正常置起。Flash块保护寄存器设定的只是 保护区域的起始地址，保护区域的结束地址始终为 Flash存储区的结束地 址（$FFFF）。例如，设定FLBPR的值为$02(%0000 0010)，则保护区域 为$8100～$FFFF(%1000 0001 0000 0000 ～ %1111 1111 1111 1111)。 特别情况是:FLBPR的存储内容为$00，整个Flash存储区都受到保护； 如果FLBPR的存储内容为$FF，则整个Flash存储区都可以被擦除或写入。
M68HC908系列单片机中绝大多数型号在其内部带有监控ROM,其地
址和大小取决于芯片型号。 Flash存储器工作于监控模式的条件是：
① 复位向量（$FFFE～$FFFF）内容为“空”（$FFFF）。 ② 单片机复位时在IRQ引脚上加上高电压（1.4～2Vdd）,并给某些
I/O脚置适当值（与芯片型号有关，设计时，参考芯片手册）。
11.2 GP32 Flash存储器编程方法
11.2.2 Flash存储器的编程寄存器
（1）Flash控制寄存器（Flash Control Register — FLCR）
FLCR的地址：$FE08，定义为：
数据位 定义 复位 0 0 0 0 D7 D6 D5 D4 D3 HVEN 0 D2 0 D1 0 D0 0 MASS ERASE PGM
注：只有当单片机处于运行用户程序时，对FLBPR本身和Flash保护区域的
擦写操作保护才是有效的。复位不影响FLBPR。
11.2 GP32 Flash存储器编程方法
GP32与JL3芯片Flash块保护寄存器设置比较
GP32 FLBPR内容 $00(%0000 0000) $01(%0000 0001) $02(%0000 0010) 受保护的Flash区域 $8000 ~ $FFFF $8080 ~ $FFFF $8100 ~ $FFFF FLBPR内容 $00 ~ $60 $62(%0110 0010) $64(%0110 0100) JL3 受保护的Flash区域 $EC00 ~ $FFFF $EC40 ~ $FFFF $EC80 ~ $FFFF
M68HC908系列单片机的Flash存储器工作于用户模式不需要特别的 条件，在单片机正常工作的过程中，程序可以随时转入对Flash存储器进
行编程操作。这种情况下对Flash存储器的擦除与写入，不需要用户提供
其它外部硬件条件。
11.1 Flash存储器概述与编程模式
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