电磁场数值分析
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电磁场数值分析
《电磁场数值分析》
(作业)
--- 2016学年 ---
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任课教师:
2016年6月6日
作业1
一个二维正方形(边长a=10mm)的静电场区域,电位边界条件如图所示(单位:V),求区域内的电位分布。要求用超松弛迭代法求解差分方程组进行计算。
代码:
hx=11;
hy=11;
v1=zeros(hy,hx);
v1(hy,:)=ones(1,hx)*100;
v1(1,:)=ones(1,hx)*50;
for i=1:hy;
v1(i,1)=0;
v1(i,hx)=100;
end
w=2/(1+sin(pi/(hx-1)));
maxt=1;
t=0;
v2=v1;
n=0;
while(maxt>1e-6)
n=n+1;
maxt=0;
for i=2:hy-1;
for j=2:hx-1;
v2(i,j)=(1-w)*v1(i,j)+w*(v1(i+1,j)+v1(i,j+1)+v2(i-1,j )+v2(i,j-1))/4;
t=abs(v2(i,j)-v1(i,j));
if (t>maxt)
maxt=t;
end
end
end
v1=v2;
end
subplot(1,2,1)
mesh(v2)
axis([0,11,0,11,0,100])
subplot(1,2,2)
contour(v2,20)
结果:
coef1=dt/(mu0*dx);
coef2=dt/(eps0*dx);
coef3=(c*dt-dx)/(c*dt+dx);
ezold=ez;
for now=1:timestep;
hx=hx-coef1*(ez(:,2:ymesh+1)-ez(:,1:ymesh));
hy=hy+coef1*(ez(2:xmesh+1,:)-ez(1:xmesh,:));
ez(2:xmesh,2:ymesh)=ez(2:xmesh,2:ymesh)-...
coef2*(hx(2:xmesh,2:ymesh)-hx(2:xmesh,1:ymesh-1))-...
coef2*(hy(2:xmesh,2:ymesh)-hy(1:xmesh-1,2:ymesh));
ez(1,:)=ezold(2,:)+coef3*(ez(2,:)-ezold(1,:));
ez(xmesh+1,:)=ezold(xmesh,:)+coef3*(ez(xmesh,:)-ezold (xmesh+1,:));
ez(:,1)=ezold(:,2)+coef3*(ez(:,2)-ezold(:,1));
ez(:,ymesh+1)=ezold(:,ymesh)+coef3*(ez(:,ymesh)-ezold (:,ymesh+1));
ez(xmesh/2+1,ymesh/2+1)=sin(now*dt*2*pi*c/25.0); mesh(ez)
pause(0.01)
ezold=ez;
end
结果:
作业3
基于Pocklington方程用MoM分析半波对称振子天线:
观察天线线径和分段数目分别取不同值对天线阻抗和辐射特性的影响(半径分别取0.001λ,0.0001λ,0.00001λ,分段数取11,21,31)
代码:
%%初始化参数
c=3e-8;
r=1;
f=c/r;
w=2*pi*f;
e0=8.85e-12;
u0=4*pi*1e-7;
a=0.0001*r;
L=0.5*r;
k=2*pi/r;
N=31;
dl=L/(N+1);
l=L/2-dl/2;
lz=-l:dl:1;
lzs=lz(1:N);
lzm=lz(1:N)+dl/2;
lze=lz(2:N+1);
%%阻抗矩阵元素求解
fi=log(dl/a)/(2*pi*dl)-k/(4*pi)*1j;
fi_1=exp(-k*dl*1j)/(4*pi*dl);
fi_2=exp(-k*2*dl*1j)/(8*pi*dl);
z=ones(N,N);
for m=1:N
for n=1:N
if m==n
fi1=fi;
fi2=fi_1;
fi3=fi_2;
z(m,n)=((k^2*dl^2-2)*fi1+fi2+fi3);
elseif abs(m-n)==1
fi1=fi_1;
fi2=fi;
fi3=fi_2;
z(m,n)=((k^2*dl^2-2)*fi+fi2+fi3);
else
fi1=exp(-k*abs(m-n)*dl*1j)/(4*pi*abs(m-n)*dl);
fi2=exp(-k*abs(m+1-n)*dl*1j)/(4*pi*abs(m+1-n)*dl);
fi3=exp(-k*abs(n+1-m)*dl*1j)/(4*pi*abs(n+1-m)*dl); z(m,n)=((k^2*dl^2-2)*fi+fi2+fi3);
end
end
end
%%电压矩阵求解
V=zeros(N,1);
V((N+1)/2)=-1*(1j*w*e0);
I=z\V;
Z_in=1/I((N+1)/2);
disp(['输入阻抗=',num2str(Z_in)])
I_amp=abs(I);
Max=max(I_amp);
Iunit2=[0;I_amp/Max(1);0];
figure(1)
h=0:dl/r:L/r;
Ithe=sin(pi*h*r/L);
plot(h,Iunit2,'b',h,Ithe,'r','linewidth',2)
legend('pocklinton','解析值')
grid on
xlabel('电长度')
ylabel('归一化电流')