晶体管Y参数

Yie

Ib Vbe
Vce 0
Yre

Ib Vce
Vb e 0
Y fe

Ic Vbe
Vce 0
Yoe

Ic Vce
Vb e 0
Yie是晶体管输出端短路时的输入导纳（下标 “ｉ”表示输入，“ｅ”表示共射组态），反 映了晶体管放大器输入电压对输入电流的控制 作用，其倒数是电路的输入阻抗。Yie参数是复 数。
同理：
Y fe

Ic Vbe
Vce 0

g bb
gbb (gm jCbc ) gbe j(Cbe Cbc )
Yre

Ib Vce
Vbe 0

gbb
gbb jCbc gbe j(Cbe
Cbc )
Yoe

Ic Vce
Vb e 0
Yfe是晶体管输出端短路时的正向传输导纳（下 标“f”表示正向），反映了晶体管输入电压对 输出电流的影响，即晶体管内部的控制作用,表 示晶体管的放大能力。
Yre是晶体管输入端短路时的反向传输导纳（下 标“r”表示反向），反映了晶体管输出电压对 输入电流的影响，即晶体管内部的反馈作用。
Yoe是晶体管输入端短路时的输出导纳（下标 “o”表示输出），反映了晶体管输出电压对输 出电流的作用，其倒数是电路的输出阻抗。
1.3 晶体管高频小信号等效电路与参数
1.3.1 共发晶体三极管的混合π型等效电路 1.3.2 共发晶体三极管的Y参数等效电路 1.3.3 晶体三极管的Y参数
1.3.1 共发晶体三极管的混合π型等效电路
小信号时，PN结等效电路：
rd ：微变等效电阻
Cd Cd ：势垒电容（或扩散电容）
rd
三极管结构

ICQ 26
1.3.2 共发晶体三极管的Y参数等效电路
1. 有源四端网络的Y参数等效电路
网络方程： I1 Yi (S)V1 Yr (S)V2
I2 Yf (S)V1 Yo (S)V2
1
I 1
+
V1
-
1
Yi (S ) Yr (S ) Yf (S ) Yo (S )
I 2
V10
—— 输入端交流短路的反向传输导纳
Yo (S)

I 2 V2
V10
—— 输入端交流短路的输出导纳
四端网络等效电路：
I1 Yi (S)V1 Yr (S)V2
I2 Yf (S)V1 Yo (S)V2
由于是在输入、输出短路时确定的导纳，又称短路 导纳参数。
2. 共发三极管的Y参数等效电路
. Ib b ＋
. Ube
－
Yie .
YreUce
e
(a)
. YfeUbe
. Ic
c ＋ Yoe . Uce
－
（同理，有共基、共集的Y参数等效电路）
1.3.3 晶体三极管的Y参数
1. 共发三极管的Y参数
一般手册上无Y参数，都是混π 参数。可以 用混π 参数来表示Y参数。
（若在ce两端跨接一较
大电容，则 Vce =0 交流
短路）
Yie

Ib Vbe
Vce 0
Vbe

Ib
(
1 g bb

Zbe )
Z be

g be

1
j (Cbe
Cbc )
Vbe

Ib
[
1 g bb

gbe

1
j (Cbe
] Cbc )
Yie

Ib Vbe
Vce 0

gbb[gbe j(Cbe Cbc )] gbb gbe j(Cbe Cbc )
Yie

gie

jCie

Agbe BCbe
A2 B2

j
Cbc A2 B2
呈容性
晶体管中的Y参数都呈容性，都可以用以上形式表示。
。 Yie和Yoe常用模和相角形式表示，Yfe和Yre常用实部和虚部形式表示
Y fe y fe e j fe
gm
j(tg 1 B )
2
+
V2
-
2
据方程，有：
Yi
(S)

I1 V1
V2 0
Yf
(S)

I2 V1
V2 0
—— ——
1
+
I 1
Yi (S ) Yr (S )
I 2
2
+
V1
V2
-
1
Yf (S ) Yo (S )
-
2
输出端交流短路的输入导纳
输出端交流短路的正向传输导纳
Yr (S)

I 1 V2
在分析高频小信放大器时，采用Ｙ参数等效电路进 行分析是比较方便的。所以在电路化简时，可将晶体管 等效成一个Ｙ参数等效电路。
＋
b
.
.
Ib
Ube
－
c .
＋
Ic
V
.
Uce
e
－
一个晶体管可以看成有源四端网络
应用前面的分析结果，找出对应关系。 （注：短路导 纳参数只与晶体管本身有关，与外电路无关。）
Ib YieVbe YreVce Ic YfeVbe YoeVce
e
A
A2 B2
Yre
Ib Vce
Vce 0

yre e jre

Cbc
j( tg 1 B )
e2 A
A2 B2
Yoe

g oe

jCoe

(gce

BCbc gmrbb
A2 B2
)

j (Cbc

ACbLeabharlann Baiduc g A2
m rbb B2
)
式中， A 1 rbb gbe
gce
jCbc (gm gbb gbe jCbe ) gbb gbe j(Cbe Cbc )
以上关系式较复杂，是因为 rbb 存在，在高频时不能忽略。
简化以上几式，适当忽略 Cbc Cbe Cbc Cbe Cbc Cbe
rbe
Vbe Ib

Vbe
Ie /(1 )
Vbe Ie
(1 ) (1 )re
re ——发射结电阻
re

26(mv) I EQ

26(mv) ICQ (mA)
g m ——静态跨导
gm
IC Vbe

IC I B rbe
1
rbe

1 re

I EQ 26
1．模拟混合π型等效电路
rcc ， ree 可以忽略（掺杂浓度小）,
rbb 较大（掺杂浓度大）
2．高频混合π型等效电路
低频时，电容容抗很大，可忽略； 高频时，电容容抗很小，电阻可忽略。
管子后面的负载LC是以并联形式出现的,考虑到计算方便, 选用Y参数
3．混π电路中的几个参数
rbe ——发射结等效电阻