晶圆激光划片切割应用范围【详解】

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晶圆激光划片切割应用

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圆划片是半导体芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序,在晶圆制造中属后道工序。将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片(晶粒),称之为晶圆划片。

在晶圆划片行业,主要有两种切割工艺,一个是传统的刀片切割,另一个新型的现代工艺激光划片。下面,将通过对比两种切割工艺,证明激光划片的优势。

刀片划片

最早的晶圆是用划片系统进行划片(切割)的,现在这种方法仍然占据了世界芯片切割市场的较大份额,特别是在非集成电路晶圆划片领域。金刚石锯片(砂轮)划片方法是目前常见的晶圆划片方法。原理:当工作物是属于硬、脆的材质,钻石颗粒会以撞击(Fracturing)的方式,将工作物敲碎,再利用刀口将粉末移除。

存在的问题

●刀片划片直接作用于晶圆表面,易产生裂纹,碎片和分层;

●划片线宽较大,宽切槽一般有50-100um,晶圆利用率低;

●刀具易磨损,需要频繁更换刀具,另外还需要大量去离子水,增加了切割成本;

●化学法,蚀刻速度慢,对环境污染大,切割后的硅粉水难处理。

激光划片

由于激光在聚焦上的优点, 聚焦点可小到亚微米数量级, 从而对晶圆的微处理更具优势, 可以进行小部件的加工。即使在不高的脉冲能量水平下, 也能得到较高的能量密度, 有效地进行材料加工。激光划片属于非接触式加工,可以避免出现芯片破碎和其它损坏现象。

加工优势

●激光划片窄切槽(10-30um),晶圆利用率高;

●激光是非接触加工,不会产生机械应力,适合薄晶圆作业,具有更好的兼容性和通用性;

●激光划片速度快,高达300mm/s;

●激光自动化程度高,可以切割一些较复杂的晶圆芯片;

●激光划片不需要去离子水,不存在刀具磨损问题,并可连续24小时作业。

下图所示为使用皮秒超精细激光切割后的状况示意图,由图中可以看出,相对于传统的机械切割方式,使用激光切割边缘几乎无任何崩边等问题,亦不存在任何残渣等影响产品后续效果的物质,由此产品的良品率得到大幅的提升,同时激光切割的速度可以达到300mm/s,相对传统的几十mm/s的速度,产品的产能得到大幅的提升,机器的购买数量减少,相应的厂房占地、人员管理等都相应大幅减少,为企业的生存及竞争力提供了强有力的保障。由最下方图示可以看出,由于皮秒激光超精细微加工的切割缝宽做到了10微米级别的程度,单片晶圆的晶粒数得到了大幅的增长,为企业降低成本、提高产能、提高利润提供了非常强大的技术应用基础;

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