FSBB20CH60F芯片使用说明

FSBB20CH60F芯片使用说明

1－Vcc(L) 低端的IC和IGBT的共同偏置电压驱动15V

2－COM 公共地

3－IN(UL)U相低信号输入端－接单片机

4－IN(VL)V相低信号输入端－接单片机

5－IN(WL)W相低信号输入端－接单片机

6－VFO 故障输出

7－CFOD 电容器故障输出持续时间选择

8－CSC 电容（低通滤波器）的短期电流检测输入

9－IN(UH) U相高边信号输入端－接单片机

10－VCC(UH) U相高边集成电路偏置电压－15V

11－VB(U) U相IGBT驱动偏置电压

12－VS(U) U相高边的IGBT驱动偏置电压地

13－IN(VH) V相高边信号输入端－接单片机

14－VCC(VH) V相高边集成电路偏置电压－15V

15－VB(V) V相IGBT驱动偏置电压

16－VS(V) V相高边的IGBT驱动偏置电压地

17－IN(WH) W相高边信号输入端－接单片机

18－VCC(WH) W相高边集成电路偏置电压－15V

19－VB(W) W相IGBT驱动偏置电压

20－VS(W) W相高边的IGBT驱动偏置电压地

21－NU U相输入直流负极

22－NV V相输入直流负极

23－NW W相输入直流负极

24－U 三相U相输出

25－V 三相V相输出

26－W 三相W相输出

27－P 直流正极－325V

注：

1。逆变器低侧是由三个IGBT的，每个IGBT的控制IC和一个续流二极管。它的栅极驱动和保护功能。

2。逆变电源侧由四个逆变器的直流输入端和三个逆变器输出端。

3。逆变器的高端，是由三个的IGBT，续流二极管和三款每个IGBT驱动集成电路。

图11、典型应用电路注意事项：

1。为了避免故障，每输入接线应尽可能短。（小于2厘米）

2。通过整合内部的应用程序，没有任何直接耦合到CPU终端光电扫描探针显微镜耦合器或变压器隔离特定类型的HVIC美德是可能的。

3。VFO的集电极开路输出型。这个信号线，应停在了5V电源积极的一面，大约4.7kΩ电阻。请参阅图9。

4。CSP15约7倍哥伦比亚广播公司更大的自举电容器建议。

5。VFO的输出脉冲宽度的确定应接一个外部电容之间CFOD（pin7）和COM（输入PIN2）（CFOD）。（例如：如果CFOD = 33 nF的，然后分拆= 1.8ms

（典型值））请参阅说明第5的计算方法。

6。输入信号是高活性型。有一个内部的IC3.3kΩ电阻拉下每个输入信号线接地。在聘用RC耦合电路的，比如钢筋混凝土的情侣设置该输入信号同意turn-off/turn-on阈值电压。7。为了防止保护功能错误，周围射频布线和CSC应尽可能短。

8。在短路保护电路，请选择RFCSC时间常数范围内的1.5〜2微秒。

9。每个电容器应尽可能靠近安装在尽可能索爱的管脚。

10。为了防止浪涌破坏之间的平滑电容器和P＆GND引脚布线应尽可能短。在高频率使用非感性电容约0.1〜0.22之间在P＆GND引脚μF的建议。

11。继电器用在几乎所有家电电气设备系统。在这种情况下，应该和CPU之间的继电器足够的距离。

12。CSPC15应该结束了1uF的和安装的接近索爱尽可能的引脚。