存储器相关习题
微机原理 存储器练习题
1、现有EPROM芯片2732（4KX8位），以及3-8译码器74LS138，各种门电路若干，要求在8088CPU上扩展容量为16KX8 EPROM内存，要求采用部分译码，不使用高位地址线A19、A18、A15，选取其中连续、好用又不冲突的一组地址，要求首地址为20000H。
请回答：1）2732的芯片地址线、数据线位数是多少？（2分）2）组成16KX8需要2732芯片多少片？（1分）3）写出各芯片的地址范围。
（4分）1）地址线12根，数据线8根；2）4片；3）1# 20000H~20FFFH 2# 21000H~21FFFH3# 22000H~22FFFH 4# 23000H~23FFFH2、有一个2732EPROM（4KX8）芯片的译码电路如下图所示,试求:①计算2732芯片的存储容量；②给出2732芯片的地址范围；③是否存在地址重叠区?① 4KB②08000H---09FFFH③存在重叠区 08000H---08FFFH09000H---09FFFH3、某CPU有地址线16根（A0~A15）,数据线8根（D0~D7）及控制信号RD、WR、MERQ(存储器选通)、IORQ(接口选通)。
如图所示，利用RAM芯片2114（1KX4）扩展成2KX8的内存，请写出芯片组1和芯片组2的地址范围。
1G MERQ11A 12A 13A 14A 15A &A G 2B G 21Y C 13874LS B 0Y 1#2114CS2#2114CS 3#2114CS 4#2114CS 第1组第2组WRRD47~D D 09~A A 03~D D A10A答：第1组：C000H~C3FFH第2组：C400H~C7FFH4、下面是一个8微机的与EPROM的连接图，请写出每片EPROM的地址范围。
74LS138EPROM1：1000H～17FFHEPROM2：1800H～1FFFHEPROM3：2000H～27FFH5、某微机的存储器系统总容量为64K 。
【免费下载】存储器 练习题答案
B. 提高内存的可靠性
D.增加内存容量，同
C．64，8
C． 提高外存储器的存取速度
D． 扩大外存储器的存储空间
7、双端口存储器在（ ）情况下会发生读/写冲突。
址码相同
A. 左端口与右端口的地址码不同 B. 左、右端口的地
C. 左、右端口的数据码相同
不同
8、 计算机系统中的存储器系统是指（ ）。
A RAM 存储器 B ROM 存储器 C 主存储器 D 主存
B．16，16
A． 扩大主存储器的存储空间，并能进行自动管理和调度
B． 提高主存储器的存取速度
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，系电，力根通保据过护生管高产线中工敷资艺设料高技试中术卷资，配料不置试仅技卷可术要以是求解指，决机对吊组电顶在气层进设配行备置继进不电行规保空范护载高与中带资负料荷试下卷高问总中题体资，配料而置试且时卷可，调保需控障要试各在验类最；管大对路限设习度备题内进到来行位确调。保整在机使管组其路高在敷中正设资常过料工程试况中卷下，安与要全过加，度强并工看且作护尽下关可都于能可管地以路缩正高小常中故工资障作料高；试中对卷资于连料继接试电管卷保口破护处坏进理范行高围整中，核资或对料者定试对值卷某，弯些审扁异核度常与固高校定中对盒资图位料纸置试，.卷保编工护写况层复进防杂行腐设自跨备动接与处地装理线置，弯高尤曲中其半资要径料避标试免高卷错等调误，试高要方中求案资技，料术编试交写5、卷底重电保。要气护管设设装线备备置敷4高、调动设中电试作技资气高，术料课中并3中试、件资且包卷管中料拒含试路调试绝线验敷试卷动槽方设技作、案技术，管以术来架及避等系免多统不项启必方动要式方高，案中为；资解对料决整试高套卷中启突语动然文过停电程机气中。课高因件中此中资，管料电壁试力薄卷高、电中接气资口设料不备试严进卷等行保问调护题试装，工置合作调理并试利且技用进术管行，线过要敷关求设运电技行力术高保。中护线资装缆料置敷试做设卷到原技准则术确：指灵在导活分。。线对对盒于于处调差，试动当过保不程护同中装电高置压中高回资中路料资交试料叉卷试时技卷，术调应问试采题技用，术金作是属为指隔调发板试电进人机行员一隔，变开需压处要器理在组；事在同前发一掌生线握内槽图部内 纸故，资障强料时电、，回设需路备要须制进同造行时厂外切家部断出电习具源题高高电中中源资资，料料线试试缆卷卷敷试切设验除完报从毕告而，与采要相用进关高行技中检术资查资料和料试检，卷测并主处且要理了保。解护现装场置设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
(完整版)存储器习题及参考答案
习题四参考答案1．某机主存储器有16位地址，字长为8位。
（1）如果用1k×4位的RAM芯片构成该存储器，需要多少片芯片？（2）该存储器能存放多少字节的信息？（3）片选逻辑需要多少位地址？解：需要存储器总容量为：16K×8位，故，（1）需要1k×4位的RAM芯片位32片。
（2）该存储器存放16K字节的信息。
（3）片选逻辑需要4位地址。
2. 用8k×8位的静态RAM芯片构成64kB的存储器，要求：（1）计算所需芯片数。
（2）画出该存储器组成逻辑框图。
解：（1）所需芯片8片。
（2）逻辑图为：3. 用64k×1位的DRAM芯片构成256k×8位存储器，要求：（1）画出该存储器的逻辑框图。
（2）计算所需芯片数。
（3）采用分散刷新方式，如每单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读/写周期？解：（1）（2）所需芯片为32片。
（3）设读写周期为0.5微妙，则采用分散式刷新方式的刷新信号周期为1微妙。
因为64K ×1的存储矩阵是由四个128×128的矩阵构成，刷新时4个存储矩阵同时对128个元素操作，一次刷新就可完成512个元素，整个芯片只有128次刷新操作就可全部完成。
所以存储器刷新一遍最少用128个读/写周期。
4. 用8k×8位的EPROM芯片组成32k×16位的只读存储器，试问：（1）数据寄存器多少位？（2）地址寄存器多少位？（3）共需多少个EPROM芯片？（4）画出该只读存储器的逻辑框图？解：因为只读存储器的容量为：32k×16，所以：（1）数据寄存器16位。
（2）地址寄存器15位。
（3）共需8个EPROM芯片？（4）逻辑框图为：5. 某机器中，已经配有0000H～3FFFH的ROM区域，现在再用8k×8位的RAM芯片形成32k ×8位的存储区域，CPU地址总线为A0～A15，数据总线为D0～D7，控制信号为R/W（读/写）、MREQ（访存），要求：（1）画出地址译码方案。
(完整word版)第四章存储器习题
第四章存储器一、填空题1. 计算机中的存储器是用来存放的,随机访问存储器的访问速度与无关.√2。
主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。
√3。
存储器中用来区分不同的存储单元，1GB= KB。
√4。
半导体存储器分为、、只读存储器(ROM)和相联存储器等。
√5. 地址译码分为方式和方式.√6。
双译码方式采用个地址译码器，分别产生和信号。
√7。
若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有条输出线；用双译码方式,地址译码器有条输出线。
√8. 静态存储单元是由晶体管构成的，保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要。
√9. 存储器芯片并联的目的是为了 ,串联的目的是为了。
10. 计算机的主存容量与有关，其容量为。
11。
要组成容量为4M×8位的存储器,需要片4M×1位的存储器芯片并联，或者需要片1M×8位的存储器芯片串联。
12. 内存储器容量为6K时，若首地址为00000H,那么末地址的十六进制表示是。
13 主存储器一般采用存储器件，它与外存比较存取速度、成本。
14 三级存储器系统是指这三级、、。
15 表示存储器容量时KB= ,MB= ;表示硬盘容量时,KB= ，MB= 。
16一个512KB的存储器，其地址线和数据线的总和是。
17 只读存储器ROM可分为、、和四种.18 SRAM是；DRAM是；ROM是；EPROM是。
19半导体SRAM靠存储信息，半导体DRAM则是靠存储信息。
20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是。
21MOS半导体存储器可分为、两种类型，其中需要刷新。
22 广泛使用的和都是半导体③存储器。
前者的速度比后者快，但不如后者高，它们的共同缺点是断电后保存信息.23 EPROM属于的可编程ROM，擦除时一般使用，写入时使用高压脉冲.24 单管动态MOS型半导体存储单元是由一个和一个构成的。
25 动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方式。
第五章存储器习题(可编辑修改word版)
第五章存储器及其接口1.单项选择题（1）DRAM2164(64K╳1)外部引脚有（）A.16 条地址线、2 条数据线B.8 条地址线、1 条数据线C．16 条地址线、1 条数据线 D.8 条地址线、2 条数据线(2)8086 能寻址内存贮器的最大地址范围为()A.64KBB.512KBC.1MBD.16KB（3）若用1K╳4b的组成2K╳8b的RAM，需要（）。
A．2 片 B.16 片 C.4 片 D.8 片（4）某计算机的字长是否 2 位，它的存储容量是 64K 字节编址，它的寻址范围是（）。
A．16K B.16KB C.32K D.64K（5）采用虚拟存储器的目的是（）A．提高主存的速度 B.扩大外存的存储空间C．扩大存储器的寻址空间 D.提高外存的速度（6）RAM 存储器器中的信息是（）A．可以读/写的 B.不会变动的C.可永久保留的D.便于携带的（7）用2164DRAM 芯片构成8086 的存储系统至少要（）片A．16 B.32 C.64 D.8（8）8086 在进行存储器写操作时，引脚信号 M/IO 和 DT/R 应该是（）A．00 B。
01 C。
10 D。
11（9）某SRAM 芯片上，有地址引脚线12 根，它内部的编址单元数量为（）A．1024 B。
4096 C。
1200 D。
2K（11）Intel2167(16K╳1B)需要（）条地址线寻址。
A．10 B.12 C.14 D.16（12）6116（2K╳8B）片子组成一个 64KB 的存贮器，可用来产生片选信号的地址线是（）。
A．A0~A10B。
A~A15C。
A11~A15D。
A4~A19（13）计算一个存储器芯片容量的公式为（）A．编址单元数╳数据线位数B。
编址单元数╳字节C．编址单元数╳字长D。
数据线位数╳字长（14）与 SRAM 相比，DRAM（）A．存取速度快、容量大B。
存取速度慢、容量小C．存取速度快，容量小D。
存取速度慢，容量大（15）半导动态随机存储器大约需要每隔（）对其刷新一次。
存储器管理习题及答案
存储器管理一、单项选择题1．下列（A ）存储方式不能实现虚拟存储器。
A、分区B、页式C、段式D、段页式2．操作系统处理缺页中断时，选择一种好的调度算法对主存和辅存中的信息进行高效调度尽可能地避免（D ）。
A、碎片B、CPU空闲C、多重中断D、抖动3．分页式存储管理的主要特点是（C ）。
A、要求处理缺页中断B、要求扩充主存容量C、不要求作业装入到主存的连续区域D、不要求作业全部同时装人主存4．LRU页面调度算法淘汰（B ）的页。
A、最近最少使用B、最近最久未使用C、最先进入主存D、将来最久使用5．分区管理要求对每一个作业都分配（A ）的主存单元。
A、地址连续B、若干地址不连续的C、若干连续的页D、若干不连续的帧6．页面置换算法中（A ）不是基于程序执行的局部性理论。
A、先进先出调度算法B、LRUC、LFUD、最近最不常用调度算法7．在存储管理中，采用覆盖与交换技术的目的是（A ）。
A、节省主存空间B、物理上扩充主存容量C、提高CPU的效率D、实现主存共享8．分页虚拟存储管理中，缺页中断时，欲调度一页进入主存中，内存己无空闲块，如何决定淘汰已在主存的块时，（B）的选择是很重要的。
A、地址变换B、页面调度算法C、对换方式D、覆盖技术9．动态重定位技术依赖于（A ）。
A、重定位装入程序B、重定位寄存器C、地址结构D、目标程序10．（D ）存储管理兼顾了段式在逻辑上清晰和页式在存储管理上方便的优点。
A、分段B、分页C、可变分区方式D、段页式11．在可变分区存储管理中，某作业完成后要收回其主存空间，该空间可能与相邻空闲区合并，修改空闲区表使空闲区始址改变但空闲区数不变的是（A）情况。
A、有上邻空闲区也有下邻空闲区B、有上邻空闲区但无下邻空闲区C、无上邻空闲区但有下邻空闲区D、无上邻空闲区且也无下邻空闲区12．可变分区管理中，首次适应分配算法可将空闲区表中的空闲区栏目按（A ）顺序排列。
A、地址递增B、长度递增C、地址递减D、长度递减13．在固定分区分配中，每个分区的大小是（C ）。
存储论练习题
存储论练习题一、选择题1. 下列哪个不是计算机存储技术的主要形式？A. 磁盘B. 内存C. 光盘D. CPU2. 存储器的基本单位是：A. 字节B. 位C. 指令D. 段3. 磁盘存储器与内存存储器相比，优点是：A. 速度更快B. 容量更大C. 成本更低D. 使用更方便4. 下列哪个不是内存层次结构的组成部分？A. 寄存器B. 高速缓存C. 主存储器D. 辅助存储器5. 常用的内存存储器技术不包括：A. RAMB. ROMC. FlashD. SSD二、填空题1. 计算机中最小的存储单位是__位__。
2. 内存中每个存储单位都有唯一的__地址__。
3. 存储器的速度主要由__访问时间__和__带宽__决定。
4. 高速缓存的目的是__缓解内存读写速度与CPU执行速度之间的矛盾__。
5. 主存储器通过__内存总线__与CPU连接。
三、问答题1. 什么是存储器的容量和地址？答：存储器的容量是指存储器可以存储的数据量大小，通常以字节为单位表示；地址则是存储器中每个存储单元的唯一标识，用于访问和定位数据。
存储器的容量会影响地址的范围。
2. 请简要介绍磁盘存储器和内存存储器的特点和应用场景。
答：磁盘存储器是一种非易失性存储器，容量较大，但读写速度较慢，适合用于长期存储大量数据，如操作系统、应用软件等；内存存储器是一种易失性存储器，容量较小，但读写速度非常快，适合用于临时存储正在执行的程序和数据。
3. 为什么需要高速缓存？答：高速缓存的作用是缓解内存读写速度与CPU执行速度之间的矛盾。
CPU的执行速度远高于内存的访问速度，而高速缓存位于CPU 和内存之间，可以缓存CPU频繁访问的数据，从而减少对主存的访问次数，提高CPU的执行效率。
4. 请简述主存储器与辅助存储器的区别和联系。
答：主存储器是计算机的一部分，直接供CPU读写的存储器，速度快但容量有限；辅助存储器是用于长期存储数据的设备，如硬盘、光盘等，容量大但速度相对较慢。
微机原理习题集第七章存贮器
第七章内存储器一、填空题1、内存储器是计算机系统中的装置，用来存放和。
2、CPU对RAM存贮器进行读/写操作时，应送出的方向控制命令有和命令。
3、Intel 2114 RAM存贮芯片引脚中用于片选的控制引脚为，用于读/写控制引脚为。
4、Intel 4116 RAM芯片容量为2K 8，访问该芯片须用根地址线。
5、存贮芯片存贮的信息会，必须定时刷新，刷新的时间间隔为。
6、存贮器分为、、、。
7、逻辑地址为2000H：1234H的存储单元的物理地址是。
8、8086CPU写入一个规则字，数据线的高8位写入存储体，低8位写入存储体。
9 、将存储器与系统相连的译码片选方式有法和法。
10、对6116进行读操作，6116引脚= ，= ，= 。
二、单项选择题1、随机存贮器即RAM是指（）A.存贮单元中所存信息是随机的。
B.存贮单元中的地址是随机的。
C.用户的程序和数据可随机的放在内存的任何地方。
D.存贮器中存取操作与时间存贮单元物理位置顺序无关。
2、CPU对主存进行操作，下面哪种说法是不能实现的（）A.按地址并能读/写一个字节代码B.按地址串行1位1位进行读/写操作C.按地址并行读/写一个字长代码D.按地址进行并行读出而不能实现并行写入3、动态存贮器刷新，下面哪种说法正确（）A.刷新可在CPU执行程序过程中进行B.刷新在外电路控制下，定时刷新，但刷新时，信息不读出C.在正常存贮器读操作时也会发生刷新，可防止刷新影响读出信息，故读操作时，应关闭电路工作。
D.刷新过程一定伴随着信息输出，无法控制，故刷新时不要进行读出操作。
4、用4K×8的存贮芯片，构成64K×8的存贮器，需使用多少4K×8的存贮芯片，正确答案为（）A.128片B.16片C.8片D.32片5、在存贮器读周期时，根据程序计数器PC提供的有效地址，使用从内存中取出（）6、动态存贮器的主要缺点是（）A.存贮容量少B.存取速度低C.功耗大D.外围电路复杂7、动态RAM芯片容量为16K×1位，要构成32K字节的RAM存贮器，需要该芯（）A.4片B.8片C.16片D.32片8、堆栈操作时，段地址由（）寄存器指出，段内偏移量由（）寄存器指出。
第五、六章存储器管理练习题
第五、六章存储器管理练习题(一)单项选择题1．存储管理的目的是( )A、方便用户 B．提高主存空间利用率 C．方便用户和提高主存利用率 D．增加主存实际容量2．动态重定位是在作业的( )中进行的。
A．编译过程 B．装入过程 C．修改过程 D．执行过程3．提高主存利用率主要是通过( )实现的。
A．内存分配 B．内存保护 c．地址转换 D．内存扩充4．可变分区管理方式按作业需求量分配主存分区，所以( )。
A.分区的长度是固定 B．分区的个数是确定的C．分区长度和个数都是确定的 D．分区的长度不是预先固定的，分区的个数是不确定的5．( )存储管理不适合多道程序系统。
A．一个分区 B．固定分区 C.可变分区 D．段页式6．可变分区管理方式下( )分配作业的主存空间。
A．根据一张主存分配表 B．根据一张已分配区表和一张空闲区表C．根据一张“位示图”构成的主存分配表 D．由系统自由7．可变分区常用的主存分配算法中不包括( )。
A．最先适应分配算法 B．顺序分配算法 C．最优适应分配算法 D．最坏适应分配算法8．在可变分区方式管理下收回主存空间时，若已判定“空闲区表第j栏始址＝归还的分区始址+长度”，则表示( )。
A．归还区有下邻空闲区 B．归还区有上邻空闲区C．归还区有上、下邻空闲区 D．归还区无相邻空闲区9．当可变分区方式管理内存空间去配时，要检查有无相邻的空闲区，若归还区始地址为S，长度为Ｌ，符合( )表示归还区有上邻空闲区。
A．第j栏始址＝Ｓ+Ｌ B．第j栏始址+长度＝ＳC．第j栏始址+长度＝Ｓ且第k栏始址＝S+L D．不满足A、B、Ｃ任一条件10．碎片现象的存在使( )。
A．主存空间利用率降低 B．主存空间利用率提高C．主存空间利用率得以改善 D．主存空间利用率不受影响11．最佳适应分配算法把空闲区( )。
A．按地址顺序从小到大登记在空闲区表中 B．按地址顺序从大到小登记在空闲区表个C．按长度以递增顺序登记在空闲区表中 D.按长度以递减顺序登记在空闲区表中12．分页存储管理时，每读写一个数据，要访问( )主存。
6章存储器、可编程逻辑器件复习题
可编程逻辑器件一、选择题：1、一个ROM具有10根地址线,8根位线,则其存储容量为( )A. 210×8B. 102×8C. 10×82D. 10×82、工作中既可读出信息,又可写入信息的存储器称为( )A. RAMB. ROMC.PLAD. EPROM3、组合型的PLA( )A.与门阵列和或门阵列均可编程B.与门阵列可编程, 或门阵列不可编程C.与门阵列不可编程, 或门阵列可编程D．与门阵列和或门阵列均不可编程4、将256×1位ROM扩展为1024×1位ROM,地址线为（）条A. 10条B.12条C. 8条D. 7条5、一个RAM,它的地址寄存器为16位，它有（）A. 65536个地址单元B.4096个地址单元C. 1024个地址单元D.8192个地址单元6、7、8、9、一片64k×8存储容量的只读存储器（ROM），有（）。
A. 16条地址线和8条数据线B.64条地址线和16条数据线C.64条地址线和8条数据线D.16条地址线和16条数据线10、ROM必须在工作（）存入数据，断电（）数据；RAM可以在工作中（）读写数据，断电（）数据。
A. 前，不丢失；随时，将丢失B.中，不丢失；随时，将丢失C.前，不丢失；随时，不丢失D.前，丢失；随时，将丢失11、有四个存储器, 存储容量最大的是( )存储器A. 4096×8位B. 512×8位C.2048×4位D. 4096×1位12、CPLD是指（）A.复杂可编程逻辑阵列B.门阵列C.现场可编程逻辑阵列D.专用集成电路13、FPGA是指（）A. 现场可编程逻辑阵列B.可编程逻辑阵列C. 门阵列D.专用集成电路14、EPROM是指（）A.可擦可编程的只读存储器B.只读存储器C.可编程的只读存储器D.随机读写存储器15、随机存取存储器是( )A.只读存储器B.挥发性存储器C.不挥发性存储器D.以上三项均不是二、填空题：1、一个包含有32768 个基本存储单元的存储电路设计成4096个字节的RAM，该RAM有根数据线,有根地址线。
存储器练习题
存储器练习题《计算机组成原理》存储器练习题一、选择题1、存储器和CPU之间增加Cache的目的是( )。
A. 增加内存容量B. 提高内存的可靠性C. 解决CPU与内存之间速度问题D.增加内存容量，同时加快存取速度2、常用的虚拟存储系统由（）两级存储器组成，其中辅存是大容量的磁表面存储器。
A 主存-辅存B 快存-主存C 快存-辅存D 通用寄存器-主存3、双端口存储器所以能高速进行读 / 写，是因为采用（）。
A．高速芯片 B．两套相互独立的读写电路C．流水技术 D．新型器件4、在下列几种存储器中，CPU可直接访问的是（）。
A. 主存储器B. 磁盘C. 磁带D. 光盘5、SRAM芯片，存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为（）。
A．64，16 B．16，16 C．64，8 D．16，64。
6、采用虚拟存储器的主要目的是（）。
A．扩大主存储器的存储空间，并能进行自动管理和调度B．提高主存储器的存取速度C．提高外存储器的存取速度D．扩大外存储器的存储空间7、双端口存储器在（）情况下会发生读/写冲突。
A. 左端口与右端口的地址码不同B. 左、右端口的地址码相同C. 左、右端口的数据码相同D. 左、右端口的数据码不同8、计算机系统中的存储器系统是指（）。
A RAM存储器B ROM存储器C 主存储器 D主存储器和外存储器9、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按半字编址，它的寻址范围是（）。
A 0~4MB-1B 0~2MB-1C 0~2M-1D 0~1M-110、某一SRAM芯片，采用地址线与数据线分离的方式，其容量为512×8位，除电源和接地端外，该芯片引出线的最小数目应是（）。
A 23B 25C 50D 1911、以下四种类型的半导体存储器中，以传输同样多的字为比较条件，则读出数据传输率最高的是（）。
A DRAMB SRAMC FLASH ROMD EPROM12、计算机的存储器采用分级存储体系的目的是（）。
第四章主存储器习题(可编辑修改word版)
第四章主存储器习题一、选择题：将正确的答案序号填在横线上1.存储器是计算机系统的记忆设备，它主要用来存放。
A.数据B．程序C．微程序D．程序和数据2.若存储器的存储周期250ns，每次读出16 位，则该存储器的数据传送率为_ _。
A. 4×106B/秒B．4MB/秒C．8×106B/秒D．8Mb/ 秒3．按字节编址的存储器中，每个编址单元中存放信息。
A.1位B．8 位C．16 位D．64 位4．和外存储器相比，内存储器的特点是。
A. 容量大、速度快、成本低B．容量大、速度慢、成本高C．容量小、速度快、成本高D．容量小、速度快、成本低5．下列存储器中，属于非易失性存储器的是。
A．RAM B．静态存储器 C．动态存储器D．ROM6．下列部件中存取速度最快的是。
A.寄存器B．Cache C．内存D．外存7.EPROM 是指。
A.读写存储器B．紫外线擦除可编程只读存储器C．闪速存储器D．电擦除可编程只读存储器8.若某单片机的系统程序不允许用户在执行时改变，则可以选用作为存储芯片。
A．SRAM B． Cache C． EEPROM D．辅助存储器9.存储周期是指。
A．存储器的读出时间B.存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔C．存储器的写入时间D．存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔10.设某静态RAM 芯片容量为8K×8位，若由它组成32K×8的存储器，所用的芯片数及这种芯片的片内地址线的数目分别是_。
A．4 片，13 根B．4 片，12 根C．6 片，11 根D．4 片，16 根11.若SRAM 中有 4K 个存储单元，采用双译码方式时要求译码输出线为_ _根。
A. 4096 B．64 C．128 D．102412.半导体静态存储器SRAM 能够存储信息是。
A．依靠双稳态电路B．依靠定时刷新C.依靠读后再生D．信息不再变化13．Cache 是指。
A．高速缓冲存储器 B. 主存C．ROM D. 外部存储器14.磁盘按盘片的组成材料分为软盘和。
存储器习题与思考题
第3章存储器习题与思考题3-1. 什么是计算机的内存与外存，它们有什么区别？3-2. 简述存储器系统的层次结构，并说明为什么会出现这样的结构？3-3. 静态存储器和动态存储器的区别是什么，它们各有什么优缺点？3-4. 什么是RAM和ROM？3-5. RAM和ROM各自的特点是什么？3-6. DRAM为什么要刷新？3-7. ROM在计算机中的作用是什么？3-8. 什么是Cache?它的作用是什么？3-9. CPU与存储器连接时要注意哪几方面的问题？3-10. 什么是字扩展、位扩展和字位扩展？3-11. 存储器的性能指标有哪些？3-12. 常用的存储器地址译码方式有哪几种，各自的特点是什么？3-13. 某微机系统的RAM容量为4K×8位，首地址为4800H，求其最后一个单元的地址。
3-14. 设有一个具有14位地址和8位数据的存储器，问：（1）该存储器能存储多少字节的信息？（2）如果存储器由8K×8位RAM芯片组成需要多少片？（3）需要多少位地址做芯片选择？3-15. 用16K×1位的DRAM芯片组成64K×8位的存储器，画出该存储器组成的逻辑框图。
3-16. 在计算机系统中一个大的存储体可由多片小的存储芯片连接而成，现由INTEL 2114（1K×4bit）构成4K字节的存储体，假设CPU具有A0～A15地址线，A13、A14、A15通过74LS138部分译码选片，请问：（1）需要多少片2114？（2）请问该连接方法的重叠区域是多少？（3）请画出结构图。
3-17. 在8086系统中，若用1024×1位的RAM芯片组成16K×8位的存储器，需要多少芯片？3-18. 在8086系统中，用1024×1位的RAM芯片组成16K×8位的存储器，在CPU的地址总线中有多少位参与片内寻址？多少位可做芯片的片选信号？3-19. 存储器芯片功耗的选择原则是什么？3-20. 概述8086CPU的存储器地址分配情况。
存储器习题
注:红色为作业需上交。
注意填空选择需要抄写题目。
一．选择题1．计算机工作中只读不写的存储器是( )。
（A) DRAM （B) ROM （C） SRAM (D) EEPROM2．下面关于主存储器（也称为内存）的叙述中,不正确的是( ）。
(A) 当前正在执行的指令与数据都必须存放在主存储器内，否则处理器不能进行处理（B）存储器的读、写操作，一次仅读出或写入一个字节（C）字节是主存储器中信息的基本编址单位(D) 从程序设计的角度来看，cache(高速缓存）也是主存储器3．CPU对存储器或I/O端口完成一次读/写操作所需的时间称为一个（ )周期.(A) 指令（B) 总线（C）时钟（D) 读写4．存取周期是指（）。
（A)存储器的写入时间（B) 存储器的读出时间(C) 存储器进行连续写操作允许的最短时间间隔 (D）存储器进行连续读/写操作允许的最短时间3间隔5．下面的说法中，（ )是正确的。
（A） EPROM是不能改写的 (B) EPROM是可改写的，所以也是一种读写存储器（C） EPROM是可改写的,但它不能作为读写存储器（D) EPROM只能改写一次6．主存和CPU之间增加高速缓存的目的是（）。
(A）解决CPU和主存间的速度匹配问题（B) 扩大主存容量(C）既扩大主存容量，又提高存取速度 (D) 增强CPU的运算能力7．采用虚拟存储器的目的是（ )。
（A）提高主存速度（B）扩大外存的容量（C）扩大内存的寻址空间（D）提高外存的速度8．某数据段位于以70000起始的存储区，若该段的长度为64KB，其末地址是（ )。
（A） 70FFFH (B） 80000H （C) 7FFFFH (D） 8FFFFH9．微机系统中的存储器可分为四级，其中存储容量最大的是( ）。
(A) 内存 (B) 内部寄存器（C）高速缓冲存储器（D) 外存10．下面的说法中,（ )是正确的. (A) 指令周期等于机器周期（B) 指令周期大于机器周期 (C）指令周期小于机器周期 (D）指令周期是机器周期的两倍11．计算机的主内存有3K字节，则内存地址寄存器需( )位就足够。
存储器习题解答
1. 用下列芯片构成存储系统，各需要多少个RAM芯片？需要多少位地址作为片外地址译码？设系统为20位地址线，采用全译码方式。
（1）512×4位RAM构成16KB的存储系统；（2）1024×1位RAM构成128KB的存储系统；（3）2K×4位RAM构成64KB的存储系统；（4）64K×1位RAM构成256KB的存储系统。
解：(1) 需要16KB/512×4=64片，片外地址译码需20-log2512=11位地址线。
(2) 需要128KB/1K×1=1024片，片外地址译码需20-log21024=10位地址线。
(3) 需要64KB/2K×4=64片，片外地址译码需20-log2(1024×2)=9位地址线。
(4) 需要256KB/64K×1位=32片，片外地址译码需20-log2(1024×64)=4位地址线。
2. 现有一种存储芯片容量为512×4位，若要用它组成4KB的存储容量，需多少这样的存储芯片？每块芯片需多少寻址线？而4KB存储系统最少需多少寻址线？解: 4K×8bit /512×4bit= 16片，需要16片存储芯片；29 = 512，每片芯片需9条寻址线；212 = 4096，4KB存储系统最少需12条寻址线。
3. 一个具有8KB直接相联Cache的32位计算机系统，主存容量为32MB，假定该Cache中块的大小为4个32位字。
（1）求该主存地址中区号、块号和块内地址的位数。
（2）求主存地址为ABCDEF16的单元在Cache中的位置。
解: (1) 主存区数为32MB/8KB = 4096，212= 4096，区号的位数为12；区内块数为8KB/4×4B = 512，29 = 512，块号的位数为9；块内单元数（字节编址）为4×32 / 8 = 16，24= 16，块内地址的位数4。
存储器习题
第10章存储器及其接口典型试题一．填空题1.只读存储器ROM有如下几种类型：＿＿＿＿。
答案：掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM2.半导体存储器的主要技术指标是＿＿＿＿。
答案：存储容量、存储速度、可靠性、功耗、性能/价格比3.在16位微机系统中，一个存储字占用两个连续的8位字节单元，字的低8位存放在＿＿＿＿、高8位存放在＿＿＿＿。
答案：低地址单元、高地址单元4.SRAM芯片6116（2K×8B）有＿＿＿＿位地址引脚线、＿＿＿＿位数据引脚线。
答案：11 85.在存储器系统中，实现片选控制有三种方法，它们是＿＿＿＿。
答案：全译码法、部分译码法、线选法6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端，当输入地址码为101时，输出端＿＿＿＿有效。
答案：7.半导体静态存储器是靠＿＿＿＿存储信息，半导体动态存储器是靠＿＿＿＿存储信息。
答案：触发器电荷存储器件8.对存储器进行读/写时，地址线被分为＿＿＿＿和＿＿＿＿两部分，它们分别用以产生＿＿＿＿和＿＿＿＿信号。
答案：片选地址片内地址芯片选择片内存储单元选择二．单项选择题1．DRAM2164（64K×1）外部引脚有（）。
A.16条地址线、2条数据线B.8条地址线、1条数据线C.16条地址线、1条数据线D.8条地址线、2条数据线分析：从芯片容量（64K×1B）来看，有64K个编址单元，应有16条地址线（216=64K）。
但DRAM芯片集成度高、容量大、引脚数量不够，一般输入地址线采用分时复用锁存方式，即将地址信号分成二组、共用一组线，分两次送入片内。
而2164却有二条数据线，一条作为输入，一条作为输出。
答案：D 2．8086能寻址内存贮器的最大地址范围为（）。
A.64KBB.512KBC.1MBD.16KB分析：8086有20条地址总线A0～A19，它可以表示220=1M个不同的状态。
答案：C3．若用1K×4的芯片组成2K×8的RAM，需要（）片。
第4章 主存储器习题
第4章主存储器一、选择题（每题3.5分）1．动态半导体存储器的特点是（）A．在工作中存储器内容会产生变化B．每次读出后，需要根据原存内容重新写入一遍C．每隔一定时间，需要根据原存内容重新写入一遍D．在工作中需要动态地改变访存地址【答案】C2.某SRAM芯片，存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为______。
A 64，16B 16，64C 64，8D 16，16 。
【答案】D3.交叉存贮器实质上是一种______存贮器，它能_____执行______独立的读写操作。
A 模块式，并行，多个B 模块式串行，多个C 整体式，并行，一个D 整体式，串行，多个【答案】A4. EPROM是指______。
A. 读写存储器B. 只读存储器C. 可编程的只读存储器D. 光擦除可编程的只读存储器【答案】D5.存储器是计算机系统的记忆设备，主要用于______。
A.存放程序B.存放软件C.存放微程序D.存放程序和数据【答案】D6. 外存储器与内存储器相比，外存储器______。
A.速度快，容量大，成本高B.速度慢，容量大，成本低C.速度快，容量小，成本高D.速度慢，容量大，成本高【答案】B7. 一个256K×8的存储器，其地址线和数据线总和为______。
A.16B.18C.26D.20【答案】C8.某存储器芯片的存储容量为8K×12位，则它的地址线为____。
A.11B.12C.13D.14 【答案】C9. 某一SRAM芯片，其容量为512×8位，考虑电源端和接地端，该芯片引出线的最小数目应为______。
A.23B.25C.50D.19【答案】D10.存储器是计算机系统的记忆设备，它主要用来（）。
A.存放数据B.存放程序C.存放数据和程序D.存放微程序【答案】C11.内存若为16MB，则表示容量为（）KB。
A.16B.16384C.1024D.16000【答案】B12.下列说法正确的是（）。
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预览：计算机组成原理——习题与解析第四章存储器系统邵桂芳4.2半导体存储器4.2.1填空题1. 计算机中的存储器是用来存放 __① ___的, 随机访问存储器的访问速度与 ___② ___无关。
答案:①程序和数据②存储位置2. 对存储器的访问包括 ______和 ________两类。
答案:①读②写3. 计算机系统中的存储器分为 __① ___和 ___② ____。
在CPU 执行程序时,必须将指令存在 ____③ ____中。
答案:①内存②外存③内存4. 主存储器的性能指标主要是①、②、存储周期和存储器带宽。
答案:①存储容量②存取时间5. 存储器中用①来区分不同的存储单元, 1GB=② KB 。
答案:①地址② 1024X1024(或 220)6. 半导体存储器分为①、②、只读存储器 (ROM)和相联存储器等。
答案:①静态存储器 (SRAM) ②动态存储器 (DRAM)7. RAM 的访问时间与存储单元的物理位置①,任何存储单元的内容都能被②答案:①无关②随机访问8. 存储揣芯片由①、②、地址译码和控制电路等组成。
答案:①存储体②读写电路9. 地址译码分为①方式和②方式。
答案:①单译码②双译码10.双译码方式采用①个地址译码器,分别产生②和③信号。
答案:①两②行选通③列选通11.若 RAM 芯片内有 1024个单元,用单译码方式,地址译码器将有①条输出线;用双译码方式,地址译码器有②条输出线。
答案:① 1024 ② 6412. 静态存储单元是由晶体管构成的①, 保证记忆单元始终处于稳定状态, 存储的信息不需要②。
答案:①双稳态电路②刷新 (或恢复 )13.存储器芯片并联的目的是为了①,串联的目的是为了②。
答案:①位扩展②字节单元扩展14.计算机的主存容量与①有关,其容量为②。
答案:①计算机地址总线的根数② 2地址线数15.要组成容量为 4MX8位的存储器, 需要①片 4MXl 位的存储器芯片并联, 或者需要②片 1MX3的存储器芯片串联。
答案:① 8 ② 416.内存储器容量为 256K 时,若首地址为 00000H ,那么末地址的十六进制表示是答案:3FFFFH17.主存储器一般采用①存储器件,它与外存比较存取速度②、成本③。
答案:①半导体②快③高18.三级存储器系统是指 ______这三级:答案:高缓、内存、外存预览：计算机组成原理——习题与解析第四章存储器系统邵桂芳19.表示存储器容量时 KB=_① _, MB=_② _;表示硬盘容量时, KB=③, MB=④。
答案:① 1024字节② t024x1024(或 220) 字节③103字节④ 106字节20.只读存储器 ROM 可分为①、②、③和④四种。
答案:① ROM ② PROM ③ EPROM ④ E 2PROM21. SRAM 是①; DRAM 是②; ROM 是③; EPROM 是④。
答案:①静态存储器②动态存储器③只读存储器④可改写只渎存储器22.半导体 SRAM 靠①存储信息,半导体 DRAM 则是靠②存储信息。
答案:①触发器②栅极电容23.广泛使用的①和②都是半导体③存储器。
前者的速度比后者快,但④不如后者高, 它们的共同缺点是断电后⑤保存信息。
答案:① SRAM ② DRAM ③随机读写④集成度⑤不能24. CPU 是按 ____访问存储器中的数据。
答案:地址24. EPROM 属于①的可编程 ROM ,擦除时一般使用②,写入时使用高压脉冲。
答案:①可多次擦写②紫外线照射25.对存储器的要求是①,②,③。
为了解决这三个方面的矛盾,计算机采用多级存储器体系结构。
答案:①容量大②速度快③成本低26.动态 MOS 型半导体存储单元是由一个①和一个②构成的。
答案:①晶体管②电容器27.动态半导体存储器的刷新一般有①、②和③三种方式。
答案:①集中式②分散式③异步式28.动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上,由于电路中存在①, 因此, 需要不断地进行②。
答案:①泄漏电流②刷新29.动态 RAM 控制器由①和②两部分组成。
答案:①刷新控制电路②访存裁决电路4.2.2 选择题1.计算机的存储器系统是指 ________。
A . RAMB . ROMC 主存储器D . cache ,主存储器和外存储器答案:D2.存储器是计算机系统的记忆设备,它主要用来 _______。
A .存放数据B .存放程序C .存放数据和程序D .存放微程序答案:C3.内存若为 16兆(MB ) ,则表示其容量为 _____KB。
A . 16B . 16384C . 1024D . 16000答案:B4.下列说法正确的是 _______。
A .半导体 RAM 信息可读可写,且断电后仍能保持记忆B .半导体 RAM 属挥发性存储器,而静态的 RAM 存储信息是非挥发性的预览：计算机组成原理——习题与解析第四章存储器系统邵桂芳C .静态 RAM 、动态 RAM 都属挥发性存储器,断电后存储的信息将消失D . ROM 不用刷新,且集成度比动态 RAM 高,断电后存储的信息将消失答案:C5.可编程的只读存储器 _______。
A .不一定可以改写B .一定可以改写C .一定不可以改写D .以上都不对答案:A6.组成 2MX8bit 的内存,可以使用 _____。
A . 1MX8bit 进行并联B . 1MX4bit 进行串联C . 2MX4bit 进行并联D . 2MX4bit 进行串联答案:C7.若 RAM 芯片的容量是 2MX8bit ,则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是 ______。
A . 21 B . 29 C . 18 D .不可估计答案:B8.若 RAM 中每个存储单元为 16位,则下面所述正确的是_______。
A .地址线也是 16位B .地址线与 16无关C .地址线与 16有关D .地址线不得少于 16位答案:B9.若存储器中有 IK 个存储单元,采用双译码方式时要求译码输出线为 ______。
A . 1024B . 10C . 32D . 64答案:D10. RAM 芯片串联时可以 _______。
A .增加存储器字长B .增加存储单元数量C .提高存储器的速度D .降低存储器的平均价格答案:B11. RAM 芯片并联时可以 ________。
A .增加存储器字长B .增加存储单元数量C .提高存储器的速度D .降低存储器的平均价格答案:A12.存储周期是指 ________。
A .存储器的读出时间B .存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔C .存储器的写入时间D .存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔答案:B13.某微型计算机系统,若操作系统保存在软盘上,其内存储器应该采用 _______。
A . RAMB . ROMC . RAM 和 ROMD . CCP答案:C14.下面所述不正确的是 ________。
A .随机存储器可随时存取信息,掉电后信息丢失B .在访问随机存储器时;访问时间与单元的物理位置无关C .内存储器中存储的信息均是不可改变的预览：计算机组成原理——习题与解析第四章存储器系统邵桂芳D .随机存储器和只读存储器可以统一编址答案:C15.和外存储器相比,内存储器的特点是 ________。
A .容量大,速度快,成本低B .容量大,速度慢,成本高C .容量小,速度快,成本高D .容量小,速度快,成本低答案:C16. 640KB 的内存容量为 _______。
A . 640000字节B . 64000字节C . 655360字节D . 32000字节答案:C17.若一台计算机的字长为 4个字节,则表明该机器 _______。
A . 能处理的数值最大为 4位十进制数B . 能处理的数值最多为 4位二进制数组成C . 在 CPU 中能够作为一个整体加以处理的二进制代码为 32位D . 在 CPU 中运算的结果最大为 2的 32次方答案:C18.下列元件中存取速度最快的是 _______。
A . CacheB .寄存器C .内存D .外存答案:B19.与动态 MOS 存储器相比,双极型半导体存储器的特点是________。
A .速度快B .集成度高C .功耗大D .容量大答案:A , C20. ROM 与 RAM 的主要区别是 ______。
A .断电后, ROM 内保存的信息会丢失, RAM 则可长期保存而不会丢失B .断电后, RAM 内保存的信息会丢失, ROM 则可长期保存而不会丢失C . ROM 是外存储器, RAM 是内存储器D . ROM 是内存储器, RAM 是外存储器答案:B21.机器字长 32位,其存储容量为 4MB ,若按字编址,它的寻址范围是 _______。
A . 0-1MWB . 0— 1MBC . 0-4MWD . 0--4MB答案:A22.某一 SRAM 芯片,其容量为 512x8位,除电源端和接地端外,该芯片引出线的最小数目应为 ________。
A . 23B . 25C . 50D . 19答案:D23.某一动态 RAM 芯片其容量为 16KXl ,除电源线、接地线和刷新线外,该芯片的最小引脚数目应为 _______。
A . 16B . 12C . 18答案:B24.某计算机字长 32位,存储容量为 1MB ,若按字编址,它的寻址范围是 ________。
预览：计算机组成原理——习题与解析第四章存储器系统邵桂芳A . 0-1MWB . 0-512KBC . 0-256KWD . 0-256KB答案:C25. 某 RAM 芯片, 其存储容量为 1024x16位, 该芯片的地址线和数据线数目分别为 ______。
A . 20, 16 B . 20, 4C . 1024, 4D . 1024, 16答案:A26.某计算机字长 16位,其存储容量为 2MB ,若按半字编址,它的寻址范围是 ______。
A . 0-8M B . 0-4MC . 0-2MD . 0— 1M答案:C27.某计算机字长 32位,存储容量为 8MB ,若按双字编址,它的寻址范围是 _______。
A . 0-256K B . 0-512KC . 0-1MD . 0~2M答案:C28. 以下四种类型的半导体存储器中, 以传输同样多的字为比较条件, 则读出数据传输率最高的是 ______。
A . DRAMB . SRAMC .闪速存储器D . EPROM答案:C29.对于没有外存储器的计算机来说,监控程序可以存放在_______。
A . RAMB . ROMC . RAM 和 ROMD . CPU答案:B30。
在某 CPU 中,设立了一条等待 (WAIT) 信号线, CPU 在存储器周期中 T 的下降沿采样 WAIT 线,则下面的叙述中正确的是_______。