ICP刻蚀工艺要点
ICP刻蚀原理：气体、功率的选择--ICP操作流程
一、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理 3二、刻蚀的基本要求9 （负载效应、图形的保真度、均匀性、表面形貌、刻蚀的清洁）三、等离子体刻蚀的基本过程11 （物理溅射刻蚀、纯化学刻蚀、离子增强刻蚀、侧壁抑制刻蚀）四、影响刻蚀效果的因素14 掩膜的影响、工艺参数的影响（ICP Power源功率、RF Power偏压功率、工作气压气体成分和流量、温度）五、附加气体的影响16六、多种条件刻蚀技术18 高速率刻蚀、高选择比刻蚀、特定剖面刻蚀一、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理包括两套通过自动匹配网络控制的13.56MHz射频电源一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下，刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。
功率的大小直接影响等离子体的电离率，从而影响等离子体的密度。
第二套射频电源连接在腔室内下方的电极上，此电极为直径205mm的圆形平台，机械手送来的石英盘和样品放在此台上进行刻蚀。
激光干涉仪端口ICP功率源水冷却的射频线圈静电屏蔽晶片夹/氦气冷却机制平板功率源实验中刻蚀三五族材料使用的是英国Oxford仪器（Oxford instruments plasma technology）公司的plasma180系统中的plasmalab system100型ICP。
可以刻蚀GaN、AlGaN、GaAs、InP、InGaAs、InGaP/AlGaInP 、InGaAs/InGaAsP等多种化合物材料。
苏州纳米所材料ICP功率：0-3000wRF功率：0-1000w压力范围：1-100mT加工范围：6寸工艺气体：Cl2,BCl3,HBr,CH4,He,O2,H2,N2氦气冷却由氦气良好的热传导性，能将芯片上的温度均匀化1torr=1.333mbarGaN刻蚀ProfileICP操作流程装片1.在Pump界面点击左边Pump图标下Stop，切换至Vent，120s后打开Loadlock2.涂抹真空油脂：根据片子尺寸大小，在托盘上涂抹均匀一层油脂3.放片：放片的时候要用镊子轻轻夹住样片，将样片一边贴在油脂上，慢慢地放下另一边，用镊子按住样片一端，在油脂上稍稍一动样片，以便赶走样片与油脂之间的气泡，使得样片与油脂紧密粘在一起。
ICP刻蚀工艺要点讲解
ICP刻蚀工艺要点讲解ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀是一种常见的刻蚀技术，广泛应用于微电子器件制造中。
以下是对ICP刻蚀工艺要点的详细讲解，供参考。
1.ICP刻蚀原理：ICP刻蚀是利用高频激励电源产生电磁场，在反应室中形成等离子体，将基片表面产生化学反应的活性物质以离子的形式输送到基片表面，从而实现对基片表面进行刻蚀的过程。
ICP刻蚀的等离子体源通常采用偏压感应耦合状的圆锥状电极结构，通过加载高频电场，在反应室中形成高密度等离子体。
2.ICP刻蚀设备：ICP刻蚀设备由等离子体源、反应室和抽气系统等组成。
等离子体源通常采用二次加热结构，通过绕组在等离子体源周围产生交变磁场，从而使等离子体得以加热。
反应室主要是一个真空室，用于容纳等离子体和基片。
抽气系统则用于维持反应室的真空度。
3.ICP刻蚀气体选择：ICP刻蚀的气体选择是关键的一步。
常见的气体有氧气（O2）、氟化物（SF6、CF4等）和氯化物（Cl2等）。
不同气体具有不同的化学反应性质，可以实现对不同材料的刻蚀。
例如，氧气常用于氧化层的刻蚀，氟化物常用于硅基材料的刻蚀，而氯化物则常用于金属层的刻蚀。
4.ICP刻蚀参数调节：ICP刻蚀参数的调节对刻蚀结果具有重要影响。
主要参数包括功率、气体流量、工作压力和刻蚀时间等。
功率的大小决定了等离子体的密度，气体流量决定了刻蚀速率，工作压力则决定了气体的密度。
刻蚀时间取决于所需的刻蚀深度。
5.ICP刻蚀模板设计：6.ICP刻蚀优点：ICP刻蚀具有许多优点。
首先，ICP刻蚀具有较高的刻蚀速率，可用于制备较深的结构。
其次，ICP刻蚀能够实现较高的刻蚀选择比，能够实现高精度的刻蚀。
再次，ICP刻蚀对基片的损伤较小，能够保持较好的表面质量。
此外，ICP刻蚀工艺在刻蚀金属、绝缘体和半导体等材料时均具有良好的适应性。
7.ICP刻蚀应用：总结：ICP刻蚀是一种常见的微纳米加工技术，具有高刻蚀速率、高刻蚀选择比、低基片损伤等优点。
icp刻蚀工艺流程
icp刻蚀工艺流程ICP刻蚀工艺流程一、引言ICP刻蚀工艺是一种常用的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光电子、生物医学等领域。
本文将介绍ICP刻蚀工艺的基本流程，以及其中涉及的关键步骤和注意事项。
二、ICP刻蚀工艺流程1. 设计和准备在开始ICP刻蚀工艺之前，首先需要进行器件的设计和准备工作。
这包括选择合适的刻蚀目标材料、确定刻蚀深度和形状等。
同时，还需要设计合适的掩膜图形，以控制刻蚀区域。
2. 清洗和预处理在进行ICP刻蚀之前，需要对刻蚀目标材料进行清洗和预处理，以去除表面的杂质和氧化物。
常用的方法包括超声波清洗、酸洗和溶剂清洗等。
3. 掩膜制备接下来需要制备掩膜，用于保护不需要刻蚀的区域。
常用的掩膜材料包括光刻胶和金属掩膜。
通过光刻技术，将掩膜图形转移到掩膜材料上，并进行曝光和显影等步骤，最终形成掩膜。
4. 刻蚀在刻蚀过程中，需要使用ICP刻蚀机。
ICP刻蚀机利用高频电场和低频电场的耦合效应，在高真空环境中进行刻蚀。
首先将刻蚀目标材料放置在刻蚀室中，并加入刻蚀气体，如氟化物等。
然后，在高频电场的作用下，将刻蚀气体电离生成等离子体。
最后，利用等离子体的化学反应和物理碰撞效应，将刻蚀气体中的物质从刻蚀目标材料表面去除，实现刻蚀效果。
5. 清洗和检验刻蚀完成后，需要对刻蚀样品进行清洗，以去除残留的刻蚀剂和杂质。
常用的清洗方法包括溶剂清洗、超声波清洗和离子清洗等。
清洗完成后，需要对刻蚀样品进行检验，以验证刻蚀效果是否符合要求。
6. 后处理在ICP刻蚀工艺完成后，可能还需要进行后处理步骤，以进一步改善器件性能。
常见的后处理方法包括退火、沉积和离子注入等。
三、注意事项1. 安全操作：ICP刻蚀工艺需要在高真空环境下进行，操作人员需要具备相关安全知识和技能，严格遵守操作规程。
2. 刻蚀参数：刻蚀参数的选择对于刻蚀效果至关重要。
包括刻蚀气体的流量、功率、压力等参数，需要根据刻蚀目标材料的性质和要求进行调整。
icp刻蚀原理
icp刻蚀原理ICP刻蚀原理。
ICP刻蚀（Inductively Coupled Plasma Etching）是一种常用的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光电子、生物医学等领域。
ICP刻蚀利用高频电场激发等离子体，通过化学反应和物理碰撞去除材料表面，从而实现微米甚至纳米级的加工精度。
本文将介绍ICP刻蚀的原理及其关键步骤。
ICP刻蚀的原理主要包括等离子体产生、离子轰击和物理/化学反应三个方面。
首先，ICP刻蚀利用高频电源产生的电磁场激发气体形成等离子体。
在真空或低压环境下，高频电源通过线圈产生交变电场，使气体分子电离并形成等离子体。
等离子体的产生是ICP刻蚀的第一步，也是最关键的一步。
接下来，产生的等离子体通过RF功率传递到ICP反应室中的气体中，气体分子在高能离子的作用下发生碰撞，产生大量的活性物种，如自由基、离子等。
这些活性物种对材料表面进行离子轰击，从而去除材料表面的原子或分子。
离子轰击是ICP刻蚀的关键步骤之一，它直接影响着刻蚀速率和表面粗糙度。
最后，离子轰击还会引发物理和化学反应，如表面原子的解吸、气相反应等。
这些反应会改变材料表面的化学组成和结构，进一步影响刻蚀过程的结果。
通过精确控制等离子体的能量、离子轰击的角度和反应气体的种类，可以实现对材料表面的精确加工。
ICP刻蚀的关键步骤包括等离子体产生、离子轰击和物理/化学反应。
这些步骤相互作用，共同影响着刻蚀过程的结果。
在实际应用中，需要综合考虑材料的性质、刻蚀条件和加工要求，选择合适的ICP刻蚀参数，以实现对材料表面的精确加工。
总的来说，ICP刻蚀是一种高精度、高效率的微纳加工技术，具有广泛的应用前景。
通过深入理解ICP刻蚀的原理及关键步骤，可以更好地指导实际应用，推动微纳加工技术的发展和应用。
希望本文对ICP刻蚀技术的理解有所帮助，也希望ICP刻蚀技术能够在更多领域得到应用和推广。
icp与ccp干法刻蚀原理
icp与ccp干法刻蚀原理ICP与CCP干法刻蚀原理一、引言干法刻蚀是一种常用于半导体制造工艺中的刻蚀方法，其核心原理是利用化学反应或物理能量将材料表面的原子或分子移除，从而实现对材料的精确加工。
在干法刻蚀中，ICP（Inductively Coupled Plasma，感应耦合等离子体）和CCP（Capacitively Coupled Plasma，电容耦合等离子体）是两种常见的刻蚀方式。
本文将介绍ICP和CCP干法刻蚀的原理及其区别。
二、ICP干法刻蚀原理ICP干法刻蚀是利用感应耦合等离子体（ICP）产生的高能粒子对材料表面进行刻蚀。
具体过程如下：1. 高频电源产生高频电场，通过电感耦合将能量传递给气体，使气体处于等离子体状态。
2. 气体在高频电场的作用下，电离成等离子体，形成带电粒子，其中包括正离子、电子等。
3. 正离子通过感应耦合电场加速，进入气体与材料相接触的区域。
4. 高能正离子与材料表面的原子或分子碰撞，将其击出，形成刻蚀过程。
5. 刻蚀产物通过气体的扩散和抽真空系统的排除，离开刻蚀室。
ICP干法刻蚀的优点在于能够产生高浓度、高能量的等离子体，对于复杂结构的材料具有较好的刻蚀均匀性和精度。
然而，ICP干法刻蚀的设备复杂、成本高，且对材料表面的损伤相对较大。
三、CCP干法刻蚀原理CCP干法刻蚀是利用电容耦合等离子体（CCP）产生的电子和正离子对材料表面进行刻蚀。
具体过程如下：1. 电容耦合等离子体（CCP）由射频电源产生，产生的高频电场将气体电离成等离子体，形成带电粒子。
2. 电子在高频电场的作用下被加速，形成高能电子。
3. 高能电子与气体分子碰撞，使其电离，产生更多的电子和正离子。
4. 正离子通过电场加速，进入气体与材料相接触的区域。
5. 高能正离子与材料表面的原子或分子碰撞，将其击出，形成刻蚀过程。
6. 刻蚀产物通过气体的扩散和抽真空系统的排除，离开刻蚀室。
CCP干法刻蚀相对于ICP干法刻蚀来说，设备更简化、成本更低，且对材料表面的损伤较小。
icp刻蚀工艺
icp刻蚀工艺ICP刻蚀工艺是一种常用于半导体制造中的重要工艺，用于在硅片表面精确刻蚀出所需的结构和图案。
本文将介绍ICP刻蚀工艺的原理、特点以及应用。
一、ICP刻蚀工艺的原理ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀工艺是利用高频电场和磁场耦合的等离子体来进行刻蚀的一种方法。
其原理是通过在真空室中建立等离子体，使得气体分子被激发成等离子体，然后利用等离子体中的离子和中性粒子对硅片表面进行刻蚀。
ICP刻蚀工艺主要包括四个步骤：气体注入、等离子体激发、离子轰击和副产物排除。
首先，将所需的刻蚀气体注入真空室中，通常使用的刻蚀气体有氟化物和氯化物等；接着，通过高频电场和磁场的耦合作用，激发气体分子成为等离子体；然后，利用等离子体中的离子对硅片表面进行轰击，使其发生化学反应并刻蚀；最后，通过真空泵将副产物排除，保持真空室的清洁。
二、ICP刻蚀工艺的特点1. 高刻蚀速率：ICP刻蚀工艺由于利用了高能离子轰击硅片表面，因此具有较高的刻蚀速率，可在短时间内完成较深的刻蚀。
2. 高刻蚀选择性：ICP刻蚀工艺可根据所使用的刻蚀气体的不同，实现对不同材料的选择性刻蚀。
这对于多层结构的刻蚀非常重要。
3. 高刻蚀均匀性：ICP刻蚀工艺利用等离子体对硅片表面进行刻蚀，其刻蚀均匀性较好，可以得到较为平坦的表面。
4. 低表面粗糙度：由于ICP刻蚀工艺对硅片表面的刻蚀是通过离子轰击实现的，因此其表面粗糙度较低。
5. 环境友好：ICP刻蚀工艺不需要使用有机溶剂等对环境有害的化学物质，对环境的影响较小。
三、ICP刻蚀工艺的应用ICP刻蚀工艺广泛应用于半导体制造中的多个领域，如集成电路、光学器件、微机电系统等。
在集成电路制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀金属线、多晶硅、氮化硅等材料，用于制作电路的导线、晶体管等结构。
在光学器件制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀光波导、光栅等结构，用于制作光通信器件、光传感器等。
在微机电系统制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀微结构、微通道等，用于制作微流体芯片、压力传感器等。
ICP工艺原理
（积聚反应） （离子——原子交换反应） （置换反应）
上标“*”指示那些能量要远远大于基态的粒子。中性基团具有不完整的结合
状态并非常活跃， 离子是带电的原子或分子，它们也许会带有大于一个的正电荷 或者带有负电荷
[72]
。
化学过程的第二个主要反应是这些活性粒子与基片固体表面的相互作用， 即 刻蚀过程是一种气相与固相界面上的化学反应过程。 该反应过程一般可分为三步： 首先是固相表面对这些化学活性物质产生的化学吸附； 然后被吸附的活性物质与 固相表面进一步发生化学反应， 反应生成物应具有挥发性；最后是固相表面的反 应化合物的脱附。 刻蚀过程中主要的物理过程是离子对基片表面的轰击。 这里的物理轰击作用 不等同于溅射刻蚀中的纯物理过程，它对化学反应具有明显的辅助作用，即具有 较高动能的电子可以打断化学键， 起到刻蚀作用， 这类似于反应离子刻蚀 （RIE） 过程，还能够轰击吸附在表面，且阻挡刻蚀进一步进行的反应生成物脱附表面， 促进基片表面的化学反应及去除基片表面的非挥发性残留物。 离子相关的刻蚀机制可以通过反应斑点模型来解释。首先，活性物质由等离 子体产生并被片子表面吸附， 然后，离子通过片子表面上形成的壳层电场时被加 速并垂直向片子轰击， 如此入射到片子表面上的离子，同原子重复地进行碰撞直 至终止。能否撕成微小的碎片，要看碰撞时交换的能量。入射离子的能量通常小 于 1 keV，在片子上的注入深度通常远小于 20 nm。入射离子的能量转换为晶格 的振动能， 吸附在片子表面上的游离基团有很大的几率获得这份能量，然后在反 应斑点区域加速反应， 挥发性的产物被离子碰撞加速解吸，激活的游离基团再次 被吸附， 重复着进行如上的反应，从而在离子入射的地方发生了选择性的反应刻 蚀。 一个入射离子产生一个反应斑点， 使被吸附的数个游离基团加速了化学反应。 由于是加速化学反应，所以有高的刻蚀速率和选择性，它的反应速率常数 R 为:
半导体刻蚀工艺技术——ICP.
半导体刻蚀工艺技术——ICP摘要：ICP技术是微纳加工中的常用技术之一，本文简单介绍了ICP刻蚀技术(inductively coupled plasma)的基本原理和刻蚀设备的结构，对ICP工艺所涉及的化学、物理过程做了简要分析。
阐述了ICP刻蚀参数对刻蚀结果的影响以及干法刻蚀的生成物。
由于ICP技术在加工过程中可控性高，具有越来越重要的地位。
以在硅基MEMS器件的ICP刻蚀为例，详细的介绍了在硅基MEMS制作过程中ICP刻蚀的反应过程，说明了在ICP刻蚀过程中如何实现控制加工深度和角度。
据近年来国内外ICP技术的发展现状和发展趋势,对其在光电子器件、半导体氧化物、Ⅲ一V族化合物等方面的应用作了一些简要介绍。
关键词：ICP、刻蚀、参数、模型、等离子体Process technology of semiconductor etching——ICPLIU Zhi Wei（Xi'an Electronic and Science University, School of Microelectronics.1411122908）Abstract：ICP technology is one of the commonly used in micro nano processing technology，This paper simply introduces ICP etching technology (inductively coupled plasma) structure and the basic principles of etching equipment,To do a brief analysis on the ICP process involved in chemical, physical process.Describes the effects of ICP etching parameters on the etching results and the resultant dry etching. Because the ICP technology in the process of processing high controllability, plays a more and more important role. Using ICP etching in silicon MEMS device as an example, describes in detail in the reaction process of silicon based MEMS in the production process of ICP etching, explains how to realize the control of machining depth and angle in the ICP etching process. According to the development status and development trend at home and abroad in recent years of ICP technology, its application in optoelectronic devices and semiconductor oxide, III a group V compound as well as some brief introduction.Key words：ICP、etching, parameter, model, plasma1引言刻蚀是微细加工技术的一个重要组成部分,微电子学的快速发展推动其不断向前。
ICP刻蚀工艺要点
ICP刻蚀工艺要点以下是ICP刻蚀工艺中的一些关键要点：1.等离子体产生：通过在真空环境中加入惰性气体（例如氩气）并使用高频电场产生RF-ICP等离子体。
这个等离子体包含了被激发的气体分子以及各种气体离子。
2.电容电感结构：在ICP刻蚀系统中，电容电感结构（LC结构）用于产生高频电场。
这样的结构包括电感线圈和电容补偿装置，可以产生强大的电磁场以产生等离子体。
3.气体分压和流量：在ICP刻蚀工艺中，需要调整气体的分压和流量以获得所需的刻蚀速率和选择性。
刻蚀速率与气体浓度和功率有关，而选择性则与气体比例有关。
4.溅射抑制：在ICP刻蚀中，溅射是一个常见的问题，可以通过将样品表面与惰性气体保持垂直以及使用较低功率来减少溅射。
5.温度控制：在ICP刻蚀中，温度对于实现所需的刻蚀速率和选择性也非常重要。
通常，通过控制气体流量和样品加热来控制温度。
6.蚀坑形貌控制：ICP刻蚀可以产生不同形貌的蚀坑，例如平坦、斜坡或峪。
这可以通过调整刻蚀参数（例如功率、气体比例和流量）以及在刻蚀过程中使用掩膜来实现。
7.选择性控制：在ICP刻蚀中，选择性是指在刻蚀材料时同时限制刻蚀相邻层的能力。
通过调整刻蚀条件和选择合适的气体比例，可以实现所需的选择性。
8.清洗和后处理：在ICP刻蚀后，样品表面可能残留有刻蚀产物或杂质，需要进行清洗和后处理。
常用的方法包括使用化学清洗剂或高温处理。
总结起来，ICP刻蚀工艺是一种高效、精确控制的刻蚀方法。
通过调整刻蚀参数和选择合适的气体比例，可以实现所需的刻蚀速率和选择性，并进行蚀坑形貌控制。
这些要点对于成功实施ICP刻蚀工艺非常重要，能够满足不同样品材料的刻蚀需求。
icp刻蚀工艺流程
icp刻蚀工艺流程ICP刻蚀工艺流程ICP刻蚀是一种常见的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光电子、微纳电子等领域。
本文将介绍ICP刻蚀工艺的流程。
一、工艺准备在进行ICP刻蚀之前，需要进行一系列的工艺准备工作。
首先，需要选择合适的刻蚀气体和刻蚀液。
常用的刻蚀气体有氟化氢、氧气等，而刻蚀液则根据材料的不同而不同。
其次，需要选择合适的刻蚀设备，并对设备进行清洁和检查，确保其正常工作。
最后，需要准备好样品，包括样品的尺寸、形状和材料。
二、装载样品在ICP刻蚀工艺中，样品是放置在刻蚀设备的夹持台上进行刻蚀的。
在装载样品之前，需要对夹持台进行清洁，并确保夹持台与样品表面之间没有杂质或污染物。
然后，将样品放置在夹持台上，并通过真空吸附或机械固定的方式固定样品，以保证刻蚀过程中样品的稳定性。
三、真空抽气在开始ICP刻蚀之前，需要将刻蚀设备中的气体抽取出来，以建立一个较高的真空环境。
通过真空泵将刻蚀室内的气体抽走，直到达到所需的真空度。
真空度的选择要根据刻蚀材料和工艺要求来确定，一般要求真空度在数十帕以下。
四、气体进入当真空度达到要求后，可以开始向刻蚀室内注入刻蚀气体。
刻蚀气体进入刻蚀室后，要经过一系列的处理，如通过气体分配系统进行分配和调节，然后进入反应室与样品发生化学反应。
在进入反应室之前，刻蚀气体还需要通过净化系统去除其中的杂质和污染物。
五、放电激发当刻蚀气体进入反应室后，需要通过高频电场的激发使其变为等离子体。
这一步骤称为放电激发，其目的是提高等离子体的密度和活性。
放电激发可以通过射频电源或微波电源来实现，具体的选择要根据刻蚀材料和工艺要求来确定。
六、刻蚀过程在放电激发后，等离子体将与样品表面发生化学反应，从而实现刻蚀效果。
刻蚀过程中，需要控制刻蚀气体的流量、功率和时间等参数，以实现所需的刻蚀速率和刻蚀深度。
同时，还需要通过监测和调节等离子体的密度和温度等参数，以保证刻蚀过程的稳定性和一致性。
七、刻蚀结束当刻蚀达到预定的深度或时间后，刻蚀过程结束。
icp刻蚀工艺
icp刻蚀工艺《ICP刻蚀工艺》一、概述ICP刻蚀工艺（Inductively Coupled Plasma Etching）是一种常用的微纳加工技术，主要用于半导体器件制造和微电子技术领域。
通过利用感应耦合等离子体技术，将化学气相反应与物理功率耦合，实现对材料表面的精确刻蚀，达到微纳米级的精细加工要求。
二、基本原理1. 感应耦合等离子体：ICP刻蚀工艺利用感应耦合等离子体产生高能离子束，使之与待刻蚀的材料表面发生碰撞。
感应耦合等离子体能够提供高密度、高能量的离子束，实现高速刻蚀和精细加工。
2. 物理和化学刻蚀：ICP刻蚀工艺能够实现物理和化学刻蚀两种方式。
物理刻蚀主要通过离子束撞击材料表面的动能将其剥离，而化学刻蚀则是通过离子与待刻蚀材料表面的反应，产生可溶性产物，使之去除。
三、工艺参数与优势1. 工艺参数：a. 感应耦合功率：控制等离子体的产生与稳定；b. 气体流量与压强：控制刻蚀速率和刻蚀副产物的清除；c. 工艺时间：控制刻蚀深度和精度。
2. 优势：a. 高选择性：可实现不同材料之间的精确刻蚀，避免交叉感染和混合。
b. 高加工精度：微纳米级的刻蚀精度，可满足高精度的器件制造需求。
c. 高刻蚀速率：ICP刻蚀工艺的高功率和高能离子束能够实现高速刻蚀，提高生产效率。
d. 低表面损伤：在刻蚀过程中，ICP蚀刻工艺可以减少表面损伤和变形，保持器件性能稳定。
四、应用领域ICP刻蚀工艺在微电子器件、光学器件、MEMS（微机电系统）等领域有着广泛的应用：1. 半导体器件制造：可用于晶圆制程中的多种工艺步骤，如图案形成、沉积物去除等。
2. 光学器件制造：用于光栅、波导等光学元件的制备，实现高精度的微纳米级加工。
3. MEMS制造：用于微结构的制备，如微机械系统的零件刻蚀、多层刻蚀等。
五、总结ICP刻蚀工艺作为一种高精度、高效率的微纳加工技术，在半导体和微电子领域扮演着重要角色。
通过精确控制工艺参数，ICP刻蚀工艺可以实现各种材料的精细刻蚀，满足各类器件的制造需求。
icp刻蚀工艺技术
icp刻蚀工艺技术ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀工艺是一种利用感应耦合等离子体进行化学气相刻蚀的技术。
该技术能够实现高精度、高均匀度的刻蚀，已广泛应用于半导体、光电子、纳米材料等领域。
下面将介绍ICP刻蚀工艺的基本原理及其应用。
ICP刻蚀工艺是利用高频电场感应在低压气体中产生的高温等离子体对材料进行刻蚀。
工艺流程一般包括预处理、腐蚀、刻蚀等几个步骤。
首先，在预处理阶段，将待刻蚀的样品进行清洗，去除表面的污染物和氧化层，以保证刻蚀的质量和精度。
然后，在腐蚀阶段，将样品放置在腐蚀室中，通过辅助电源提供电场，使得样品表面均匀地被腐蚀，形成蚀刻层。
最后，在刻蚀阶段，通过改变气体组分、功率密度等参数，控制蚀刻速率和刻蚀深度，实现对样品的精确刻蚀。
ICP刻蚀工艺具有许多优点。
首先，由于高能量等离子体的使用，ICP刻蚀能够实现更深和更均匀的蚀刻深度，刻蚀速率高。
其次，在刻蚀过程中，等离子体对样品的表面进行蚀刻，从而形成良好的刻蚀质量和表面平整度。
此外，ICP刻蚀操作简单，可以进行批量生产，提高生产效率。
ICP刻蚀工艺在各个领域都有广泛的应用。
首先，在集成电路制造中，ICP刻蚀工艺可以用于制备光刻掩膜、图案转移、开窗等工艺步骤，实现半导体器件的精细加工。
其次，在光电子器件制造中，ICP刻蚀工艺可以用于制备光栅、波导等光学元件，提高器件的性能和稳定性。
此外，ICP刻蚀工艺还被广泛应用于纳米材料的制备和研究中，可以实现对纳米结构的精细刻蚀。
然而，ICP刻蚀工艺也存在一些问题。
首先，等离子体的高温和高能量可能会导致材料的损伤和变形，降低器件性能。
其次，刻蚀过程中产生的副产物和气体可能会对设备和环境造成污染和损害。
综上所述，ICP刻蚀工艺是一种高精度、高均匀度的刻蚀技术，广泛应用于半导体、光电子、纳米材料等领域。
随着对器件制备和研究要求的不断提高，ICP刻蚀工艺将会得到更广泛的应用和发展。
icp刻蚀工艺
icp刻蚀工艺ICP刻蚀工艺是一种常用的微纳米加工工艺，广泛应用于集成电路制造、光学器件制造、MEMS加工等领域。
本文将介绍ICP刻蚀工艺的基本原理、操作流程以及一些相关的应用。
1. ICP刻蚀工艺的基本原理ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀是一种利用高频电磁场引发的等离子体进行刻蚀的工艺。
刻蚀过程中，气体被注入到反应室中，通过射频电源激发产生等离子体，然后利用加速电场将等离子体引入到刻蚀室中进行刻蚀。
2. ICP刻蚀工艺的操作流程（1）清洗样品表面：在进行ICP刻蚀之前，需要对待刻蚀的样品进行清洗，以去除表面的杂质和有机物，保证刻蚀的准确性和稳定性。
（2）加载样品：将待刻蚀的样品放入反应室中，并确保样品与电极之间的距离均匀。
（3）设置刻蚀参数：根据待刻蚀的材料以及所需的刻蚀深度和形状，设置相应的刻蚀参数，如气体种类和流量、射频功率等。
（4）开始刻蚀：打开气体开关，使气体进入反应室，启动射频电源，产生等离子体。
控制刻蚀的时间和条件，监测刻蚀的深度和形状。
（5）停止刻蚀：根据实际需要，通过关闭气体开关和射频电源来停止刻蚀过程。
（6）清洗样品：在完成刻蚀后，需要对样品进行清洗，以去除刻蚀过程中可能残留的杂质和物质。
3. ICP刻蚀工艺的应用（1）集成电路制造：ICP刻蚀工艺广泛应用于集成电路制造领域，用于制作晶体管、金属导线、电容器等元件，以及形成集成电路的各种电路模式和结构图案。
（2）光学器件制造：ICP刻蚀工艺可以制作具有精确形状和尺寸的光学器件，如衍射光栅、光纤耦合器件、光波导等。
（3）MEMS加工：ICP刻蚀工艺可用于制作微机械系统（MEMS）中的微结构，如微流体芯片、微机械传感器等。
4. ICP刻蚀工艺的优势（1）高刻蚀速率：相比于传统的湿法刻蚀工艺，ICP刻蚀具有更高的刻蚀速率，能够实现更快速的加工。
（2）高选择性：ICP刻蚀工艺对不同的材料具有较高的选择性，可以实现对不同材料的精确刻蚀。
一种icp刻蚀装置及其使用方法
一种icp刻蚀装置及其使用方法【原创版3篇】《一种icp刻蚀装置及其使用方法》篇1ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀是一种常用的半导体工艺技术，用于制造集成电路器件和其他微电子器件。
ICP 刻蚀使用等离子体（Plasma）来去除硅片表面的材料，其主要优点是在刻蚀过程中具有高均匀性、高刻蚀率和良好的刻蚀轮廓。
一种ICP 刻蚀装置包括一个真空室、一个ICP 电源、一个射频电源、一个气相化学反应室、一个控制器等组件。
在ICP 刻蚀过程中，首先要将硅片放置在真空室内，并将其与ICP 电源相连。
然后，通过射频电源激发等离子体，使其产生高密度的等离子体团。
等离子体团通过气相化学反应室，将其中的化学物质反应生成刻蚀气体，然后刻蚀气体被输送到硅片表面，与硅片表面的材料发生化学反应，从而使其被去除。
在刻蚀过程中，控制器用于监控和控制刻蚀过程，以确保刻蚀均匀性和刻蚀率。
使用方法方面，需要将硅片放置在真空室内，并将其与ICP 电源相连。
然后，通过射频电源激发等离子体，使其产生高密度的等离子体团。
等离子体团通过气相化学反应室，将其中的化学物质反应生成刻蚀气体，然后刻蚀气体被输送到硅片表面，与硅片表面的材料发生化学反应，从而使其被去除。
在刻蚀过程中，控制器用于监控和控制刻蚀过程，以确保刻蚀均匀性和刻蚀率。
刻蚀完成后，需要将硅片取出，并用去离子水冲洗干净。
《一种icp刻蚀装置及其使用方法》篇2ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀是一种常用的半导体工艺技术，用于制造集成电路和其他微电子器件。
ICP 刻蚀使用等离子体（Plasma）来去除硅片表面的材料，其主要优点是刻蚀速率快、刻蚀深度均匀、侧向刻蚀小等。
一种ICP 刻蚀装置包括一个真空室、一个ICP 电源、一个射频电源、一个气相化学反应室、一个控制系统和一支ICP 刻蚀头。
真空室用于保持低压，以避免气体分子的碰撞和电离。
半导体刻蚀工艺技术ICP
半导体刻蚀工艺技术ICP半导体刻蚀工艺技术ICP（Inductively Coupled Plasma）是一种用于半导体材料刻蚀的高效、精确、无污染的工艺技术。
ICP技术通过利用电离等离子体进行化学反应，将材料表面的部分物质去除，从而实现对半导体芯片的制造和加工。
ICP技术的工作原理是利用高频电磁场产生等离子体，通过射频电极的激励，将工作气体（如氩气、氟气、氧气等）电离，形成高能离子束。
这些离子束通过准直镜头聚焦，精确地照射到半导体材料表面，通过碰撞和反应，将表面的杂质和不需要的材料去除。
ICP技术具有高效、精确的特点，可以实现纳米级别的刻蚀。
ICP技术在半导体制造中有着重要的应用。
首先，ICP技术可以实现对半导体材料的精确刻蚀。
由于ICP技术具有高能量、高密度等离子体束的特点，可以精确控制刻蚀速度和刻蚀深度，从而实现对半导体材料的精确加工。
其次，ICP技术可以实现高度选择性刻蚀。
由于在ICP技术中，离子束的能量和密度可以进行精确调控，可以实现对不同材料的选择性刻蚀。
这对于制造复杂的半导体芯片和器件是非常重要的，可以避免误刻和对无关材料的损伤。
另外，ICP技术还可以实现对表面的平滑和清洁。
由于ICP技术具有高能量的离子束，可以使表面上的不规则结构和微小颗粒得到去除，从而得到平滑、干净的表面。
这对于半导体材料的稳定性和性能有着重要的影响。
然而，ICP技术也存在一些挑战和限制。
首先，ICP技术对设备的要求较高，需要精确控制气体流量、射频功率等参数，以及高真空和准直系统等设备。
其次，ICP技术对于不同材料的刻蚀特性不同，需要针对不同材料进行调整和优化。
此外，ICP技术在高功率、高能量离子束的照射下，可能会对材料表面造成损伤，需要进行精确的控制。
综上所述，半导体刻蚀工艺技术ICP是一种高效、精确、无污染的工艺技术，可以实现对半导体材料的精确加工。
ICP技术在半导体制造和加工中具有重要的应用，可以实现精确刻蚀、高度选择性刻蚀和表面平滑清洁。
ICP刻蚀工艺要点资料
ICP考试题库一，选择题。
1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（B ）RPMA 20000B 32000C 40000D 180002、北微ICP本底真空和漏率指标为（A ）时，设备能够正常工作A 0—0.1mT <1mT/minB >2.5mT <2mT/minC 0.3-- 0.5mT <1.0mT/minD >0.5mT <2.5mT/min3、NMC 刻蚀机当前SRF时间为（ C ）时，要求对设备进行开腔清洁A 50HB 100HC 200HD 2000H4、SLR ICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程(ABC)A:用DI水喷淋托盘（底盘和盖子）、耐高温橡皮条（7根）、螺丝B:用N2吹干C:螺丝使用一次后清洗；托盘和橡皮条使用三次后清洗；当天全部声波清洗5、ELEDE ICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程( ABCD )A. 用DI水浸泡石英托盘20minB. 用DI水冲洗一遍C. 用N2吹干D．用IPA擦拭密封圈6、ELEDE ICP卸晶片标准操作流程( ABC )A．用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧开，放回固定位置B．用手轻轻地取出石英盖C．用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里7、CORIAL ICP卸晶片工艺步骤( ABC )A．用小起子将铝盖轻轻翘开B．移开铝板C．用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒子里二，填空题。
1.蚀刻好的晶片测得的高度是1.75um底径是2.74um那么需要进行补刻大约300S2.蚀刻时一般设置氦气的压力是4Torr当实际压力超过 5.2Torr 会报警氦漏3.NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000 RPM4.在NMC工作中氮气的作用是吹扫腔体氦气的作用时冷却晶片(托盘) 氧气的作用是清洁腔室三氯化硼的作用是蚀刻晶片5. 1 Torr = 133 P a6.清洗晶片时丙酮的作用是清洗有机物异丙醇的作用是清洗丙酮7.曝光使光刻胶有选择性，正胶光照地方，负胶未被光照地方，光刻胶被显影液反应掉8.ICP的清洁没有做好会造成晶片死区盲区等缺陷9.造成马赛克的因素有晶片的平整度，匀胶的均匀性，曝光台的清洁度10.NMC机台连续工作 5 小时需要做Dryclean11. 每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况，低于第一个金属环时应添加异丙醇12. 当机台闲置2小时以上再生产时，应对机台进行一次预热动作13.作业过程中，杜绝晶片放错片盒，以工艺记录本的刻号为准14.实验时装片要仔细查看晶片，避免把好晶片当成废片作为陪片刻蚀15.实验片刻蚀完放回原来的盒子中，不可另外单独存放16.每蚀刻完一个RUN，抽取两片进行检测，检测数据如有异常，立即报告工艺人员17.拿晶片测量数据时，不可用手触摸晶片表面，避免晶片污染导致测量误差18.每班下班前保证有三盒有胶废片，用过的废片满一盒后要及时送往清洗站19. 蚀刻前进行晶片的挑选，凡有马赛克、污染、针孔等缺陷超过0.2mm2 的不能蚀刻,收集到返工盒里，待满一盒，流到清洗站清洗20.每次做完PM后连续做5个SEASON接着做4片实验，若实验片数据和外观OK就正常生产，负责在做3个SEASON和4片实验，直到能够生产为止三，判断题：1, ICP刻蚀的工艺气体是三氟甲烷＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（×）2，Corial冷冻机里面装的是ACE ＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿( × ) 3，ICP石英托盘用ACE清洁＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（×）4, 真空吸笔头容易脱落，吸片前检查一遍吸笔头是否稳固＿＿＿＿＿＿＿＿（√）5，每次生产时用无尘布加IPA擦拭片盒和CM腔室＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（√）6，操作员可更改ICP生产程序＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（×）四，问答题：1.在检测发现有很多的废片如满天星；边不对称；刮花等，试分析一下造成这些废片的原因。
电感耦合等离子体刻蚀
电感耦合等离子体刻蚀
1电感耦合等离子体刻蚀
电感耦合等离子体刻蚀（ICP etching）是指使用电击引发的等离子体来刻蚀金属物体的工艺，是一种高效率的能量敏感性制造工艺。
电感耦合等离子体刻蚀（ICP etching）的主要的特点是速度快、刻蚀精确以及刻蚀形状可以很容易的控制。
电感耦合等离子体刻蚀（ICP etching）使用低压的等离子体来刻蚀金属，其原理是利用电击发出i产生连续等离子体物质。
其中最重要的物质有氦气、氩气、氦氟烷（HFl）和碘化物气体。
电子束以0.7〜6MHz的频率以及25〜500W的功率注入等离子体，同时低压的使条件下如离子温度和电子温度可以很容易地控制。
因此，电感耦合等离子体刻蚀（ICP etching）技术能够满足多种应用中高刻蚀效率、高精度、高稳定性和自动化等要求。
例如，用于宽频段天线制造和微机外壳制造，而在制造半导体芯片和多层晶片时尤其有效。
此外，这种技术还被广泛应用在卫星无线电设备及航天机载设备的制造上。
最后，电感耦合等离子体刻蚀（ICP etching）是一种高效率的能量敏感性制造工艺，其可以满足很多制造要求，如宽频段天线，微机外壳，半导体芯片和多层晶片以及卫星无线电设备及航天机载设备的制造上，满足先进的制造要求。
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ICP考试题库一，选择题。
1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（B ）RPMA 20000B 32000C 40000D 180002、北微ICP本底真空和漏率指标为（A ）时，设备能够正常工作A 0—0.1mT <1mT/minB >2.5mT <2mT/minC 0.3-- 0.5mT <1.0mT/minD >0.5mT <2.5mT/min3、NMC 刻蚀机当前SRF时间为（ C ）时，要求对设备进行开腔清洁A 50HB 100HC 200HD 2000H4、SLR ICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程(ABC)A:用DI水喷淋托盘（底盘和盖子）、耐高温橡皮条（7根）、螺丝B:用N2吹干C:螺丝使用一次后清洗；托盘和橡皮条使用三次后清洗；当天全部声波清洗5、ELEDE ICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程( ABCD )A. 用DI水浸泡石英托盘20minB. 用DI水冲洗一遍C. 用N2吹干D．用IPA擦拭密封圈6、ELEDE ICP卸晶片标准操作流程( ABC )A．用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧开，放回固定位置B．用手轻轻地取出石英盖C．用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里7、CORIAL ICP卸晶片工艺步骤( ABC )A．用小起子将铝盖轻轻翘开B．移开铝板C．用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒子里二，填空题。
1.蚀刻好的晶片测得的高度是1.75um底径是2.74um那么需要进行补刻大约300S2.蚀刻时一般设置氦气的压力是4Torr当实际压力超过 5.2Torr 会报警氦漏3.NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000 RPM4.在NMC工作中氮气的作用是吹扫腔体氦气的作用时冷却晶片(托盘) 氧气的作用是清洁腔室三氯化硼的作用是蚀刻晶片5. 1 Torr = 133 P a6.清洗晶片时丙酮的作用是清洗有机物异丙醇的作用是清洗丙酮7.曝光使光刻胶有选择性，正胶光照地方，负胶未被光照地方，光刻胶被显影液反应掉8.ICP的清洁没有做好会造成晶片死区盲区等缺陷9.造成马赛克的因素有晶片的平整度，匀胶的均匀性，曝光台的清洁度10.NMC机台连续工作 5 小时需要做Dryclean11. 每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况，低于第一个金属环时应添加异丙醇12. 当机台闲置2小时以上再生产时，应对机台进行一次预热动作13.作业过程中，杜绝晶片放错片盒，以工艺记录本的刻号为准14.实验时装片要仔细查看晶片，避免把好晶片当成废片作为陪片刻蚀15.实验片刻蚀完放回原来的盒子中，不可另外单独存放16.每蚀刻完一个RUN，抽取两片进行检测，检测数据如有异常，立即报告工艺人员17.拿晶片测量数据时，不可用手触摸晶片表面，避免晶片污染导致测量误差18.每班下班前保证有三盒有胶废片，用过的废片满一盒后要及时送往清洗站19. 蚀刻前进行晶片的挑选，凡有马赛克、污染、针孔等缺陷超过0.2mm2 的不能蚀刻,收集到返工盒里，待满一盒，流到清洗站清洗20.每次做完PM后连续做5个SEASON接着做4片实验，若实验片数据和外观OK就正常生产，负责在做3个SEASON和4片实验，直到能够生产为止三，判断题：1, ICP刻蚀的工艺气体是三氟甲烷＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（×）2，Corial冷冻机里面装的是ACE ＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿( × ) 3，ICP石英托盘用ACE清洁＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（×）4, 真空吸笔头容易脱落，吸片前检查一遍吸笔头是否稳固＿＿＿＿＿＿＿＿（√）5，每次生产时用无尘布加IPA擦拭片盒和CM腔室＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（√）6，操作员可更改ICP生产程序＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（×）四，问答题：1.在检测发现有很多的废片如满天星；边不对称；刮花等，试分析一下造成这些废片的原因。
答：造成满天星的因素可能是1晶片曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等，但是刻蚀前没有镜检，2装完片没有进行吹扫有颗粒落在晶片上，3机台长久没有做PM有颗粒掉在晶片上。
边不对称：1装片时没有调整好，2盖石英盖时造成晶片移位。
刮花：1装片调整时镊子刮到晶片，2目检时遗漏了刮花缺陷，3拧螺丝时手指衣袖等碰到晶片。
2．NMC机台在进行手动操作时，机台里只有一个托盘，托盘真正的位置在机械手臂上，但是系统显示托盘位置为未知状态，此时该如何操作？答:点击手动模式再点击托盘同步，在“设置托盘存在状态下”设置腔室的选项为托盘不存在，机械手臂为托盘存在托盘1,2,3,4,5的位置都设置为托盘不存在然后点击“与系统记录同步”点击“与设备信号同步”此时机械手臂上会显示有托盘，其他地方都没有托盘，这样就可以进行接下来的操作了。
3.什么叫做选择比？如果晶片上光刻胶的厚度是2.5um，要刻出高度约为1.55um的产品，那么理想的选择比应该是多少？答：选择比就是蚀刻蓝宝石衬底的速度与蚀刻光刻胶的速度的比值。
要刻出高度为1.55um 的晶片理想的选择比应该是0.62以上选择比=1.55∕2.5=0.624.下图是一张简化的NMC机台的工艺配方，描述一下各个参数的含义。
答：Pressure(mTorr)工艺腔室压力，SRFPower(W)上电极加载功率，BRFPower下电极加载功率，HeliumPressure(Torr)氦气压力，GasBCL3(300sccm)三氯化硼流量，Time(sec)蚀刻时间，PenvlvPositionDelayTime PV摆阀位置，SRFReflectPower(W)上电极反射功率，BRFReflectPower(W)下电极反射功率，C5SetPoint等离子体密度。
5．简述CORIAL ICP作业流程图6．简述CORIAL ICP装片工艺步骤1．装备好材料，包括石英托盘、带密封圈的铝盖、蓝宝石晶片；2．用无尘布蘸IPA擦拭石英托盘、铝盖；3．将密封圈均匀内陷于铝板小槽中；4．石英托盘背面朝上，用真空吸笔吸取晶片背面，按一定顺序放在晶片位置上，晶片平边对准托盘平边；5．将铝盖放在晶片顶部，并轻压，使铝板嵌入托盘小槽中；6．装好后，用无尘布蘸些许IPA擦拭托盘背面，将托盘翻转，轻轻擦拭托盘边缘，小心碰到晶片表面。
7. 简述CORIAL ICP清洗托盘作业流程图8. 简述CORIAL ICP清洗反应室作业流程图9．简述CORIAL ICP托盘清洗标准作业流程A. 用DI水浸泡石英托盘20min；B. 用DI水冲洗一遍；C. 用N2吹干；D．用IPA擦拭；E. 用真空硅脂涂抹真空密封圈。
10. 简述CORIAL ICP清洗反应室方法及步骤A. 进入<maintenance>状态，选择<Sequence ”Vent Reactor”>；B. 点击<Load Sequence>显示步骤，再点击<Run Sequence>；C. 等待<Sequence>结束，反应室处于破真空状态，拧掉反应炉室上4颗锁紧螺丝，打开反应室；D. 拆下石英细管，先用无尘布蘸上DIW，擦洗反应室内壁和石英窗口，再用无尘布蘸上IPA擦洗。
注意检查下电极上的弹簧圈是否有损坏，如有损坏，请及时更换，最后清洁完后，按照图示安装石英细管；E. 用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条，再放置好；F. 在<maintenance>状态，选择<sequence “Reset Current Run Counter”>，将< CurrentRun Counter> 清零，<Reset Counter>自动加1；G. 结束后，盖上反应室，拧上螺丝，注意先不用拧紧，点击<EXIT mode>退出maintenancemode,，等机台进入vacuum ready状态，拧紧反应室上的螺丝.。
11. 简述ELEDE ICP作业流程图12. 简述ELEDE ICP装晶片标准操作流程A.用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘表面（包括O-ring）；B.用专用镊子将晶片按照一定顺序夹放到托盘的各个位置上（如上图），以边缘均匀盖住密封圈为准（除平边）,如左下图（不含石英盖）所示；C.放置石英盖时不能移动晶片，对准定位销将石英盖轻放至托盘上，以边缘均匀盖住密封圈为准（除平边），如右下图（含石英盖）所示；D.拧上螺丝（注意不拧紧，避免衣袖、手套碰到晶片表面）；E.用力矩螺丝刀拧内中外圈螺丝，每隔2个拧一次，分2次拧紧，1次检查；F.检查一遍晶片是否放好，并用专用吹扫工具吹扫一遍；G.用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘底部，注意不可将IPA沾到晶片上；H. 将装载托盘轻放至片盒上。
13. 简述ELEDE ICP 蚀刻作业操作1， 打开传输腔室门，将片盒轻放在卡板上，刚好卡住定位销，切忌左右移动片盒； 2， 点击<配方>，打开<工艺配方>，检查所选配方的工艺参数；3， 点击<片盒配方>，打开所选的片盒配方；若没有要选择的配方，则新建一个； 4， 点击<主界面>，查看片盒配方详细信息，确认无误，点击<开始工艺>； 5， 待工艺结束后，打开传输腔室门，取出片盒及托盘，卸下晶片； 14. 简述ELEDE ICP 清洗石英盖、铝盘、螺丝作业流程图15.简述ELEDE ICP 清洗反应室作业流程图16. 简述ELEDE ICP螺丝清洗标准作业流程A．把螺丝装在小烧杯里，倒入IPA覆盖为宜，超声波振动10min ；B．用N2把螺丝吹干17. 简述ELEDE ICP清洗反应室方法及步骤A. 进入[维护/工艺模块]，在[腔室操作]中点击[吹扫],至少吹扫100次；B. 吹扫完毕后，点击[吹大气]，进行腔室破真空动作；C. 按照正确的流程打开反应室；D. 移走反应室零部件（石英盖、密封圈、内衬、压环等）；E. 先用浸有DI水的无尘布擦拭反应室内壁，再用IPA擦拭，直到擦拭的无尘布上看不到残余物的颜色为止；F. 按照步骤E擦拭反应室其余每个地方，特别是真空测量孔；G．手动把升降针升起，用浸有IPA的无尘布擦拭三针；H．用浸有IPA的无尘布擦拭卡盘、聚焦环表面；I. 按照步骤E擦拭其他的部件（内衬、压环等）；J．安装反应室零部件（石英盖、密封圈、内衬、压环等）；K．关闭反应室；L．恢复反应室状态18. 简述SLR ICP作业流程图19. 简述SLR ICP装晶片标准操作流程A:用打圈圈的方式使橡皮条均匀分布在底盘的各个小槽上；B:判断托盘的方向，以中间的区域为标准，若定位横边往下的，则托盘两边的两个小孔分别为左右两孔；C:用专用镊子将晶片夹放到托盘的各个位置上，并对准位置；D:把螺丝放在盖子的小孔里；E:以盖子边缘的一个小孔为左边，对应托盘的左边位置，小心地放在底盘上；F:用内六角起子对角地拧螺丝，分两次拧。