半导体整流技术与可控硅整流装置
可控硅整流电路分析
可控硅整流电路分析一、可控硅整流电路的基本原理可控硅是一种半导体开关器件,由四层PNPN结构组成。
其工作原理基于PN结、P型耗尽区和控制电压的作用。
在正半周中,当控制电极施加正向火电压时,控制电流通过可控硅的上一层,使得P1-N1结反偏,形成障碍层,此时即使主极间加上反向电压也无法导通,所谓双向封锁;当控制电极去掉电压时,障碍层消失,主极间再加上正向电压,即可导通。
在负半周中,主极间加上正向电压时,P1-N1结正常导通,但是当控制电极加上正向电压时,由于N2层和P2层之间存在空间电荷区,从而隔断主极电压,所谓单向封锁。
可控硅整流电路利用可控硅开关功能的特点,将交流输入电压转换为直流输出电压。
二、可控硅整流电路的工作模式1.单向导通模式在单向导通模式下,可控硅的控制电极与主极间保持正向电压,使得可控硅导通。
此时,整流电路将输入交流电转换为单向的脉动直流电。
2.单向封锁模式在单向封锁模式下,可控硅的控制电极断开电压,使得可控硅反向阻断。
此时,整流电路不导通,输入交流电被隔断。
3.双向导通模式在双向导通模式下,可控硅的控制电极与主极间交替加上正向电压和零电压,以周期性地使可控硅导通和阻断。
此时,整流电路可以实现无脉动的双向直流输出。
三、可控硅整流电路的性能分析1.效率可控硅整流电路的效率被定义为直流输出功率与交流输入功率的比值。
效率通常由两部分组成:导通时段的效率和封锁时段的效率。
导通时段的效率取决于主极间的导通电压和电流,而封锁时段的效率取决于可控硅的电压封锁和损耗。
2.波形畸变可控硅整流电路的输出波形通常具有一定的畸变,主要表现为谐波含量较高。
这是由于可控硅导通和封锁时存在过渡时间,以及可控硅的非线性特性所导致的。
为了减小波形畸变,可以采用增加可控硅数目、增加电感和电容滤波等方法。
3.动态响应总结:可控硅整流电路是一种常用的电力电子器件,通过可控硅的开关功能实现交流电转换为直流电。
可控硅整流电路的工作模式包括单向导通、单向封锁和双向导通。
scr可控硅在整流电路上的应用
scr可控硅在整流电路上的应用1.引言1.1 概述在整流电路中,可控硅是一种重要的元件。
它具有可控性强、耐压能力高、效率高等优点,因此在电力领域中得到广泛应用。
本文将介绍可控硅的基本原理及其在整流电路中的应用。
可控硅是一种单向导电元件,通过控制其门极电压或电流,可以实现对其导通或截止状态的控制。
由于其具有双向可导电性,可以将交流电信号转换为直流电信号,因此在整流电路中起着重要的作用。
在整流电路中,可控硅通常被用作整流桥电路的主要元件。
整流桥电路主要用于将交流电转换为直流电,常用于电源供给等领域。
可控硅的特性使得它能够控制电流的流动方向,并能够将交流信号转换为单向的直流信号。
可控硅在整流电路中的应用具有很大的优势。
首先,可控硅具有较高的效率和稳定性,可以实现高效的能量转换。
其次,可控硅能够进行迅速的开关控制,可靠地实现交流信号到直流信号的转换。
此外,可控硅的耐压能力较高,能够满足电力系统中的高电压需求。
总之,可控硅在整流电路中具有重要的应用价值。
本文将深入探讨可控硅的基本原理以及其在整流电路中的应用。
同时,还将展望可控硅在电力领域的未来发展,为读者对该领域有一个全面的了解。
1.2 文章结构本文主要讨论了可控硅在整流电路上的应用。
为了更好地组织文章内容,本文将按照以下结构进行论述。
首先,在引言部分,我们会对文章进行概述,介绍可控硅的基本原理和整流电路的应用背景。
并阐明文章的结构和目的,确保读者能够清晰地理解文章的主题和篇章结构。
接下来,在正文部分,我们会详细介绍可控硅的基本原理。
首先,我们将解释可控硅是一种什么样的器件,以及它的工作原理。
然后,我们将重点探讨可控硅在整流电路中的应用。
我们将介绍可控硅在单相和三相整流电路中的作用,并说明它在电力系统中的重要性。
我们还将分析可控硅在整流电路中的优势和限制,并介绍相关的电路拓扑结构和控制策略。
最后,在结论部分,我们将总结可控硅在整流电路上的应用。
我们将回顾本文的主要内容,强调可控硅的优点和局限性,并对其在电力领域的未来发展进行展望。
可控硅整流原理
可控硅整流原理可控硅(SCR)是一种半导体器件,具有单向导电性能,可用于整流电路。
可控硅整流器是一种常见的电力电子装置,广泛应用于交流电源的整流和调节。
本文将介绍可控硅整流原理及其工作原理。
可控硅整流器是一种电子器件,由可控硅和辅助电路组成。
可控硅是一种双向触发器件,只有在外部触发脉冲作用下才能导通,所以它能够实现对交流电压进行整流。
可控硅整流器的工作原理是利用可控硅的触发角控制来实现对交流电压的整流。
在正半周,当交流电压的极性为正时,可控硅的阳极和门极之间的电压为正,此时可控硅处于关断状态,不导通。
当触发脉冲到来时,可控硅的门极电压达到触发电压,可控硅导通,形成通路,电流开始流过可控硅。
在负半周,当交流电压的极性为负时,可控硅的阳极和门极之间的电压为负,同样处于关断状态。
当再次触发脉冲到来时,可控硅再次导通,形成通路,电流继续流过可控硅。
通过这样的方式,可控硅整流器能够将交流电压转换为直流电压输出。
可控硅整流器的触发角是指可控硅导通的相位角,它决定了整流电路的输出电压和电流的大小。
通过控制触发角,可以实现对输出电压的调节。
当触发角较小时,可控硅导通的时间较长,输出电压较大;当触发角较大时,可控硅导通的时间较短,输出电压较小。
因此,可控硅整流器能够实现对输出电压的调节,从而实现对电力系统的功率控制。
总之,可控硅整流器利用可控硅的触发角控制,实现对交流电压的整流和调节。
它具有结构简单、控制方便、效率高等优点,被广泛应用于电力系统中。
希望本文能够帮助读者更好地理解可控硅整流原理及其工作原理,为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。
晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用
上海交通职业技术学院学生毕业论文毕业论文题目晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用专业港口物流设备与自动控制学号0910032姓名指导老师目录目录 (1)摘要 (2)1 绪论 (3)1.1 课题背景及发展方向 (3)1.2 本文主要工作 (3)2 晶闸管元件 (4)2.1晶闸管元件简介 (4)2.1.1.单向晶闸管的工作原理和主要参数 (4)2.1.2 双向晶闸管的工作原理和主要参数 (7)3.晶闸管的应用 (10)3.1 单相半波可控整流电路 (11)3.1.1电阻性负载 (11)3.1.2电感性负载及续流二极管 (13)3.1.3反电动势负载 (17)结束语 (19)参考文献 (20)致谢 (21)晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用李坤清摘要:晶闸管是晶体闸流管的简称,俗称可控硅整流器(SCR ,SiliconControlled Rectifier),简称可控硅,其规范术语是反向阻断三端晶闸管。
晶闸管是一种既具有开关作用,又具有整流作用的大功率半导体器件,应用于可控整流变频、逆变及无触点开关等多种电路。
对它只要提供一个弱点触发信号,就能控制强电输出。
所以说它是半导体器件从弱电领域进入强电领域的桥梁。
目前为止,晶闸管是电子工业中应用最广泛的半导体器件,尽管有各种不同的新型半导体材料不断出现,但半导体材料中98%仍是硅材料,硅材料仍是集成电路产业的基础,其中晶闸管具有体积小、重量轻、功率高、寿命长等优点而得到广泛应用。
晶闸管的作用主要有以下几种,1.变流整流,2.调压,3. 变频,4.开关(无触点开关)。
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。
如果把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。
在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。
这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。
可控硅整流器工作原理
可控硅整流器工作原理可控硅是一种多层PN结的半导体器件,具有三个电极:主极(Anode)、控制极(Gate)和触发极(Cathode)。
可控硅器件具有两种工作状态:导通状态和截止状态。
在可控硅整流器中,交流电源的正半周与负半周分别作用于主极和触发极,其工作原理如下:1.导通状态:当交流电源的电压正半周作用于主极时,主极变为正极,触发极变为负极。
此时,若控制极施加一个正电压,就可以激发PN结,使之进入导通状态。
2.截止状态:当交流电源的电压负半周作用于主极时,主极变为负极,触发极变为正极。
此时,无论控制极施加什么电压,都不能激发PN结,使之进入截止状态。
通过对控制极施加不同电压,可实现可控硅整流器的工作状态切换,从而实现电流的控制。
1.整流过程:在交流电源正半周的导通状态中,如果可控硅器件导通,则交流电源的正半周通过可控硅器件,输出为直流电流。
此时,输出电流的大小与控制极施加的电压有关,通过控制极电压的调节,可以控制输出电流的大小。
2.关断过程:当交流电源的电压负半周的时候,可控硅器件处于截止状态,电流无法通过。
这个过程中,交流电源的负半周电压通过一个旁路二极管(反向偏置)绕过可控硅器件,输出为直流电流。
通过控制极施加不同的电压,可实现整流和关断状态的切换,从而实现了可控硅整流器对交流电的转换。
需要注意的是,可控硅整流器由于具有导通状态和截止状态的非线性特性,会产生较大的谐波失真和功率消耗。
因此,在实际应用中,通常需要搭配滤波电路对输出进行滤波处理,以提高整流器的效率和输出电流质量。
总结起来,可控硅整流器工作原理是通过对控制极施加不同电压,控制可控硅器件的导通和截止状态,实现对交流电的整流和输出电流的控制。
可控硅整流器工作原理及结构特点解析
可控硅整流器工作原理及结构特点解析文档下载说明Download tips: This document is carefully compiled by this editor. I hope that after you download it, it can help you solve practical problems. The document 可控硅整流器工作原理及结构特点解析can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you! In addition, this shop provides you with various types of practical materials, such as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts, other materials and so on, want to know different data formats and writing methods, please pay attention!可控硅整流器(SCR Rectifier)是一种重要的电力电子器件,其工作原理和结构特点对于电力系统的控制和调节具有重要意义。
下面我将对可控硅整流器的工作原理及结构特点进行详细解析。
一、工作原理。
可控硅整流器是一种基于硅材料的半导体器件,其工作原理基于硅材料的半导体特性以及控制端对器件的控制。
在正常工作状态下,可控硅整流器的控制端施加一个触发脉冲,使其进入导通状态。
可控硅整流装置
反向不重复峰值电压U (c) 反向不重复峰值电压URSM 是指在门极开路时, URSM是指在门极开路时, 当加在可控硅上的反向阳极 电压上升到使可控硅的反向伏安特性急剧弯曲时所对应的 电压值( 电压值(图1)。
IA
UAX
0
UPBO UDSM UDRM
URRM URSM
图1 晶闸管的几个电压参数在伏安特性上的位置
4) 可控硅的动态参数 所谓动态参数是指可控硅处在状态变换过程 中的参数。下面主要介绍du/dt 、di/dt、tgt 和tq这 中的参数。下面主要介绍 、 四个参数。 四个参数。
(a) 断态电压临界上升率 断态电压临界上升率du/dt du/dt是指在额定结温和门极断路时,可控硅保持断态所 是指在额定结温和门极断路时, 是指在额定结温和门极断路时 能承受的最大主电压上升率。 能承受的最大主电压上升率 。 使用时实际电压上升率必须 小于此值。 小于此值。 (b) 通态电流临界上升率 通态电流临界上升率di/dt di/dt 是指在规定条件下,可控硅在导通过程中,能承受 是指在规定条件下,可控硅在导通过程中, 而不会导致损坏的最大通态电流上升率。 而不会导致损坏的最大通态电流上升率。
(d) 断态重复峰值电流 DRM和反向重复峰值电流 RRM。 断态重复峰值电流I 和反向重复峰值电流I IDRM和 IRRM分别为该管承受断态重复峰值电压 DRM和反 分别为该管承受断态重复峰值电压U 向重复峰值电压U 时的峰值电流。 向重复峰值电压 RRM时的峰值电流。 (e) 浪涌电流 TSM 浪涌电流I ITSM是指在规定条件下,可控硅通以额定通态平均电流 是指在规定条件下, 稳定后, 稳定后 , 在工频正弦半周期间元件能承受的最大过载电流 同时, 。 同时 , 紧接浪涌后的半周期间应能承受规定的反向电压 浪涌电流用峰值表示,是不重复的额定值, 。 浪涌电流用峰值表示 , 是不重复的额定值 , 在元件寿命 期限内,浪涌次数有一定限制。为了防止元件损坏, 期限内 , 浪涌次数有一定限制 。 为了防止元件损坏 , 电路 中各种过电流都应限制在此值以内。 中各种过电流都应限制在此值以内。
半导体产品分类及对应作用
半导体产品分类及对应作用1. 整流器(Rectifiers):整流器用于将交流电转换为直流电。
它是半导体产品中最基本的一种,常用于电源和电机驱动等领域。
整流器通常采用二极管或硅可控整流器(SCR)的形式,可以有效地实现电流的单向流动。
2.可控硅(SCR):可控硅是一种功能强大的半导体开关,可以控制电流的导通和截止。
它具有高开关速度、高功率处理能力和可靠性,常用于电力控制、电机控制和电炉等高功率电器的驱动。
3. 功率晶体管(Power Transistor):功率晶体管是一种用于放大和控制高功率信号的半导体器件。
它主要用于功率放大、开关和频率转换等领域,具有高电流、高频率和高耐压等优点。
4. 晶闸管(Thyristor):晶闸管是一种由SCR演变而来的特殊型号半导体器件,也被称为双向可控硅。
晶闸管具有双向导流性能和较高的电流承受能力,广泛应用于交流电控制和交流电源的调节。
5. 三极管(Transistor):三极管是一种最常见的半导体器件,用于放大和开关电路。
它根据不同的构造形式分为有源和无源两种,包括NPN型和PNP型。
三极管被广泛应用于放大器、振荡器和开关电路等领域。
6.双极型场效应管(BJT):双极型场效应管也称为双栅晶体管,是一种可控电流的、双极性的半导体器件。
它具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点,被广泛应用于电子放大器、功率放大器和开关电路等领域。
7.金属氧化物半导体场效应管(MOSFET):MOSFET是一种基于金属-氧化物-半导体结构的场效应管。
它具有高输入阻抗、低功耗和快速开关速度的特点,被广泛应用于逻辑电路、功率放大和高频电路等领域。
8. 集成电路(Integrated Circuit,IC):集成电路是将多个半导体器件和电子元件集成在一颗芯片上的电路。
它具有体积小、功耗低和性能稳定等优点,广泛用于计算机、通信、消费电子和工控等领域。
9. 光电器件(Optoelectronic Devices):光电器件是利用半导体材料的光电效应制造的器件,可以将光能转换为电能或反之。
可控硅介绍
可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成,亦称为晶闸管。
它的功能不仅是整流,还可以用作无触点开关的快速接通或切断;实现将直流电变成交流电的逆变;将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
可控硅和其它半导体器件一样,有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。
可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。
螺旋式应用较多。
可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G),管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结,与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。
可控硅的四层结构和控制极的引入,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。
可控硅应用时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。
目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。
一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。
其中第二、第三层为两管交迭共用。
可画出图1的等效电路图。
当在阳极和阴极之间加上一个正向电压E,又在控制极G和阴极C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号,BG2将产生基极电流Ib2,经放大,BG2将有一个放大了β2倍的集电极电流IC2。
因为BG2集电极与BG1基极相连,IC2又是BG1的基极电流Ib1。
BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电极电流IC1送回BG2的基极放大。
如此循环放大,直到BG1、BG2完全导通。
事实上这一过程是“一触即发”的,对可控硅来说,触发信号加到控制极,可控硅立即导通。
可控硅整流装置工作原理及保护措施论文
可控硅整流装置的工作原理及保护措施摘要:在整流装置过载或输出短路时,保护措施能起到安全保护功能,归结为限流保护和过电流保护。
这两种保护是否可靠,直接影响控硅整流装置的质量,代表着控硅整流装置的水平。
本文主要介绍了相控可控硅整流装置的控制原理,及限流、过电流保护在相控可控硅整流充电装置的应用。
关键词:可控硅整流装置开环控制闭环控制限流与过电流保护中图分类号: u264.3+71 文献标识码: a 文章编号:1 概述相控整流充电装置不论在电力系统还是在现代工业的各行各业中已得到广泛应用。
例如在电力系统中,即可作为系统控制、保护的工作电源,又可作为蓄电池的充电装置。
可控硅整流装置要安全运行,必须有可靠的保护措施。
在整流装置过载或输出短路时,保护措施能起到安全保护功能,归结为限流保护和过电流保护。
这两种保护是否可靠,直接影响控硅整流装置的质量,代表着控硅整流装置的水平。
2 可控硅整流装置的控制原理可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个pn 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
可控硅整流就是利用可控硅整流元件把交流电变换成大小可调的直流电。
以单相全桥为例,可控硅整流装置的输出电压ud与可控硅控制角α之间的关系如下式:ud=0.9uz1cosαud:可控硅整流装置输出电压;uz1:整流变压器二次侧线电压;α:可控硅控制角由上式可以看出,可控硅整流装置的输出电压与可控硅控制角α有关。
α实际上由控制电压uy决定.即当uy增加时,α增大,则ud减小;当uy减小时,α减小,ud增大。
什么是半导体在电子电路中的应用
什么是半导体在电子电路中的应用半导体在电子电路中的应用半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料,具有良好的电导性能。
由于其特殊的物理性质,半导体在电子电路中有着广泛的应用。
本文将介绍半导体在电子电路中的几个常见应用。
1. 整流器和稳压器半导体材料,如硅和锗等,可以制成二极管,用于整流电路中。
在交流电信号经过二极管后,只能通过一个方向的电流,将交流信号转换为直流信号。
这种整流作用广泛应用于电源、电动机和通信设备等领域。
稳压二极管是一种常见的稳压器件,它可以通过控制电流使输出电压保持稳定。
在电路中,稳压二极管通常与其他元件组合在一起,构成稳压电路,用于保护其他元件不受电压波动的影响。
2. 晶体管晶体管是一种基于半导体材料的三极管,是现代电子电路中的重要元件。
它可以放大电信号、实现开关控制和逻辑运算等功能。
晶体管通常由三个掺杂不同的半导体层构成,分别是发射区、基区和集电区。
通过控制发射极和基极之间的电压,可以控制集电区的电流。
晶体管的放大作用使其在放大电子信号方面有着重要的应用,比如在收音机、电视和计算机中。
3. 可控硅可控硅是一种能够控制电流通断的半导体器件,也常被称为晶闸管。
它具有较高的电压和电流承受能力,广泛应用于交流电控制和功率控制领域。
可控硅主要由四个层构成,分别是P、N、P和N型半导体层。
通过改变触发电流或电压,可以控制可控硅通断状态。
它在电调速器、变频器和照明系统中被广泛应用。
4. 光电器件半导体材料对光信号敏感,因此在光电器件中有着重要的应用。
例如,光电二极管和光敏电阻可以将光信号转化为电信号,用于光电转换和光传感器等领域。
光电二极管是一种能够将光能转化为电能的器件。
光照射到光电二极管上时,会产生电流,并产生与光信号强度相关的电压。
它在光通信、光电检测和光电显示等方面具有广泛的应用。
综上所述,半导体在电子电路中有着广泛的应用。
从整流器、稳压器到晶体管、可控硅和光电器件,不同的半导体器件在不同的电路中发挥着重要的作用。
电力半导体技术及变流技术
电力半导体技术
第三章 晶闸管整流电路
一、整流装置的常用参数: 1、α-控制角:在一个电周期内,整流桥各可控硅在过了其自然换向点后 才承受正向电压,规定此时α=0。改变α,可以控制整流装置的输出电压。 2、Ud-输出直流电压平均值 3、U2-输入交流电压有效值 4、IT-可控硅额定通态平均电流 5、Id-整流装置额定输出电流平均值
快速熔断器简称快熔,用于短路保护。当电流超过其额定电流4倍时, 动作时间在0.1s以内(具体数据以样本手册为准)。注意:快熔额定电流指 的是电流有效值,而可控硅的参数IT是指电流平均值。两者并不一致(见 可控硅容量选择一节)。但通常取快熔额定电流=IT,此时快熔容量约为 可控硅容量的2/3。 3、过压吸收:
27
电力半导体技术
第四章 双向晶闸管调压电路
三、典型调压电路 3、其它调压电路
其它调压电路还有:YN接三相调压电路、串联负载角接三相调压 电路、晶闸管角接三相调压电路等。
28
13
电力半导体技术
第二章 IGBT
四、逆变主电路
IGBT由于可关断特性,与晶闸管 比较,更加适合用于逆变电路。 以往采用晶闸管作为逆变器功率 器件时,须附加换流电路才可实 现逆变,电路较为复杂,现在变 频器已大量采用IGBT作为逆变器 功率器件。
1、IGBT导通顺序:
123234 345 456 561 612
8
电力半导体技术
第一章 晶闸管
三、晶闸管触发 晶闸管的触发电流波形对晶闸管的运行特别是对其开关过渡过程有很
大的影响。理想的触发电流波形应满且如下要求。 1、触发脉冲前沿
对于大功率晶闸管,为了减少开通时间,满足电流变化率的要求,或 者在串并联电路中,为缩小开通时间的分散性,都应采用强触发脉冲。 当触发脉冲的IGT=5-6倍时,元件的开通性能有明显的改善。 2、触发脉冲宽度
可控硅整流器原理
可控硅整流器原理
可控硅整流器是一种常用的电力电子器件,其工作原理是通过控制可控硅器件的触发角,实现对交流电源的整流控制。
可控硅整流器主要由可控硅器件、触发装置和电路保护装置等组成。
当可控硅器件的控制电压大于其触发电压时,可控硅器件导通,电流流经器件。
控制电压为零时,器件处于截止状态,电流无法流过。
在工作过程中,当交流电源输入到可控硅整流器时,由触发装置产生的触发脉冲信号将控制电压施加在可控硅器件上,使其导通。
此时,交流电源的正半周电流经过整流电路流入负载进行放电。
当交流电源的负半周到来时,控制电压为零,可控硅器件截止,电流无法流过。
通过这样的控制,可控硅整流器实现了对交流电源的整流控制。
可控硅整流器具有动态响应速度快、损耗小、可靠性高的优点。
在实际应用中,可控硅整流器广泛用于电力系统中的直流输电、电动机驱动和可调速调压系统等领域。
同时,根据不同的需求,可控硅整流器还可通过组合和并联等方式进行应用,实现不同功率和电压等级的整流控制。
三相可控硅整流原理
三相可控硅整流原理三相可控硅整流原理是一种电力电子技术,它可以将交流电转换为直流电。
这种技术在现代工业中得到了广泛的应用,特别是在大型电力设备中。
本文将介绍三相可控硅整流原理的基本概念、工作原理和应用。
三相可控硅整流原理是一种电力电子技术,它利用可控硅器件将交流电转换为直流电。
可控硅是一种半导体器件,它可以控制电流的流动方向和大小。
三相可控硅整流器是由三个可控硅器件组成的,它们分别连接在三相交流电源的三个相位上。
当可控硅器件导通时,它们可以将交流电转换为直流电。
三相可控硅整流原理的工作原理三相可控硅整流器的工作原理是基于可控硅器件的导通和截止。
当可控硅器件导通时,它们可以将交流电转换为直流电。
当可控硅器件截止时,它们可以阻止电流的流动。
三相可控硅整流器的工作原理可以分为两个阶段:导通阶段和截止阶段。
在导通阶段,可控硅器件导通,交流电通过可控硅器件流入负载。
在这个阶段,可控硅器件的电压降很小,电流很大。
在截止阶段,可控硅器件截止,交流电无法通过可控硅器件流入负载。
在这个阶段,可控硅器件的电压降很大,电流很小。
通过控制可控硅器件的导通和截止,可以实现交流电向负载的单向流动,从而将交流电转换为直流电。
三相可控硅整流原理的应用三相可控硅整流器在现代工业中得到了广泛的应用,特别是在大型电力设备中。
它可以将交流电转换为直流电,从而满足大型电力设备对直流电的需求。
例如,它可以用于电力变压器的直流电源、电动机的直流电源、电焊机的直流电源等。
此外,三相可控硅整流器还可以用于电力调节、电力传输、电力质量控制等方面。
三相可控硅整流原理是一种重要的电力电子技术,它可以将交流电转换为直流电。
通过控制可控硅器件的导通和截止,可以实现交流电向负载的单向流动,从而满足大型电力设备对直流电的需求。
可控硅整流器原理及结构
可控硅整流器原理及结构
首先,让我们来了解一下可控硅的工作原理。
可控硅是一种四层半导
体器件,具有PNPN结构。
其中,P型和N型区域分别为阳极和阴极,而
PN结就是可控硅的触发单元。
当可控硅加有正向电压时,PN结正向偏置,逆向漏电流极小,处于关断状态。
然而,一旦PN结受到足够的触发电流
而被击穿,可控硅将进入导通状态,并保持导通,直到其阳极电流降为零
或反向电压达到峰值。
在可控硅整流器中,可控硅的触发方式和延时才能是实现整流功能的
关键。
触发电路通常采用电容式触发电路、电压触发电路或光触发电路。
电容式触发电路通过充放电电容来产生触发脉冲,使可控硅触发,并打开
导通。
电压触发电路通常利用触发器、继电器或其他电路来生成脉冲,以
触发可控硅。
光触发电路通过光敏元件和光源,将光信号转化为电信号,
以触发可控硅的导通。
延时才能则是通过控制触发脉冲产生的时间和持续
时间来实现的。
电源电路的作用是提供整流器工作所需的稳定电压和电流。
负载是可
控整流器用于控制的装置或电路,可以是电动机、发电机、电炉等。
控制
电路通常用于监测和控制整流器的电压、电流和触发脉冲,以确保整流器
的正常工作。
总的来说,可控硅整流器通过控制可控硅的触发方式和延时才能来实
现整流功能。
它的结构包括可控硅、触发电路、电源电路、负载和控制电
路等。
可控硅整流器广泛应用于电力电子领域,如变频调速系统、电炉控
制系统、直流电源系统等。
可控整流的概念
可控整流的概念
可控整流是一种利用半导体器件(如晶闸管、可控硅等)将交流电转换为直流电的电路。
它通过控制电路中晶闸管或其他半导体器件的导通和截止,将交流电转化为能够被负载直接利用的直流电。
可控整流电路具有可调电流和可调输出电压的特点,通过调节控制元件的导通时间和导通角度,可以调节电流和电压的大小以及输出波形的形态。
与传统的不可控整流相比,可控整流电路具有更高的控制精度和电能调节能力,可以满足大电流、大功率负载的需求,提供稳定可靠的电能支持。
同时,可控整流电路还可以实现电能的软起动和负载的恒定转矩特性,对电动机的运行和维护都有一定的好处。
可控整流广泛应用于直流电源、电机速度调节、电炉控制、变压器控制、静态无功补偿等领域。
根据实际需求选择合适的整流方式,可以有效提高电子设备的效率和稳定性。
可控硅单相全波反并联可逆整流电路在半导体恒温装置中的应用
表 l 优 化 模型 求解 结果
孽
蕾 盘
洼 : 中 长 度 单 位 mm 质 量 单 位 k 袁 ,
对表 1 中关于右前 车顶的计算结果加 以圆整 ( 四舍五人到
个位) ,再 按圆整后 的值制 作出相应厚度 的 20x 0 0 0见方 的钢 2
圈 3 驾驶员右耳位 置处的降噪幅值
制贴 片, 按图 2中的编号用环氧树脂 牯贴在对应位置处 ( 牯贴时 对帖 片进行适 当修磨 l 。在粘 贴前后各测得一次 驾驶员 右耳 位
( 针对不同扳块 的计算 值 I惭 对右前车顶的测量 值与计算值 a b
( )采用所建立的模 型对某 型国产轿车 的车身乘坐室进 行 2
置处的声 压幅值 , 后者减去前者 即得 到降噪幅值 的测量值 , 如图 低噪声优化设计 ,获得 了较为明显 的车 内降噪效果 ,同时也说
【 bt c]Te nseue cpwrup i w—vlg dh h £et t th A s at h e i r i 。D oespl wtl r su t q r y ho oⅡe i —c r n h t g wn at
dr tn o r n a ecagd( xet hni , atog hyae eeay etrgnn一 ico fc r t nb hne epcdw e f l u hte rgnrl aui o ei ue c e n h lf n
堆” 来实现的。这 种器件一 出现 , 就被 国外用在雷达接收机 的参 电堆是可逆器 件 ,即只要改变通过它直流电流的方向,其玲热 量放大器恒温致冷 上 .以便稳定参 量放 大器的增益 .并适 当降 端就可 自动互换功能 .困此完全可 用在恒 温装 置中,不一定
低 噪声温度 。由于 半导体致冷电堆体积小 、 元噪音并寿命长 , 所 非得用于致冷 。显然 ,电堆可用 于环境 温差变 化裉大条件下的
可控硅整流对比二极管+接触器
可控硅整流对比二极管+接触器可控硅整流器和二极管整流器都是常见的电力控制装置,在工业和家庭中得到广泛应用。
两者都用于将交流电转换为直流电,但它们在工作原理、控制方法和特性上有很大的区别。
本文将对可控硅整流器和二极管整流器进行详细比较,以便更好地理解它们的差异和适用场景。
一、可控硅整流器可控硅,又称晶闸管,是一种半导体器件,具有单向导电性,并且可以通过控制电压或电流来实现开关功能。
可控硅整流器是利用可控硅的导通和截止特性来控制电流的方向和大小,从而实现将交流电转换为直流电的装置。
1.工作原理可控硅整流器包括一个可控硅器件和一个触发电路。
当触发电路对可控硅施加一定的触发脉冲时,可控硅将导通,电流从正半周的无源侧(交流输入端)流向负半周的有源侧(直流输出端),从而实现整流功能。
当触发脉冲消失时,可控硅将截止,电流也随之停止流动。
2.控制方法可控硅整流器可以通过改变触发脉冲的宽度、相位和频率来控制输出电流的大小和形状。
此外,还可以通过控制输入电压的大小和频率来实现对输出电流的精细调节。
3.特性可控硅整流器具有响应速度快、控制精度高、输出电流平稳等特点。
同时,由于可控硅是可控的,因此可以实现对输出电流的精确控制,适用于对电流严格要求的场合。
二、二极管整流器+接触器二极管整流器是利用二极管的单向导电特性来实现将交流电转换为直流电的装置。
接触器是一种电器,用于控制电路的通断,通常用于控制较大功率的电气设备。
1.工作原理二极管整流器通过二极管的导通和截止特性来实现对电流方向的控制。
当交流电输入时,二极管只允许正半周的电流通过,而负半周的电流被截断,从而实现了对交流电的半波整流。
接触器通过控制开关来控制电路的通断,从而实现对整流器的输出功率的控制。
2.控制方法二极管整流器+接触器通过控制接触器的通断来实现对输出功率的调节。
可以通过改变接触器的触点材料、触点形状和触点压力等参数来控制接触器的导通电阻,从而实现对整流器输出功率的精确调节。
可控硅整流器工作原理
可控硅整流器工作原理
可控硅整流器是一种电力电子设备,主要用于将交流电转换为直流电。
它的工作原理如下:
1. 可控硅:可控硅是一种半导体元件,具有两个PN结,类似于二极管。
但是不同的是,可控硅还有一个控制端,可以通过控制端的信号来控制可控硅的导通和关断。
2. 实现整流:可控硅整流器的输入是交流电,将其通过一个变压器降压或升压到适当的电压。
然后将其输入到可控硅整流器的整流器电路中。
3. 控制可控硅导通:通过控制端的信号,可以控制可控硅的导通和关断。
当可控硅导通时,正向电流会通过可控硅,使得整流器输出直流电;当可控硅关断时,电流无法通过可控硅,整流器输出电压为零。
4. 控制导通角:通过控制端的信号,可以控制可控硅的导通角度。
导通角度是指可控硅导通的时间与每个交流周期的时间的比例。
控制导通角可以改变输出电压的大小。
5. 脉宽调制:为了实现可控硅整流器的精确控制,可以使用脉宽调制技术。
脉宽调制通过控制每个周期内可控硅的导通时间来调节输出电压的大小和波形。
总的来说,可控硅整流器通过控制可控硅的导通和关断,以及
控制导通角度和脉宽来将交流电转换为直流电。
这样可以实现对直流电的控制和调节。
可控硅整流电路的原理
可控硅整流电路的原理电路在现代社会中扮演着重要的角色,而硅控整流电路是电路中的一个核心部件。
它具有可靠、高效、稳定等优点,因此应用广泛。
本文将从原理方面介绍可控硅整流电路。
一、可控硅简介可控硅,又称晶闸管,是一种半导体元件,其结构类似于双向导通三角形管。
它有三个电极:阳极、阴极和控制极(也称为门极或阳极控制极),是半导体的电流元件,可以控制电路中直流电流的通断和方向。
二、可控硅的工作原理可控硅的工作原理和二极管类似,但它可以通过控制极改变晶体管极限电压来控制主电路上的电流。
在正向电压作用下,可控硅是一种导通的半导体器件;但是,如果控制极上的电压变小,则进入阻断状态,该状态下的电流非常小;而在控制极上施加正向电压,可控硅也可以使主电路上的电流双向流动。
由此可见,在电路中加入可控硅后,其电路的主要特征即应具有单向导通特征。
在此基础上,进行可控硅的控制,可以实现单向导通/单向阻断电路、单相控制电路、三相半控整流电路、交、直流变换电路、有功和无功功率控制电路等等。
三、可控硅整流电路可控硅整流电路,顾名思义,是以可控硅为核心,实现整流功能的电路。
它的主要功能是将交流电转变为直流电,主要分为单相或三相可控硅整流电路。
单相可控硅整流电路主要由半波整流电路和全波整流电路组成。
其中,半波整流电路使用单相可控硅,可以将交流电的一半电压输出为直流电,包括正半周和负半周;全波整流电路使用两个可控硅来工作,使交流电的两个半周都能够输出直流电。
三相可控硅整流电路由六个可控硅组成,它可以实现更大功率下的高效控制和运行,同时适用于三相异步电机、静止反应、转子转换器等。
四、可控硅整流电路的应用可控硅整流电路的应用是非常广泛的,并存在于各种行业中。
例如,汽车工业中的发电机整流器、家用电器中的调压、变频器、控制器以及直流电机的启动控制等。
此外,可控硅整流电路还广泛应用于高铁、汽车电子、船舶电子、气体调控等领域。
可见,可控硅整流电路是现代工业生产中不可或缺的一部分。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
半导体变流技术及可控硅整流装置一. 概述半导体变流技术是近代工业发展到半导体时代最典型的技术之一,他不仅在发电机励磁系统方面得到广泛的应用,在冶金、化工、机械制造、交通运输等各方面都得到广泛的应用。
可以说,现代生活、生产无处不存在变流技术。
半导体变流技术是现代励磁系统最基本的技术之一.在发电机励磁系统上他不仅取代了传统的直流励磁机,而且在励磁调节方面取代了传统的磁放大器、相复励变压器和整流器,甚至在灭磁方面也部分取代了磁场断路器和灭磁电阻的作用。
现代发电机励磁系统中,从电源的变换到发电机励磁能量的提供,无处不存在变流技术的应用。
本课程主要就半导体变流技术的几种典型应用和具体电路进行分析,同时介绍能达公司生产的STR系列整流装置的基本性能和技术指标。
另外还利用一定的篇幅根据整流装置在现场的应用介绍一些装置的故障判断和处理方法.希望通过本课程能够对本公司生产人员在变流技术方面提供一定的帮助。
二. 变流技术的种类根据变流技术的应用和具体电路,我们将变流技术分成如下几类:单相半波整流单相全波整流不可控整流单相桥式整流单相整流单相半波可控整流单相桥式半控整流可控整流单相桥式全控整流半导体变流三相零式整流不可控整流三相桥式整流三相整流三相半控桥可控整流三相全控桥上面的分类只是按照应用最多的情况进行的分类,实际应用中远较上面的要多.比如六相整流、十二相整流等等.由于这些电路在励磁系统中应用的较少,我们在分类时就没有将他们列入。
实际上,在早期的模拟式自动励磁调节器的电压测量回路中,为了保证测量电压的纹波系数,六相和十二相整流电路应用的还是很普遍的,只是现代微机励磁调节器采用交流电压采样方式以后,对测量电压的纹波要求相对降低了而不怎么采用了。
三. 单相整流电路 3。
1单相半波整流电路单相半波整流电路接线图及波形图见图一单相半波整流是半导体变流技术中最基本的电路。
他是利用半导体二极管的单向导电性,将交流电转换为直流电最基本的方法.由于二极管的单向导电性,变压器二次电压只有正方向电流才能够通过二极管而施加到负载上,而负方向由于二极管的阻断作用而不能施加到负载上,因此,负载上获得的平均电压仅为变压器二次电压的一半。
由于存在二极管导通压降和变压器二次绕组的压降,故电路中:由于在电路的输出侧装有滤波电容器,负载上的最高电压将可以达到变压器二次电压的峰值电压,即;同时,由于电容器的放电作用,在变压器二次电压下降时,负载上的电压并不随二次电压下降而下降,而是由电容器的放电曲线所决定。
单相半波整流电路的波形图见图一(b)。
图中:兰色曲线为变压器二次电压,红色曲线为无滤波电容器时的整流输出电压,棕色曲线为有滤波电容器时负载上的电压。
当整流二极管换为可控硅,电路变化为可控单相整流电路时,负载上的平均整流电压由:决定。
ZB I 2e 2e 1e 2cI fz R fzU dωtU d =0.45U 2图一(a )单相半波整流电路原理图图一(b )单相半波整流电路波形图e 2、U d2π式中:U2——变压器二次绕组电压的有效值;α--移相角。
由式可以看出,当α改变时,负载上获得的平均整流电压会有不同的值。
3.2 单相全波整流单相全波整流电路接线图及波形图见图2。
在变压器副边电压的正半周,二极管D1处于正向偏置而D2处于反向偏置状态,D1在正向电压的作用下导通,D2在反向电压的作用下截止,负载上获得e21电压;在变压器副边电压的负半周,二极管D1处于反向偏置状态,而D2处于正向偏置状态,D2在正向电压的作用下导通,D1在反向电压的作用下截止,负载上获得e22电压。
负载上的电压波形如图2b中棕色曲线。
及单相半波整流电路相比,全波整流的输出要多一个波,因此,输出电压也较半波要高一倍,故: U d=0。
9U2及单相半波一样,在有滤波电容器时,负载上的最高电压为变压器二次电压的峰值,使用中应当特别注意。
3。
3单相桥式整流单相桥式整流是实际应用最多的单相整流电路。
电路接线见图3。
在电路中,四只整流管组成桥式整流。
在变压器二次电压的正半周,电流通过D1→Rfz→D2→W2形成通路,而在负半周,电流通过D3→Rfz→D4→W2形成通路,负载上电压波形见图3(b)棕色曲线。
及全波整流一样,桥式整流电路的平均输出电压:U d=0。
9U2当有滤波电容器时,负载上的最高电压为变压器二次电压的峰值。
当整流管换为可控硅时,桥式整流可以很方便地变换为可控整流。
单相桥式可控整流电路的输出电压由:决定。
当可控整流桥接入感性负载时,由于电感电流不能突变,在可控硅关断期内,必须在负载两端接入续流二极管以保持电感电流的通路,以防止可控硅关断时在电感负载两端产生危险的过电压和可控硅能够换相导通.四。
三相整流电路三相整流电路是励磁系统最基本的变流技术之一。
现代发电机自励励磁系统几乎全部采用三相整流电路来解决励磁系统的功率部分。
根据应用场合的不同,三相整流电路分为三相零式、三相半控桥、三相全控桥、多相整流等多种电路形式。
三相整流不仅输出波形的纹波小,而且输出电压等级高、电流大,特别适合于大功率整流的场合。
4。
1三相零式(半波)整流三相零式整流是多相整流电路的基础电路,可以说,其他多相整流电路是三相零式整流电路的叠加,掌握这一部分是解决其他多相整流电路的基础,应当引起足够的重视。
三相零式整流电路的接线图和波形图见图4。
由图4可以看出,在ωt1~ωt2时段,u2a 为正,u2b 、u2c 均低于u2a ,D1受正向电压而导通,D2、D3元件关断;在ωt2~ωt3时段,u2b 电压上升u2a 下降,而u2c 则处于最低电压,故D2导通,D1、D3关断;在ωt2~ωt3时段,u2c 上升为最高值,其他两相电压则下降到较低的值,故此时轮换到D3导通而D1、D2关断.负载上获得的电压如图4b 中兰线所示波形。
整I 2e 2ZBU dD1D3e 1e 2cωtI fzR fz UdD4D2U d =0.9U 2单相桥式全波整流电路波形图e 2、U d2π单相桥式全波整流电路原理图流电压Ud 及变压器二次电压的关系有:U d=1.17U 2当整流元件换为可控硅时,整流电压Ud 及变压器二次电压的关系有:U d =1.17U 2cos α 负载上的电流及变压器二次绕组间电流关系有:I 2=0.59I d 负载功率及变压器容量的关系有:这里需要说明,当可控整流电路的负载为电感元件时,要注意在电感两端并联续流二极管,以保持电流的连续通路和可控硅的可靠换相.上面的半波整流电路称为共阴极三相零式电路,他的输出为正电压.在实际应用中,为了获得负电压,可以将整流元件的阳极作为公共极而输出,称为共阳极三相零式电路。
电路的分析方法及共阴极三相零式电路一样,只是要注意电压的极性应相反。
从前面的分析可知,三相零式整流只是利用了变压器二次电压的相电压,相对利用变压器二次线电压的三相全波整流来说输出电压也较低。
此种方式在冶金系统用的更多一些,而在电力系统应用较少。
共阴极电路和共阳极电路组合以后,可以形成具有正、负极性输出的整流电源,也可以提高整流输出电压。
A a D1I 2D2Bb cD3IfzU dCnU d =1.17U 2图4a 三相半波整流电路原理图a b cωtωt1ωt2ωt4ωt5U d 2π/3u 2au 2b u 2c u 2aωt图4b 三相整流电路波形图ωt3u2u 2a u 2b u 2c u 2a4.2 三相桥式整流三相桥式整流是电力系统特别是发电机励磁系统应用最多的方式.在三相桥式整流方式下,他充分利用了变压器的二次线电压,不仅提高了整流装置的输出电压水平,还大大降低了整流变压器的二次电流和损耗。
三相桥式整流的电路图和波形图见图5.及三相零式整流电路不同的是,三相桥式整流是以线电压为基础进行分析的。
如图所示,在ωt1~ωt2区间,D1、D6承受的电压最高,电流通过a→D1→Rfz→D6→b→变压器a、b相副绕组形成闭环通路;在ωt2~ωt3区间,D1、D2承受的电压最高,电流通过a→D1→Rfz→D2→c→变压器a、c相绕组形成闭环通路,整流元件D6、D2在ωt2点换相;在ωt3点,a相电压下降而b相电压上升且高于a相电压,电流由D1换到D3,在ωt3~ωt4区段形成D3→Rfz→D2→变压器b、c相绕组的闭环通路;在ωt4点,再次由D2换流到D4,在ωt4~ωt5区段形成D3→Rfz→D4→变压器b、a相绕组的闭环通路;以下类推.负载上的电压波形见图5b兰色曲线。
三相整流元件的导通换流顺序如下:三相桥式整流电路的整流电压及变压器二次电压的关系为:式中:U 2L —-整流变压器二次线电压三相桥式整流电路的整流输出电流及变压器二次绕组电流的关系为:变压器及整流功率的关系为:4.3 三相半控桥式整流三相半控桥式整流是在三相桥式整流电路的基础上,改变其中一组整流元件为可控硅的整流电路.电路的工作原理及三相桥式整流电路完全一样,所不同的是使用可控硅以后,整流元件的换流不是在自然换流点,而是在触发点换流.电路接线图及换流情况见图6。
I 2D1D3D5Aa BbcRfzU dCD4D6D2U d =1.35U 2L I 2=0.817I d图6a 三相半控桥式整流电路原理图a b cωtωt1ωt2ωt3ωt6ωt7ωt8ωt9defα=600时输出波形ωtα<600时输出波形ωt α>600时输出波形ωt图6b 三相半控桥式整流电路波形图ωt4 ωt5e 2、U dcb ab ac bc ba ca cb ab ac bcZLB三相半控桥式整流电路在控制角为00时的输出波形及三相半波整流时完全一致;控制角在00≤α≤600范围内,每个周波有6个波头,而在600≤α≤1800范围内,每个周期只有三个波头,且波形之间有间距;α=600时波形刚好连续。
α<600时每个周期的六个波头中三个相互间隔的波头为可控波,三个间隔的波头为二极管整流波.结合前面对三相整流桥的分析可以看出:1)α=00时,三相半控桥的输出和波形及三相整流桥的波形完全一致。
2)α≤600时,三相半控桥波形为六个连续波;α>600时只有三个波且不连续,其整流电压及变压器副绕组之间的关系为:由于三相半控桥在α为不同角度时输出波形有较大的区别,因此,整流电压及变压器二次电压不能维持一个固定的比例关系.α=00时,;α=900时,。
3)通过整流元件和变压器二次绕组的电流由于α角的不同而有较大的差别,他需要按α角的区段进行分析.⑴在00≤α≤600区段内波形连续的情况下,通过整流元件的电流为:因故⑵在00≤α≤600区段内波形连续的情况下,通过变压器副绕组的电流:将代入式中,得:⑶在600≤α≤1800区段内波形不连续的情况下,通过整流元件的电流为:则:⑷在600≤α≤1800区段内波形不连续的情况下,通过变压器副绕组的电流为:将I M 代入式中得:4.4三相全控桥整流电路三相全控桥整流电路是发电机自并励励磁系统应用最多的电路。