【CN110068889A】一种硅基人工微结构超表面波导耦合器【专利】
一种新型波导环耦合器[实用新型专利]
![一种新型波导环耦合器[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/dd155434e97101f69e3143323968011ca300f7d5.png)
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201921363031.8(22)申请日 2019.08.21(73)专利权人 安徽波维电子科技有限公司地址 230000 安徽省合肥市庐阳工业园区天水路11号(72)发明人 汪文清 (51)Int.Cl.H01P 5/12(2006.01)(54)实用新型名称一种新型波导环耦合器(57)摘要本实用新型公开一种新型波导环耦合器，包括主波导，主波导由上波导体和下波导体构成；主波导的一端封闭，另一端设有波导开口；上波导体和下波导体上分别设有对应波导开口位置的上脊和下脊，上脊和下脊的位置相对应；上波导体和下波导体构成的主波导内还设有耦合腔，耦合腔内设有耦合环，耦合环通过设于耦合环两侧的耦合杆分别与第一耦合接口以及第二耦合接口相连接；下波导体上还设有连通外部和耦合腔内的调谐杆体。
本实用新型采用双脊波导环耦合，其方向性宽，耦合端接口具有多种接口，其频率覆盖范围为1.5-40GHz，端口驻波好，可靠性高。
权利要求书1页 说明书2页 附图1页CN 210092311 U 2020.02.18C N 210092311U1.一种新型波导环耦合器，其特征在于，包括主波导，主波导由上波导体和下波导体构成；主波导的一端封闭，另一端设有波导开口；上波导体和下波导体上分别设有对应波导开口位置的上脊和下脊，上脊和下脊的位置相对应；上波导体和下波导体构成的主波导内还设有耦合腔，耦合腔内设有耦合环，耦合环通过设于耦合环两侧的耦合杆分别与第一耦合接口以及第二耦合接口相连接；下波导体上还设有连通外部和耦合腔内的调谐杆体。
2.根据权利要求1所述一种新型波导环耦合器，其特征在于，波导开口上还设有法兰盘。
3.根据权利要求1所述一种新型波导环耦合器，其特征在于，法兰盘为矩形法兰盘，法兰盘边缘设有多个固定孔。
4.根据权利要求1所述一种新型波导环耦合器，其特征在于，第一耦合接口和第二耦合接口均为同轴接口。
一种波导耦合结构[发明专利]
![一种波导耦合结构[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/a1dc35c3647d27284a735145.png)
专利名称：一种波导耦合结构专利类型：发明专利
发明人：张小平,单欣岩,吴永宇申请号：CN201810043996.2申请日：20180117
公开号：CN108152885A
公开日：
20180612
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种波导耦合结构。
具体的，所述波导耦合结构包括硅基、绝缘层、多个二氧化硅波导层和多个金属波导层；多个所述二氧化硅波导层和多个所述金属波导层依次排列，并依次串联连接；依次排列的所述二氧化硅波导层和所述金属波导层设置于所述绝缘层的上面；所述绝缘层覆盖于所述硅基的上面。
本发明的波导耦合结构提高了波导的传输效率并实现了全光控制。
申请人：清华大学
地址：100000 北京市海淀区清华大学FIT楼4区306
国籍：CN
代理机构：北京高沃律师事务所
代理人：王戈
更多信息请下载全文后查看。
一种波导耦合器[实用新型专利]
![一种波导耦合器[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/1a2034eccc175527062208cd.png)
专利名称：一种波导耦合器
专利类型：实用新型专利
发明人：宋超,彭静,薛发秋,李秀兰,郭婧申请号：CN201920161195.6
申请日：20190130
公开号：CN209232929U
公开日：
20190809
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型公开了一种波导耦合器，包括矩形波导以及耦合机构，所述耦合机构包括设于所述矩形波导表面的凹槽以及设有印制线的印制板，所述凹槽的底部设有与矩形波导的内腔连通的通孔，所述印制板设于所述凹槽的底部，所述印制线经过所述通孔的上方。
本实用新型通过凹槽底部的通孔将部分信号引到印制线上形成耦合，集合了传统波导耦合器和微带线耦合器的优势，体积小、重量轻、易于集成，无需增加波导转换结构即可与平面电路集成。
申请人：成都纺织高等专科学校,成都华络通信科技有限公司
地址：610097 四川省成都市犀浦泰山南街186号
国籍：CN
代理机构：成都睿道专利代理事务所(普通合伙)
代理人：杨洪婷
更多信息请下载全文后查看。
一种硅光芯片的耦合方法和耦合结构[发明专利]
![一种硅光芯片的耦合方法和耦合结构[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/4c721c12dc36a32d7375a417866fb84ae55cc350.png)
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201711341732.7(22)申请日 2017.12.14(71)申请人 武汉电信器件有限公司地址 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号(72)发明人 杜巍 宋琼辉 (74)专利代理机构 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341代理人 何婷(51)Int.Cl.G02B 6/42(2006.01)(54)发明名称一种硅光芯片的耦合方法和耦合结构(57)摘要本发明涉及硅光芯片耦合技术领域，提供了一种硅光芯片的耦合方法和耦合结构。
其中耦合结构包括光学组件、硅光芯片1和PCB板8，其中光学组件包括激光器芯片2、耦合透镜3、光纤4、玻璃盖板5、V槽基板6和外接端口7，耦合方法包括：硅光芯片1和V槽基板6粘接固定在PCB板8上；光纤4设置在硅光芯片1耦合端面上的芯片V槽1-1中，另一端放置在V槽基板6的V型槽6-1中。
本发明采用的硅光芯片是端面耦合结构，且通过V槽结构简化硅波导的耦合封装难度，实现无源耦合封装。
权利要求书1页 说明书7页 附图3页CN 107942451 A 2018.04.20C N 107942451A1.一种硅光芯片的耦合方法，其特征在于，耦合结构包括光学组件、硅光芯片(1)和PCB 板(8)，其中光学组件包括激光器芯片(2)、耦合透镜(3)、光纤(4)、玻璃盖板(5)、V槽基板(6)和外接端口(7)，耦合方法包括：将硅光芯片(1)和V槽基板(6)的粘接固定在PCB板(8)上；将光纤(4)的一端放置到硅光芯片(1)耦合端面上的芯片V槽(1-1)中，将光纤(4)的另一端放置在V槽基板(6)的V型槽(6-1)中；其中，所述激光器芯片(2)、耦合透镜(3)、光纤(4)和玻璃盖板(5)设置在V槽基板(6)上。
2.根据权利要求1所述的硅光芯片的耦合方法，其特征在于，所述硅光芯片(1)的耦合端面硅波导由所述芯片V槽(1-1)和悬臂硅波导(1-2)结构，其中，所述悬臂硅波导(1-2)与V 型槽(1-1)耦合相连，并且与放置在所述V型槽(1-1)上的光纤(4)的端口完成光路耦合。
【CN110133799A】基于石墨烯的波导集成的偏振光耦合器及其制作方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910330399.2(22)申请日 2019.04.23(71)申请人 天津大学地址 300072 天津市南开区卫津路92号(72)发明人 程振洲 邢正锟 刘鑫帅 韩迎东 胡浩丰 刘铁根 (74)专利代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201代理人 刘国威(51)Int.Cl.G02B 6/12(2006.01)G02B 6/136(2006.01)G02B 6/26(2006.01)(54)发明名称基于石墨烯的波导集成的偏振光耦合器及其制作方法(57)摘要本发明涉及集成光学技术领域，为提出一种新的偏振光耦合器，本发明，基于石墨烯的波导集成的偏振光耦合器及其制作方法，由石墨烯纳米带、纳米线、反锥形光耦合器、和波导构成；所述的纳米线与反锥形光耦合器相连，反锥形光耦合器与波导相连，用于实现外部光源与波导之间的偏振光耦合；纳米线中的传播光通过倏逝场形式与石墨烯纳米带发生相互作用；通过设计石墨烯纳米带和纳米线的几何尺寸调控纳米线顶部的倏逝场的强度分布，使得横电模的光场强度远远小于横磁模的光场强度，石墨烯纳米带对纳米线中横磁模光场的吸收远大于对横电模光场的吸收，最终实现对波导的横电模光场耦合。
本发明主要应用于设计制造场合。
权利要求书1页 说明书5页 附图2页CN 110133799 A 2019.08.16C N 110133799A权 利 要 求 书1/1页CN 110133799 A1.一种基于石墨烯的波导集成的偏振光耦合器，其特征是，由石墨烯纳米带、纳米线、反锥形光耦合器、和波导构成；所述的纳米线与反锥形光耦合器相连，反锥形光耦合器与波导相连，用于实现外部光源与波导之间的偏振光耦合；所述的石墨烯纳米带集成于纳米线的上方，纳米线中的传播光通过倏逝场形式与石墨烯纳米带发生相互作用；通过设计石墨烯纳米带和纳米线的几何尺寸调控纳米线顶部的倏逝场的强度分布，使得横电模的光场强度远远小于横磁模的光场强度，石墨烯纳米带对纳米线中横磁模光场的吸收远大于对横电模光场的吸收，最终实现对波导的横电模光场耦合。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910357092.1
(22)申请日 2019.04.29
(71)申请人 浙江大学
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘
路866号
(72)发明人 何赛灵 董红光 龚晨晟
(74)专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公
司 33200
代理人 林松海
(51)Int.Cl.
G02B 6/10(2006.01)
G02B 6/126(2006.01)
G02B 6/24(2006.01)
(54)发明名称
一种硅基人工微结构超表面波导耦合器
(57)摘要
本发明公开了一种硅基人工微结构超表面
波导耦合器，包括基底、二氧化硅层、顶层，顶层
包括左侧的人工微结构超表面和右侧的波导，人
工微结构超表面置于光波导端口的一侧；入射光
垂直向下照射，在人工微结构超表面获得相位延
迟，引入了额外的表面横向波矢，表面横向波矢
与波导工作模式的有效横向波矢相等，满足波导
耦合的波矢匹配条件，从而将垂直入射的光耦合
到波导中单向传播。
本发明通过设计硅基人工微
结构超表面，使垂直入射的线偏振光高效地耦合
进入光波导，并使其在光波导内单向传播，抑制
了光波导中光反向耦合入自由空间的过程，进一
步提高了空间光到光波导的耦合效率；能够与现
有的CMOS加工工艺兼容，极大的降低了成本，具
有广泛的市场前景。
权利要求书1页 说明书4页 附图2页CN 110068889 A 2019.07.30
C N 110068889
A
1.一种硅基人工微结构超表面的波导耦合器，其特征在于，包括基底、二氧化硅层、顶层，顶层包括左侧的人工微结构超表面和右侧的波导，人工微结构超表面置于光波导端口的一侧；入射光垂直向下照射，在人工微结构超表面获得相位延迟，引入了额外的表面横向波矢，表面横向波矢与波导工作模式的有效横向波矢相等，满足波导耦合的波矢匹配条件，从而将垂直入射的光耦合到波导中单向传播。
2.如权利要求1所述的波导耦合器，其特征在于，所述的人工微结构超表面为周期性结构，每个周期中包括N个结构单元，N≥3，每个结构单元包含一个硅块。
3.如权利要求2所述的波导耦合器，其特征在于，所述的人工微结构超表面，通过改变结构单元的宽度和硅块的宽度，调整入射光带来的相位延迟。
4.如权利要求2所述的波导耦合器，其特征在于，所述的人工微结构超表面，通过改变结构单元的排布，获得以梯度形式分布的相位延迟。
5.如权利要求2所述的波导耦合器，其特征在于，所述的硅块的高度和波导厚度相同。
6.如权利要求2所述的波导耦合器，其特征在于，所述的硅块的切面为矩形，包括但不限于圆柱形、矩形柱。
7.如权利要求1所述的波导耦合器，其特征在于，所述的入射光的波长λ范围是400 nm<λ<10μm。
8.如权利要求1所述的波导耦合器，其特征在于，所述的相位延迟为0
~2π。
权 利 要 求 书1/1页
2
CN 110068889 A。