实验2 光电探测之光电二极管特性测试(实验报告)
发光二极管特性测试实验报告
发光二极管特性测试实验报告实验报告：发光二极管特性测试一、实验目的1.学习了解发光二极管的基本原理及特性。
2.熟悉使用示波器、数字万用表等实验设备进行实际测试。
3.通过实验数据的测量、处理和分析，验证发光二极管的特性。
二、实验仪器和材料1.示波器2.数字万用表3.直流电源4.发光二极管5.电阻6.连线电缆三、实验原理四、实验步骤与结果1.实验电路接法：将发光二极管连接在直流电源的正极，通过一个限流电阻与直流电源的负极相连接，示波器的地线接到直流电源的负极，示波器的正极接到二极管的正极。
2.正向电压测试：设置直流电源输出电压为1V，并逐渐增加，观察示波器上的电压波形以及发光二极管的亮度变化情况。
记录不同电压下的电流值和电压值。
3.正向电流测试：将直流电压设定为一个确定值，通过调节限流电阻的电阻值，改变电流的大小。
观察发光二极管的亮度变化情况。
记录不同电流下的电压值和电流值。
4.实验数据处理：统计并整理实验数据，计算得出不同电压下的电流值与电流值之间的关系。
五、实验结果与分析实验中记录了发光二极管在不同电压下的电流值和电压值的数据，并进行了统计和整理。
根据数据绘制出电流-电压曲线，通过拟合曲线可以得到发光二极管的工作特性参数，如电流-电压关系、亮度-电流关系等。
六、实验结论通过本次实验，我们学习了发光二极管的基本原理，并通过实际测试验证了其特性。
实验结果表明，发光二极管在正向电压下，电流与电压之间呈现非线性关系。
同时，通过改变电流大小可以调节发光二极管的亮度。
这为我们进一步研究和应用发光二极管提供了理论依据和实验基础。
光电检测实验报告光电二极管
光电检测实验报告光电二极管实验名称：光电检测实验实验目的：1.了解光电二极管的基本原理和工作原理；2.掌握光电二极管的基本特性和性能参数；3.学习使用光电二极管进行光电检测实验。
实验设备：1.光电二极管；2.光源；3.数字万用表。
实验原理：光电二极管是一种将光信号转换成电信号的光电器件。
它是由P型半导体和N型半导体构成的二极管，光照射在PN结处时，光子能量被吸收，激发了电子-空穴对的产生，从而形成漂移电流，这个电流被称为光电流。
实验步骤：1.将光电二极管连接到数字万用表的电流测量档位上，确保电路接线正确；2.打开光源，调整光源距离光电二极管的位置，使其照射光强适中；3.使用数字万用表测量并记录光电二极管的光电流；4.调整光源的亮度，观察光电流的变化；5.分别在不同光照强度条件下，测量光电二极管的电流值；6.将实验数据整理并分析。
实验结果：在实验过程中，我们测量并记录了不同光照强度下光电二极管的电流值。
实验结果显示，光电二极管的光电流与光照强度呈线性关系。
随着光照强度的增加，光电流也随之增加。
在光照强度较弱的条件下，光电流较小；而在光照强度较强的条件下，光电流较大。
实验分析：通过实验结果可以看出，光电二极管的工作原理是光照射到PN结处，激发了电子-空穴对的生成。
光照强度越大，激发的电子-空穴对数量越多，产生的光电流也越大。
因此，光电二极管可以用来检测光的亮度和强度。
实验中我们还发现，在光照强度较弱的条件下，光电流的变化不太敏感。
而在光照强度较强的条件下，光电流的变化更为明显。
这是由于光电二极管的饱和现象导致的。
当光照强度较强时，光电二极管已经饱和，其光电流不再呈线性增加。
实验总结：通过本次光电检测实验，我们对光电二极管的原理和工作原理有了更深入的理解。
光电二极管可用于测量光的强度和亮度，并且其光电流与光照强度呈线性关系。
然而在光照强度较强的条件下，光电流的变化不再呈线性增加，而是受到饱和现象的影响。
二极管特性实验报告
二极管特性实验报告二极管特性实验报告引言：二极管是一种常见的电子元件，具有非常重要的特性和应用。
本次实验旨在通过实际操作和测量，深入了解二极管的特性，并探索其在电路中的应用。
通过实验，我们可以更好地理解二极管的工作原理和特性。
实验目的：1. 了解二极管的基本结构和工作原理；2. 掌握二极管的伏安特性曲线的测量方法；3. 研究二极管的整流特性和稳压特性；4. 探索二极管在电路中的应用。
实验器材与原理：1. 实验器材：二极管、直流电源、电阻、万用表、示波器等；2. 实验原理：二极管是一种具有非线性特性的电子元件。
它由P型半导体和N 型半导体组成，具有一个PN结。
当二极管正向偏置时，电流可以流过PN结，形成通路；而反向偏置时，电流无法流过PN结，形成截止状态。
实验步骤：1. 搭建二极管的伏安特性测量电路。
将二极管连接到直流电源的正负极，通过电阻限流，将万用表调至电流测量档位，用示波器测量电压。
2. 正向偏置测量：将电源正极接到二极管的P端，负极接到N端，逐渐增加电压，记录电流和电压的变化。
3. 反向偏置测量：将电源正负极与之前相反地接到二极管的端口，逐渐增加电压，记录电流和电压的变化。
实验结果与分析：1. 正向偏置测量结果：我们可以观察到，当正向电压超过二极管的正向压降（一般为0.6-0.7V）时，电流急剧增加，呈指数增长。
这表明二极管在正向偏置时具有导通特性。
2. 反向偏置测量结果：我们发现，无论反向电压如何增加，电流都非常小，接近于零。
这说明二极管在反向偏置时具有截止特性。
实验讨论：1. 二极管的整流特性：通过实验我们发现，二极管在正向偏置时可以将交流电信号转换为直流电信号。
这是因为在正半周，二极管导通，电流可以流过；而在负半周，二极管截止，电流无法流过。
因此，二极管可以用作整流器，将交流电转换为直流电。
2. 二极管的稳压特性：二极管在正向偏置时，具有稳定的电压降。
这使得二极管可以用作稳压器，将输入电压稳定在一定范围内。
光电检测实验报告光电二极管
光电检测实验报告实验名称：光电二极管综合实验实验者：实验班级：光电10305班实验时间：2011年4月13日指导老师：宋老师一、实验目的1、学习掌握光敏二极管的工作原理2、学习掌握光敏二极管的基本特性3、了解光敏二极管应用差异4、掌握光敏二极管特性测试的方法5、了解光电二极管的基本应用二、实验内容1、光电二极管暗电流测试实验2、光电二极管光电流测试实验3、光电二极管光电特性测试实验4、光电二极管光谱特性测试实验三、实验仪器1、光电二三极管综合实验仪 1个2、光通路组件 1套3、光照度计 1个4、电源线 1根5、2#迭插头对（红色，50cm） 10根6、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根7、三相电源线 1根8、实验指导书 1本四、实验步骤1、光电二极管暗电流测试1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
（2）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态特性”，将拨位开关S1，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。
（3）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为0。
（4）将电压表直接与电源两端相连，打开电源调节直流电源电位器，使得电压输出为15V，关闭电源。
（5）按图8所示的电路连接电路图，负载RL选择RL15=20M。
（6）打开电源开关，等电压表读数稳定后测得负载电阻RL上的压降V暗，则暗电流L暗=V暗/RL。
所得的暗电流即为偏置电压在15V时的暗电流.图82、光电二极管光电流测试实验装置原理图如图9所示。
图9（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
（2）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态特性”，将拨位开关S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。
实验2-2光电二极管光电特性测试
实验2-2 光电二极管光电特性测试实验目的1、了解光电二极管的工作原理和使用方法；2、掌握光电二极管的光照度特性及其测试方法。
实验内容1、暗电流测试；2、当光电二极管的偏置电压一定时，光电二极管的输出光电流与入射光的照度的关系测量。
实验仪器1、光电探测原理实验箱1台2、连接导线若干实验原理1、光电二极管结构原理光电二极管的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比有很多共同之处，它们都有一个PN结，因此均属于单向导电性的非线性元件。
但光电二极管作为一种光电器件，也有它特殊的地方。
例如，光电二极管管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照；光电二极管PN结势垒区很薄，光生载流子的产生主要在PN 结两边的扩散区，光电流主要来自扩散电流而不是漂移电流；又如，为了获得尽可能大的光电流，PN结面积比普通二极管要大的多，而且通常都以扩散层作为受光面，因此，受光面上的电极做的很小。
为了提高光电转换能力，PN结的深度较普通二极管浅。
图2-2.1为光电二极管外形图（a）、结构简图（b）、符号（c）和等效电路图（d）。
光电二极管在电路中一般是处于反向工作状态（见图2-2.2，图中E为反向偏置电压），在没有光照射时，反向电阻很大，反向电流很小（一般小于0.1微安），这个反向电流称为暗电流，当光照射在PN结上，光子打在PN结附近，使PN结附近产生光生电子和光生空穴对，称为光生载流子。
它们在PN结处的内电场作用下作定向运动，形成光电流。
光的照度越大，光电流越大。
如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号。
因此光电二极管在不受光照射时处于截止状态，受光照射时处于导通状态随着光电子技术的发展，光信号在探测灵敏度、光谱响应范围及频率特性等方面的要求越来越高，为此，近年来出现了许多性能优良的光伏探测器，如硅、锗光电二极管、PIN 光电二极管、雪崩光电二极管（APD）等。
光电二极管目前多采用硅或锗制成，但锗器件暗电流温度系数远大于硅器件，工艺也不如硅器件成熟，虽然它的响应波长大于硅器件，但实际应用尚不及后者广泛。
光电二极管特性参数的测量及原理应用(精)
工作总结实验报告 / / 光电池/光敏电阻/光电二极管特性参数的测量指导人：朱小姐实验类型：工作检验及年终总结实验地点：搏盛科技光电子半导体实验室实验目的：销售技能的考察，产品及相关知识的了解情况，年终总结实验日期：2011 年 12 月 26 日姓名：陈帅职位：销售工程师手机号：159******** Email: chenshuaisz1688@ 概述光电效应是指入射光子与探测器材料中的束缚电子发生相互作用，使束缚电子变成为自由电子的效应。
光电效应分为内光电效应与外光电效应两类。
入射光子引起探测器材料表面发射电子的效应称为外光电效应。
入射光子激发的载流子（电子或空穴）仍保留在材料内部的效应称为内光电效应。
内光电效应器件有光电导探测器（例如光敏电阻）、光生伏特器件（光电池、光电二极管、光电三极管）。
实验内容测量三种内光电效应器件（光敏电阻、光电池、光电二极管）的特性参数。
注意事项 a 做实验请关灯，以达到良好的测量效果。
b 拆卸数据线时不要用力硬拽，拆不下来请转个角度拆。
c 请在自己的实验桌上做实验，不要到别的实验桌旁干扰同事做实验，更不要动他人的仪器。
d 请勿触摸光学镜片的表面。
e 测量时不要碰导线，否则数据不稳定。
更不能用力拉扯导线，导致接头脱落。
f 实验完毕关闭所有电源开关。
实验报告报告开头请填入姓名、职位、手机号、实验日期。
实验完成后，请将报告打印出来，在有实验数据、图表的页脚签名，然后交到朱小姐办公桌上。
Word 文件请以“实验报告+姓名”命名，发到朱小姐邮箱。
请在元旦节前完成。
签名: 第 1页光敏电阻的特性曲线测量一. 目的要求测量 CdS（硫化镉）光敏电阻的伏安特性和光照特性。
实验要求达到： 1、使用 Excel 或绘图软件 Origin 绘制出伏安特性特性曲线 2、绘制出光照特性曲线 3、理解光敏电阻的光电特性二. 实验原理某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。
光电检测实验报告光电二极管
光电检测实验报告光电二极管
与实验报告有关
一、实验目的
本实验旨在探究光电二极管的基本特性，了解不同参数对光电二极管
的作用原理。
二、实验原理
光电二极管是一种特殊的半导体器件，由一个P半导体和一个N半导
体组成。
其结构类似于普通的二极管，它是由一块金属片和一块硅片组成的。
金属片在表面覆盖着一层半导体材料层，而硅片则覆盖着一层P沟槽，形成一个PN结构，这就是光电二极管的基本结构。
当光电二极管接受到
外部光照时，在P层和N层之间就会产生电子-空穴对，并促使电子向N
层移动，从而在P层和N层之间构成一个电流，也就是由光引起的电流。
三、实验设备
1、光源：LED灯泡；
2、示波器：用于测量光电二极管的输出电流与电压；
3、电源：用于给光电二极管提供电势；
4、电阻：用于限制光电二极管的输出电流；
5、光电二极管：本次实验使用的是JH-PJN22；
6、多用表：用于测量电流、电压。
四、实验步骤
1、用多用表测量光电二极管JH-PJN22的参数，测量其正向电压和正向电流与LED照射强度的关系；
2、设置由电源、电阻和光电二极管组成的电路，并使用示波器测量输出电流和电压；。
光电二极管实验报告
光电二极管实验报告一、实验目的1.了解光电效应的基本原理。
2.掌握光电二极管的工作原理和特性。
3.学会使用光电二极管进行光电测量。
二、实验原理光电效应是指在光照射下，金属或半导体材料中的光电子能够从晶体中跃迁至导体中，产生光电流的现象。
光电二极管就是利用这种光电效应工作的电子器件。
光电二极管常用的材料有硅(Si)和锗(Ge)等，它们具有较宽的禁带宽度，能够较好地吸收可见光和红外光。
当外界光照射到光电二极管上，光子的能量被电子吸收，电子获得足够的能量跃迁到导体带中形成电子空穴对，从而产生电流。
光电二极管一般由PN结构构成，当光照射到PN结上时，少数载流子在电场作用下向两边移动形成电流，这个电流就是光电流。
三、实验器材1.光电二极管2.恒流源3.可变电阻器4.白炽灯5.直流电压表6.直流电流表7.导线等四、实验步骤1.搭建实验电路：将光电二极管接入电源电路，连接好电流表和电压表。
2.调节电流源的电流：将可变电阻器设为最小电阻值，使电压表读数为零。
然后慢慢调节电流源的电流，使其电压表读数稳定在一些特定值。
3.测量电流和电压：分别记录下此时的电流表和电压表的读数，作为光敏电流和光敏电压的基准值。
4.光照射：打开白炽灯，将灯光照射到光电二极管上，保持一定的光照强度。
5.测量电流和电压：记录下此时的电流表和电压表的读数。
6.改变灯光强度：逐渐改变灯光的强度，分别记录光敏电流和光敏电压的变化。
五、实验结果和分析在光照下，我们得到了一系列光敏电流和光敏电压的数据，并绘制了相应的图表。
根据实验数据及图表分析，我们得到以下结论：1.光电二极管正向导通电流与光照强度呈线性关系，即光电流与光照强度成正比。
2.在一定的电流源电流下，光电流大小与光照强度呈正相关关系。
3.光电二极管的光敏电压与光照强度成正比，即光敏电压与光照强度呈线性关系。
4.光电二极管的特性曲线一般为S型曲线，即在光照较弱时，光敏电流与光照强度关系不明显；而在光照较强时，光敏电流的增加较为明显，但增幅逐渐减小。
光电探测实验报告总结(3篇)
第1篇一、实验目的本次实验旨在通过实际操作，了解光电探测的基本原理和实验方法，掌握光电探测器的性能测试技术，并分析光电探测在现实应用中的重要性。
实验过程中，我们对光电探测器的响应特性、灵敏度、探测范围等关键参数进行了测试和分析。
二、实验原理光电探测器是一种将光信号转换为电信号的装置，广泛应用于光电通信、光电成像、环境监测等领域。
实验中，我们主要研究了光电二极管（Photodiode）的工作原理和特性。
光电二极管是一种半导体器件，当光照射到其PN结上时，会产生光生电子-空穴对，从而产生电流。
三、实验仪器与材料1. 光电二极管2. 光源（激光笔、LED灯等）3. 光电探测器测试仪4. 示波器5. 数字多用表6. 光纤连接器7. 光学平台8. 环境温度计四、实验步骤1. 光电二极管性能测试（1）将光电二极管与光源、测试仪连接，确保连接牢固。
（2）调整光源强度，观察光电探测器输出电流的变化，记录不同光照强度下的电流值。
（3）测试光电二极管在不同波长下的光谱响应特性，记录不同波长下的电流值。
2. 光电探测器灵敏度测试（1）调整环境温度，观察光电探测器输出电流的变化，记录不同温度下的电流值。
（2）改变光源距离，观察光电探测器输出电流的变化，记录不同距离下的电流值。
3. 光电探测器探测范围测试（1）在固定光源强度下，调整探测器与光源的距离，观察输出电流的变化，记录探测范围。
（2）在固定探测器与光源的距离下，调整光源强度，观察输出电流的变化，记录探测范围。
五、实验结果与分析1. 光电二极管性能测试实验结果表明，随着光照强度的增加，光电二极管输出电流逐渐增大。
在相同光照强度下，不同波长的光对光电二极管输出的电流影响不同，表明光电二极管具有光谱选择性。
2. 光电探测器灵敏度测试实验结果显示，随着环境温度的升高，光电二极管输出电流逐渐增大，表明光电探测器对温度具有一定的敏感性。
同时，在光源距离变化时，光电探测器输出电流也相应变化，说明光电探测器的探测范围与光源距离有关。
发光二极管特性测试实验报告
发光二极管特性测试实验报告
首先，我们使用了LED测试仪器来测量LED的亮度和光谱分布。
我们将LED连接到测试仪器上，通过调整电流和电压等参数，我们可以得到LED的亮度和光谱分布曲线。
通过这个实验，我们了解到了不同参数对LED亮度和光谱分布的影响。
接下来，我们测试了LED的IV特性曲线。
这个实验可以用来评估LED的电流-电压关系。
我们将LED连接到电压源和电流源上，并测量不同电压下的电流值。
通过绘制IV特性曲线，我们可以得到LED的正向电压和电流之间的关系，以及LED的正向电阻。
此外，我们还进行了LED的光衰测试。
LED的光衰是指LED在使用过程中光输出的减少。
我们以一定的时间间隔测量LED的亮度值，然后绘制光衰曲线。
通过分析光衰曲线，我们可以评估LED的稳定性和寿命。
最后，我们还测试了LED的发光颜色和色温。
我们使用色度计来测量LED发出的光的颜色坐标和色温。
通过比较测量值和标准色坐标和色温，我们可以评估LED的色差和色温的准确性。
实验中我们注意到，LED的特性受到温度的影响较大。
因此，在测试过程中，我们要严格控制环境温度，并记录温度对LED特性的影响。
综上所述，通过测试LED的亮度、光谱分布、IV特性、光衰、发光颜色和色温等特性，我们可以全面评估LED的性能。
这些测试结果对于选择和应用LED具有重要的参考价值，可以帮助我们更好地使用和开发LED 技术。
实验二光敏二极管特性实验
实验二 光敏二极管特性实验实验原理:光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的，其管芯是一个具有光敏特征的PN 结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。
光敏二极管的伏安特性相当于向下平移了的普通二极管，无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。
当受到光照时，饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，它随入射光强度的变化而变化。
光敏二极管结构见图3-11．光敏二极管的两种工作状态光敏二极管又称光电二极管，它是一种光电转换器件，其基本原理是光照到P-N 结上时，吸收光能并转变为电能。
它具有两种工作状态：（1）当光敏二极管加上反向电压时，管子中的反向电流随着光照强度的改变而改变，光照强度越大，反向电流越大，大多数都工作在这种状态。
（2）光敏二极管上不加电压，利用P-N 结在受光照时产生正向电压的原理，把它用作微型光电池。
这种工作状态，一般作光电检测器。
2．区分光敏二极管的正极、负极 光敏二极管引脚的区分通常直接查看光敏二极管的引脚长短即可区分：引脚长的为正极(P 极)，引脚短的为负极 (N 极)。
对于有色点或管键标识的管子，其靠近标识的一脚为正极，另一脚为负极。
用万用表的区别方法是将万用表置于Rx1k 挡，用挡板挡住管子的受光窗口，用红、黑表笔对调测出两次阻值。
阻值较大（200k欧以上）时为反向电阻，红表笔所接的引脚为正极，黑表笔所接的引脚为负极；阻值较小（几千欧左右）时为正向电阻，是不随光照而变化的阻值。
接着让光照射光敏二极管顶端的窗口，这时光敏二极管反向电阻减少，光线越强，光敏二极管的反向电阻越小，甚至仅几百欧。
再遮住窗口，指针所指读数应立即恢复到原来阻值200k 欧以上。
这样，被测光敏二极管是良好的。
光敏三极管的测试和光敏二极管相似，但值得注意的是，光敏三极管既有三个引脚的，也有不少光敏三极管只有二个引脚，不要误认为是光敏二极管。
实验所需部件:光敏二极管、稳压电源、负载电阻(实验选配单元中可变电阻)、遮光罩、光源、电压表(自备4 1/2位万用表).、微安表（或自备4 1/2位万用表上的200mA 档）、照度计（自备或另购）实验步骤:按图3-2接线，要注意光敏二极管是工作在反向工作电压的。
光电探测器特性测量实验报告
实验1 光电探测器光谱响应特性实验实验目的1. 加深对光谱响应概念的理解；2. 掌握光谱响应的测试方法；3. 熟悉热释电探测器和硅光电二极管的使用。
实验内容1. 用热释电探测器测量钨丝灯的光谱特性曲线；2. 用比较法测量硅光电二极管的光谱响应曲线。
实验原理光谱响应度是光电探测器对单色入射辐射的响应能力。
电压光谱响应度()v R λ定义为在波长为λ的单位入射辐射功率的照射下，光电探测器输出的信号电压，用公式表示，则为()()()v V R P λλλ=(1-1) 而光电探测器在波长为λ的单位入射辐射功率的作用下，其所输出的光电流叫做探测器的电流光谱响应度，用下式表示()()()i I R P λλλ=(1-2) 式中，()P λ为波长为λ时的入射光功率；()V λ为光电探测器在入射光功率()P λ作用下的输出信号电压；()I λ则为输出用电流表示的输出信号电流。
为简写起见，()v R λ和()i R λ均可以用()R λ表示。
但在具体计算时应区分()v R λ和()i R λ，显然，二者具有不同的单位。
通常，测量光电探测器的光谱响应多用单色仪对辐射源的辐射功率进行分光来得到不同波长的单色辐射,然后测量在各种波长的辐射照射下光电探测器输出的电信号()V λ。
然而由于实际光源的辐射功率是波长的函数，因此在相对测量中要确定单色辐射功率()P λ需要利用参考探测器（基准探测器）。
即使用一个光谱响应度为()f R λ的探测器为基准，用同一波长的单色辐射分别照射待测探测器和基准探测器。
由参考探测器的电信号输出（例如为电压信号）()f V λ可得单色辐射功率()=()()f P V R λλλ，再通过(1-1)式计算即可得到待测探测器的光谱响应度。
本实验采用单色仪对钨丝灯辐射进行分光，得到单色光功率()P λ ，这里用响应度和波长无关的热释电探测器作参考探测器，测得()P λ入射时的输出电压为()f V λ。
发光二极管特性测试实验报告
发光二极管特性测试实验报告
并规范
实验目的
通过发光二极管特性测试，研究发光二极管的正向压降、电流、亮度等特性，以及各参数调节等。
实验环境
实验环境安全无污染，实验室的温湿度符合实验要求，实验台架保持稳定，实验仪器和仪表灵活可靠，实验室提供了充足的电源供电。
实验设备
1.发光二极管；
2.可控变压器；
3.电流表；
4.功率表；
5.万用表；
6.电源线；
7.阻值。
实验原理
发光二极管（LED）是一种三极半导体，其特点是在正向电压作用下能迅速产生可见光。
发光二极管的工作原理是利用半导体结构中的特性，
导致电荷在半导体内部发生电子激子对撞。
当电子激子击中离子层时，释
放出击中的能量，其中一部分能量变为可见光。
实验步骤
1.使用万用表将发光二极管连接电路，将发光二极管接入电路，加入
一定的阻值，使电流控制在一定的范围内；
2.设定电压、电流值，调节可控变压器，观察发光二极管的发光强度，并记录电压、电流值，根据亮度值计算出电流的最大值，即为LED的最大
亮度；
3.根据测得的电流电压值，改变阻值，调节电流大小，从而改变发光
二极管的发光强度；。
光电探测_电路实验报告
一、实验目的1. 了解光电探测的基本原理和电路组成。
2. 掌握光电探测器电路的设计方法和实验技能。
3. 熟悉光电探测器的性能测试方法，并分析实验结果。
二、实验原理光电探测器是将光信号转换为电信号的器件，其基本原理是光电效应。
当光照射到光电探测器上时，会产生光生电子，从而在探测器两端产生电信号。
本实验主要研究光电二极管和光敏电阻两种光电探测器。
三、实验仪器与设备1. 光源：LED灯、激光器等。
2. 光电探测器：光电二极管、光敏电阻等。
3. 放大器：低频放大器、高频放大器等。
4. 测量仪器：示波器、万用表、信号发生器等。
5. 实验电路板：包含光电探测器、放大器、电源等组件。
四、实验内容及步骤1. 光电二极管特性测试（1）搭建实验电路，将光电二极管与低频放大器相连，并接入电源。
（2）调整光源，使光照射到光电二极管上。
（3）使用示波器观察光电二极管输出信号的波形和幅度。
（4）改变光源强度，观察光电二极管输出信号的变化，分析光电二极管的响应特性。
2. 光敏电阻特性测试（1）搭建实验电路，将光敏电阻与低频放大器相连，并接入电源。
（2）调整光源，使光照射到光敏电阻上。
（3）使用示波器观察光敏电阻输出信号的波形和幅度。
（4）改变光源强度，观察光敏电阻输出信号的变化，分析光敏电阻的响应特性。
3. 光电探测器电路设计（1）根据实验要求，设计光电探测器电路，包括光电探测器、放大器、滤波器等组件。
（2）搭建实验电路，并接入电源。
（3）调整电路参数，使光电探测器电路满足实验要求。
4. 光电探测器电路性能测试（1）使用示波器观察光电探测器电路输出信号的波形和幅度。
（2）调整光源强度，观察光电探测器电路输出信号的变化，分析电路性能。
五、实验结果与分析1. 光电二极管特性测试结果（1）光电二极管输出信号随光源强度增加而增强，符合光电效应原理。
（2）光电二极管输出信号具有较好的线性关系，适合用于光电检测。
2. 光敏电阻特性测试结果（1）光敏电阻输出信号随光源强度增加而减小，符合光敏电阻特性。
二极管特性测量实验报告
电子技术实验报告实验目的：1.检验IN4001整流二极管在电路中的表现2.测量绘制各二极管伏安特性曲线，并与MultiSIM仿真数据对比3.测量红色发光二极管发光时电压与电流实验原理：首先用万用表测量电阻的实际阻值R，输入电压Vi由信号发生器提供，其电压值可直接由信号发生器读出，用万用表测量电阻两端电压Vr，于是二极管可以由Id=Ir=Vr/R求得，二极管电压可由Vd=Vi-Vr 求得，由此画出伏安特性曲线。
实验器材：3.6V稳压二极管，10V稳压二极管，1N4001整流二极管，1N4148开关二极管，1N5819检流二极管，红色发光二极管，示波器，1.2K Ω电阻，信号发生器，导线，Multisim等实验过程：（1）按照图1依次选取IN4001二极管连接电路，首先选用Vi=10sin60V输入电压，观察示波器输出波形图1其输出波形如图2图2由示波器图像分析得，横轴下部峰值电压V≈0.7V，即为IN4001整流管的正向管压降，横轴上方峰值电压约为5V，即电压输入峰值的1/2，因此起到了半波整流的效果。
（2）二极管测量电路按照图3连接，依次将IN4001，IN4148，IN5819，3.6V稳压管，10V稳压管接入电路测量其伏安特性曲线图2实验数据处理：通过对各二极管数据的测定和记录，可以绘出各二极管的实验伏安特性曲线和IN4001整流管Multisim仿真得到的理想伏安特性曲线。
具体数据见伏安特性试验分析.xlsx，伏安特性曲线如下：实验误差分析：观察对比可知试验中二极管性能表现与仿真所得表现有所不同，可能原因有如下几点：1.信号发生器内阻分压的影响致使实际输出电压小于所示电压；2.万用表测量精度不够；。
光电器件特性测试实验报告
光电器件特性测试实验报告光电器件特性测试实验报告摘要：本实验旨在通过对光电器件特性的测试，探究光电器件的工作原理和性能特点。
实验中使用了光电二极管和光敏电阻作为测试对象，通过测试光电器件的光电流和光电阻随光强的变化关系，以及对不同波长光的响应能力，得出了一系列实验结果。
实验结果表明，光电器件的性能特点与光强、波长等因素密切相关，为光电器件的设计和应用提供了重要依据。
一、引言光电器件是将光信号转化为电信号的重要元件，广泛应用于光通信、光电子、光电测量等领域。
了解光电器件的特性对于其设计和应用具有重要意义。
本实验选取了光电二极管和光敏电阻作为测试对象，通过对其特性的测试，探究光电器件的工作原理和性能特点。
二、实验方法1. 实验器材：- 光电二极管- 光敏电阻- 光源- 电流源- 电压源- 示波器- 多用表2. 实验步骤：a. 搭建光电器件测试电路，将光电二极管和光敏电阻分别与电流源和电压源相连。
b. 调节光源距离光电器件的距离，改变光强。
c. 测量光电二极管的光电流和光敏电阻的光电阻随光强的变化关系。
d. 改变光源的波长，测量光电二极管和光敏电阻对不同波长光的响应能力。
三、实验结果与分析1. 光电二极管的特性测试结果：a. 光电流随光强的变化关系：实验结果显示，光电流随光强的增大而线性增加，但当光强达到一定值后，光电流增加的速度减慢，呈现饱和状态。
这是因为光电二极管在光照射下，光子能量被电子吸收，从而产生电流。
b. 光电流对不同波长光的响应能力：实验结果显示，光电二极管对不同波长光的响应能力存在差异。
在可见光范围内，光电流对短波长光的响应更强，而对长波长光的响应较弱。
这是因为光电二极管的能带结构和材料特性导致了不同波长光的吸收效果不同。
2. 光敏电阻的特性测试结果：a. 光敏电阻随光强的变化关系：实验结果显示，光敏电阻随光强的增大而线性减小，即光敏电阻与光强呈反比关系。
这是因为光敏电阻的电阻值受光照射强度的影响，光强越大，电阻值越小。
【精选】实验二光敏二极管特性实验
实验二光敏二极管特性实验一:实验原理:光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。
无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流，此时光敏二极管截止。
当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。
光敏二极管结构见图(6)。
二:实验所需部件:光敏二极管、稳压电源、负载电阻、遮光罩、光源、电压表(自备4 1/2位万用表).、微安表三:实验步骤:按图(7)接线,注意光敏二极管是工作在反向工作电压的。
由于硅光敏二极管的反向工作电流非常小，所以应提高工作电压，可用稳压电源上的+10V。
1、暗电流测试用遮光罩盖住光电器件模板,电路中反向工作电压接±12V,打开电源，微安表显示的电流值即为暗电流，或用4 1/2位万用表200mV档测得负载电阻RL上的压降V暗，则暗电流L暗=V暗/RL。
一般锗光敏二极管的暗电流要大于硅光敏二极管暗电流数十倍。
可在试件插座上更换其他光敏二极管进行测试比较。
2、光电流测试:取走遮光罩，读出微安表上的电流值,或是用4 1/2位万用表200mv档测得RL上的压降V光,光电流L光=V光/RL。
3、灵敏度测试:改变仪器照射光源强度及相对于光敏器件的距离，观察光电流的变化情况。
4、光谱特性测试:不同材料制成的光敏二极管对不同波长的入射光反应灵敏度是不同的。
由图（8）可以看出，硅光敏二极管和锗光敏二极管的响应峰值约在80~100μm，试用附件中的红外发射管、各色发光LED、光源光、激光光源照射光敏二极管，测得光电流并加以比较。
图（8）光敏管的伏安特性曲线图（9）光敏二极管的光谱特性曲线注意事项:本实验中暗电流测试最高反向工作电压受仪器电压条件限制定为±12V （24V），硅光敏二极管暗电流很小，不易测得。
光敏管的应用-----光控电路一:实验目的:了解光敏管在控制电路中的具体应用。
实验2 光电探测之光电二极管特性测试(实验报告)
实验报告
（5）确认电路连接无误后，将实验仪光源驱动部分的单刀双掷开关 S2 拨到“静态” ， 打开电源，缓慢调节光照度调节电位器，通过左右切换按钮，将光源颜色切换为白色。 （6）直到光照为 300lx（约为环境光照） ，缓慢调节 0-15V 可调电源直至电压表显示为 6V，读出此时电流表的读数，即为光电二极管在偏压 6V，光照 300lx 时的光电流。将以上 参数记录到表 2-2 中。 表 2-2 光电二极管光电流测试参数 显示在光照度计上的光照度 （LUX） 300 显示在电压表上的偏压值 （V） 显示在电流表上的光电流值 （uA）
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实验报告
（注意：直流电源不可调至高于20V，以免烧坏光电二极管） （7）重复上述步骤，分别测量光电二极管在 300Lx 和 800Lx 照度下，不同偏压下的光 生电流值，填入表 2-6、表 2-7 中。 表 2-5 光照度为 500LUX 的条件下光电二极管伏安特性参数测试 光电二极 管偏压 （V） 光生电流 （uA） 表 2-6 光照度为 300LUX 的条件下光电二极管伏安特性参数测试 光电二极 管偏压 （V） 光生电流 （uA） 表 2-7 光照度为 800LUX 的条件下光电二极管伏安特性参数测试 光电二极 管偏压 （V） 光生电流 （uA） （8）实验完毕，将光照度调至最小，直流电源调至最小，关闭电源，拆除所有连线。 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12
实验报告
实验 2 光电探测之光电二极管特性测试
【实验目的】
1. 2. 3. 4. 学习掌握光电二极管的工作原理 学习掌握光电二极管的基本特性 掌握光电二极管特性测试的方电探测实验仪，1 台 本次实验请关注实验仪上的以下模块： （1）光源驱动模块； （2）电子元件部分； （3） 光照度计； （4）电流表； （5）电压表； （6）电源模块中的可调直流 0~15V 部分。 2. 光通路组件，1 套 光通路组件由以下部分组成： （1）LED 光源； （2）光电二极管封装组件； （3）光照度 计探头。 3. 彩排数据线，1 根 用于连接“LED 光源”和“光源驱动”部分的 J2 插座。 4. 红、黑颜色的电路连接线，若干 5. 数字万用表 MS8221 型，1 台
实验二 发光二极管P-I特性测试实验含数据)
实验二 发光二极管P-I 特性测试实验一、实验目的1、学习发光二极管的发光原理2、了解发光二极管平均输出光功率与注入电流的关系3、掌握发光二极管P （平均发送光功率）-I （注入电流）曲线的测试二、实验内容1、测量发光二极管平均输出光功率和注入电流，并画出P-I 关系曲线2、根据P －I 特性曲线，计算发光二极管斜率效率三、预备知识1、了解发光二极管与半导体激光器的异同点四、实验仪器1、ZY12OFCom13BG3型光纤通信原理实验箱 1台2、FC 接口光功率计 1台3、850nm 光发端机（HFBR-1414T ） 1个4、ST/PC-FC/PC 多模光跳线 1根5、万用表 1台6、连接导线20根五、实验原理半导体光源主要有半导体发光二极管（LED ）和半导体激光器（LD ）两种。
LD 已经在上一个实验介绍过，本实验主要是介绍LED 。
发光二极管（LED ）结构简单，是一个正向偏置的PN 同质节，电子-空穴对在耗尽区辐射复合发光，称为电致发光。
发光二极管（LED ）发射的不是激光，输出功率较小、具有较宽的谱宽（30～60nm ）、发射角较大（≈100°）、与光纤的耦合效率较低。
其优点是：寿命很长，理论推算可达108至1010小时，其次是受温度影响较小，输出光功率与注入电流的线性关系较好，价格也比较便宜，驱动电路简单，不存在模式噪声等问题。
半导体发光二极管（LED ）可以做为中短距离、中小容量的光纤通信系统的光源。
对于发光二极管（LED ）而言，自发辐射产生的功率是由正向偏置电压产生的注入电流提供的，当注入电流为I ，工作在稳态时，电子-空穴对通过辐射和非辐射复合，其复合率等于载流子注入率I q ，其中发射电子的复合率决定于内量子效率int η，光子产生率为)/(int q I η，因此LED 内产生的光功率为Iq P )/(int int ωη =（2-1）式中，ω 为光量子能量。
假定所有发射的光子能量近似相等，并设从LED 逸出的功率内部产生功率的份额为ext η，则LED 的发射功率为Iq P P ext ext e )/(int int ωηηη ==（2-2）ηext 亦称为外量子效率。
光电二极管实验报告
光电二极管实验报告一、实验目的1.了解光电二极管的基本原理和结构。
2.掌握光电二极管的特性曲线的测量方法。
3.研究光电二极管的灵敏度随入射光强度的变化规律。
二、实验原理光电二极管是利用光电效应产生的电流来转换光能为电能的器件。
在光照射下，光电二极管会产生光电效应，使阳极与阴极之间的电荷发生流动，产生电压差或电流。
光电二极管的主要特点有频率响应宽、噪声小、灵敏度高等。
根据光电效应的原理，光电二极管的电流与入射光的强度成正比关系，即光电流I和入射光的强度I0满足I=kI0的关系，其中k为比例系数。
当入射光的光强度大到一定程度时，光线过多会使得光电二极管的电流饱和，此时I=I0。
三、实验器材1.光电二极管2.光源3.电流电压源4.电阻箱5.电压表6.光电二极管放大器四、实验步骤1.将电流电压源与电阻箱、光电二极管放大器连接，并接通电源。
2.将电压表正极和负极分别与光电二极管放大器的正极和负极连接并调节至合适的电压范围。
3.调节电流电压源的输出电流和电阻箱的电阻，控制光电二极管的入射光强度。
4.记录电压表的读数，得到光电二极管的电流值。
5.逐渐增加入射光的光强度，记录光电二极管的电流值。
6.使用以上数据绘制光电二极管特性曲线。
五、实验结果与分析通过实验，我们得到了光电二极管的特性曲线。
根据光电二极管的特性曲线，我们可以得到以下结论：1.光电流随着入射光强度的增加而线性增加，但在一定光强度范围后，光电流趋于稳定，不再增加，这是因为光电二极管已经饱和。
2.光电二极管的灵敏度随入射光强度的增加而增加，但在饱和后，灵敏度不再增加。
3.光电二极管的特性曲线可以用于测量入射光的强度。
六、实验总结通过本次实验，我对光电二极管的基本结构和原理有了更深入的了解，并通过实际操作掌握了光电二极管特性曲线的测量方法。
实验结果证实了光电二极管的工作原理和特性，同时也加深了我对光电效应的理解。
在实验过程中，我发现了一些问题，如光电二极管的灵敏度与入射光强度的关系并不是简单的线性关系，这可能与光电二极管内部电路的复杂性有关。
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实验报告
（注意：直流电源不可调至高于20V，以免烧坏光电二极管） （7）重复上述步骤，分别测量光电二极管在 300Lx 和 800Lx 照度下，不同偏压下的光 生电流值，填入表 2-6、表 2-7 中。 表 2-5 光照度为 500LUX 的条件下光电二极管伏安特性参数测试 光电二极 管偏压 （V） 光生电流 （uA） 表 2-6 光照度为 300LUX 的条件下光电二极管伏安特性参数测试 光电二极 管偏压 （V） 光生电流 （uA） 表 2-7 光照度为 800LUX 的条件下光电二极管伏安特性参数测试 光电二极 管偏压 （V） 光生电流 （uA） （8）实验完毕，将光照度调至最小，直流电源调至最小，关闭电源，拆除所有连线。 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12
【实验内容与步骤】
1. 光电二极管暗电流测试 实验装置原理框图如图 2-2 所示，实际操作过程中，光电二极管的暗电流非常小，只 有 nA 数量级。因此，本实验中，采用电路中串联大电阻（图 2-2 中的 RL 为 20M）的方法， 可利用欧姆定律计算出支路中的电流即为所测器件的暗电流 I，即：I=U/RL。
【思考题】
1. 根据表 2-3、表 2-4 中的实验数据及其生成的曲线图，指出在不同偏压的作用下，光 电二极管的光照度与光生电流之间的关系是什么？（必做） 2. 根据表 2-5、表 2-6、表 2-7 中的实验数据及其生成的曲线图，查找与光电二极管伏 安特性相关的技术资料， 分析本次实验想要验证的是光电二极管的哪一种伏安特性？ （必做）
实验报告
实验 2 光电探测之光电二极管特性测试
【实验目的】
1. 2. 3. 4. 学习掌握光电二极管的工作原理 学习掌握光电二极管的基本特性 掌握光电二极管特性测试的方法 了解光电二极管的基本应用
【实验仪器】
1. 光电探测实验仪，1 台 本次实验请关注实验仪上的以下模块： （1）光源驱动模块； （2）电子元件部分； （3） 光照度计； （4）电流表； （5）电压表； （6）电源模块中的可调直流 0~15V 部分。 2. 光通路组件，1 套 光通路组件由以下部分组成： （1）LED 光源； （2）光电二极管封装组件； （3）光照度 计探头。 3. 彩排数据线，1 根 用于连接“LED 光源”和“光源驱动”部分的 J2 插座。 4. 红、黑颜色的电路连接线，若干 5. 数字万用表 MS8221 型，1 台
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实验报告
（9）将以上连接的电路中改为如下图 2-4 连接（即 0 偏压） ，然后打开电源，顺时针调 节光照度旋钮，增大光照度值，分别记下不同照度下对应的光生电流值，填入表 2-4。 （注 意：若电流表或照度计显示为“1＿”时说明超出量程，应改为合适的量程再测试。 ）
2. 光电二极管光电流测试
图 2-3 光电二极管光电流测试电路原理图
实验装置原理图如图2-3所示，请首先确保实验仪的电源处于关闭的状态，然后按下面 的步骤建立电路连接并测试： （1）组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑 为负极） ，将光源调制单元 J2 与光通路组件光源接口用彩排数据线相连。 （2）将电源模块中 0~15V 直流可调电源的“幅度调节”电位器逆时针拧到最左端，此 时输出电压应为 0V。 （3）将光源驱动模块中的“光照度调节”电位器逆时针拧到最左端，此时光照度值为 0LUX。 （4）按图 2-3 连接电路图，直流电源选择 0-15V 可调电源，RL 取 1K。
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实验报告
（5）确认电路连接无误后，将实验仪光源驱动部分的单刀双掷开关 S2 拨到“静态” ， 打开电源，缓慢调节光照度调节电位器，通过左右切换按钮，将光源颜色切换为白色。 （6）直到光照为 300lx（约为环境光照） ，缓慢调节 0-15V 可调电源直至电压表显示为 6V，读出此时电流表的读数，即为光电二极管在偏压 6V，光照 300lx 时的光电流。将以上 参数记录到表 2-2 中。 表 2-2 光电二极管光电流测试参数 显示在光照度计上的光照度 （LUX） 300 显示在电压表上的偏压值 （V） 显示在电流表上的光电流值 （uA）
图 2-2 光电二极管暗电流测试的电路原理图
（1）组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑
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实验报告
为负极） ，将光源调制单元 J2 与光通路组件光源接口用彩排数据线相连。 （2）将单刀双掷开关 S2 拨到“静态” ，将光照度调至最小。 （3）将“光照度调节”电位器调到最小（电位器逆时针拧到最左端） ，连接好光照度计， 直流电源调至最小（ “幅度调节”电位器逆时针拧到最左端） ，打开照度计，此时照度计的读 数应为 0。 （4）选用 0-15V 可调电源，将电压表直接与电源两端相连（或用数字万用表直流电压 挡测量） ，打开电源调节直流电源电位器，使得电压输出为 15V，关闭电源。 （注意：在下面的实验操作中请不要动电源调节电位器，以保证直流电源输出电压不 变） （5）按图 2-2 所示的电路连接电路图，负载 RL 选择 20M 电阻。 （6） 打开电源开关， 等电压表读数稳定后测得负载电阻 RL 上的压降 U， 则暗电流 I=U/RL。 所得的暗电流即为偏置电压在 15V 时的暗电流. (注:在测试暗电流时,应先将光电器件置于黑暗环境中 30 分钟以上,否则测试过程中电 压表需一段时间后才可稳定) （7）实验完毕，直流电源电位器调至最小,关闭电源，拆除所有连线。 （8）将测得的数据记录在下表 2-1 中，并通过计算估计暗电流的大小。 表 2-1 光电二极管暗电流测试参数 负载 20M 电阻上的电压 U（mV） 计算流过负载 20M 电阻的暗电流 I（nA）
图 2-4 偏压为 0V 时的光生电流参数测试电路原理图
（10）实验完毕，将光照度调至最小，直流电源调至最小，关闭电源，拆除所有连线。 4. 光电二极管伏安特性
图 2-5 光电二极管伏安特性测试电路原理图
实验装置原理框图如图 2-5 所示， 请首先确保实验仪的电源处于关闭的状态， 然后按下 面的步骤建立电路连接并测试： （1）组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑 为负极） ，将光源调制单元 J2 与光通路组件光源接口用彩排数据线相连。 （2）将电源模块中 0~15V 直流可调电源的“幅度调节”电位器逆时针拧到最左端，此 时输出电压应为 0V。 （3）将光源驱动模块中的“光照度调节”电位器逆时针拧到最左端，此时光照度值为 0LUX。 （4）按图 2-5 连接电路图，直流电源选择 0-15V 可调电源，RL 取 2K。 （5）确认电路连接无误后，将实验仪光源驱动部分的单刀双掷开关 S2 拨到“静态” ， 打开电源，缓慢调节光照度调节电位器，通过左右切换按钮，将光源颜色切换为白色。 （6）继续调节实验仪光源驱动部分的“光照度调节”旋钮，增大光照度值为 500LUX， 保持光照度不变，调节 0-15V 可调电源电位器，记录反向偏压为 0V、2V，4V、6V、8V、10V、 12V 时的电流表读数，填入下表 2-5。
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实验报告
3. 查找相关资料比较一下光电二极管和普通二极管的异同。 （选做） 4. 设想如何利用光电二极管的特性实现开关控制功能。 （选做） 5. 对本次实验的质疑、意见和建议。 （必做）
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3. 光电二极管光照特性 然后按下 实验装置原理框图如图 2-3 所示， 请首先确保实验仪的电源处于关闭的状态， 面的步骤建立电路连接并测试： （1）组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑 为负极） ，将光源调制单元 J2 与光通路组件光源接口用彩排数据线相连。 （2）将电源模块中 0~15V 直流可调电源的“幅度调节”电位器逆时针拧到最左端，此 时输出电压应为 0V。 （3）将光源驱动模块中的“光照度调节”电位器逆时针拧到最左端，此时光照度值为 0LUX。 （4）按图 2-3 连接电路图，直流电源选择 0-15V 可调电源，RL 取 1K。 （5）确认电路连接无误后，将实验仪光源驱动部分的单刀双掷开关 S2 拨到“静态” ， 打开电源，缓慢调节光照度调节电位器，通过左右切换按钮，将光源颜色切换为白色。 （6）将实验仪光源驱动部分的“光照度调节”旋钮逆时针调至最小值 0LUX 的位置，调 节 0-15V 可调电源电位器，直到显示值为 8V 左右。 （7）继续调节实验仪光源驱动部分的“光照度调节”旋钮，增大光照度值，分别记下 不同照度下对应的光生电流值，填入表 2-3。 （注意：若电流表或照度计显示为“1＿”时说 明超出量程，应改为合适的量程再测试。 ） 表 2-3 偏压为 8V 条件下不同光照度下的光生电流值 光照度 （LUX） 光生电 流（uA） 表 2-4 偏压为 0V 条件下不同光照度下的光生电流值 光照度 （LUX） 光生电 流（uA） （8）将实验仪光源驱动部分的“光照度调节”旋钮逆时针调至最小值 0LUX 的位置后关 闭光源驱动及实验仪的电源。
【注意事项】
1. 实验之前，请仔细阅读光电探测综合实验仪说明，弄清实验箱各部分的功能及拨位 开关的意义。 2. 当电压表和电流表显示为“1＿”是说明超过量程，应更换为合适量程。 3. 连线之前保证电源关闭。
【数据记录与处理】
1. 整理表 2-3、表 2-4 中的实验数据，在同一坐标轴（纵轴为光照度 LUX、横轴为光生 电流 uA）中画出对应着不同偏压值的两条曲线。 2. 整理表 2-5、表 2-6、表 2-7 中的实验数据，在同一坐标轴（纵轴为光生电流 uA、横 轴为电压 V）中画出对应着不同光照度条件下的三条伏安特性曲线。