【CN110277318A】一种铝碳化硅封装基板及其制备方法【专利】
一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法[发明专利]
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专利名称：一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：闫春泽,王长顺,刘桂宙,杨潇,史玉升
申请号：CN202210113833.3
申请日：20220130
公开号：CN114478053A
公开日：
20220513
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明属于铝基碳化硅复合材料相关技术领域，其公开了一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法，步骤如下：(1)将碳化硅复合材料坯体进行固化，以获得多孔碳化硅/碳坯体；(2)将多孔碳化硅/碳坯体进行反应烧结；(3)将多孔碳化硅坯体进行碳化硅增密处理，使得多孔碳化硅坯体的孔隙率在预定范围内，以获得多孔碳化硅预制体；(4)将多孔碳化硅预制体进行溶胶凝胶界面改性；(5)将改性后的多孔碳化硅预制体进行铝合金浸渗，多孔碳化硅预制体内部的孔隙被铝合金液填充，以获得预定铝合金体积分数的铝基碳化硅复合材料。
通过此方法可以获得碳化硅‑铝体积分数可调、结构复杂度可控、尺寸大小符合需求的铝基碳化硅构件，具有广泛的应用前景。
申请人：华中科技大学
地址：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
国籍：CN
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一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法与流程
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一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法与流程
一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法与流程1.铝基碳化硅复合材料是一种具有高强度、高硬度和耐高温性能的先进材料。
Aluminum-based silicon carbide composite material is an advanced material with high strength, high hardness, and high temperature resistance.2.制备铝基碳化硅复合材料的方法包括机械合金化、粉末冶金、化学气相沉积等多种工艺。
Methods for preparing aluminum-based silicon carbide composite materials include mechanical alloying, powder metallurgy, chemical vapor deposition, and other processes.3.该复合材料可用于航空航天、汽车制造、光伏电池等领域。
The composite material can be used in aerospace, automotive manufacturing, photovoltaic cells, and otherfields.4.制备该材料的流程首先需要选用合适的铝基合金和碳化硅粉朄。
The process of preparing the material first requires selecting suitable aluminum-based alloy and silicon carbide powder.5.然后进行预处理，包括浸渍、干燥、粉碎等步骤，以提高原料的活性和适应性。
Then pre-treatment is carried out, including impregnation, drying, crushing, and other steps to improve the reactivity and adaptability of the raw materials.6.接下来是混合，将预处理过的原料进行混合均匀，确保材料的均一性。
铝碳化硅材料制备方法、铝碳化硅材料、电子封装及模具[发明专利]
![铝碳化硅材料制备方法、铝碳化硅材料、电子封装及模具[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/7daf87653d1ec5da50e2524de518964bcf84d288.png)
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910670196.8(22)申请日 2019.07.24(71)申请人 清华大学深圳研究生院地址 518000 广东省深圳市南山区西丽大学城清华校区(72)发明人 李丘林 赵军峰 刘伟 王靓 宋国林 (74)专利代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205代理人 谢岳鹏(51)Int.Cl.C22C 1/10(2006.01)C22C 21/00(2006.01)C22C 29/06(2006.01)C22C 32/00(2006.01)H01L 23/29(2006.01)(54)发明名称铝碳化硅材料制备方法、铝碳化硅材料、电子封装及模具(57)摘要本发明涉及铝碳化硅材料技术领域。
为解决浸渗法制得的铝碳化硅材料在温度变化时容易发生弯曲变形、工艺繁琐、生产成本高的问题，公开了一种铝碳化硅材料制备方法、铝碳化硅材料、电子封装及模具。
其中，铝碳化硅材料制备方法的一种方案包括制备固液混合物，固液混合物至少包含有Al熔体与固态的SiC材料；通过底部具有固液分离通道的容器容置固液混合物，并对固液混合物施加振动，Al熔体朝底部流动且部分Al熔体从固液分离通道中渗走，SiC材料基于振动与Al熔体的流动加速沉降；对剩余的固液混合物进行固化。
本方案的制备方法能够减少或者消除铝碳化硅材料因温度变化产生的弯曲变形，延长铝碳化硅材料的使用寿命，同时生产工艺更为简单，成本更为低廉。
权利要求书1页 说明书5页 附图2页CN 110453103 A 2019.11.15C N 110453103A1.铝碳化硅材料制备方法，包括以下步骤：制备固液混合物，所述固液混合物至少包含有Al熔体与固态的SiC材料；通过底部具有固液分离通道的容器容置所述固液混合物，并对所述固液混合物施加振动，所述Al熔体朝所述底部流动且部分所述Al熔体从所述固液分离通道中渗走，所述SiC材料基于振动与所述Al熔体的流动加速沉降；对剩余的所述固液混合物进行固化。
一种碳化硅表面增强的铝散热基板及制造方法[发明专利]
![一种碳化硅表面增强的铝散热基板及制造方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/fdba5edd67ec102de3bd89cb.png)
专利名称：一种碳化硅表面增强的铝散热基板及制造方法专利类型：发明专利
发明人：徐玲,周盛锐,杨颖琳,史传进
申请号：CN201911141276.0
申请日：20191120
公开号：CN110957228A
公开日：
20200403
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明属于电子封装技术领域，具体为一种碳化硅表面增强的铝散热基板及制造方法。
本发明将纳米碳化硅陶瓷颗粒均匀铺洒在铝基板表面，采用激光束或电子束对纳米碳化硅陶瓷颗粒进行烧结，形成的碳化硅层均匀覆盖在铝基板表面；界面处纳米碳化硅颗粒渗入铝材料表层，形成牢固的界面连接。
本发明通过碳化硅增强的方法降低了铝散热基板整体热膨胀系数，提高硬度和强度，降低翘曲，减少热疲劳失效和裂纹的产生及扩展，提高了铝散热基板的热机械性能，应用于电子封装领域，可提高半导体器件可靠性。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910117332.0
(22)申请日 2019.02.15
(71)申请人 西安明科微电子材料有限公司
地址 710000 陕西省西安市航天基地东长
安街888号2号楼1层厂房南区
(72)发明人 刘昌涛 陈燕
(74)专利代理机构 深圳市精英专利事务所
44242
代理人 王文伶
(51)Int.Cl.
H01L 21/48(2006.01)
H01L 23/498(2006.01)
(54)发明名称一种铝碳化硅封装基板及其制备方法(57)摘要本发明涉及封装基板技术领域，具体为一种铝碳化硅封装基板及其制备方法。
本发明先通过制备形成具有孔位的碳化硅陶瓷基板以及与孔位匹配的硅片，然后将硅片镶嵌于孔位中形成整体陶瓷基板并向整体陶瓷基板中渗铝形成具有铝碳化硅和铝硅两相材料的铝碳化硅基板，在孔位处的铝硅材料上可轻松实现机加工制作各种形状和尺寸的安装孔，不仅可制作丝孔，且丝孔不易滑牙，解决了铝碳化硅封装基板的安装孔难加工制作的问题，且通过该制作方法，孔位处的铝硅材料与铝碳化硅材料结合稳固，不易开裂和脱落，从而使在铝硅材料上制作的安装孔可靠性
高。
权利要求书2页 说明书7页 附图3页CN 110277318 A 2019.09.24
C N 110277318
A
权 利 要 求 书1/2页CN 110277318 A
1.一种铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10、分别制作具有孔位的碳化硅陶瓷基板及与碳化硅陶瓷基板上所述孔位匹配的硅片；
S20、将硅片镶嵌在碳化硅陶瓷基板的孔位并对它们进行渗铝处理，形成孔位处由铝硅材料填充的铝碳化硅基板；
S30、在铝硅材料上制作安装孔，形成铝碳化硅封装基板。
2.根据权利要求1所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，步骤S10中，所述具有孔位的碳化硅陶瓷基板的制作步骤为：
S111、将粒径分别为0.5-1μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料混合均匀，得到粉料M1；
S112、向粉料M1中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀，得到混合物M2；
S113、配制溶质的质量百分浓度为5-15％的溶液M5，所述溶质包括以下质量百分比的各组分：羟甲基丙基纤维素钠5-30％、聚乙烯醇50-80％、乳蜡1-10％；
S114、将溶液M5与混合物M2混合均匀，得到坯料M6；然后将坯料M6放入模具中并压制成型，得到坯体M7；
S115、对坯体M7进行烧结处理，得到陶瓷基体M10；所述烧结处理的排胶温度为200-500℃，烧结温度为1000-1500℃；
S116、对陶瓷基体M10进行机械加工钻孔，形成具有孔位的碳化硅陶瓷基板M12。
3.根据权利要求2所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述粉料M1中，粒径分别为0.5-1μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料的质量百分比分别为10-30％、10-40％、20-40％、20-60％。
4.根据权利要求3所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述混合物M2中，粉料M1、氧化铝、高岭土、苏州土的质量百分比分别为85-95％、0.1-1％、0.1-1％、3-15％。
5.根据权利要求1所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，步骤S10中，所述硅片的制作步骤为：
S121、将粒径分别为4-6μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种硅粉混合均匀，得到粉料M3；
S112、向粉料M3中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀，得到混合物M4；
S123、配制溶质的质量百分浓度为5-15％的溶液M5，所述溶质包括以下质量百分比的各组分：羟甲基丙基纤维素钠5-30％、聚乙烯醇50-80％、乳蜡1-10％；
S124、将溶液M5与混合物M4混合均匀，得到坯料M8；然后将坯料M8放入模具中并压制成型，得到坯体M9；
S125、对坯体M9进行烧结处理，得到陶瓷基体M11；所述烧结处理的排胶温度为200-500℃，烧结温度为800-1300℃；
S126、对陶瓷基体M11进行机械加工，形成与碳化硅陶瓷基板上所述孔位匹配的硅片M13。
6.根据权利要求5所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述粉料M3中，粒径分别为4-6μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种硅粉的质量百分比分别为20-40％、
2。