内存序列号识别
内存序列号
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。
内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
（1）1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS 的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本
其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS 的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz 时最好能达到CAS=2。
PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c 表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS 相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD 版本，如2代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g 代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。
5、各厂商内存芯片编号
内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。
由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，先来看看它们的内存芯片编号。
（1）HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM 芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，
64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代
表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz 也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改
换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。
（2）LGS〔LG Semicon〕
LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。
LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns 〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K 和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K 外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
（3）Kingmax(胜创)
Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA 封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的
Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。
KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAXPC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。
（4）Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金
条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对
AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量= 内存基粒容量* 基粒数目= 16 * 8 =128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针，2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标
识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS 制造工艺，7ns、143MHz速度。
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM 种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] =256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 =16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三
星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 =x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 =7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100MHz @ CAS值为2、L=100 MHz @ CAS 值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结
果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是
10ns(100 MHz)。
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit （4=4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =
256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K
[15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 =128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、
1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针
TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns,166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns,133MHz
(266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星
4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K
(15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。
（6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits （MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj 代表速度，分成以下四类：
（A）、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率@ CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率@ CL=2.5，-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
（B）、Rambus（时钟率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，
-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含义-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
（C）、DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz
（7）其它内存芯片编号
NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16
位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ 下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，
75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。
HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM 类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns 〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。
SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh 是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。
TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，
空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。
IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns 〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。
如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条精品
【关键字】情况、方法、模式、稳定、需要、方式、办法、标准、水平、保证、指导、实现如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条专家指导如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条 网友问1：我现在有两条DDR2 800的内存，但是听说现在市场上有很多DDR2 800的内存条并不是使用标准的DDR2 800颗粒，而是由低端颗粒超频上去的。我想知道有没有什么办法或者软件区别超频的或者未超频的颗粒呢？ 网友问2：现在我想进行把我的内存升级，我现在的内存已经超到DDR2850水平，但是现在不知道需要购买什么样的内存，现在不知道什么样的内存能和它匹配。麻烦我爱电脑网专家帮我介绍些好点的特别适合超频的内存 专家答：现在还没有一款专门的软件来实现区别超频的或者未超频的颗粒这种这个功能，我们在购买内存条的时候可以用下面的几种方法来区别：看看内存条上的颗粒的编号，如果能够直接看到颗粒的编号，然后到网站上搜索即可找到相应的信息参数。其次，查看内存颗粒的工作电压，部分超频颗粒为了能够稳定工作在DDR2 800模式下，只能通过加压的方式实现，DDR2 内存的标准电压是1.80V，要是大于了这个值就要注意了，另外还要留心内存的延迟参数．按照JEDEC（电子元件工业联合会）的规定，对于DDR2 533内存来说的标准延迟参数是4-4-4-12，DDR2 667为5-5-515，DDR2 800是5-5-5-18，如果内存条的参数与标准参数持平，但是工作电压超过了1.8V，则很有可能就是超频颗粒。要注意的是为了达到更低的延迟参数加电压盼隋况不在此列，如DDR2 800 4-4-4-15 @2.2V的情况。最
主流DDR内存芯片与编号识别
我们关注哪些厂商 在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号， 最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有 相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新 换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新 产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。 这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位 的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正 的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自 己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再 自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可 能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术 人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。 那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面 这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。 从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中 国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、 冲电气（Oki，日本）。
内存型号说明
Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，
如何辨别内存条的型号及大小
如何辨别内存条的型号及大小 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DD R500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133M Hz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（1 00MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图
采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD =3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32b it。
机器码获取生成注册码
机器码获取生成注册码 通过获取硬盘的物理序列号和网卡MAC地址，为您的程序提供了获取唯一的机器码，你可以根据此码，生成自己产品注册码，有效防止软件的盗版可以自己根据获取到的硬盘序列号和网卡MAC地址进行一定的加密算法生成，唯一的机器码. 给自己的软件制作注册码.从今天起,您开发的的任何软件如果您愿意都可以为之加密 --为您的软件制作一款注册机!当您看完这篇文章时, 您就可以理直气壮的告诉您的用户 : "喂, 想用我的软件是吧 ? 掏钱!". 呵呵, 这当然只是给自己壮胆的话, 现在连万能注册机都有了, 人家还怕啥 ? 不过只要您想想微软, 人家再牛B的加密技术都会被国人"鄙视"? 但人家不也在中国大把大把的捞钱吗?OK, 不扯了, 我们进入正题.同一般的软件注册一样, 我们这里的注册是这样进行的: 1. 首先根据用户的硬件信息生成24位的机器码 -- 相当于种子,用于生成随机数 2. 采用注册机根据特征数字生成一个24位注册码 -- 相当于伪随机数生成器, 输出长度自己定, 最后用一个格式化函数,将随机数映射到ASCII字符集合 3. 用户输入注册码注册成功 假设客户很喜欢您的软件, 也假设他没有破解, 他需要通过以下方式向您取得注册码: (1).如果他能上网, 他需要把机器码用Email发给您； (2).如果他不能上网, 他可以把机器码用手机短信的方式发给您. (3).如果他没有手机, 他可以带着机器码然后坐火车到您的办公室想您要一个注册码. --第3条只是为了让您看帖子的时候别太枯燥了, 抱歉. 现在, 您拿到了客户的机器码后, 如果您同时也收到了他汇的钱, 呵呵, 好像给软件加密就是为了要钱吧? 那么您就可以用客户的机器码生成一个唯一的注册码再用同样的方式给用户, 最后, 用户输入注册码即可! 需要强调的是客户机器的硬件信息获取方式是有很多种选择的. 这里我们选择最放心的两个硬件: CUP的序列号和硬盘的卷标号. 好了,下面您就可以一步一步制作一款软件注册机了. 步骤一: 获得CUP序列号和硬盘序列号的实现代码如下:Java代码 #region 获取cpu的序列号 public string getCpu() { string strCpu = null; ManagementClass myCpu = new ManagementClass("win32_Processor");
现代内存颗粒编码细则
现代(Hynix)内存编号示含义 (2010-01-21 17:04:43) 转载▼ 标签： 分类：电脑知识 电脑 ddr400 hynix ddr内存 it HY5DU56822AT-H 现代内存编号示意图 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。 B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二
所示D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V 来分别代表不同的工作电压 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR 内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K 刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit 第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank 第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18 第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位置越*后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，“A”表示第二版，依次类推，到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好 第9部分代表的是功耗，如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了“L”字母，则代表该内存颗粒为低功耗 第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP 封装，“Q”代表LOFP封装，“F”代表FBGA封装，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装 第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表
怎样鉴别内存条的质量好坏
1．看内存颗粒，字迹清楚，手指摩擦不会模糊，标号正确等。不过现在造假的水平越 来越高，印字的方法也会改进不少。关于颗粒真伪可进一步查询相关资料。 2．内存颗粒的引脚排列整齐，不能歪歪扭扭，焊点要光滑圆润统一美观，以排除手工 焊接的可能。 3．除了内存颗粒，下一个稍大的器件就是SPD，这是存放内存各类相关信息的EEROM， 因为有些主板不需要读取SPD也能自动配置，所以也为造假提供可能。由于不放这个SPD 实在瞒不过去，于是有些JS就会焊一个空的SPD，可以看这个器件的焊点圆润程度简单地 判断是否是人为虚焊，进一步可注意主板的检测信息或借助测量软件。 4．电容也是一个很重要的器件，毕竟每个电容还有好几分钱，所以质量较差的内存条 上会尽可能少的放置电容。一般来说，电容是越多越好，可以提供更稳定的电源，也会 优化信号质量。如果发现每个颗粒周围平均不足3个电容，那这块内存的性能就有问题了，对任何品牌的内存这个标准也同样适合。 5．DDR内存里有个参考电平（Vref），在金手指的1号管脚，这个信号的稳定对DDR内存 来说非常重要，所以要尽量让它没有干扰。金手指1号管脚处附近最好要接一个它的专用去耦电容，每个颗粒对应的Vref管脚也均要接一个去耦电容，位置越靠管脚越好，不过 实际中由于器件摆放的缘故，这个电容一般会放在板最上沿，这时候设计者会引一根粗 线连上去，劣质的内存可能会没有这种参考电平的去耦电容。 6．剩下来的器件就是电阻了，四连的电阻叫排阻。目前主要是在数据线上和差分时钟 信号匹配会使用，对64位的数据总线来说，内存上要有64个电阻（或16个排阻），这个 电阻的作用是较少信号的震荡，提高噪声裕量，但不用这个电阻一般也能工作，所以经 常会看到有些内存条将本该焊接电阻的地方直接短路了，这样每条内存可以省好几毛钱啊！对于差分匹配电阻也一样，没有它都是能工作的，就是质量上会差不少。对于SDR来 说串联电阻一般为10欧姆，对于DDR来说为22欧姆，而差分时钟信号的匹配电阻是120欧 姆。 7．器件说完了，现在说说PCB，也就是内存条的电路板，看看色泽鲜艳与否，手摸摸平
教你怎么识别内存条
关于内存条 2008-10-10 09:09 金士顿内存条的行货的辨别方法 第一：拿到新的内存条后首先要确认你的内存条上必须有以下两个标签（一个是金士顿的老人头标签，一个是总代理的标签。中国总代共有五个：（弼信恒盈AVNET 联强骏禾）第二：当着卖内存条的商人的面去 https://www.360docs.net/doc/8b2586975.html,/china/verify验证内存上的产品ID和序列号，如果邮件反馈该内存条被反复验证，切忌千万不能要。要求更换！一定要没有被反复验证的，因为新的内存条上的ID和序列号只能验证一次！ 第三：一定要有上面五个总代的标签，不要轻易相信什么800等一些的刮开密码的确认电话，那是忽悠人的东西。现在个人都可以申请800电话，总之只相信总代理的标签！ 由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现，被一些不法之徒看中，假货由此也就混入市场。不过，除了假货之外，因Kingston合法代理商不同，所以贴的标也就不同，所以也有些商家为了竞争只说自己的标才是真货。 两种代理商防伪标签 1目测方法： 购买时对内存防伪标的鉴别，金士顿内存的产品铭牌同时就是防伪标。当视线与防伪标表面垂直时，看到的防伪标上Kingston的LOGO头像是玫瑰红色，而当视线与标签形成一个夹角以后，标签就变成了橄榄绿色。这种方法是最简便直接的防伪办法，消费者在购买时就可以立即检验产品真伪，及时发现假货。 铭牌同时就是防伪标 2一分钟网上辨别： 请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签: 防伪标图样 另外，打800电话或全球网络查询网站 https://www.360docs.net/doc/8b2586975.html,/china/verifynew/真假识别，你只需向该网站提交相关的内存产品信息，该网站就将会在极短的时间内帮您识别出您所购买的金士顿内存是否假冒。 先卖个关子，再次重申鉴别金士顿所有产品相对来说最安全、最快捷的方法。如照片所示，通过800防伪电话查询。但是，对眼我要提醒大家，并不是简简单单的按照您所购买产品上面的800电话联系。而是要记住本站提供的正确的800电话：800-8571992。这年头什么东西没有假的，造一个假电话防伪标签太正常
VC++获取网卡MAC、硬盘序列号、CPU+ID、BIOS编号
VC++获取网卡MAC、硬盘序列号、CPU ID、BIOS编号 以下代码可以取得系统特征码（网卡MAC、硬盘序列号、CPU ID、BIOS编号） BYTE szSystemInfo[4096]; // 在程序执行完毕后，此处存储取得的系统特征码 UINT uSystemInfoLen = 0; // 在程序执行完毕后，此处存储取得的系统特征码的长度 // 网卡MAC 地址，注意: MAC 地址是可以在注册表中修改的 { UINT uErrorCode=0; IP_ADAPTER_INFO iai; ULONG uSize = 0; DWORD dwResult = GetAdaptersInfo( &iai, &uSize ); if( dwResult == ERROR_BUFFER_OVERFLOW ) { IP_ADAPTER_INFO* piai=( IP_ADAPTER_INFO* )HeapAlloc( GetProcessHeap( ), 0, uSize ); if( piai != NULL ) { dwResult = GetAdaptersInfo( piai, &uSize ); if( ERROR_SUCCESS == dwResult ) { IP_ADAPTER_INFO* piai2 = piai; while(piai2!=NULL &&(uSystemInfoLen+piai2->AddressLength )< 4096U) { CopyMemory(szSystemInfo+uSystemInfoLen,piai2->Address, piai2->AddressLength ); uSystemInfoLen += piai2->AddressLength; piai2 = piai2->Next; } } else { uErrorCode = 0xF0000000U + dwResult; } VERIFY( HeapFree( GetProcessHeap( ), 0, piai ) ); } else { return FALSE; } } else { uErrorCode = 0xE0000000U + dwResult; } if( uErrorCode != 0U ) { return FALSE; } }
如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格 消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。 一、DDR SDRAM： 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
内存型号说明
内存型号说明： Samsung 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量； 56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36
教你看懂内存编码
教你看懂内存编码！ 内存大小识别方法(详) 内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考： 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］ 三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC 日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN 一.日本产系列： 主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1.HITACHI［日立］。1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频， HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度： 75：7.5ns［133MHz］ 80：8ns［125MHz］ A60：10ns［PC-100 CL2或3］ B60：10ns［PC-100 CL3］ 例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式： μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
关于三星原厂内存条与山寨内存条的真伪鉴别
关于三星原厂内存条与山寨内存条的真伪鉴别: 1：原厂三星内存条电路板看着泛黄偏暗，布线整洁合理，而寨条的颜色绿油油的并且反光，最简单的方法就是将你机器自带的原厂三星内存和你买的内存条一一比对是不是一样的，如果一样至少电路板绝对是真的，另外三星同代(DDR3)内存条的电路板布线都是一模一样的，绝对不会有原厂内存条走线电气孔不同的情况，因为三星电路板都是指定厂商的，并且一个模具出来的所以绝对是一样的，唯一颜色可能不同，或者偏浅或偏深，但是绝对不会是绿油油的颜色，金手指金黄偏暗,电路板边上有金黄色烫金三星logo和与标签对应M378B5173EB0-CK0金黄色烫金编号(注意与标签不是完全一样的)，另外在电路板的背面可以看到电路板的四位数字生产周期,另外在颗粒下方会有激光蚀刻的五位数字+字母组合的编号，台式机DDR3 1600MHz在左边金手指上方有两个相同的大写字母，笔记本内存条的位置参考机器自带原装内存条确定位置。 2：原厂三星内存条的电气孔对着光可以透光，而山寨条的电气孔是奸商自己印刷上去的，根本起不了提升电气性能的作用，更不能抗干扰和减少信号传输过程中的信号衰减。 3：原厂颗粒丝印字迹在强光下呈现荧光状清晰或者有些颗粒可能进行哑光处理，但是绝对清晰可辨，而山寨条所使用的颗粒基本都是白片或者假的颗粒，并且都是奸商自己用使用机器进行印刷的，所以用手多磨擦几次会把丝印磨擦掉，而原厂颗粒是不是掉色的。 4：原厂三星内存条的标签如果是台式机是M378/M379开头的一串代码，笔记本是M471开头的一串代码，我曾经在X猫商城买的一个台式机内存条竟然贴的是笔记本M471开头的标签，毫无疑问绝对是假的。
教你认识计算机硬件及相关参数的识别(2--内存篇)(精)
二、内存（RAM） 1、什么是内存呢？在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和数据就会丢失。既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是怎么工作的呢？我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。从一有计算机开始，就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进，从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM、RDRAM、DDRAM、DDRII RAM等，内存的速度一直在提高且容量也在不断的增加。 2、如何理解内存、硬盘、CPU之间的关系呢？我们可以这样去理解----CPU把硬盘当中的数据读取到内存当中来执行，并把执行完的结果写到硬盘当中去。如果执行期间发生断电的情况那么由于CPU来不及把结果写回到硬盘之上，数据就丢失了。也就是说并不是CPU速度越快，计算机的运行速度就越快，计算机的运行速度也和内存容量的大小及内存的速度有关。 3、如何识别内存型号内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看： samsung内存例：samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k，代表是
samsung内存识别法
芯片上的代码就是型号 内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看： samsung内存 例：samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表dram。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量； 56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10 为10ns(66mhz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
NET获取硬盘序列号的几个方法
最近作软件注册，收集了很多.NET相关的获取硬盘物理序列号的方法，主要分为使用WMI方式和API方式。但这些方法均可能有问题。 1，使用WMI方式，有的机器根本取不到硬盘序列号，有的方式在Vista下面会报错。 常用的使用WMI的方式主要有下面一些方式： class HardDrive { private string model = null; private string type = null; private string serialNo = null; public string Model { get {return model;} set {model = value;} } public string Type { get {return type;} set {type = value;} } public string SerialNo { get {return serialNo;} set {serialNo = value;} } } class TestProgram { ///
ManagementObjectSearcher("SELECT * FROM Win32_DiskDrive"); foreach(ManagementObject wmi_HD in searcher.Get()) { HardDrive hd = new HardDrive(); hd.Model = wmi_HD["Model"].ToString(); hd.Type = wmi_HD["InterfaceType"].ToString(); hdCollection.Add(hd); } searcher = new ManagementObjectSearcher("SELECT * FROM Win32_PhysicalMedia"); int i = 0; foreach(ManagementObject wmi_HD in searcher.Get()) { // get the hard drive from collection // using index HardDrive hd = (HardDrive)hdCollection[i]; // get the hardware serial no. if (wmi_HD["SerialNumber"] == null) hd.SerialNo = "None"; else hd.SerialNo = wmi_HD["SerialNumber"].ToString(); ++i; } // Display available hard drives foreach(HardDrive hd in hdCollection) { Console.WriteLine("Model\t\t: " + hd.Model); Console.WriteLine("Type\t\t: " + hd.Type); Console.WriteLine("Serial No.\t: " + hd.SerialNo); Console.WriteLine(); } // Pause application Console.WriteLine("Press [Enter] to exit..."); Console.ReadLine(); } }
现代内存编号规则
现代内存编号规则 -------------------------------------------------------------------------------- 文章作者: 文章来源:网络共享发布时间:2005-04-29 10:55:22 一、DDR SDRAM： 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号： HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
内存条识别
DDR1,DDR2,DDR3内存条（DDR是Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器的英文缩写）就是俗称的一二三代内存条。这三种内存条工艺不同，接口不同，性能不同，互不兼容。要区分它们，也不难。 1.仔细看看内存条上的标签，首先，这是一条金士顿牌子的内存条，频率为400MHZ,容量只有512M，也就是0.5G。频率才是关键。一代内存条的频率有333MHZ和400MHZ，所以标签上的“400”就足以证明它是一代内存条。容量不是关键，一代内存条有1G容量的，三代内存条也有1G容量的。
二代和三代很相似，接口长短也差不多，看标签识别！ 2.一看到"800"字样，我就可以认定这是一条二代内存条。二代内存条有533,667,800三种频率。它们都属于二代内存条，外观，接口 都是一样的，相互兼容，可以共用。只不过高频率的内存条要迁就低
频率的内存条。假如一台电脑上同时插有800MHZ和533MHZ的两条内存条，那电脑就只能工作在533MHZ频率下，性能上会有点折损。 3.三代内存条的频率一般有1066，1333,1600,2133,用得比较多的是1333，1600。我并不太清楚为什么会是这两种频率的内存条比较流行，我并没有去过问。反正让我见到1333,1600字样，我就知道是三代内存条了。
笔记本的大小，做成短的。主要辨别方法也是看标签。
笔记本的内存条相信是比较容易区分一二三代的。只需看“PC”这个字样就OK了。“PC”代表一代，“PC2”代表二代，“PC3”代表三代。为什么ddr400后面的频率是200MHZ呢，因为DDR是双倍速率的，实际速率还是400MHZ. PC2100是DDR266内存（133MHZ） PC2700是DDR333内存（166MHZ） PC3200是DDR400内存（200MHZ） PC2 4200（有时候可能是PC4300）是DDR2 533内存（266MHZ） PC2 5300是DDR2 667内存（333MHZ）