《霍尔传感器》PPT课件
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霍尔传感器
半导体薄片位于磁场中，当它的电流方向与 磁场不一致时，半导体薄片上平行于电流 和磁场方向的两个面产生的电动势成为霍 尔电动势，其中的半导体薄片成为霍尔传 感器。
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• 霍尔传感器的设计
从霍尔效应器件的设计角度来看，需要注意以下几点： 1. 霍尔电压正比于电流，因此在没有高功率而希望获得高灵敏度 的情况下，其他参数必须优化 2.霍尔电压与磁通密度近似呈线性关系 3.霍尔电压反比于厚度 4.霍Baidu Nhomakorabea电压反比于载流子浓度
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半导体薄片位于磁场中，当它的电流方向与 磁场不一致时，半导体薄片上平行于电流 和磁场方向的两个面产生的电动势成为霍 尔电动势，其中的半导体薄片成为霍尔传 感器。
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• 霍尔传感器的设计
从霍尔效应器件的设计角度来看，需要注意以下几点： 1. 霍尔电压正比于电流，因此在没有高功率而希望获得高灵敏度 的情况下，其他参数必须优化 2.霍尔电压与磁通密度近似呈线性关系 3.霍尔电压反比于厚度 4.霍Baidu Nhomakorabea电压反比于载流子浓度
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