模拟电子技术基础(第三版)期末复习资料

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模拟电子技术基础【杨素行】第三版-复习资料ppt课件

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图 2.3.2(b)
图 2.4.1(a)
.
图 2.4.1(b)
2.4.2 静态工作点的近似计算
UBEQ = (0.6 ~ 0.8) V硅管 UBEQ = (0.1 ~ 0.2) V锗管
IB
Q
VCC
U Rb
B EQ
ICQ IBQ
UCEQ = VCC – ICQ RC
c b
IBQ e
ICQ UCEQ
பைடு நூலகம்
I / mA
60
40
正向特性
20
–50 –25
反 向
0 0.5 1.0 U / V 击穿电–压0.002
特 性
U(BR–) 0.004 死区电压
15
10
5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 U / V
–0.02
硅管的伏安特性
锗管的伏安特性
图 1.2.4 二极. 管的伏安特性
I/mA
+ 正向
线比较平坦,近似为水平线,

20 µA
且等间隔。
1
IB =0
集电极电流和基极电流
O5
10
15 UCE /V 体现放大作用,即
图 1.3.9 NPN 三极管的输出特性. 曲线
ΔIC ΔIB
c
3. 饱和区:
b
IC / mA
条件:两个结均正偏 e
4
饱3 和 区2
1
O5
100 µA
对 NPN 型管,UBE > 0
IB = 0
约为几十 ~ 几百微安。
15 UCE /V 条件:两个结都处于反向 偏置。
图 1.3.9 NPN 三极管的输出特性. 曲线

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。

《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题班级:学号:姓名:成绩:一、填空题1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。

0.70.30.20.52.半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。

烧坏(开路)击穿(短路)4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。

0V0A6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。

击穿烧坏7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011.用万用表测量晶体管时,应将万用表置于_____挡,并进行_____。

模拟电子技术期末总复习

模拟电子技术期末总复习

4、 作图:vi→iB→iC、vCE→vo 5、求放大倍数:
AV

vo vi
e j
Vom Vim
20
假设uBE有一微小的变化
iB IB uA
45 35 25 15
t
iC
Q
0.68 0.7 0.72
UV BE ui
直流负载线
IC
mA
3.3 2.7 2.1
1.5
0.9
交流负载线
55 ib
45
h参数等效电路:
Ii
Ib
Ic
Ui R'B rbe
Ib RL
U o
动态:
AV
rbe
R' L (1 )RE1
Ri RB1 // RB2 //[rbe (1 )RE1]
RE1 RC
Ro RC
RB C1
ui
RE
+VCC
C2
RL uo
静态:
IB
VCC VBE
放大器的性能指标:
电压放大倍数、输入电阻ri 、输出电阻ro 、通频带
17
(二)放大器的分析方法
A、图解法分析法:
1、静态工作点的图解分析:
(1)近似估算Q点: +
ΔVI
RB
T
-
VBB
I BQ
=
VBB-
V BE
RB
ICQ I BQ
VCEQ VCC ICQ RC
C+
RC
ΔVO
VCC
-
18
22
电路参数对Q点的影响:
Rb:
iC
Rb↗
IBQ↘

模拟电子技术基础-总复习最终版

模拟电子技术基础-总复习最终版

R1 R2 R3
Rf
ui3 i2 R3 i3
N
_
+ +
uo
uo
Rf
ui1 R1
ui2 R2
ui3 R3
R4
实际应用时, 可适当增加或减少输入端的个数, 以适应不同的需要。
2.同相求和运算
节点P的电流方程: i1 i2 i3 i4
Rf
ui1 uP ui2 uP ui3 uP uP
R1
解:(1)× (2)√ (3)× (4)× (5)√ (6)×
2.共发射极放大电路中,由于电路参数不同,在信号源电压 为正弦波时,测得输出波形如图所示,试说明电路分别产生 了什么失真,如何消除。
3.试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。 设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
4.画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交 流信号均可视为短路。
虚短路
u-= u+= ui
虚开路
uo ui ui
Rf
R
uo
(1
Rf R
)ui
Au
uo ui
1
Rf R
反馈方式: 电压串联负反馈。输入电阻高。
一、求和运算电路 ui1 R1
1.反相求和运算
uN uP 0
ui2 i1 R2
iF Rf
i1 i2 i3 iF
ui1 ui2 ui3 uo
(c)
第二章 基本放大电路
知识点: 1、 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2、静态工作点的定义及设置合适的静态工作点
的必要性。 3、常见电路的静态工作点的估算。 4、放大电路的直流通路和交流通路。 5、能画出基本放大电路的交流等效电路,并计

《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc

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《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性;其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。

2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。

3.当外界温度、光照等变化时,半导体材料的导电能力会发生很大的变化。

4.纯净的、不含杂质的半导体,称为本征半导体。

5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。

7.木征硅中若掺入五价元素的原了,则多数载流了应是一电子,掺杂越多,则其数量一定越一多,而少数载流子应是—空穴,掺杂越多,则其数量一定越一少。

8.半导体中存在着两种载流子:带正电的空穴和带负电的.电子。

9.N型半导体小的多数载流子是_电子,少数载流子是一空穴。

10.杂质半导体分N型(电子)和P型(空穴)两大类。

11.N型半导体多数载流了是一电了,少数载流了是_空穴。

P型半导体多数载流了是一空穴,少数载流子是_电子。

12.朵质半导体中,多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度,而少数载流子则与温度有很大关系。

13.PN结的主要特性是一单向导电性。

14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区(势垒区)或耗尽区(阻挡层)。

15.PN结加正向电压时,空间电荷区变窄;PN结加反向电压时,空间电荷区变宽。

16.PN结在无光照、无外加电压吋,结电流为零°17.PN结两端电压变化时,会引起PN结内电荷的变化,这说明PN结存在电容效应。

18.二极管是由—个PN结构成,因而它同样具有PN结的单向导电特件。

19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述,其数学式是上去屋佟LL,其曲线又口J分三部分:1I-:向特性、反向特性、击穿特性。

20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小,稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止,击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的[3二200, /CEO=200M A; B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同,相比之下旦管的性能较好。

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

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完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。

2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流,从而控制集电极电流,实现信号放大。

3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大,共集电极放大倍数最小。

三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。

2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。

3.共基极放大电路---具有电压放大的作用,输入电阻较低。

4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置,使其工作在放大区,保证放大电路的稳定性。

四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。

2.开关---控制大电流的通断。

3.振荡器---产生高频信号。

4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性,实现稳定的输出电压。

模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,如硅Si、锗Ge。

2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子,是半导体中的两种主要载流体。

5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

根据掺杂元素的不同,可分为P型半导体和N型半导体。

6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。

7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结,具有单向导电性和接触电位差等特性。

8.PN结的伏安特性是指在不同电压下,PN结的电流和电压之间的关系。

二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。

1.半导体二极管具有单向导电性,即只有在正向电压作用下才能导通,反向电压下截止。

2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似,具有正向导通压降和死区电压等特性。

3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。

三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管,其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区,具有稳压的作用。

《模拟电子技术基础》复习资料

《模拟电子技术基础》复习资料

成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是:Vb=-12.3V,Ve=-12V,Vc=-18V。

则三极管的工作状态为()。

A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路,要求R i大,输出电流稳定,应选()。

A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式(或变压器耦合式)多级放大电路相比,低频响应()。

A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=()Uz。

A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示,该管为()。

A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。

A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中,电阻RE的主要作用是()。

A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的()组成整流电路。

A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中()发生振荡。

A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路,在Re上并联交流旁路电容Ce后,其电压放大倍数将()。

A. 减小;B. 增大;C. 不变;D. 变为零。

二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。

2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈。

3. ()负反馈放大电路不可能产生自激振荡。

4. ()任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。

《模拟电子技术》期末总复习PPT课件

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{ 硅管: IsnA级
•反向饱和电流Is 锗管: IsA级
•电压当量(室温下): UT 26mV
半导体器件基础
3.2二极管的等效电阻 • 等效电阻为非线性电阻,与工作点有关。

直流电阻:
RD
UQ IQ
交流电阻:
rD
26mV IQ
半导体器件基础
3.3 二极管的主要参数 • 最大正向平均电IF; • 最大反向工作电压URM; • 反向电流IR; • 最高工作频率fM。 3.4 稳压二极管(利用电击穿特性) • 稳压条件: • 反向运用, • Iz,min<Iz<Iz,max,(或偏压大于稳压电压) • 加限流电阻R
形成漂移电流。
半导体器件基础
2.1PN结 • 形成过程:扩散扩散、漂移扩散=漂移
•导通电压 硅(Si): U 0.6 ~ 0.8V
锗(Ge): U 0.2 ~ 0.3V 2.2 PN结伏安特性
(1)加正向电压:扩散>漂移,(耗尽层变窄)
正向电流
I
I eU D /UT s
(2)加反向电压:扩散<漂移, (耗尽层变宽 )
《模拟电子技术》 期末总复习
总要求: 抓住基本概念基本知识和基本分析 方法; 注重知识的综合应用。
半导体器件基础
1.1半导体特性 • 掺杂可改变和控制半导体的电阻率 • 温度可改变和控制半导体的电阻率 • 光照可改变和控制半导体的电阻1.2 本征
半导体 • 排列整齐、纯净的半导体称为本征半导体。 • 两种载流子(电子、空穴),成对出现。 • 在电场作用下,载流子作定向运动形成漂
'
(RL ' RC / /RL )(需看射极是否有偏置电阻及旁路电容)

模拟电子技术期末总复习

模拟电子技术期末总复习

电压放大模型 有 电流放大模型 要想减小衰减,则希望…? 要想减小衰减,则希望…?
电压放大模型 电流放大模型 要想减小负载的影响? 要想减小负载的影响?
Chap2 基本运算电路
01
同相和反相比例。
02
加法和减法,积分和微分。
03
组合电路的计算(虚短和虚断)。
04
虚短和虚断要求熟练应用。
05
同相和反相放大电路比较
01
集成电路运算放大器 主要参数
02
Chap6 差分放大电路
反馈有关的基本概念。
反馈组态的判断。
深度负反馈条件下的近似计算。
负反馈对放大电路性能的影响。
Chap7 反馈放大电路
提高效率和减少非线形失真矛盾的方法:甲类->乙类->甲乙类
指标计算:Po、PT、效率及功放管安全工作参数
Chap8 功率放大电路
即电压串联负反馈稳压原理,输出电压(及调节范围)的计算,三端集成稳压器的简单应用。
Chap10 直流稳压电源
考试重点
以第4章为主,可能会涉及MOSFET和差分电路;
1、分立元件放大电路的分析
组态和极性的判断; 负反馈对放大电路性能的影响; 根据负反馈影响,已知欲改善的性能,能自己引入负反馈; 深度负反馈下的近似计算
3
电路 形式
Ri
6
Ro
0
R1
Av
0
1
1、半导体导电的特点
本征激发、空穴、载流子;掺杂、N型、P型、多数载流子、少数载流子
2
2、PN结的特性
PN结的形成,扩散、漂移、内电场;PN结的单向导电性;PN结的击穿
3
3、二极管(含稳压二极管)

模拟电子技术基础(第三版)期末复习资料

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第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.7V,锗管0.2V。

*开启电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

分析方法------ ----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路或压降0.7V);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

三、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN 和PNP 两种。

2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触 面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。

二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件)其中I CEO 是穿透电流(越小越好),I CBO 是集电极反向电流。

Word版——模拟电子技术基础第三版童诗白华成英主编课后习题答案

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第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√)√ (2)×)× (3)√)√ (4)×)× (5)√)√ (6)×)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE=20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

略。

六、1、V2V mA 6.2μA 26V C C CC CEB C bBEBB B =-====-=R I U I I RU I b U O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以,所以W»-====-=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I b七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

:可变电阻区。

习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。

的波形如图所示。

1.4 ui 和u o 的波形如图所示。

的波形如图所示。

ttu u OOi o /V/V1010tu O i /V53-3tu O O /V3.7-3.7L )tu OI1/V30.3tu OI2/V30.3tu OO /V3.71tu 0I /V63tu 0O1/V3tu 0O2/V3管号管号T 1 T 2 T 3 T 4 T 5 T 6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下c e c c b c 管型管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料材料Si Si Si Ge Ge Ge ,b BE CC BE CC --R U V U V BEI I GS)1.01mA5mA(a)(b))U LI I U b be L Lb R R RU U 123io ..R R U U 14io..R U 2i.U o.U i.U o.R L(a)(b)(c)(d)R 4R 3 L o b 22L c b1Ib 32 2[)be 4 4122be22 +b b L e e b b be sL c b b iL c iU U 2DQDSS GSD¶IIU u mA 2DO DQ I I U+BEQ4E4E4I U R I {}c4e4be4c2b b b{}2be23232be221b b b 42be2321b b 322be221]b b b ∥82)b 322be2b b42be211b b 42be231b b 2be 4b WO c W c W O)2( )2+D b b bW c WW R R b I2I1r b LOL b )2L{}{}6be57554be46454be421)1(b b b b b +R 2oCEQ CC -u AU V RC BBE BE4CC b b 2C0EBCC =I b )DS2O u u u D D Ou u()(DS4uOD D Oc23be c12eb' i00bb))()())()(f f f f f 或1C r R R C R R r r ))())(10f f f ))())(f f f 31.1 )Hf))(10f f ))(5f f f fsb s 211ttI Us bs e b'e b'i ))()16(i f f R10121 ))()(5f ,,所以>32131 <<-1R U U 1U 1U U 11U 21U 923o o 2o o o o 2o o L L o L o o L 87942L 87o o 4o o L 1L 4o o )R U U u i ↑←↑←>>321321321321即F,代入数据f 6f 1f1>A+-i I(1)(2)(3)(4)A+-u O+-R RR Lu O u IA+-R R u Ou I12A+-+-R R Lu O R i I121U U U RRr U iiono....I iC R R R U U f i f o f i o i i 1))w w ,∥fod f id f o f o f fid f id od F i OO 11)(A R r A R u u -D A+-RR u Ou IffR R i整个电路的输入电阻约为(R +R f /A od )。

大学期末模电复习总结

大学期末模电复习总结

模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1. 半导体二极管(1)掌握二极管具有单向导电的特性。

用电位的方法来判断二极管是否导通,即,极管的阳极电位最高,或哪个二极管的阴极电位最低,哪个二极管就优先导通。

(2)注意:理想二极管导通之后相当短路,截止后相当开路。

(3)掌握二极管的动态电阻小,静态电阻大的概念(直流通路恒压源,交流通路小电阻)交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻,用静态工作点和公式求二极管的电阻值(4)熟悉二极管的应用(开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅)作业: 1.3 2. 半导体稳压管(1)掌握稳压管工作在反向击穿区的特点2)掌握稳压管与一电阻串联时,在电路中起的稳压作用。

哪个二只要不超过稳压管的最大功率,电流越大越好(3)掌握稳压管的动态电阻小,静态电阻大的概念。

(3)熟悉稳压管的应用(稳压、限幅)作业:1.5 , 1.6 3. 晶体三极管(1)熟悉晶体管的电流放大原理(重点掌握 Ic=βIb )(2)掌握 NPN 型三极管的输出特性曲线。

晶体管有三个级,必然就有 BE 间的输入, CE 间的输出,所以有两组特性曲线关于 NPN 型管子:管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。

区之间的区别3)掌握三极管的放大、饱和与截止条件。

4)理解 I CBO 和I CEO 的定义及其对晶体管集电极电流的影响。

作业:主要是饱和区和截止 1.9, 1.12 , Uce 是一个恒定值Ib 是一个恒定值共射交流放大倍数β,共基交流放大倍数α≈ 14. 场效应管(1)能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。

2)掌握结型场效应管 (N 沟道 )的转移特性和输出特性的意义。

3)掌握绝缘栅 N 沟道增强型 MOS 的转移特性和输出特性的意义。

二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法 (静态工作点稳定电路) 、共集电极接法的射极输出器的工作原 理。

(1)熟悉各元件的作用、各元件参数的数量级。

模拟电子技术3第1-10章复习

模拟电子技术3第1-10章复习
负反馈、正反馈、电压反馈、电流反 馈、串联反馈、并联反馈。
负反馈对放大电路性能的影响
提高放大电路的稳定性
负反馈可以减小放大电路增益的波动,提高 电路的稳定性。
扩展放大电路的通频带
负反馈可以减小放大电路的内部电阻和电容, 从而扩展通频带。
改善放大电路的非线性失真
负反馈可以减小输入信号过大引起的非线性 失真。
半导体的光电效应
当光照射到半导体表面时,半导体吸收光子能量,产生电子-空穴对, 形成光电流。光电效应是太阳能电池等光电器件的工作基础。
PN结与二极管
PN结的形成
在半导体中,通过掺杂磷(P)和硼 (N)形成PN结。由于掺杂不同,P型 半导体中的空穴浓度较高,N型半导体 中的自由电子浓度较高。
PN结的单向导电性
在PN结中,由于内建电场的作用, 自由电子和空穴分别向N区和P区扩 散。当加正向电压时,内建电场被削 弱,扩散运动加剧,形成较大的正向 电流;当加反向电压时,内建电场增 强,扩散运动受阻,形成较小的反向 电流。因此,PN结具有单向导电性 。
二极管的结构与特性
二极管是由一个PN结封装而成的电 子器件。根据封装材料和用途不同, 二极管可分为硅二极管、锗二极管、 肖特基二极管等。二极管的伏安特性 曲线包括正向导通区和反向截止区两 个部分。在正向导通区,二极管呈现 低阻状态;在反向截止区,二极管呈 现高阻状态。
线性应用
集成运放作为线性放大器,用于信号的线性放大、滤波、相敏检波等场合。
非线性应用
集成运放作为非线性器件,用于比较器、电压跟随器、方波产生器等场合。
07 第6章:放大电路中的反 馈
反馈的基本概念与类型
反馈的基本概念
反馈是将放大电路输出信号的一部分 或全部,通过一定的方式反馈到输入 端的过程。

模拟电子技术基础复习

模拟电子技术基础复习

UBE <Uon ≥ Uon ≥ Uon
IC ICEO βiB <βiB
UCE VCC ≥ uBE ≤ uBE
晶体管工作在放大状态时,输出回路电流 iC几乎仅仅决定于输入回路电流 iB; 即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。
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晶体管的主要参数

直流参数:

、ICBO、 ICEO
反馈组态 电压串联 电压并联 电流串联
电流并联
Auf 或 Ausf
Auuf
U o U i
U U
o f
1 Fuu
Ausf Auf
UUUUoi osF1Fu1i ui
1 Rs
RL'
Ausf
U o U s
1 Fii
RL' Rs
通常,Auf ( Ausf )、A 、F、Af 符号相同。
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第30页/共51页
路; ③电感相当于短路(线圈电阻近似 为0)。 2. 交流通路:①大容量电容相当于短路; ②直流电源相当于短路(内阻为0)。
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图解法 波形非线性失真分析
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3、失真分析
• 截止失真
截止失真是在输入回路首先产生失真! 消除方法:增大VBB,即向上平移输入回路负载线。
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2. 串联反馈和并联反馈
描述放大电路和反馈网络在输入端的连接方式, 即输入量、反馈量、净输入量的叠加关系。
+ _
负反馈
U i
U
' i
Uf
--串联负反馈
Ii Ii' If --并联负反馈
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模拟电子技术基础期末复习总结

模拟电子技术基础期末复习总结

第一章本征半导体:完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。

其特点:在外部能量激励下产生本征激发,成对产生电子和空穴;电子和空穴均为载流子,空穴是一种带正电的粒子;温度越高,电子和空穴对的数目越多。

两种掺杂半导体:N型半导体:电子是多子,空穴是少子;还有不能自由移动的正离子。

P型半导体:空穴是多子,电子是少子;还有不能自由移动的负离子。

二极管PN结及其单向导电性(正反接法,特点)二极管的伏安特性(画伏安特性曲线)二极管主要参数稳压管三极管类型:NPN型、PNP型;硅管、锗管。

三种工作状态:(特例NPN型)放大状态:发射结正向偏置,集电结反向偏置;(U BE>0,U BC<0,)饱和状态:发射结和集电结均正向偏置;(U BE>0,U BC>0,)截止状态:发射和集电结均反向偏置;(U BE<0,U BC<0),三个工作区:放大区:晶体管于放大状态,i c= i b有放大作用;饱和区:晶体管工作于饱和状态,i c主要受的影响u ce,无放大作用;截止区:晶体管工作于截止状态,i c≈0,无放大作用。

基本放大电路的组成原则:直流偏置:发射结正向偏置,集电极反向偏置;信号的输入和输出:信号源及负载接入放大电路时,就不影响晶体管原有的直流偏置,仍应保持发射结正偏,集电结反偏。

要求隔“直”,又能使信号顺利通过。

放大电路的主要性能指标有:电压放大倍数AU、输入电阻Ri,输出电阻Ro,频带宽度fbw,全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。

三种基本分析方法:估算法:也称近似计算法,用于静态工作点的计算。

分析过程为:画直流通路,由直流通路列出输入回路的直流负载方程,并设UBEQ值(硅管(NPN)为0.6V或0.7V,锗管(PNP)为0.2V,0.3V),代入方程,求出静态工作点。

图解法:微变等效电路法:半导体三极管的偏置与电流分配: 1、 当晶体管工作在放大区时:电极电位的特点:NPN 型的(U C >U B >U E );PNP 型的U C <U B <U E 。

模拟电子技术基础期末复习

模拟电子技术基础期末复习

一、填空1. 二极管最主要的特性是(),反映正向特性的的两个主要参数是()。

2. 三极管工作在三个区域的条件是:放大区(),饱和区()截止区()。

3. 场效应管从结构上分成()和()两大类型,它属于()控制型器件。

4. 集成运算放大器是一种采用()耦合方式的放大电路,最常见的问题是()。

5. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的()作用和对共模信号的()作用。

6. 小功率直流稳压电源由变压器、()、()、()四部分组成。

7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和Ω,产生这种现象的原因是。

8. 测得某NPN管的VBE=,VCE=,由此可判断它工作在区。

9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。

10. 在放大电路中为了稳定静态工作点,应引入反馈,稳定放大倍数,应引入反馈,改输入和输出电阻,应引入反馈,展宽频带应引入反馈。

11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用滤波。

12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地,而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。

13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。

14. 在直流稳压电路中,变压的目的是,整流的目的是,滤波的目的是,稳压的目的是。

15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。

当有用信号频率低于500Hz时,宜选用;当希望抑制50Hz交流电源干扰时,宜选用;当希望抑制1KHz以下的信号时,宜选用。

16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大,可选用组态,若希望带负载能力强,应选用组态,若希望从信号源索取电流小,应选用组态,若希望高频性能好,应选用组态。

17. 电流源电路在集成运放中,常作为电路和电路;前者的作用是,后者的作用是。

18. 差分放大电路有种输入输出连接方式,其差模电压增益与方式有关,与方式无关。

19. 已知放大电路输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样输出时需要的输入信号为10mV,该电路的反馈深度为,反馈系数为。

模拟电子技术期末考试复习资料

模拟电子技术期末考试复习资料

《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

答案:错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。

答案:对3.同相求和电路跟同相比例电路一样,各输入信号的电流几乎等于零。

答案:错4.差动放大电路可以放大共模信号,抑制差模信号。

答案:错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。

答案:错一、单选题1.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V,UB=3.7V,UC=3.3V,则该管工作在()。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区答案:B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的,当输入信号的频率为Hf时,放大器增益的幅值将()。

A.降为1B.降为中频时的1/2倍C.降为中频时的1/D.降为中频时的倍答案:C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB,Av3=15dB,则总的电压增益为()dB。

A.35C.45D.60答案:A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示,可判断其工作状态是()。

A.放大B.饱和C.截止D.已损坏答案:D5.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为()。

(设二极管的导通压降为0.7V)A.-5VB.-4.3VC.-5.7VD.-10V答案:C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示,由此可知该管为()。

A.Ge,PNP管B.Ge,NPN管C.Si,PNP管D.Si,NPN管答案:B7.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共集电极放大电路时,则vo和vi的相位()。

A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:A8.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共发射放大电路时,则vo和vi的相位()。

A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:B9.理想运放的开环差模增益AOd为()。

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第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.7V,锗管0.2V。

*开启电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

分析方法------ ----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路或压降0.7V);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

三、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN 和PNP 两种。

2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触 面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。

二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件)其中I CEO 是穿透电流(越小越好),I CBO 是集电极反向电流。

3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。

* 输出特性曲线(饱和管压降,用U CES 表示)放大区---发射结正偏,集电结反偏。

饱和区---发射结正偏,集电结正偏 截止区---发射结反偏,集电结反偏。

根据电位如何判断管子是否处于放大状态: 对NPN 管而言,放大时VC > VB > VE 对PNP 管而言,放大时VC < VB <VE4. 温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。

CBOCEO BCB C )(1I I i i I I βββ+=∆∆==温度升高I CBO 、 I CEO 、 I C 以及β均增加。

5.三极管的极限参数I CM 最大集电极电流 P CM最大的集电极耗散功率U(BR )CEOC-E 间的击穿电压三. 低频小信号等效模型h ie ---输出端交流短路时的输入电阻, 常用r be 表示;h fe ---输出端交流短路时的正向电流传输比,常用β表示;微变等效模型用于分析晶体管在小信号输入时的 动态情况,不能用于静态分析。

四. 基本放大电路组成及其原则 1. VT 、 V CC 、 R b 、 R c 、C 1、C 2的作用。

2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

五. 放大电路的图解分析法 1. 直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

*作用---确定静态工作点*直流负载线---由 确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响1)改变R c :Q 点在I BQ 所在的那条输出特性曲线上移动。

2)改变V CC :直流负载线平移,Q 点发生移动。

2. 交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线--- 连接Q 点和V CC ’点 V CC ’= U CEQ +I CQ R L ’的直线。

c C CC CE R i V u -=交流负载线3. 静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因---Q 点设置过低*失真现象---NPN 管削顶,PNP 管削底。

*消除方法---提高Q 。

(2) 饱和失真*产生原因---Q 点设置过高*失真现象---NPN 管削底,PNP 管削顶。

*消除方法---增大R b 、减小R c 、增大V CC ,降低Q 点。

六. 阻容耦合共射放大电路的等效电路法1. 静态分析2.放大电路的动态分析* 放大倍数* 输入电阻* 输出电阻七. 稳定工作点共射放大电路的等效电路法c o R R =beb i r R R ∥=1.静态分析2.动态分析 *有旁路电容* 无旁路电容八. 共集电极基本放大电路 1.静态分析2.动态分析3. 电路特点* 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器。

* 输入电阻高,输出电阻低(带载能力强)。

* 有电流放大能力。

eEQ CC CEQBQEQ e b BEQBB BQ )1()1(R I V U I I R R U V I -=+=++-=ββββββ++=+++=++++=1)//)(1()1()1(be b e o L e be b i ebe b er R R R R R r R R R r R R A u ∥八. 共基电极基本放大电路(高频特性好,展宽频带)九.复合管的判定:不同类型的管子复合后,其类型取决于第一个管子。

第三章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管( JFET)1.结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)二. 绝缘栅型场效应管(MOSFET)分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。

结构示意图和电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线* N-EMOS 的转移特性曲线式中,I DO 是U GS =2U T 时所对应的i D 值。

三. 场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流I DSS 2.夹断电压U p 3.开启电压U T 4.直流输入电阻R GS5.低频跨导g m (表明场效应管是电压控制器件)四. 场效应管的低频小信号等效模型五. 共源基本放大电路 分压式偏置放大电路 * 动态分析213i R R R R ∥+=4O R R =第四章 多级放大电路一. 级间耦合方式1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,成本低。

但不便于集成,低频特性差。

2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。

体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。

3. 直接耦合----低频特性好,便于集成。

各级静态工作点不独立,互相有影响。

存在“零点漂移”现象。

*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使u o 偏离初始值“零点”而作随机变动。

二. 多级放大电路的动态分析 1. 电压放大倍数 2. 输入电阻3. 输出电阻三. 长尾差放电路(抑制直接耦合电路中的温漂)的原理与特点 1.静态分析2. 动态分析eBEQEE EQ 2R U V I -≈BEQc CQ CC EQ CQ CEQ U R I V U U U +-≈-=β+=1EQ BQ I I ∏==⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅==n j uj n u A U U U U U U U U A 1i o i2o2i o1i o i1i R R =nR R o o =eEQ BEQ BQ EE 2R I U R I V b ++=通常,R b 较小,且I BQ 很小,co CMR c be b Lc d 2 0)2(R R K A r R R R A =∞==+=∥双端输出:βco be b ebe b CMR ebe b L c c be b L c d )(2)1(2 )1(2)( )(2)(R R r R R r R K R r R R R A r R R R A =++++=+++=+=ββββ∥∥单端输出:四. 共模信号与差模信号的计算 共模信号:两输入信号的平均值 差模信号:两输入信号的差五.差分放大电路的改进第五章 集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路,以减小零漂。

2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。

3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。

4.偏置电路----多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。

二. 集成运放的电压传输特性当u I 在+U im 与-U im 之间,运放工作在线性区域 :三. 理想集成运放的参数及分析方法 1. 理想集成运放的参数特征 * 开环电压放大倍数 A od →∞; * 差模输入电阻 R id →∞; * 输出电阻 R o →0; * 共模抑制比K CMR →∞; 2. 理想集成运放的分析方法 1) 运放工作在线性区: * 电路特征——引入负反馈* 电路特点——“虚短”和“虚断”: “虚短” ---2)1(Wbe b cd R r R R A ββ+++-=Wbe b i )1()(2R r R R β+++=Ic c Id d Ou A u A u ⋅+⋅=“虚断” ---2) 运放工作在非线性区* 电路特征——开环或引入正反馈* 电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时,u o=+U om当u+<u-时,u o=-U om第六章放大电路中的反馈一.反馈概念的建立*开环放大倍数---A*闭环放大倍数---Af*反馈深度---1+AF*环路增益---AF:1.当AF>0时,Af下降,这种反馈称为负反馈。

2.当AF=0时,表明反馈效果为零。

3.当AF<0时,Af升高,这种反馈称为正反馈。

4.当AF=-1时,Af→∞。

放大器处于“自激振荡”状态。

二.反馈的形式和判断1. 反馈的范围----局部或级间。

2.有无反馈的判断---看输出回路与输入回路是否有联系,有则有反馈,无则没有反馈。

3. 反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。

4.反馈的类型----正反馈:反馈的结果使输出量的变化增大的反馈;负反馈:反馈的结果使输出量的变化减小的反馈。

对于单个集成运放,若反馈线引至同相端,则为正反馈;反之为负反馈。

反馈极性-----瞬时极性法:(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用+表示)。

(2)根据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性。

(3)确定反馈信号的极性。

(4)根据X i与X f的极性,确定净输入信号的大小。

X id 减小为负反馈;X id增大为正反馈。

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