触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺讲解
玻璃保护盖板触摸屏、贴合、黄光制程OLE
3、靠自身发光，无需背光源。
4、超薄。(图4)
4、全固态组件，抗震动性强，能适应恶劣环境。
5、具有宽视角特性，上下、左右的视角宽度超过170度。 (图5)
6、高分辨率（图6）
7、响应速度快，响应时间为微秒级，是普通液晶显示器响应时间的1/1000，适于播放动态图像。(图7)
8、相较于LED或LCD的晶体层，OLED的有机塑料层更薄、更轻而且更富于柔韧性。(图8)
内嵌式触控面板减少1片玻璃除降低厚度并有简化制成优势
附图21—3：
触摸屏
保护玻璃
显示屏
保护玻璃
显示屏+触摸屏
举例：Iphone5比Iphone4S少了触摸屏这一层
PART ONE
OLED是继CRT、PDP、LCD之后公认的最理想、最具发展前景的新一代梦幻般的显示技术，被视为21世纪最具前途的产品之一。
2、成本
3、设备供应（主要是欧美日厂商，三星已开发部分替代设备）
4、关键原材料（主要是欧美日厂商，韩国已有部分自给能力）
5、新技术（比如Sony已发布的直下式LED、激光电视等）
OLED产业发展的主要障碍：
1、器件的稳定性及寿命（包括存储寿命和使用寿命）
2、打屏幕OLED生产中的薄膜沉积均匀性
3、高分辨率情况下精细像素的形成
>170度
>120度
发光效率
>15lm/w
4~8lm/w
能耗
可低至1mw,比背光源LCD低
使用背光源，能耗大
厚度
1~1.5mm
含背光源有5mm
操作温度
-40℃~85℃
0~50℃
抗震性能
器件为全固态，无真空、液体物质，胜任汽车、飞机等各种震动工作环境。
黄光工艺流程
黄光工艺流程黄光工艺流程是指在半导体制造过程中，使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面，然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。
下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。
第一步是准备硅片。
将硅片清洗干净，并使用酸洗去除硅片表面的污染物。
然后，在硅片上涂覆一层光刻胶，通常是聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。
第二步是光刻胶的曝光。
将硅片放入光刻机中，然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。
光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶，使其在受到光的作用下发生化学反应。
在曝光后，光刻胶的部分区域会发生化学变化，变得溶解性或不溶解性。
第三步是光刻胶的显影。
将曝光后的硅片放入显影剂中，显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶，而曝光后的光刻胶会保留下来。
根据需要，可以使用不同的显影剂，如碱性显影剂或酸性显影剂。
第四步是光刻胶的固化。
为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害，可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。
固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。
第五步是蚀刻。
将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中，蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。
根据需要，可以使用不同的蚀刻剂，如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。
蚀刻剂的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。
第六步是去除光刻胶。
在完成蚀刻后，需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。
这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现，将硅片浸泡在其中，以溶解光刻胶并清洗硅片表面。
通过以上步骤，黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。
这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。
黄光工艺流程的精度和重复性较高，成本较低，因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。
总之，黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。
这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值，可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。
触控面板黄光制程工艺全解
触控面板制造工艺之黄光工艺流程全解发布时间：2014-8-22作为目前电容式触摸屏最为主流的制造工艺，黄光制程一直备受关注。
技术发展到今天，已经拥有非常完善的工艺。
本文将从黄光制程的步骤入手，全面介绍制程中每个步骤及所需注意的事项。
1. PR前清洗A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。
（风切是关键）B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量。
C. 十槽清洗机 PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。
注：玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许KOH溶液，改变KOH，溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗机传动速度，将传速度减慢。
2.PR涂佈光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的，综合性的精密表面加工技术。
触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺
BOE（NH4F/HF）
谢谢！
黄光制程：
来料玻璃
黄光制程由此开 始
作出所需的图形
ITO、Metal、PI制程 为Sensor提供第一层保 护
Passivation （Organic）
为黄光后的工序作准备
蚀刻膏印刷/可剥胶印刷
切割
黄光制程到此结 束
整个制程的相关示意图-1
微影技术！
光阻塗佈
清洗
烘乾
顯影
曝光
PI和Passivation制程只需到这一 步
Oven
Metal Patterning Flow
Metal Patterning
Glass Cleaning
IR/UV/CP
PR Coating
Pre-Bake
Pattern Exposure
Developing
Post-Bake
Stripping
Etching
各制程效果图 (以Spark为制版)
Via hole
结果是等 效的
反制程：
Jumper PI
Pattern Trace
粗略的生产流程：
来料玻璃
Sheet
最终成品！ pcs
常见尺寸： 370×470mm 厚度则有0.33、0.4、 0.5、0.55、1.1、 1.3mm不等
一路OK Boding、贴合等白光制程
什么是黄光？
ITO
PI
Metal (已喷AG)
反制程全制程
主要机台和常用药液
分为： Roller式 Slit式 Spin式
涂 布 机 ：
清洗设备
清和曝光机 DNK曝光机
限于篇幅，仅举部分实例！
黄光工艺讲解
Q Technology Limited.
光刻要求
4.大尺寸硅片的加工 提高了经济效益。 但是要在大面积的晶圆上实现均匀的胶膜 涂覆，均匀感光，均匀显影，比较困难。 高温会引起晶圆的形变，需要对周围环境 的温度控制要求十分严格，否则会影响光 刻质量。Leabharlann 昆山西钛微电子科技有限公司
Q Tech
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光刻机
昆山西钛微电子科技有限公司
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光刻机
接触式曝光 Contact printing
Mask P. R. SiO2
Si 优点：结构简单、产量高、成本低，光的衍射效应最小而 分辨率高，特征尺寸小。 主要缺点：容易造成掩模版和光刻胶的损伤。每一次接触 都有可能在掩模版和光刻胶上造成缺陷。
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光刻机
接近式曝光－proximity printing
d= 10 ~ 25 μm
最小线宽: W= (dλ)1/2 d:间隔； λ：光源波长 分辨率取决于间隙的大小，一般分辨率较差， 为2－4µm
昆山西钛微电子科技有限公司
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光刻初步
集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小， 也 与 光刻技术的进一步发展有密切的关系。 通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的 技术水平。 所谓特征尺寸（CD：characteristic dimension） 是指设计的多晶硅栅长，它标志了器件工艺的总体 水平，是设计规则的主要部分。 通常我们所说的0.13m,0.09m工艺就是指的光刻 技术所能达到最小线条的工艺。
黄光工艺介绍
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力
耐酸印刷制程
制程规 耐酸印 格项目 刷制程
评判
线宽线 0.3*0.3
距
mm
一般
蚀刻痕 明显
一般
是否扩 散
产品设 计图形 复杂的
程度
精度
印刷容 易扩散
设计图 形简单
0.1mm
一般 一般 一般
黄光制程
制程规 黄光制 格项目 程
，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性
影响
良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
黄光工艺介绍 Profile of Photo process
2012-12-29
1、黄光制程定义-核心技术及名称的来源
黄光工艺使用的技术 黄光使用的技术为微影 (Lithography) 技术，使用的材料为感光材料，这
种材料称之为光阻（PR,photo resistance)。PR具有独特的特性，在UV光的作 用下，会发生化学变化，变成易容与酸或者碱的新物质。
微影 (Lithography) 技术是将光罩 (Mask) 上的图案先转移至PR上，再以 溶剂浸泡将PR受光照射到的部份加以溶解或保留，形成和光罩完全相同或呈互 补的光阻图。
黄光制程名称的来源 由于微影制程的环境照明光源是黄光，而非一般摄影暗房的红光，所以这
一制程常被简称为“黄光”制程。 黄光制程线路精准度水平高，被广泛应用在电容式触摸屏sensor的加工。
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
触摸屏黄光制程介绍
触摸屏黄光制程介绍触摸屏黄光制程介绍高精度网印制版及印刷技术是触摸屏制程中的核心技术，随着触摸屏市场的迅猛发展，对触摸屏生产成本和技术的要求也越来越高，谁的成本低、技术精，谁就能抢先占领市场，这同时也给触摸屏厂家就选择什么制程更能符合公司长远发展提出了疑问，那么触摸屏厂家到底是选择黄光制程还是印刷制程呢？11. 51Touch：利满洋行主要从事滚筒印刷制程，是这方面的专家，请您就目前黄光制程和滚筒印刷制程的区别做一个详细的介绍吧。
利满洋行：黄光制程和滚筒印刷制程就印刷制程而言，在成本和工艺上还是有很大区别的，我这里有一个比较详细的描述与大家分享一下：一、TP厂 : 黄光制程 vs 印刷制程黄光制程 vs 印刷制程二、黄光制程与滚筒网印的投资评估比较.1.) 黄光制程设备投资成本昂贵.- 黄光制程投资额由RMB 20M-70M不等，如卷对卷制式更不止此数，- 上下游工序、材料均须另作配合，- 樱井滚筒机的投资额相对是小巫见大巫了。
2.) 黄光制程设备占地面积较大, 影响生产厂使用的灵活性.任何工厂需要生产安排的灵活性，纵使黄光制程有其优点，而优点往往从接“大单“中才能反映出来，因其制程必须使用一定的蚀刻用化学剂，TP工厂接单的“单头量”直接影响每件成本，而现今电子产品讲求多花样，推陈出新是生存之道，所以TP厂的灵活性不是任何先进生产方式可以代替的。
樱井滚筒机设备摆放也不需要特定的楼层/位置, 而生产时只需要换网板就能马上生产不同尺寸的型号机种了。
3.) 制程设备投资与长远使用性风险评估.黄光制程是30多年前由MEMS 开始在半导体业界采用，20多年前TFT LCD厂家也开始使用，后来应用面扩展到PV 和TP，相对于PV 和TFT , TP结构比较有多变的空间，尤其各品牌都追求薄和轻，这趋势都直接引伸出不同的工艺模式，高昂的黄光制程投资额使投资风险一直成为决策的最大障碍。
在国内TFT 用黄光也不到10年，TP就更不用说了，但网印在国内累积了大量经验和人材，而TP厂的网印技术与人才皆是公司的重要资产，企业投资在现成和累积的资产上，使它延伸及增值，对长线企业发展最为有利。
电容触摸屏工艺流程简介
其中要求如下: 1.不允许有S形翘曲
h
L
在玻璃的表面镀上一层氧化铟锡的导电膜在玻璃的表面镀上一层氧化铟锡的导电膜在玻璃的表面镀上一层氧化铟锡的导电膜在玻璃的表面镀上一层氧化铟锡的导电膜就形成了就形成了就形成了就形成了在玻璃的表面镀上一层氧化铟锡的导电膜在玻璃的表面镀上一层氧化铟锡的导电膜在玻璃的表面镀上一层氧化铟锡的导电膜在玻璃的表面镀上一层氧化铟锡的导电膜就形成了就形成了就形成了就形成了lcdlcdlcdlcdlcdlcdlcdlcd常用的氧化铟锡玻璃常用的氧化铟锡玻璃常用的氧化铟锡玻璃常用的氧化铟锡玻璃通常简称为通常简称为通常简称为通常简称为常用的氧化铟锡玻璃常用的氧化铟锡玻璃常用的氧化铟锡玻璃常用的氧化铟锡玻璃通常简称为通常简称为通常简称为通常简称为itoitoitoitoitoitoitoito玻璃玻璃玻璃玻璃
•
目前我司常用的是纳钙玻璃，价格相对低，但是强度相对差，一般材质为旭硝子，铝硅玻璃相比强度更高，但是价格高，一 般材质为康宁。
名词解释：
• • • 6.方阻：d为膜厚，I为电流，L1为膜厚在电流方向上的长度，L2为膜层在垂直电流方向的长度，ρ为导电膜的体电阻率。ρ和d可以认为是不变的定值， 当L1=L2时，为正方形的膜层，无论方块大小如何，其电阻率为定值ρ/ d，这就是方阻的定义，即R□= ρ/ d; 在我们的工作中，对上面的公式进行转化： R( 线阻）=R□*L2/L1
FILM自容结构工艺流程图1（印刷线路）
单层镀ITO FILM厂工序
大片ITO蚀刻干蚀刻
印刷 银浆线路
贴大片 OCA
切割成小片
成品
贴合
绑定
FILM自容结构工艺流程图2（镭射线路）
黄光流程学习报告20130102
学习报告
随着TP行业的激烈竞争，触摸屏技术不断更新和创新，黄光制造成为了目前TP行业不可或缺的技术之一。
以下是电容屏黄光制程工艺：
一、制造之定义
所谓制造，不仅是生产产品，而且含有以正常成本的费用、正常的使用工时及在所定的期限内，制出品质稳定、符合客户规格的产品。
二、工作职掌
1、人员管理、教育培训
2、机器设备保养
3、生产进度控制及调整
4、物料控制
5、效率改善
6、品质改善
7、安全管理
8、现场管理及改善
三、工艺流程图
PR前清洗→印刷背保→ DI清洗→ PR涂布
↓
坚膜← 显影← UV曝光← PR固化
↓
蚀刻→ 脱膜→ DI清洗
1、PR 前清洗
ITOGLASS 清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程。
2、PR 涂佈
指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶。
3、前烘
指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形成固体的PR 层。
4、曝光
指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应。
5、显影
指用弱KOH 溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶。
6、坚膜
指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻
指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO 层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜
指用较强的KOH 剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥。
2013年01月02日。
黄光生产工艺流程详解和注意事项
黄光生产工艺流程详解和注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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半导体黄光工艺
半导体黄光工艺哎呀，说起半导体黄光工艺，这可真是个技术活儿，一般人还真不太了解。
不过，别急，让我给你慢慢道来。
首先，咱们得知道，半导体这玩意儿，就是那些小芯片，手机、电脑里头都有。
黄光工艺呢，就是制造这些芯片过程中的一个环节。
你可能会问，为啥叫黄光工艺呢？这得从光刻技术说起。
光刻嘛，就是用光把电路图案“刻”到硅片上。
而黄光，就是指的光刻机里头用的那种光源，是黄色的。
记得有一次，我去了一个朋友工作的半导体工厂参观。
那地方，真是高科技啊，到处都是穿着白大褂的工程师，还有那些闪着光的机器。
我朋友带我进了一个无尘室，说是为了保护那些娇贵的硅片不受污染。
我得说，那无尘室，比我家的厨房还干净！我朋友给我展示了黄光工艺的过程。
首先，他们把硅片放到一个特制的平台上，然后，用一种叫做光刻胶的东西涂在硅片上。
这光刻胶，就像是一种特殊的“墨水”，但是它对光特别敏感。
接下来，就是黄光工艺的关键步骤了——曝光。
他们用黄光照射那些涂了光刻胶的硅片，光通过一个特制的掩模，把电路图案“印”在光刻胶上。
这个过程，就像是用印章盖章一样，只不过印章是光，而纸是硅片。
曝光完成后，那些被光照射到的光刻胶会发生变化，变得可以被溶剂溶解。
然后，他们就用一种溶剂把那些变了性的光刻胶洗掉，剩下的就是那些没有被光照射到的光刻胶，形成了电路图案的“负像”。
这个过程，就像是用橡皮擦掉铅笔画的某些部分，留下的就是你想要的图案。
最后，他们用一种叫做蚀刻液的东西，把那些没有被光刻胶保护的硅片部分蚀刻掉，这样，电路图案就真正地“刻”在了硅片上。
这个过程，就像是用雕刻刀在石头上刻字，只不过这里的“石头”是硅片，而“雕刻刀”是蚀刻液。
整个过程，说起来简单，但实际操作起来，那可是需要极高的精确度和技术水平的。
我朋友告诉我，哪怕是一点点的误差，都可能导致整个芯片报废。
所以，那些工程师们，每天都得小心翼翼，一丝不苟。
这就是半导体黄光工艺的故事。
虽然听起来有点枯燥，但这就是现代科技的神奇之处，那些我们每天都在用的电子产品，背后都有这样精细的工艺支撑着。
触摸屏工艺简介
6、TP Sensor
Sensor类型 对比项
三类sensor优劣对比
黄光sensor
激光sensor
线宽线距
0.02mm~0.04mm
0.05mm
制程良率与效率
高
中
价格对比
高
中
基材选择
多选用ITO玻璃
多选用ITO Film
适用尺寸
小、中、大
小、中
稳定性
高
中
丝印sensor
＞0.1mm 低 低
ITO玻璃、ITO Film 都可以 中、大 低
真空镀膜，主要用来蒸镀AF、AR
溅射镀膜，主要是ITO、MoAlMo、金属的镀膜
基板
ITO镀膜
金属镀膜
黄光蚀刻介绍 1、ITO蚀刻介绍
基板
ITO
光阻
上光阻
去光阻
蚀刻
Mas k 曝光
显影
2、金属蚀刻 搭桥所用光阻为负光阻，ITO&金属蚀刻使用正光阻
基板
上光阻
曝光
显影 (搭桥)
镀金属层
去光阻
蚀刻
显影
表面形成薄膜。（AF、AR镀膜） ➢ 磁控溅射法：利用荷能离子轰击作为阴极的靶材，使靶材原子或分子从表面溅射出来，沉积到衬
底表面形成薄膜的过程。（各种金属镀膜、ITO镀膜、Si镀膜） ➢ 化学气相沉淀法：利用气态物质在一定温度下于固体表面上进行化学反应，生成固态沉积膜的过
程，常称CVD法。
镀膜 3、镀膜原理图
⑥、In-cell
In-Cell是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法，即在显示屏内部嵌入 触摸传感器功能，这样能使屏幕变得更加轻薄。同时In-Cell屏幕还要嵌入配套的 触控IC，否则很容易导致错误的触控感测讯号或者过大的噪音。因此，对任一显示 面板厂商而言，切入In-Cell/On-Cell式触控屏技术的门槛的确相当地高，仍需要 过良品率偏低这一难关。目前采用In-Cell 技术除了苹果的iPhone，还有三星、 OPPO R809T、HTC的Evo以及华为的P6。虽然说目前有苹果这一巨头大力推动InCell 技术，但是在未来几年内仍仅限于高端智能手机领域，主要问题还是良品率 ，因为In-Cell一旦损坏损失的不仅仅是触摸屏， 显示屏也将连同一起报废，因此 厂商对In-Cell良率要求更高。
TFTLCD黄光制程介绍资料
IVO
Info Vision
2021/10/15
Cleaner introduction
IVO
Info Vision
The structure of E-UV chamber
2021/10/15
Cleaner introduction
The measurement of contact angle
分辨率
• 能够在玻璃基板上形成符合要求的最小 的特征图形。形成的CD越小，PR的分辨 能力和光刻系统就越好
2021/10/15
Coater introduction
IVO
Info Vision
对比度
• PR从曝光区域到非曝光区域的过度的陡 度
对比度差
PR
对比度好
PR
Film
2021/10/15
Glass
AAJET
2021/10/15
Cleaner introduction
The basic principle of inclined rinse
IVO
Info Vision
2021/10/15
Cleaner introduction
IVO
Info Vision
Brush structure
2021/10/15
IVO
Info Vision
2021/10/15
Cleaner introduction
IVO
Info Vision
The simple drawing of roller brush & AAjet rinse section
2021/10/15
Cleaner introduction
触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺19页PPT
51、山气日夕佳，飞鸟相与还。 52、木欣欣以向荣，泉涓涓而始流。
53、富贵非吾愿，帝乡不可期。 54、雄发指危冠，猛气冲长缨。 55、土地平旷，屋舍俨然，有良田美 池桑竹 之属， 阡陌交 通，鸡 犬相闻 。
16、业余生活要有意义，不要越轨。——华盛顿 17、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。——罗素·贝克 18、最大的挑战和突破在于用人，而用人最大的突破在于信任人。——马云 19、自己活着，就是为了使别人过得更美好。——雷锋 20、要掌握书，莫被书掌握；要为生而读，莫为读而
黄光制程工艺流程
根据光敏材料的性质，选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影，去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质，选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理，形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机，以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应，对制程参数和环境条件 要求极高，控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高，同时随着技术更新换代，设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中，黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能，降低不良率，提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展，产品对精度的要求越来越高，黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料，具有良好的透明性和机械性能，常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一，用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后，会发生化学反应，从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种，分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶，而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。
黄光制程工艺流程
总 流 程 图
2
Glass BM制程 ITO1制程 OC1制程 ITO2制程 MAM制程 OC2制程
黄光制程：通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物 质(又称为光刻胶或光阻)，经曝光、显影后留 下的部分对底层起保护作用，然后进行蚀刻脱 膜并最终获得永久性图形的过程。
3
制 程 流 程
4
Glass Clean Sputter Clean IR/UV/CP
EXPO
Exposure
16
曝光波长：i线（365nm）， h线（405nm）， g线（436nm）。
Mask：也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。
高压汞灯发光原理：在真空的石英管中加入 定量的高纯汞，通过对两端电极提供高电压 差，产生高热，将汞汽化，汞蒸气在高电位 差下，受激发而放电，从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素，就有催化及保护的功用。
13
BM&OC1用的是Inkjet印刷，而OC2用的是APR凸版 印刷。
Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake ：也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%，使原本液态的光 阻固化。
主要控制参数:烘烤时间，烘烤温度，烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常：玻璃受热不均，使光阻局部 过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显 影过显。
主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度，
抽泵频率，抽泵强度。
主要参考参数：膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um)，
膜层均匀性。
主要品质异常：涂布针孔、涂布箭影。
12
CT
Coating
Coater一般分为Roll Coater，Slit Coater，Spin
黄光工艺文档
黄光工艺1. 介绍黄光工艺（Golden Photolithography）是一种常用于集成电路制造过程中的生产工艺，主要用于芯片上的图案形成和微影扩大。
它是将光通过透镜传导到光刻胶上，通过光刻胶的化学反应将图案转移到硅片上的一种技术。
黄光工艺在现代芯片制造过程中起着重要的作用，它可以制造出高分辨率、高精度的微细图案，使得芯片性能得到提升。
本文将介绍黄光工艺的原理、步骤和应用。
2. 工艺步骤黄光工艺主要包括以下步骤： 1. 制备硅片：首先，需要选择适当纯度的硅片，并进行表面处理，以确保图案能够精准地转移到硅片上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面，形成一层厚度均匀的光刻胶薄膜。
3. 预烘烤：将涂覆有光刻胶的硅片进行预烘烤，使得光刻胶在硅片表面形成薄膜，并且排除其中的气泡。
4. 掩膜/曝光：在光刻胶表面放置一张掩膜，掩膜上有所需的图案，然后利用光刻机进行曝光，使得掩膜上的图案转移到光刻胶上。
5. 显影：将曝光后的硅片浸泡在显影液中，使得未曝光的光刻胶被溶解掉，形成所需的图案。
6. 清洗：清洗已经显影完毕的硅片，去除掉余下的光刻胶和显影液。
7. 退火：通过高温退火的过程，使得光刻胶更加牢固地附着在硅片上。
8. 重复以上步骤：根据需要，可以重复以上步骤，逐步形成复杂的图案。
3. 黄光工艺的原理黄光工艺的原理是利用光的作用，将图案转移到光刻胶上。
其基本原理如下：1. 光刻胶的感光性：光刻胶在曝光的过程中会发生化学反应，可被光的能量激发。
2. 掩膜的功能：掩膜上有所需的图案，它会在光的照射下，将图案投射到光刻胶上。
3. 光的传导：通过光刻机中的透镜和光源，使得光能被聚焦并传导到掩膜上。
4.显影液的作用：显影液能够溶解掉未经曝光的光刻胶，使得图案出现。
4. 应用领域黄光工艺广泛应用于集成电路制造、光电子器件制造、传感器制造等领域。
它可以高精度地制造出微细的芯片结构，实现更小、更快的集成电路和传感器等器件。
黄光工艺介绍-20121230
批附光阻
3
UV光源 光罩图案 PR 光阻 ITO film 基材
UV通过光罩上的图案，照射到 光阻膜上去，制出光阻图案 （PR被UV照射后，发生化学变 化，但是物理形态没有变化，所 以生成的光阻图案肉眼不可见） 碱性溶液中，在光阻膜上形成与 光罩图案相同或者互补的光阻图 案 酸性溶液中，未被光阻图案遮 挡住的ITO被溶解，形成ITO图 案 酸性溶液中清晰掉光阻图案， 保留ITO图案。Sensor制作完 成
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ，性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
3、黄光制程的流程
1 2
ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材
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项目
FIisher 2000-5A（环保清洗剂） FPD-120 另述
备注
Metal制程不使用 所有制程均可使用 非常重要，品种繁多
TMAH（氢氧化四甲铵） KOH（氢氧化钾）
PAE85-2-13（磷硝醋混酸） 草酸 PE-560(HCl+KCl) NaOH/KOH 酸性较弱，用于低温ITO 效果较强
ITO
PI
Metal (已喷AG)
反制程全制程
主要机台和常用药液
分为： Roller式 Slit式 Spin式
涂 布 机 ：
清洗设备
清和曝光机 DNK曝光机
限于篇幅，仅举部分实例！
曝 光 设 备
常药液
序号
1 2 3 4 清洗液 清洗液 PR coating使用 光阻 显影使用显影液 AI 蚀刻液 ITO 蚀刻液 ITO 蚀刻液 ITO剥膜液
黄光制程：
来料玻璃
黄光制程由此开 始
作出所需的图形
ITO、Metal、PI制程 为Sensor提供第一层保 护
Passivation （Organic）
为黄光后的工序作准备
蚀刻膏印刷/可剥胶印刷
切割
黄光制程到此结 束
整个制程的相关示意图-1
微影技术！
光阻塗佈
清洗
烘乾
顯影
曝光
PI和Passivation制程只需到这一 步
整个制程的相关示意图-2
ITO和Metal制程仍需继 续进行以下几步：
蝕刻
剝膜
檢查
Process flow
ITO Patterning Flow
ITO Patterning
Glass Cleaning IR/UV/CP PR Coating Pre-Bake Pattern Exposure
工艺流程
Sensor
有一种东西叫： ITO 透明导电材料 PI 光阻绝缘层 Metal
Mo/Al/Mo结构
1.任何触控屏，要对Touch这个动作作出反应，必须对触摸点进行定位； 2.TPK产品是一个二维平板，需要X和Y两个坐标进行定位； 3.TPK产品属于（投射型）电容式触控屏，感应电容触摸屏检测到的触摸位置对 应于感应到最大电容变化值的交叉点，对于X轴或Y轴来说，则是对不同ITO模块 的信号量取加权平均得到位置量，系统然后在触摸屏下面的LCD上显示出触摸点 或轨迹。
5 6 7 8
常用药液：接上
序号 9 Metal 剥膜液 项目 NMP溶液/3316剥膜液 备注
10 11 12
Metal光阻残留擦拭药液 擦拭设备 清洗光阻（洗roller）/PR稀释剂 清洗光罩
丙酮 异丙醇/无水乙醇(98%) PGMEA 超高纯电子级无水酒精 （99.9%） BOE（NH4F/HF）
黄光制程简单介绍
辉煌数载 感谢有你
目录
What
to do？要做什么？
How
to do?怎么做？
the matter?怎么了？
What’s
当前市场上主要的触控屏种类
电阻式 电容式 红外线式 表面声波式
就是它了…… 电容式触控屏是一块四 层复合玻璃屏，玻璃屏 的内表面和夹层各涂有 一层ITO（镀膜导电玻 璃），最外层是一薄层 矽土玻璃保护层, ITO涂 层作为工作面, 四个角 上引出四个电极，内层 ITO为屏蔽层以保证良 好的工作环境。 当手指触摸屏表面时，就会有一定量 的电荷转移到人体。为了恢复这些电 荷损失，电荷从屏幕的四角补充进来， 各方向补充的电荷量和触摸点的距离 成比例，我们可以由此推算出触摸点 的位置
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蚀刻SiO2
谢谢！
我们的目标是：
让Sensor在X和Y方向上各自独立地导通
认识一下Sensor
图中网状图形称为pattern
金手指
黄线部 分称为 Trace 返回
浅色部分在X 方向上导通
放大
深色部分在Y 方向上导通
当前主要的技术路径
Bridge
正制程： Pattern PI Jumper （＋Trace）
Developing Back side PR Coating
Stripping
Etching
Post-Bake
PI / Organic Patterning Flow
PI Patterning
Glass Cleaning IR/UV/CP PR Coating Pre-Bake Pattern Exposure Developing
Via hole
结果是等 效的
反制程：
Jumper PI
Pattern Trace
粗略的生产流程：
来料玻璃
Sheet
最终成品！ pcs
常见尺寸： 370×470mm 厚度则有0.33、0.4、 0.5、0.55、1.1、 1.3mm不等
一路OK Boding、贴合等白光制程
什么是黄光？
Oven
Metal Patterning Flow
Metal Patterning
Glass Cleaning
IR/UV/CP
PR Coating
Pre-Bake
Pattern Exposure
Developing
Post-Bake
Stripping
Etching
各制程效果图 (以Spark为制版)