大功率肖特基势垒二极管符号
β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的研究
β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的探究引言：肖特基势垒二极管是一种半导体器件，利用金属和半导体之间的肖特基势垒形成的PN结构，通过控制势垒的高度和宽度来控制电流。
β-Ga2O3（beta-Ga2O3）是一种新兴的宽带隙半导体材料，具有较高的击穿场强和较高的载流子迁移率，因此被广泛探究作为肖特基势垒二极管的材料。
本文将对进行探讨。
一、β-Ga2O3材料的性质β-Ga2O3是一种手性空间群为C2V的正交结构氧化物，具有宽大的直接能隙（约4.8电子伏特）和较小的有效质量。
这使得β-Ga2O3在高温柔高功率应用中具有良好的性能，能够实现高电压和高功率输出。
二、C2V的对称性及其对肖特基势垒的影响C2V的对称性为β-Ga2O3材料带来了一些奇特的电学特性。
该对称性导致由于局部场效应的存在而影响了金属与半导体的接触特性。
在C2V的对称性下，晶体存在四个异质交换受限自由阴离子交换面，因此邻近阴离子在吸引力和排斥力之间平衡。
这种不匀称的分布导致了较大的高频失真和载流子散射，进一步影响了肖特基势垒二极管的性能。
三、β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的制备方法制备β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的方法包括物理气相沉积（PVD）、分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等。
其中PVD方法简易、成本相对较低，但存在薄膜质量差、掺杂效果不抱负等问题；MBE方法薄膜质量较高，但成本较高且工艺复杂；MOCVD方法具有高度控制性和匀称性，但实现的过程相对复杂。
不同制备方法对于β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的性能有着不同的影响。
四、β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的性能探究β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的性能主要受金属/半导体接触对的影响，肖特基势垒的高度和宽度直接影响电流的传导。
探究表明，通过优化制备方法和金属材料的选择，可以减小肖特基势垒的高度和宽度，提高二极管的性能。
此外，依据对β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的表征和测试，其可实现高功率、高电压和高工作温度的应用。
二极管符号字母表示
符号D代表二极管（diode），符号ZD代表稳压二极管（Zener diode）。
二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。
稳压二极管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。
扩展资料
二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。
由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。
面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。
平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅
能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。
各种二极管分类符号
各种二极管分类符号
二极管有多种分类方式，以下是几种常见的分类及对应的符号：
1. 按所用的半导体材料：
* 锗二极管（Ge管），用符号Ge表示。
* 硅二极管（Si管），用符号Si表示。
2. 按管芯结构：
* 点接触型二极管，用符号D表示。
* 面接触型二极管，用符号S表示。
* 平面型二极管，用符号F表示。
3. 根据不同用途：
* 检波二极管，用符号D表示。
* 整流二极管，用符号DZ或D表示（D是整流的英文缩写）。
* 稳压二极管，用符号DZ或D表示。
* 开关二极管，用符号D表示。
* 隔离二极管，用符号D表示。
* 肖特基二极管（Schottky Diode），用符号DB或D表示。
* 发光二极管（LED），用符号LED或D表示。
* 硅功率开关二极管，用符号K或SK表示。
* 旋转二极管，用符号D表示。
以上是各种二极管的分类及对应的符号，希望对解决您的问题有所帮助。
multisim中4个二极管符号
Multisim中4个二极管符号介绍Multisim是一款电路仿真软件，常用于电子电路的设计、分析和验证。
在Multisim中，有多种电子元件符号可供选择，其中包括二极管符号。
本文将详细介绍Multisim中的4个二极管符号，包括它们的特点、用途以及如何在Multisim 中使用它们。
二极管符号Multisim中的二极管符号有四种，分别为普通二极管、Zener二极管、肖特基二极管和LED二极管。
下面将分别介绍这四种二极管符号的特点和用途。
普通二极管普通二极管是最常见的二极管类型，它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。
普通二极管具有单向导电性，即只允许电流从P端流向N端。
它常用于电路中的整流和保护功能。
Zener二极管Zener二极管是一种特殊的二极管，它具有反向击穿电压。
当反向电压超过Zener 二极管的击穿电压时，它将开始导通电流。
Zener二极管常用于稳压电路和电压参考源。
肖特基二极管肖特基二极管是一种快速开关二极管，它具有较低的导通压降和快速的开关速度。
肖特基二极管适用于高频电路和低功耗电路。
LED二极管LED二极管是一种发光二极管，它能够将电能转化为光能。
LED二极管有多种颜色可供选择，常用于指示灯、显示屏和照明等应用。
在Multisim中使用二极管符号在Multisim中使用二极管符号非常简单，只需按照以下步骤进行操作：1.打开Multisim软件并创建一个新的电路设计。
2.在左侧的元件库中找到二极管符号。
3.将所需的二极管符号拖放到电路设计区域。
4.右键单击二极管符号，选择属性以设置二极管的参数，如型号、电流和电压等。
5.连接二极管符号与其他电子元件，完成电路设计。
6.可以通过模拟功能对电路进行仿真和分析。
总结本文介绍了Multisim中的4个二极管符号，包括普通二极管、Zener二极管、肖特基二极管和LED二极管。
这些二极管符号在电子电路设计中具有不同的特点和用途。
通过在Multisim中使用这些二极管符号，可以方便地进行电路仿真和分析。
二极管分类和符号表示
二极管分类和符号表示
二极管有多种分类方式，根据其使用的半导体材料、结构、用途等可以分成不同的类型。
以下是一些常见的分类和相应的符号表示：
1. 按所用的半导体材料：
锗二极管（Ge管），用符号Ge表示。
硅二极管（Si管），用符号Si表示。
2. 按管芯结构：
点接触型二极管，用符号D表示。
面接触型二极管，用符号S表示。
平面型二极管，用符号F表示。
3. 根据不同用途：
检波二极管，用符号D表示。
整流二极管，用符号DZ或D表示（D是整流的英文缩写）。
稳压二极管，用符号DZ或D表示。
开关二极管，用符号D表示。
隔离二极管，用符号D表示。
肖特基二极管（Schottky Diode），用符号DB或D表示。
发光二极管（LED），用符号LED或D表示。
硅功率开关二极管，用符号K或SK表示。
旋转二极管，用符号D表示。
4. 其他特殊类型：
瞬态电压抑制器（TVS），是一种固态二极管，专门用于ESD保护。
符号表示法没有统一规定，常见的是用一个类似于雪花符号的图案来表示。
光敏二极管，将光信号变成电信号，用符号GD表示。
双色发光二极管，功能同发光二极管，用符号LED或D 表示。
二极管的元器件符号
二极管的元器件符号二极管是一种最基本的电子元器件，广泛应用于电子电路中。
在电路中，二极管的作用是将交流信号转换成直流信号、限制电压、保护其他元器件等。
一、二极管的定义二极管是由两个区域组成的半导体材料制成的，其中一个区域被掺杂为N型半导体，另一个区域被掺杂为P型半导体。
这两个区域之间形成了PN结。
当外加正向偏置时，PN结会变窄，电流容易通过；当外加反向偏置时，PN结会变宽，电流很难通过。
二、二极管的元器件符号在电子原理图中，二极管通常用一个符号来表示。
这个符号包括一个三角形和一条线段。
三角形表示P型半导体区域，线段表示N型半导体区域。
三角形和线段相连的点是PN结。
三、常见的二极管类型1. 硅二极管：硅二极管是最常见的一种二极管类型。
它具有较高的工作温度范围和较高的反向击穿电压。
2. 锗二极管：锗二极管也是一种常见的二极管类型。
它具有较低的反向击穿电压和较高的内部增益。
3. 功率二极管：功率二极管可以承受更大的电流和功率，通常用于高功率应用中。
4. 快恢复二极管：快恢复二极管具有较快的恢复时间，可以用于高频应用中。
5. 肖特基二极管：肖特基二极管具有较低的反向漏电流和较快的开关速度，通常用于高频应用中。
四、二极管的工作原理当一个PN结被正向偏置时，P型半导体区域变为正电荷，N型半导体区域变为负电荷。
这使得PN结变窄，电子从N型半导体区域流入P 型半导体区域，并在其中与空穴结合。
这种结合会释放出能量，形成光子或热能。
当一个PN结被反向偏置时，P型半导体区域变为负电荷，N型半导体区域变为正电荷。
这使得PN结变宽，很难通过电流。
只有当反向偏置达到一定程度时（即反向击穿电压），PN结才会被击穿，电流才会通过。
五、二极管的应用1. 将交流信号转换成直流信号：二极管可以将交流信号变成直流信号。
当交流信号通过一个二极管时，只有正半周的信号可以通过，而负半周的信号会被截止掉。
这样就可以得到一个带有直流偏置的信号。
二极管符号有哪些？二极管符号详解
二极管符号有哪些？二极管符号详解
在我们日常生活中，随处可见各种各样的电子产品。
二极管作为最常用的电子元器件之一，是电子产品的其中的重要部件，它最大的特性是单向导电。
今天让我们来看一看：二极管符号有哪些以及二极管符号的详解。
常见的二极管符号
不同的二极管符号代表着特定的二极管类型。
看二极管电路图的时候，怎样去分辨哪些是肖特基二极管，哪些是整流二极管？这个时候你需要了解更多代表二极管标志的符号：
各种二极管的类型
以上是常见的二极管符号类型，那么我们怎么通过二极管符号来判断其正负极呢？
二极管的正极为图形符号三角形。
三角形旁边的竖线为二极管的负极。
电流可以从二极管的正极流向二极管的负极。
理论上说，二极管本身就是一个半导体，它的特性是单项导电性。
正向导通，反向截止。
二极管符号的箭头指明了导通方向。
二极管符号有哪些你现在明白了吗？只要你记住了二极管符号的特征，以后无论在什么时候只要一看到其特定符号就能很快的判断二极管的类型呢！想知道更多相关信息吗？请关注我们！。
肖特基和快恢复二极管外观标识
肖特基和快恢复二极管外观标识肖特基二极管和快恢复二极管是两种常见的二极管类型。
它们在电子电路中起着重要的作用，并且在外观上也有一些特殊的标识，方便人们进行识别和使用。
首先我们来介绍肖特基二极管。
肖特基二极管是一种由肖特基结构组成的二极管，也被称为肖特基势垒二极管。
在肖特基结构中，P 型半导体与N型半导体通过一个金属接触而形成势垒。
这种结构使得肖特基二极管具有一些特殊的性能。
肖特基二极管的外观标识是在二极管的封装上标有一个带有箭头的三角形。
箭头的方向指向P型半导体的一侧，表示电流的流动方向。
这个标识对于正确连接和使用肖特基二极管非常重要，因为它与普通二极管的连接方式有所不同。
肖特基二极管具有快速开关速度和低反向漏电流的特点。
它的开关速度比普通二极管更快，因为在肖特基结构中，电荷的转移速度更快。
这使得肖特基二极管在高频电路和开关电路中得到广泛应用。
另外，肖特基二极管的反向漏电流较低，这使得它在需要高稳定性和低功耗的电路中特别有用。
与肖特基二极管相比，快恢复二极管是另一种常见的二极管类型。
快恢复二极管也被称为快恢复势垒二极管，它的外观标识是在二极管的封装上标有一个带有箭头的矩形。
箭头的方向也表示电流的流动方向。
快恢复二极管具有快速恢复时间和低反向漏电流的特点。
它的快速恢复时间是指在正向导通状态下，当二极管转换到反向截止状态时所需的时间。
这个时间短暂，可以提高电路的开关速度和效率。
另外，快恢复二极管的反向漏电流较低，这使得它在需要高稳定性和低功耗的电路中得到广泛应用。
肖特基二极管和快恢复二极管在外观上标识的三角形和矩形可以帮助人们识别它们，并进行正确的连接和使用。
这些标识是按照国际标准设计的，因此在购买和使用二极管时，我们应该注意这些标识，以避免错误连接和损坏电路的发生。
肖特基二极管和快恢复二极管是两种常见的二极管类型，它们在电子电路中起着重要的作用。
它们的外观标识可以帮助人们正确连接和使用它们。
肖特基二极管具有快速开关速度和低反向漏电流的特点，适用于高频电路和开关电路。
二极管符号大全
/tool/kbview/kid/685/cid/1二极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。
硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流。
维持电流。
Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
二极管符号含义及电路图形符号大全（记不住就收藏备用）
二极管符号含义及电路图形符号大全（记不住就收藏备用）二极管电路图符号：二极管符号含义：CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流;硅整流管。
硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流。
维持电流。
Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
在测反向特性时，给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
常用肖特基二极管、型号的命名、字母含义
SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA
缩写 M
B：Barrier1
缩写 B
R：Rectifier
缩写 R
10：电流 10A
200：电压 200V
C：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装
MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；
MBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10A
M
BMBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15A RFMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20A 1MBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25A 0MBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30A
MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；
MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；
MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；
二极管物理符号
二极管物理符号概述二极管是一种基本的电子元件，具有单向导电性，只允许电流从一个方向流过。
二极管的物理符号用于表示二极管的结构和类型。
以下是二极管物理符号的详细解释：1.阳极（A）阳极是二极管的正极，是电流输入的端子。
在电路图中，阳极通常用字母A表示。
2.阴极（K）阴极是二极管的负极，是电流输出的端子。
在电路图中，阴极通常用字母K表示。
3.箭头（-->）箭头表示电流的方向。
在二极管符号中，箭头指向阳极，表示电流只能从阳极流向阴极。
4.极性标记（P/N）二极管分为正极和负极，电路图中通常用P表示正极，用N表示负极。
5.结型标记（J）结型二极管是一种常见的二极管类型，其特点是电流-电压特性曲线比较陡峭。
在电路图中，结型二极管通常用字母J表示。
6.温度系数标记（T）温度系数是衡量二极管温度稳定性的指标。
在电路图中，温度系数低的二极管通常用字母T表示。
7.肖特基标记（S）肖特基二极管是一种高速、低功耗的二极管类型。
在电路图中，肖特基二极管通常用字母S表示。
8.快恢复标记（FR）快恢复二极管是一种具有快速恢复特性的二极管类型。
在电路图中，快恢复二极管通常用字母FR表示。
9.高压标记（HV）高压二极管适用于高电压应用场景。
在电路图中，高压二极管通常用字母HV表示。
10.稳压标记（Z）稳压二极管是一种用于稳压电路的二极管类型。
在电路图中，稳压二极管通常用字母Z表示。
11.整流标记（D）整流二极管用于整流电路，将交流电转换为直流电。
在电路图中，整流二极管通常用字母D表示。
12.发光二极管标记（LED）发光二极管是一种能够发光的半导体器件，常用于信号指示和照明等应用。
在电路图中，发光二极管通常用字母LED表示。
二极管晶体管类电子符号大全
二极管晶体管类电子符号大全肖特基二极管(Schottky Diode)Symbol Parameter 中文VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压VRWM Working peak reverse voltage 方向工作峰值电压VR DC Blocking Voltage 反向直流电压VR(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值IF(AV) Average Rectified Forward Current 正向平均电流IR Reverse Current 反向电流IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流VF Forward Voltage 正向直流电压Cj Typical Junction Capactiance 结电容PD Power Dissipation 耗散功率Tj Operating Junction Temperature 工作结温Tstg Storage Temperature Range 存储温度Rth(j-a) Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻Pin二极管(Pin Diode)Symbol Parameter 中文VR Continuous reverse voltage 反向直流电压IF Continuous forward current 正向直流电流VF Forward voltage 正向电压IR Reverse current 反向电流Cd diode capacitance 二极管电容rd diode forward resistance 二极管正向电阻Ptot total power dissipation 总的功率损耗Tj Junction Temperature 结温Tstg storage temperature 存储温度TVS二极管(TVS Diode)Symbol Parameter 中文IPP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流VC Clampling voltage 钳位电压IR Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流VBR Breakdown voltage 击穿电压VRWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压VF Forward voltage 正向电压IF Forward current 正向电流IT Test current 测试电流可控硅(SCR)Symbol Parameter 中文VDRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压IT(RMS) RMS On-state current 额定通态电流ITSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流IGM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流VTM peak forward on-state voltage 通态峰值电压IGT Gate trigger current 控制极触发直流电流VGT Gate trigger voltage 控制极出发电压IH Holding current 维持电流IDRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流IRRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流PG(AV) Average gate power dissipation 控制极平均功率Tj operating junction temperature range 工作结温Tstg Tstg storage temperature range 存储温度三端稳压管(Three T erminal Voltage Regulator)Symbol Parameter 中文VI input voltage 输入电压Vo output voltage 输出电压△Vo Load regulation 输出调整率△Vo Line regulation 输入调整率Iq quiescent current 偏置电流△Iq q uiescent current change 偏置电流变化量VN Output noise voltage 输出噪声电压RR Ripple rejection 纹波抑制比Vd dropout voltage 降落电压Isc short circuit current 短路输出电流Ipk peak current 峰值输出电流Topr operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度43系列稳压管(Adjustable Shunt Regulator)Symbol Parameter 中文VKA Cathode voltage 阴极电压IK Cathode current range(continous) 阴极电流Iref Reference input current range,continous 基准输入电流PD Power dissipation 耗散功率Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻Topr operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度Vref Reference input voltage 基准输入电压△Vref(dev) Deviation of reference input voltage over full temperature range 全温度范围内基准输入电压的偏差△Vref/△VKA Ratio of change in reference input v oltage to the change in cathode voltage 基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比△Iref(dev) Deviation of reference input current over full temperature range 全温度范围内基准输入电流的偏差Imin Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流Ioff Off-state cathode current 关断状态阴极电流|ZKA|Dynamic impedance 动态阻抗普通晶体管(Transistor)Symbol Parameter 中文VCBO Collector-Base voltage 发射极开路,集电极-基极电压VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极电压VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极电压IC Collector current 集电极电流PC Collector power dissipation 集电极耗散功率Tj Junction temperature 结温Tstg storage temperature 存储温度V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage 发射极开路,集电极-基极反向电压V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 基极开路,集电极-发射极反向电压V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路,发射极-基极反向电压ICBO Collector cut-off current 发射极开路,集电极-基极截止电流IEBO Emitter cut-off current 集电极开路,发射极-基极截止电流ICEO Collector cut-off current 基极开路,集电极-发射极截止电流hFE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值VCEsat Collector-emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和电压VBEsat Base-emitter saturation voltage 基极-发射极饱和电压VBE Base-emitter voltage 基极-发射极电压fT Transition frequency 特征频率Cobo Collector output capacitance 共基极输出电容Cibo Collector input capacitance 共基极输入电容F Noise figure 噪声系数ton Turn-on time 开通时间toff Turn-off time 关断时间tr Rise time 上升时间ts Storage time 存储时间tf Fall time 下降时间td Delay time 延迟时间数字晶体管(Digital Transistor）Symbol Parameter 中文VCC Supply voltage 直流电压VIN input voltage 输入电压IO output current 输出电流PD Power dissipation 功率损耗VI(off) Input-off voltage 输入截止电压VI(on) Input-on voltage 输入开启电压VO(on) output voltage 输出电压II input current 输入电流IO(off) output current 输出截止电流GI DC current gain 直流增益R1 Input resistance 输入电阻R2/R1 Resistance ratio 电阻率fT Transition frequency 传输频率Tj junction temperature 结温Tstg storage temperature range 存储温度VCBO Collector-base voltage 发射极开路,集电极-基极反向击穿电压VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极反向击穿电压VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极反向击穿电压场效应管(MOSFET)Symbol Parameter 中文ID Continous drain current 漏极直流电流VGS Gate-source voltage 栅-源电压VDS Drain-source voltage 漏-源电压EAS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻Rth(j-c) Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压IGSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流IDSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流rDS(on) Drain-source on-resistance 漏源通态电阻gfs Forward transconductance 跨导VSD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降Ciss Input capacitance 栅-源电容Coss Output capacitance 漏-源电容Crss Reverse transfer capacitance 反向传输电容Rg Gate resistance 栅极电阻td(on) Turn-on delay time 开通延迟时间tr Rise time 上升时间td(off) Turn-off delay time 关断延迟时间tf Fall time 下降时间IDM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流PD Power dissipation 耗散功率Tj operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度。
肖特基（SCHOTTKY）势垒二极管系列
肖特基（SCHOTTKY）势垒二极管系列肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。
介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。
对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。
最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。
本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
二极管符号及参数
二极管符号及各种参数的翻译CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。
硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流。
维持电流。
Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
肖特基势垒二极管 参数
肖特基势垒二极管参数
肖特基势垒二极管（简称SBD）是一种整流二极管，其基本原理是利用金属与半导体之间的势垒进行整流。
以下是肖特基势垒二极管的一些参数：
1. 最大正向压降（VFM）：指二极管在正向导通时的最大电压降。
2. 反向击穿电压（VBR）：指二极管在反向电压作用下，发生反向击穿时的电压。
3. 反向有效值电压（VRMS）：指二极管所能承受的反向电压的有效值。
4. 峰值反复反向电压（VRRM）：指二极管所能承受的峰值反向电压。
5. 非反复反向峰值电压（VRSM）：指二极管在非反复反向工作条件下所能承受的峰值电压。
6. 反向峰值工作电压（VRWM）：指二极管在反向工作条件下所能承受的峰值电压。
7. 最大直流截止电压（VDC）：指二极管在直流电路中，能够保持截止状态的最大电压。
此外，肖特基势垒二极管还有其他一些参数，例如正向电流（IF）、反向漏电流（IR）等。
这些参数的具体数值取决于二极管的具体型号和应用条件。
如需了解更多参数信息，建议查阅相关资料或咨询专业人士。
肖特基二极管
肖特基二极管目录[显示][编辑本段]简介肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
[编辑本段]原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。
用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。
但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。
但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。