【项目管理】项目一半导体器件基础
半导体器件基础课件(PPT-73页)精选全文完整版
有限，因此由它们形成的电流很小。
电子 技 术
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。
2、空间电荷区中内电场阻碍P 区中的空穴、N 区中的电子（
都是多子）向对方运动（扩散 运动）。
所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变。
电子 技 术
二、PN 结的单向导电性
电子 技 术
1. 1 半导体二极管的结构和类型
构成：实质上就是一个PN结
PN 结 + 引线 + 管壳 =
二极管(Diode)
+
PN
-
符号：P
N
阳极
阴极
分类：
按材料分 按结构分
硅二极管 锗二极管 点接触型 面接触型 平面型
电子 技 术
正极 引线
N 型锗片 负极 引线
外壳
触丝
点接触型
正极 负极 引线 引线
电子 技 术
半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。 自由电子在共价键以外的运动。 空穴在共价键以内的运动。
结论：
1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少。 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电。 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
电子 技 术
2、杂质半导体
+4
一、N 型半导体
电子 技 术
三、课程特点和学习方法
本课程是研究模拟电路（Analog Circuit）及其 应用的课程。模拟电路是产生和处理模拟信号的电路。 数字电路(Digital Circuit)的知识学习由数字电子技 术课程完成。
本课程有着下列与其他课程不同的特点和分析方 法。
电子 技 术
第一章 半导体器件基础
五、二极管的基本功能
3.二极管的限幅作用
把输入电压的变化范围加以限制叫做限幅，常用于波形变 换和整形。二极管正向导通后，它的正向管压降基本保持不变 （硅管为0.7V，锗管为0.2V）。利用这一特性，在电路中作为 限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。
ui / V
5
R
+
VD
0
+
-5
t
ui
3V
uo
四、二极管的主要参数
1.最大平均整流电流IF
二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流
2.最高反向工作电压UR
二极管正常工作时允许加的最大反向电压。为了确保二 极管安全工作，一般取反向击穿电压UBR的一半作为UR
3.反向电流IR
二极管加上最高反向工作电压时的反向电流。反向电流 越小，管子的单向导电性越好。另外，IR与温度密切相关， 使用时应注意。
_ _ _
_ _ _
_ _ _ _ _ _
PN结P端接高电位，N端
+ + +
+ + + + + +
+ + +
接低电位，称PN结外加正向 电压，又称PN结正向偏置， 简称为正偏，如图所示
结论：
PN结外加正向电压（正偏）时处于导通状态，外加反向电 压（反偏）时处于截止状态
四、PN结
4.PN结的用途 • 整流半导体器件 • 可变电容 • 稳压器件
空穴的移动： 当出现空穴时，由于电场的作 用，与它相邻的价电子很容易离开 它所在的共价键而填补到这个空位 上，在电子原来的位置上留下空穴， 而其它电子又可以转移到这个新的 空位上，那么在晶体中就出现了电 荷移动。 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也 可形成空穴电流，它们的方向相反。
半导体器件基础
半导体器件基础一、引言半导体器件是现代电子技术的基础，广泛应用于通信、计算机、消费电子等各个领域。
本文将对半导体器件的基础知识进行介绍，包括半导体材料、PN结、二极管和晶体管。
二、半导体材料半导体器件的制作材料主要是硅（Si）和锗（Ge）。
这两种材料的原子结构中，外层电子数与内层电子数相差较小，使得它们具有较好的导电性能。
此外，硅和锗还具有稳定的化学性质和较高的熔点，适合用于制作半导体器件。
三、PN结PN结是半导体器件中最基本的结构之一。
它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。
在PN结中，P型半导体中的空穴（正电荷）和N型半导体中的电子（负电荷）会发生扩散，形成空间电荷区。
空间电荷区中的电荷分布形成了电场，使得PN结两侧形成了正负电势差。
当外加电压使得PN结正向偏置时，空间电荷区变窄，电流可以通过；当外加电压使得PN结反向偏置时，空间电荷区变宽，电流无法通过。
PN结的这种特性使其成为二极管和晶体管等器件的基础。
四、二极管二极管是一种最简单的半导体器件，由PN结组成。
二极管具有只能单向导通电流的特性，即正向偏置时电流可以通过，反向偏置时电流无法通过。
二极管广泛应用于电路中的整流、限流和保护等功能。
五、晶体管晶体管是一种三层PN结的器件，由发射极、基极和集电极构成。
晶体管的工作方式取决于PN结的偏置状态。
当PN结适当偏置时，发射极和集电极之间的电流受到基极电流的控制。
晶体管可以放大电流和信号，广泛应用于放大器、开关和逻辑电路等领域。
六、其他半导体器件除了二极管和晶体管，半导体器件还包括场效应晶体管（FET）、可控硅（SCR）等。
FET是一种基于电场控制的器件，具有高输入阻抗和低噪声的特点，适用于放大和开关电路。
SCR是一种具有双向导通特性的器件，广泛应用于交流电控制领域。
七、结论半导体器件基础知识对于理解和应用现代电子技术至关重要。
本文介绍了半导体材料、PN结、二极管和晶体管等基本概念。
通过深入学习和理解半导体器件的基础知识，我们可以更好地应用和创新电子技术，推动科技进步和社会发展。
半导体器件基础2 共57页
IC VBE
VCE
IC VEB
;g22
VEC
IC VCE
VBE
IC VEC
VEB
半导体器件
小信号模型-1
ib g11vbe g12vce iB ic g21vbe g22vce vBE
iC
T
vCE
半导体器件
小信号等效电路
混合模型
在放大偏置模式下并假定基区宽度调制可忽略，由E-M方程：
半导体器件
几何效应
器件尺寸有限, 必须考虑二维效应 发射区面积不等于集电区面积
半导体器件
几何效应-1
串联电阻(基区电阻)
半导体器件
复合-产生电流-1
发射结侧向注入及基区表面复合
半导体器件
缓变基区
J pB ( x )
q pB BB ( x ) p pB ( x ) qD
半导体器件
基区宽度调制-1
对共基极
d c
1
2
1DE DB
NB NE
W LE 12W LB
半导体器件
基区穿通
双极晶体管在基极开路条件下工作，随 着外加VCE上升，未发生雪崩击穿而出现 集电极电流急剧增加的现象
W0
半导体器件
雪崩倍增和击穿
共基极
与单个PN结类似, 最大击穿电压为VCB0
半导体器件
小信号模型-1
ib
IB VBE
VCE
vbe
IB VCE
VBE
vce
iB
ic
IC VBE
VCE
vbe
IC VCE
VBE
半导体器件基础共53页
Analog Circuits Technology
1.1.2 二极管的结构、类型、电路符号
1．通过一定的生产工艺把半导体的P区和N区部 分结合在一起，则它们的交界处就会形成一个 具有单向导电性的薄层，称为PN结（PN Juntion）。
2．以PN结为管芯，在结的两侧，即P区和N区均 接上电极引线，并以外壳封装，就制成了半导 体二极管，简称二极管（Diode）。
3．半导体二极管内部结构示意图和电路符号见 图1.1.3，电路符号箭头方向表示二极管导通时 的电流方向。
16.08.2021
广西机电职业技术学院 李广兴
模拟电子技术
Analog Circuits Technology
16.08.2021
图1.1.3 二极管内部结构示意图和电路符号 a)内部结构 b)电路符号
适用于高频检波、变频、高频振荡等场合。如 国产检波二极管2AP系列和开关二极管2AK系列。 面接触型二极管PN结面积大，允许通过的电流
较大，结电容也大，适用于工作频率较低的场 合，一般用作整流器件。如国产硅二极管2CP 和2CZ系列。
16.08.2021
广西机电职业技术学院 李广兴
模拟电子技术
Analog Circuits Technology
半导体二极管外形
半
半导体三极管外形
16.08.2021
广西机电职业技术学院 李广兴
模拟电子技术
Analog Circuits Technology
1.1.1 半导体基础知识
1．半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。常 用的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）、 硒（Se）和 砷化镓（GaAs）等。
广西机电职业技术学院 李广兴
半导体器件基础 第1章(第二版)PPT课件
电 子的浓度是一定的，反向电流在一定
的电压范围内不随外界电压的变化而
子 变化，这时的电流称为反向饱和电流，第
技 以IR(sat) 表示。
一
术 章
基
础
电
少数载流子的浓度很小，由
子 此而引起的反向饱和电流也很小， 技 但温度的影响很大。表1.2.1是硅 第
管的反向电流随温度的变化情况 一
术 章
基
础
三、PN结的伏安特性
一
术 温度每升高8℃，硅的载流子浓度增加一倍。
章
基
+4
+4
+4
+4
+4
+4 自
由
础
+4
+4
+4
+4
+4
+4 电
子
空穴
+4
+4
+4
+4
+4
+4
1.1.3 杂质半导体的导电特性
电
掺杂后的半导体称为杂质半导体，
子 杂质半导体按掺杂的种类不同，可分为N 第
技 型（电子型）半导体和P型（空穴型）半
一
术 导体两种。
1.2.1 PN结的形成
电
当P型半导体和N型半
子 导体相互“接触”后，在
它们的交界面附近便出现
第
技 了电子和空穴的扩散运动。
一
术 N区界面附近的多子电子将 基 向P区扩散，并与P区的空
同样，P区界面形章 成一个带负电的薄电
础穴复合，N区界面附近剩下 荷层。于是在两种半 了不能移动的施主正离子， 导体交界面附近便形
成了一个空间电荷区，
半导体分立器件制造项目工程组织管理
半导体分立器件制造项目工程组织管理一、项目组织结构1.项目经理：负责整个项目的计划、组织和执行，并对项目的进度、质量、成本、风险等进行监控和控制。
2.项目团队：包括技术人员、生产人员、质量控制人员和采购人员等，根据项目的需求进行协作工作。
3.项目委员会：由项目经理、技术主管、生产主管、质量主管和采购主管等组成，负责决策项目的重要事项。
二、工作分配1.确定项目目标：项目经理与项目委员会共同制定项目的目标和关键绩效指标，明确工作的方向和目标。
2.制定项目计划：根据项目目标，项目经理与项目团队制定详细的项目计划，包括工作内容、工期、资源需求等。
3.分配任务：项目经理根据项目计划，将工作任务合理地分配给项目团队成员，确保每个成员都清楚自己的工作内容和时间要求。
4.设立工作小组：根据项目的具体需求，可设立不同的工作小组来协作完成各项任务，例如技术小组、生产小组和采购小组等。
5.协作工作：各个小组之间进行有效的协作和沟通，确保工作的顺利进行。
定期召开会议，及时交流工作进展和存在的问题，共同解决难题。
三、进度控制1.制定进度计划：项目经理根据项目计划，制定详细的进度计划，包括各个任务的开始时间、结束时间和里程碑等。
2.监控进度：项目经理定期对项目的进度进行监控和控制，及时发现和解决项目进度滞后和延误的问题。
3.及时反馈：项目团队成员要及时向项目经理反馈工作进展，包括完成情况、遇到的问题和需要的支持等。
4.调整计划：根据项目的实际情况，项目经理可以对进度计划进行调整和优化，以确保项目能够按时完成。
四、质量控制1.制定质量标准：项目团队与质量控制人员共同制定详细的质量标准和检验要求，确保产品的质量符合要求。
2.质量检查：质量控制人员对项目的各个环节进行质量检查，确保产品在各个阶段都符合质量标准。
3.问题解决：如发现质量问题，项目团队要及时解决，并采取措施预防类似问题的再次发生。
4.持续改进：项目团队要与质量控制部门密切合作，不断改进工作流程和技术，提高产品的质量水平。
半导体器件基础
半导体二极管，也叫晶体二极管。它由一个PN结构成，具有单向导电性，是整流电路的核心器件。
几种常见二极管的外形
二极管的结构及电路符号 二极管 = PN结 + 管壳 + 引线
二极管的特性——单向导电性
二极管在电路中受外加电压控制共有两种工作状态： 正向导通和反向截止。 正向导通特性： 正向电压达到一定程度（硅二极管为0.6V,锗二极管为0.2V）， 二极管导通，正向电流增加很快，导通时正向电压有一个很小的变化，就会引起正向电流很大的变化，两引脚之间的电阻很小，相当于开关接通。
小结
半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。半导体具有热敏、光敏、杂敏等特性。常用的半导体材料是硅和锗，并被制作成晶体。 半导体导电时有两种载流子（自由电子和空穴）参与形成电流。在纯净的半导体中掺入不同的微量杂质，可以得到N型半导体（电子型）和P型半导体（空穴型）。 P型半导体和N型半导体相连接在结合处形成PN结，PN结的基本特性是具有单向导电性。
多数载流子——自由电子 少数载流子——空穴
N型半导体主要是电子导电。
N型半导体和P型半导体
P型半导体 【Positive空穴】
1
在锗或硅晶体内掺入少量三价元素杂质，如硼；这样在晶体中有了多余的空穴。
2
空穴
3
硼原子
4
硅原子
5
多数载流子——空穴 少数载流子——自由电子
6
P型半导体主要是空穴导电。
7
PN结及其增大，PN结被电击穿，失去单向导电性。如果没有适当的限流措施，PN结会被热烧毁。
综上所述
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流，PN结导通（相当开关闭合）； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流，PN结截止（相当开关断开）。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性（开关特性）。
半导体器件基础知识
半导体器件基础知识目录一、半导体器件概述 (2)1.1 半导体的定义与特性 (3)1.2 半导体的分类 (3)1.3 半导体的应用领域 (4)二、半导体器件基础理论 (5)2.1 二极管 (6)2.1.1 二极管的分类与结构 (8)2.1.2 二极管的特性与应用 (9)2.2 晶体管 (10)2.2.1 晶体管的分类与结构 (11)2.2.2 晶体管的特性与应用 (13)2.3 集成电路 (15)2.3.1 集成电路的分类与结构 (16)2.3.2 集成电路的特性与应用 (18)三、半导体器件制造工艺 (19)3.1 晶圆制备 (20)3.2 淀积与光刻 (21)3.3 蚀刻与退火 (22)3.4 封装与测试 (23)四、半导体器件设计 (24)4.1 设计流程与方法 (24)4.2 特征尺寸与制程技术 (25)4.3 低功耗设计 (27)4.4 高性能设计与优化 (28)五、半导体器件测试与可靠性 (29)5.1 测试方法与设备 (30)5.2 可靠性评估与提升 (32)5.3 环境与寿命测试 (33)六、新兴半导体器件与发展趋势 (34)6.1 量子点半导体器件 (36)6.2 纳米半导体器件 (37)6.3 光电半导体器件 (38)6.4 三维集成与先进封装技术 (39)一、半导体器件概述半导体器件是现代电子工业中的核心组件，它们在各种电子设备中发挥着至关重要的作用。
半导体器件基于半导体材料，如硅（Si）和锗（Ge），这些材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
通过控制半导体器件中掺杂离子的浓度和类型，可以实现其电学特性的精确调整，从而满足不同电子系统的需求。
半导体器件广泛应用于放大器、振荡器、开关、光电器件、传感器等多种功能模块。
集成电路（IC）是半导体器件的一种重要形式，它将成千上万的半导体器件紧密地封装在一个微小的芯片上，形成了一个高度集成化的电子系统。
集成电路在计算机、手机、汽车电子等领域的应用尤为广泛，极大地推动了信息技术的发展。
第1章半导体器件基础
E = 200 lx
符号 2. 主要参数
E = 400 lx
特性
工作条件： 反向偏置
u
电学参数： 暗电流，光电流，最高工作范围
光学参数：
光谱范围，灵敏度，峰值波长
实物照片
模电拟 电子子 技技术 术
1.2.6 二极管应用举例
例1：已知ui是幅值为10V的正弦信号，试画出ui和uo 的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。
模电拟 电子子 技技术 术
例二：在图示稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳定电压 UZ=6V，最小稳定电流Izmin=5mA，最大稳定电流Izmax=25mA； 负载电阻RL=600Ω。求解限流电阻R的取值范围。
分析：
由KCL I R I DZ I L
I DZ
UI
UZ R
UZ RL
而 5mA IDZ 25mA
(击穿电压 < 4 V，负温度系数)
雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，当反向电压增加到较
大数值时，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与 共价键中的价电子相碰撞，把价电了撞出共价键，产生 电子-空穴对。新产生的电子与空穴被电场加速后又撞 出其它价电子，载流子雪崩式地倍增，致使电流急剧增 加，这种击穿称为雪崩击穿。 (击穿电压 > 7V，正温度系数)
模电拟 电子子 技技术 术
二、PN 结的单向导电性 1. 外加正向电压(正向偏置)— forward bias
IF P 区
外电场
N区 内电场
扩散运动加强形成正向电流 IF
外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。
限流电阻
模电拟 电子子 技技术 术
2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias
半导体器件基础
金品质•高追求 我们让你更放心！
返回
◆语文•选修\中国小说欣赏•(配人教版)◆
一 、半导体二极管的V—A特性曲线
实验曲线
i
锗
击穿电压UBR
(1) 正向特性 i
u
V
mA
(2) 反向特性
i u
V
uA
0
u
反向饱和电流
导通压降 硅：0.7 V
死区 电压
0.3V
E
锗：
硅：0.5 V
锗： 0.1 V
E 金品质•高追求 我们让你更放心！
阳极
N
-
阴极
金品质•高追求 我们让你更放心！
返回
◆语文•选修\中国小说欣赏•(配人教版)◆
二极管按结构分三大类：
(1) 点接触型二极管
PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。
正 极引 线
金 属触 丝
负 极引 线
外壳
N型 锗
金品质•高追求 我们让你更放心！
返回
◆语文•选修\中国小说欣赏•(配人教版)◆
(3) 反向电流IR——
当 u<0 时
u
其中k为玻耳兹曼常数
|u|>>|U T | e UT 1
1.38×10－23
i IS
q 为电子电荷量1.6×10－9 T 为热力学温度
金品质•高追求 我们让你更对放于心室！温（相当T=300返K回
◆语文•选修\中国小说欣赏•(配人教版)◆
4. PN结的电容效应
(1) 势垒电容CB
－ － －－
++ + +
少子—电子
少子—空穴
少子浓度——与温度有关 多子浓度——与温度无关
第一章半导体器件基础课件资料
第一章半导体器件基础第一节半导体基础知识一、本征半导体1、半导体概念半导体：其导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。
本征半导体：完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体。
2、本征半导体的晶体结构在本征半导体中，原子按一定间隔排列成有规律的空间点阵（晶格）。
由于原子间相距很近，价电子不仅受到自身原子核的约束，还要受到相邻原子核的吸引，使得每个价电子为相邻原子共有，从而形成共价键。
3、本征半导体中的两种载流子的产生在热力学温度零度时，共价键的电子受到原子核的吸引，不能自由移动，此时半导体不导电。
随着温度的上升，共价键内电子因热激发而获得能量，其中能量较高的电子挣脱共价键的束缚，成为自由电子。
同时，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。
自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱，其中空穴可看成带正电的载流子。
4、本征半导体中载流子的浓度（1）、相关概念：本征激发：本征半导体中成对产生自由电子和空穴的现象。
复合：自由电子填入空穴，并释放出能量的过程。
（2）、载流子浓度的动态平衡：在本征半导体中，由于本征激发不断产生电子、空穴对，使载流子浓度增加。
同时，又由于正负电荷相吸引，自由电子和空穴复合。
在一定温度下，当没有其它能量存在时，电子、空穴对的产生和复合最终达到一种热平衡状态，使本征半导体中载流子的浓度保持一定。
二、杂质半导体1、N型半导体(Negative)在硅（或锗）的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成N 型半导体(或称电子型半导体)。
本征半导体掺入 5价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。
杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
自由电子浓度远大于空穴的浓度，所以电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)，5价杂质原子称为施主原子。
第一章半导体器件基础知识
第一章半导体器件基础知识制作黎小桃第二节第三节第四节本章概述半导体器件是电子线路的核心器件。
只有掌握半导体器件的结构、性能、工作原理和特点，才能正确分析电子电路工作原理，正确选择和合理使用半导体器件。
本章主要介绍二极管、三极管、场效应管、晶闸管的结构、性能、主要参数以及常用器件的识别与性能测试等。
本章重点： PN 结的特性、晶体三极管、场效应管的工作原理、主要参数和外特性。
本章难点： PN 结的形成、三极管电流放大作用本 章 概 述第一节本 章 概 述第五节第一节 半导体的基本知识一、半导体的概念半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
常用的半导体材料有硅（Si ）、锗（Ge ）、硒（Se ）和砷化镓（GaAs ）等。
二、半导体的特性（1）热敏特性和光敏特性：温度升高或受到光照，半导体材料的导电能力增强。
（2）掺杂特性 ：本征半导体中掺入某种微量元素(杂质)后，它的导电能力增强，利用该特性可形成杂质半导体。
第一节 半导体的基本知识第二节第三节第四节本章概述第一节第五节第一节半导体的基本知识图1-1 共价健结构与空穴产生示意图第二节第三节第四节本章概述第一节第五节三、本征半导体纯净的不含任何杂质、晶体结构排列整齐的半导体。
共价键：相邻原子共有价电子所形成的束缚。
半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
空穴产生：价电子获得能量挣脱原子核吸引和共价键束缚后留下的空位，空穴带正电。
四、N 型和P 型半导体(1)N 型半导体(N-type semiconductor)在四价的本征半导体(硅)中掺入微量五价元素磷，就形成了N 型半导体。
(2)P 型半导体(P-type semiconductor)：在四价的本征半导体(硅)中掺入微量三价元素(硼)就形成P 型半导体。
a)N 型半导体 b)P 型半导体第一节半导体的基本知识第二节第三节第四节本章概述第一节第五节五、PN 结1．PN 结的形成第一节 半导体的基本知识第二节第三节第四节本章概述第一节第五节PN 结P 区N 区内电场电子空穴PN 结的形成在一块纯净的半导体晶体上，采用特殊掺杂工艺，在两侧分别掺入三价元素和五价元素。
项目一常用半导体元器件任务一半导体基本知识
任务一 半导体基本知识常用半导体 元器件
1
常用半导体元器件
半导体元器件是电气设备、电器设备、家用电器设 备等的主要器件。半导体元器件有二极管、三极管、 集成电路等。
2
任务一 半导体的基本知识
知识1 导体、半导体、绝缘体
物质按导电性能的不同，分为三在类，即导体、半 导体、绝缘体。
二极管在反向击穿状态下，流过管子的电流变化很 大，而两端电压变化很小，稳压管正是利用这一点实 现稳压作用的。稳压管工作时，必须接入限流电阻， 才能使其流过的反向电流在稳压范围内变化。
20
2．发光二极管（LED）
发光二极管是一种光发射器件，能把电能直接转换成 光能的固体发光器件，它是由镓、砷、磷等化合物制成的， 其图形符号如图所示。由这些材料构成的ＰＮ结加上正偏 电压时，PN结便以发光的形式来释放能量。
c
c
b
V
b
V
b
e NPN 型
b)
e PNP 型
33
2．晶体管三极管外形
图6-8 几种常见的晶体管的外形结构
34
三极管分类
(1)按材料分类 三极管按材料可分为：硅三极管、锗三极管。
(2)按导电类型分类 三极管按导电类型可分为：PNP 型和 NPN 型。
锗三极管多为 PNP 型，硅三极管多为 NPN 型。
40
短接。
20
（2） UCE增大时，输入特 性曲线右移。
0 0.2 0.4 0.6 0.8 uBE / V
三极管的导通时，锗管0.2-0.3V
图6-11 输入特性曲线
硅管0.5-0.7V
41
2. 输出特性曲线
输出特性曲线是在基极电流 IB 一定的情况下，三 极管输出回路中集射电压 UCE与集电极电流 IC 之间
半导体 项目管理 课程
半导体项目管理课程
半导体项目管理课程是针对半导体行业的项目管理进行的培训
课程，旨在帮助学员掌握在半导体领域开展项目管理所需的技能和
知识。
这样的课程通常涵盖了以下几个方面：
1. 半导体行业概述，课程通常会介绍半导体行业的基本概念、
发展历程、市场现状和未来趋势，帮助学员对行业有一个全面的了解。
2. 项目管理基础知识，课程会讲解项目管理的基本原理、流程
和工具，包括项目计划、执行、监控和收尾等各个阶段的内容，以
及项目管理中的关键成功因素。
3. 半导体项目特点，课程会重点介绍半导体项目的特点和挑战，例如技术更新快、成本控制严格、市场需求波动大等，帮助学员了
解在半导体行业开展项目管理的特殊考量。
4. 风险管理，由于半导体项目通常涉及高技术含量和复杂的供
应链，课程会教授学员如何识别、评估和应对项目中的各种风险，
以确保项目顺利完成。
5. 团队管理，课程通常也会涉及团队管理的内容，包括团队建设、沟通技巧、冲突解决等，帮助学员提升团队管理能力。
6. 实践案例分析，课程可能会通过实际案例分析来帮助学员将理论知识应用到实际项目中，加深他们的理解和应用能力。
学完这样的课程，学员可以更好地理解半导体项目管理的特点和要求，掌握项目管理的基本技能和方法，并能够在实际工作中更加高效地开展半导体项目管理工作。
这对于从事半导体行业的工程师、项目经理以及相关领域的专业人士来说都是非常有益的。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
电子 技 术
2000年以来，以集成电路为基础的电子信息产业 已成为世界第一大产业。电子信息产业的发展在国民 经济发展中具有十分重要的战略意义。科学家认为人 类继石器、青铜器、铁器时代之后进入了硅石时代。
二、课程的性质和任务
本课程是高职高专电类专业通用的技术基础课程， 也是实践性较强的一门主干课程。在专业人才培养过 程中具有重要的地位和作用。
电子 技 术
通过本课程的理论教学和实验、课程设计等实践 教学，使学生获得电子元器件和功能电路及其应用的 基本知识，掌握电子技术基本技能，培养学生创新意 识和实践能力，以适应电子技术发展的形势，为后续 课程的学习和形成职业能力打好基础。
通过本课程及实践环节的教学使学生获得以下知 识和能力：
电子 技 术
1. PN结外加正向电压时处于导通状态
PN 结加上正向电压、正向偏置的意思是： P 区
加正、N 区加负电压。
变薄
内电场被削弱，多子 的扩散加强，形成较 大的扩散电流。
+P
－+
－+ －+
N
－+
外电场
内电场
R
E
电子 技 术
2. PN结外加反向电压时处于截止状态
PN 结加上反向电压、反向偏置的意思是： P
电子 技 术
电子线路是由电子器件（又称有源器件，如电 子管、半导体二极管、晶体管、集成电路等）和电 子元件（又称无源器件，如电阻器、电容器、电感 器 、变压器等）组成具有一定功能的电路。
电子器件是电子线路的核心。电子器件的发展 促进了电子技术的发展 。
(一)电子管时代:
1904年电子管的发明，使电子技术进入了第一 个时代——电子管时代 。
区加负、N 区加正电压。 变厚
－+
电子 技 术
1958年，德克萨斯仪器公司发明了集成电路， 使电子技术进入集成电路时代。集成电路芯片是通过 一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器 件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连， “集成”在一块半导体单晶片上，实现特定的电路或 系统功能。
(四)信息时代
2000年以来,以集成电路为基础的电子信息产业 已成为世界第一大产业。电子信息产业的发展在国 民经济发展中具有十分重要的战略意义。科学家认
在纯净的硅或锗晶体中掺入少量的5价元
素（如磷）。
+4
N型半导体的特点：
①两种载流子中自由电子是多 空穴是少子；
②主要靠自由电子导电。
子，
磷原子
+4 +4
+5 +4 自由电子 正离子
N型半导体的简化图示
多数载流子
少数载流子
电子 技 术
二、 P 型半导体
在纯净的硅或锗晶体中掺入少 量的3价元素（如硼）。
电子 技 术
项目一、 半导体器件基础
电子 技 术
绪论
一、电子技术的发展与应用概况 电子技术是研究电子器件 、电子电路及其应用
的科学技术。 电子技术的应用，以信息科学技术为中心的包括计
算机技术、生物基因工程、光电子技术、军事电子 技术、生物电子学、新型材料、新型能源、海洋开 发工程技术等高新技术群的兴起，已经引起人类从 生产到生活各个方面巨大变革。
电子 技 术
半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。 自由电子在共价键以外的运动。 空穴在共价键以内的运动。
结论：
1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少。 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电。 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
电子 技 术
2、杂质半导体
+4
一、N 型半导体
P型半导体的特点：
①空穴是多子，自由电子 是少子； ②主要靠空穴导电。
P 型半导体的简化图示
+4 +4 +4
+4 +3 +4
硼原子
空穴
负离子
多数载流子
少数载流子
电子 技 术
3、PN结
一、PN 结的形成
扩散运 离子电荷区形成
动
内电场建立 扩散运动
漂移运动
动态平衡
（一定宽度） 空间电荷区
PN结
P 区中的电子和 N 区中的空穴（都是少），数量
1.熟悉常用电子元器件的性能特点及其应用常识，具 有查阅手册、合理选用、测试常用电子元器件的能 力。
2.掌握常见功能电路的组成、工作原理、性能特点及 其分析计算方法，具有常见低频电路读图能力。
3.熟悉常见电路的调试方法，具有电路简单故障分析 、排除能力。
4.了解EWB基本操作方法，会用软件进行电路仿真。
电子 技 术
三、课程特点和学习方法
本课程是研究模拟电路（Analog Circuit）及其 应用的课程。模拟电路是产生和处理模拟信号的电路。 数字电路(Digital Circuit)的知识学习由数字电子技 术课程完成。
本课程有着下列与其他课程不同的特点和分析方 法。
电子 技 术
（1）模拟电路是以模拟电子器件为核心构成的电子电路。 （2）似估算的方法 （3）等效的方法 （4）图解的方法 （5）实验调整的方法
电子 技 术
从此，无线电通信、电视、广播、雷达、导航 电子设备和计算机等开始问世，并得到迅速发展。
(二)晶体管时代 1948 年贝尔（ Bell ）实验室发明晶体管后，使
电子技术进入晶体管时代，拉开了人类社会步入信息 时代的序幕。晶体管的广泛应用，开创了电子设备朝 小型化、微型化发展的新局面。
(三)集成电路时代
有限，因此由它们形成的电流很小。
电子 技 术
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。
2、空间电荷区中内电场阻碍P 区中的空穴、N 区中的电子（
都是多子）向对方运动（扩散 运动）。
所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变。
电子 技 术
二、PN 结的单向导电性
半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的不含任何杂质的半导体。如
硅、锗单晶体。
载流子 — 自由运动的带电粒子。
共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。
半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
电子 技 术
硅(锗)的原子结构
价电子 惯性核
简化模型
自
由
空穴
电 子
硅(锗)的共价键结构
在本课程学习过程中，要根据课程特点进行，并 注意以下问题。
第一，提高对本课程重要性的认识，努力学习。 第二，理论联系实际，重视实践动手能力培养。 第三，注重职业道德培养，养成良好职业习惯。
电子 技 术
四、半导体的基础知识 1. 本征半导体 2. 杂质半导体 3. PN 结
电子 技 术
1、本征半导体